Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149380) > Сторінка 2466 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS2183STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2183.pdf?fileId=5546d462533600a401535676d20c27d8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 14.1nC
Technology: MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R060P7 IPA60R060P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1EDC125262749&compId=IPA60R060P7.pdf?ci_sign=cb246ca29be37a4051586f7d55d95def1bcf574f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.51 грн
3+223.26 грн
6+167.84 грн
16+158.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C5A09F7391BF&compId=IPA60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=27526d852919e0caaf2f039489eca0b9d8de32e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P2
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.43 грн
20+19.95 грн
23+17.26 грн
100+9.98 грн
182+5.15 грн
500+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB57E0F870745&compId=BSR315PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ae348073efcde58782a96f46a5f058d78900eb40 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
On-state resistance: 1.3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.07 грн
15+27.31 грн
50+20.82 грн
80+11.64 грн
220+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680AZXKLA1
+2
 		ICE5QR0680AZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.8A; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Mounting: THT
Power: 74/41W
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Number of channels: 1
Output current: 1.8A
Operating voltage: 10...25.5V DC
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Frequency: 20kHz
Case: DIP7
Topology: flyback
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.81 грн
3+232.76 грн
6+178.93 грн
15+168.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA1AC5C6B718BF&compId=IAUT300N08S5N014.pdf?ci_sign=35d127234facff5564339e4e770b89015b375a19 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895df9e4e74 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 2; MOSFET; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Output current: 0.2A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A022E1D1611C&compId=IPA041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=d7d4fe71e4f10ac884101f60b895bb06e6b23eaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.59 грн
23+40.85 грн
63+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.79 грн
45+8.87 грн
56+7.13 грн
100+4.99 грн
322+2.88 грн
885+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+581.48 грн
60+485.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP011N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe1fa872535 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 210A; 3.8W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 3.8W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+109.99 грн
300+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.47 грн
5+125.88 грн
10+117.97 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7F97A7DE8E469&compId=SMBT2907AE6327.pdf?ci_sign=d66de9baddcb10f752cb30276c6a16f9d05328da Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC59; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SC59
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5616H6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI030 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI023 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI030 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI040 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI043 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
On-state resistance: 32mΩ
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 180nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.85 грн
3+418.82 грн
6+406.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.40 грн
6+176.55 грн
15+167.05 грн
100+166.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2D42B08E5D1BF&compId=IPA65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=47e2817ed3d474dc4a948fe7cff81ace936c2fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.30 грн
10+117.97 грн
12+81.55 грн
32+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF32141A4C0F1BF&compId=IPB65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=a7f0f0199dc44a7f3e195f767dd282f7da6f3870 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB90A4F17E251BF&compId=IPI65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=f007af3a5f24dfc285ce3d7c33a1efe79db57adb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACE545C2EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7855pbf.pdf?ci_sign=b22b7175e73c8569212aaa050adf69f108f47aab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 20W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.86 грн
10+87.09 грн
11+85.51 грн
30+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.50 грн
9+110.05 грн
24+103.71 грн
50+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 18A; 72W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 25nC
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Gate-source voltage: 20V
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3824202448143&compId=IPB80N06S2L07.pdf?ci_sign=8bcfcd26c285b239e9002caf6ee87aba273bb8d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.69 грн
9+110.84 грн
24+104.51 грн
100+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBF PVI1050NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0B4CC175DA1EC&compId=pvin.pdf?ci_sign=a3aca8335bf6d9d460b8a7a1ccdacbbc0ac5365d Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Manufacturer series: PVI-NPbF
Mounting: SMD
Turn-off time: 220µs
Turn-on time: 0.3ms
Number of channels: 2
Case: Gull wing 8
Insulation voltage: 2.5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 PVI1050NSPBFHLLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - Unclassified
Description: OPTOISOLATOR 2CH 2.5KV HIGH-VOLT SMD-8
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+526.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 6÷20V
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+105.72 грн
10+66.90 грн
26+36.97 грн
70+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGA616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA616_Rev2011.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC83BDC316811C&compId=IPP200N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=38cb5325374ca3da97dcbd9df290e4f9562e6e8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+272.84 грн
120+228.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 290mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 50A; 136W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2183STRPBF irs2183.pdf?fileId=5546d462533600a401535676d20c27d8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 40A; 69W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 14.1nC
Technology: MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R060P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1EDC125262749&compId=IPA60R060P7.pdf?ci_sign=cb246ca29be37a4051586f7d55d95def1bcf574f
