Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148774) > Сторінка 2466 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.78 грн
10+139.57 грн
25+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.90 грн
27+15.69 грн
100+9.58 грн
500+6.85 грн
1000+5.86 грн
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.78 грн
49+8.59 грн
55+7.60 грн
79+5.29 грн
100+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+61.37 грн
12+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Pulsed drain current: 256A
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 46A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2136STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.78 грн
61+6.77 грн
86+4.86 грн
100+4.20 грн
500+3.03 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.20 грн
10+71.03 грн
25+55.33 грн
50+51.20 грн
500+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.54 грн
25+90.02 грн
50+87.54 грн
100+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS44273LTRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOT23-5
Output current: -1.5...1.5A
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+51.59 грн
11+39.64 грн
12+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.04 грн
3+217.21 грн
10+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF IRS2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.96 грн
10+147.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV47E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+16.01 грн
38+10.98 грн
100+7.09 грн
500+5.37 грн
1000+4.85 грн
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.69 грн
10+716.04 грн
30+682.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.46 грн
17+24.94 грн
50+23.95 грн
100+22.88 грн
250+21.80 грн
500+20.81 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.84 грн
5+90.85 грн
10+80.94 грн
25+72.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.63 грн
10+64.83 грн
50+56.41 грн
100+53.02 грн
250+48.40 грн
500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.14 грн
5+176.74 грн
10+153.61 грн
30+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+36.47 грн
50+29.98 грн
100+27.75 грн
250+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.23 грн
90+4.62 грн
93+4.46 грн
113+3.68 грн
250+3.39 грн
500+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.57 грн
24+17.26 грн
50+11.48 грн
100+9.58 грн
500+6.61 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+24.01 грн
30+13.87 грн
100+8.34 грн
250+6.77 грн
650+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF IRS2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+216.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.78 грн
65+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS16SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.56 грн
43+9.75 грн
46+9.00 грн
100+8.59 грн
250+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
209+2.13 грн
218+1.90 грн
250+1.73 грн
1000+1.55 грн
3000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
49+9.25 грн
100+6.94 грн
500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.35 грн
29+14.70 грн
50+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+12.01 грн
50+8.75 грн
250+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR92p.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Collector-emitter voltage: 15V
Frequency: 5GHz
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.57 грн
28+15.20 грн
31+13.46 грн
37+11.43 грн
50+10.24 грн
100+9.16 грн
250+8.28 грн
500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64-04.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.35 грн
32+13.21 грн
41+10.21 грн
100+6.84 грн
500+4.61 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.57 грн
24+17.34 грн
100+11.98 грн
500+9.58 грн
1000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.24 грн
32+13.05 грн
50+8.59 грн
100+7.27 грн
200+6.19 грн
250+5.86 грн
500+5.12 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR182WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.12 грн
36+11.56 грн
100+10.39 грн
250+9.60 грн
500+9.16 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5616H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+18.86 грн
30+15.77 грн
100+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+18.86 грн
30+15.36 грн
100+13.71 грн
250+12.39 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.46 грн
22+19.66 грн
25+16.60 грн
100+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+345.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.09 грн
5+281.63 грн
30+248.59 грн
120+223.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.00 грн
10+140.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.69 грн
12+34.52 грн
50+27.42 грн
100+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304SPBF IRS2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2304spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.99 грн
5+114.80 грн
10+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.78 грн
10+139.57 грн
25+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.90 грн
27+15.69 грн
100+9.58 грн
500+6.85 грн
1000+5.86 грн
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.78 грн
49+8.59 грн
55+7.60 грн
79+5.29 грн
100+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5-DTE.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.37 грн
12+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Pulsed drain current: 256A
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 46A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136STRPBF.pdf
IR2136SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2.pdf
2N7002H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.78 грн
61+6.77 грн
86+4.86 грн
100+4.20 грн
500+3.03 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.20 грн
10+71.03 грн
25+55.33 грн
50+51.20 грн
500+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF irf1405spbf.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf
IRF1405ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.54 грн
25+90.02 грн
50+87.54 грн
100+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF.pdf
IRS44273LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOT23-5
Output current: -1.5...1.5A
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.59 грн
11+39.64 грн
12+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF irs2106.pdf
IRS21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.04 грн
3+217.21 грн
10+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF irs2106.pdf
IRS2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115.pdf
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.96 грн
10+147.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV27E6327.pdf
BCV47E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.01 грн
38+10.98 грн
100+7.09 грн
500+5.37 грн
1000+4.85 грн
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.69 грн
10+716.04 грн
30+682.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.46 грн
17+24.94 грн
50+23.95 грн
100+22.88 грн
250+21.80 грн
500+20.81 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.84 грн
5+90.85 грн
10+80.94 грн
25+72.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.63 грн
10+64.83 грн
50+56.41 грн
100+53.02 грн
250+48.40 грн
500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.14 грн
5+176.74 грн
10+153.61 грн
30+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.47 грн
50+29.98 грн
100+27.75 грн
250+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.23 грн
90+4.62 грн
93+4.46 грн
113+3.68 грн
250+3.39 грн
500+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.57 грн
24+17.26 грн
50+11.48 грн
100+9.58 грн
500+6.61 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.01 грн
30+13.87 грн
100+8.34 грн
250+6.77 грн
650+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF description irs2110.pdf
IRS2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+216.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116.pdf
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.78 грн
65+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16SH6327XTSA1.pdf
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.56 грн
43+9.75 грн
46+9.00 грн
100+8.59 грн
250+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
209+2.13 грн
218+1.90 грн
250+1.73 грн
1000+1.55 грн
3000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
49+9.25 грн
100+6.94 грн
500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.35 грн
29+14.70 грн
50+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327.pdf
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+12.01 грн
50+8.75 грн
250+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92p.pdf
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Collector-emitter voltage: 15V
Frequency: 5GHz
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.57 грн
28+15.20 грн
31+13.46 грн
37+11.43 грн
50+10.24 грн
100+9.16 грн
250+8.28 грн
500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR64-04.pdf
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.35 грн
32+13.21 грн
41+10.21 грн
100+6.84 грн
500+4.61 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327.pdf
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.57 грн
24+17.34 грн
100+11.98 грн
500+9.58 грн
1000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.24 грн
32+13.05 грн
50+8.59 грн
100+7.27 грн
200+6.19 грн
250+5.86 грн
500+5.12 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327.pdf
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.12 грн
36+11.56 грн
100+10.39 грн
250+9.60 грн
500+9.16 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1.pdf
BCP5616H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.86 грн
30+15.77 грн
100+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX5610H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.86 грн
30+15.36 грн
100+13.71 грн
250+12.39 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX56H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.46 грн
22+19.66 грн
25+16.60 грн
100+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description ir2181.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.09 грн
5+281.63 грн
30+248.59 грн
120+223.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF irfp3415.pdf
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.00 грн
10+140.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF irfp3703.pdf
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327-DTE.pdf
BSP129H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.69 грн
12+34.52 грн
50+27.42 грн
100+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304SPBF irs2304spbf.pdf
IRS2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.99 грн
5+114.80 грн
10+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2480  [ Наступна Сторінка >> ]