IPA60R060P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f
IPI60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.51 грн
3+223.26 грн
6+167.84 грн
16+158.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C5A09F7391BF&compId=IPA60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=27526d852919e0caaf2f039489eca0b9d8de32e3
IPA60R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1 IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
IPB60R190C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P2
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.43 грн
20+19.95 грн
23+17.26 грн
100+9.98 грн
182+5.15 грн
500+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB57E0F870745&compId=BSR315PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ae348073efcde58782a96f46a5f058d78900eb40
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
On-state resistance: 1.3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.07 грн
15+27.31 грн
50+20.82 грн
80+11.64 грн
220+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680AZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124
ICE5QR0680AZXKLA1
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.8A; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Mounting: THT
Power: 74/41W
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Number of channels: 1
Output current: 1.8A
Operating voltage: 10...25.5V DC
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Frequency: 20kHz
Case: DIP7
Topology: flyback
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.81 грн
3+232.76 грн
6+178.93 грн
15+168.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA1AC5C6B718BF&compId=IAUT300N08S5N014.pdf?ci_sign=35d127234facff5564339e4e770b89015b375a19
IAUT300N08S5N014ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 Infineon-BAT15-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895df9e4e74
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 2; MOSFET; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Output current: 0.2A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A022E1D1611C&compId=IPA041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=d7d4fe71e4f10ac884101f60b895bb06e6b23eaf
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.59 грн
23+40.85 грн
63+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70
BAS116E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.79 грн
45+8.87 грн
56+7.13 грн
100+4.99 грн
322+2.88 грн
885+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+581.48 грн
60+485.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a
IPT60R065S7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP011N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe1fa872535
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 210A; 3.8W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 3.8W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.99 грн
300+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.47 грн
5+125.88 грн
10+117.97 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7F97A7DE8E469&compId=SMBT2907AE6327.pdf?ci_sign=d66de9baddcb10f752cb30276c6a16f9d05328da
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC59; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SC59
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5616H6433XTMA1 bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFA010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI020 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI030 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI020 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI023 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI030 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI040 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI043 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd
IRFP4868PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
On-state resistance: 32mΩ
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 180nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.85 грн
3+418.82 грн
6+406.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.40 грн
6+176.55 грн
15+167.05 грн
100+166.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2D42B08E5D1BF&compId=IPA65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=47e2817ed3d474dc4a948fe7cff81ace936c2fee
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.30 грн
10+117.97 грн
12+81.55 грн
32+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF32141A4C0F1BF&compId=IPB65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=a7f0f0199dc44a7f3e195f767dd282f7da6f3870
IPB65R380C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB90A4F17E251BF&compId=IPI65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=f007af3a5f24dfc285ce3d7c33a1efe79db57adb
IPI65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACE545C2EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7855pbf.pdf?ci_sign=b22b7175e73c8569212aaa050adf69f108f47aab
IRF7855TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 20W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.86 грн
10+87.09 грн
11+85.51 грн
30+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.50 грн
9+110.05 грн
24+103.71 грн
50+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 18A; 72W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 25nC
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Gate-source voltage: 20V
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3824202448143&compId=IPB80N06S2L07.pdf?ci_sign=8bcfcd26c285b239e9002caf6ee87aba273bb8d7
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.69 грн
9+110.84 грн
24+104.51 грн
100+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0B4CC175DA1EC&compId=pvin.pdf?ci_sign=a3aca8335bf6d9d460b8a7a1ccdacbbc0ac5365d
PVI1050NSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 2.5kV; Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Manufacturer series: PVI-NPbF
Mounting: SMD
Turn-off time: 220µs
Turn-on time: 0.3ms
Number of channels: 2
Case: Gull wing 8
Insulation voltage: 2.5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
PVI1050NSPBFHLLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - Unclassified
Description: OPTOISOLATOR 2CH 2.5KV HIGH-VOLT SMD-8
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+526.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 6÷20V
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379
IPP320N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811
IRFB3806PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.72 грн
10+66.90 грн
26+36.97 грн
70+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGA616H6327XTSA1 BGA616_Rev2011.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC83BDC316811C&compId=IPP200N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=38cb5325374ca3da97dcbd9df290e4f9562e6e8f
IPP200N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+272.84 грн
120+228.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 290mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 50A; 136W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2490  [ Наступна Сторінка >> ]