Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148774) > Сторінка 2468 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4141N BTS4141N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4141N.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
On-state resistance: 0.175Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 12...45V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.59 грн
10+151.14 грн
100+118.93 грн
250+106.54 грн
500+97.45 грн
1000+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES IRG4BC40W-STRRP.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.24 грн
16+27.42 грн
20+25.85 грн
50+23.62 грн
100+22.05 грн
200+20.32 грн
500+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.53 грн
10+212.25 грн
100+171.78 грн
250+156.09 грн
500+144.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.75 грн
10+233.72 грн
100+207.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.75 грн
10+113.15 грн
20+97.45 грн
50+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.78 грн
59+7.10 грн
76+5.43 грн
100+4.90 грн
500+3.92 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+88.05 грн
50+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
86+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.79 грн
31+13.71 грн
35+11.98 грн
100+7.60 грн
500+5.86 грн
1000+5.37 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
88+5.09 грн
100+4.26 грн
250+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF IRS2186STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.41 грн
10+85.89 грн
50+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.29 грн
3+256.02 грн
10+229.60 грн
50+213.90 грн
250+213.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.12 грн
37+11.23 грн
42+9.91 грн
49+8.51 грн
54+7.68 грн
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.57 грн
22+19.49 грн
100+12.06 грн
250+9.83 грн
500+8.51 грн
1000+7.35 грн
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+16.01 грн
33+12.55 грн
44+9.58 грн
50+8.42 грн
100+7.56 грн
250+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.67 грн
55+7.60 грн
75+5.55 грн
100+4.87 грн
500+3.71 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+73.82 грн
12+34.85 грн
100+26.76 грн
250+24.03 грн
500+22.13 грн
1000+20.40 грн
2000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.34 грн
50+8.34 грн
65+6.44 грн
100+5.72 грн
250+4.81 грн
500+4.19 грн
1000+3.58 грн
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+31.13 грн
18+23.62 грн
21+20.48 грн
100+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.12 грн
48+8.75 грн
74+5.63 грн
100+4.64 грн
250+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7437TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+88.05 грн
50+28.58 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.92 грн
25+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.05 грн
10+53.93 грн
50+45.26 грн
100+41.54 грн
200+37.99 грн
250+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Part status: Not recommended for new designs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+71.15 грн
8+58.64 грн
10+47.08 грн
95+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.23 грн
77+5.37 грн
78+5.32 грн
100+5.19 грн
250+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.56 грн
50+8.26 грн
55+7.52 грн
100+5.62 грн
500+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP760.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.46 грн
19+21.80 грн
25+19.66 грн
100+17.34 грн
250+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.56 грн
10+148.66 грн
25+140.40 грн
50+133.79 грн
100+127.19 грн
250+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4653.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 BAS7006WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.45 грн
41+10.16 грн
100+7.01 грн
500+4.79 грн
1000+4.11 грн
3000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.15 грн
25+82.59 грн
95+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.23 грн
51+8.18 грн
60+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.34 грн
49+8.59 грн
58+7.14 грн
67+6.18 грн
100+5.39 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.79 грн
39+10.65 грн
54+7.76 грн
100+6.85 грн
500+5.20 грн
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Power: 625mW
Voltage class: 200V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.54 грн
5+123.06 грн
10+111.49 грн
25+99.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.34 грн
46+9.08 грн
100+6.06 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 56A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 625mW
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.73 грн
10+78.46 грн
25+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+127.19 грн
10+85.89 грн
25+80.11 грн
50+75.98 грн
100+71.85 грн
250+68.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT210N12KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9765.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRS21531DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.05 грн
10+53.68 грн
25+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR400W.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Case: SOT343
Mounting: SMD
Power: 0.33W
Supply voltage: 1.6...18V DC
Integrated circuit features: active bias controller
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Output current: 10mA
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+14.23 грн
39+10.74 грн
45+9.33 грн
100+8.67 грн
250+7.76 грн
500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4141N description BTS4141N.pdf
BTS4141N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
On-state resistance: 0.175Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 12...45V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.59 грн
10+151.14 грн
100+118.93 грн
250+106.54 грн
500+97.45 грн
1000+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP.pdf
IRG4BC40W-STRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF irfr1205pbf.pdf
IRFR1205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.24 грн
16+27.42 грн
20+25.85 грн
50+23.62 грн
100+22.05 грн
200+20.32 грн
500+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.53 грн
10+212.25 грн
100+171.78 грн
250+156.09 грн
500+144.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.75 грн
10+233.72 грн
100+207.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.75 грн
10+113.15 грн
20+97.45 грн
50+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.78 грн
59+7.10 грн
76+5.43 грн
100+4.90 грн
500+3.92 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.05 грн
50+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
86+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF irfml8244pbf.pdf
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.79 грн
31+13.71 грн
35+11.98 грн
100+7.60 грн
500+5.86 грн
1000+5.37 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
88+5.09 грн
100+4.26 грн
250+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed
IRS2186STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.41 грн
10+85.89 грн
50+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.29 грн
3+256.02 грн
10+229.60 грн
50+213.90 грн
250+213.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60R.pdf
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.12 грн
37+11.23 грн
42+9.91 грн
49+8.51 грн
54+7.68 грн
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.57 грн
22+19.49 грн
100+12.06 грн
250+9.83 грн
500+8.51 грн
1000+7.35 грн
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.01 грн
33+12.55 грн
44+9.58 грн
50+8.42 грн
100+7.56 грн
250+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.67 грн
55+7.60 грн
75+5.55 грн
100+4.87 грн
500+3.71 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.82 грн
12+34.85 грн
100+26.76 грн
250+24.03 грн
500+22.13 грн
1000+20.40 грн
2000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.34 грн
50+8.34 грн
65+6.44 грн
100+5.72 грн
250+4.81 грн
500+4.19 грн
1000+3.58 грн
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.13 грн
18+23.62 грн
21+20.48 грн
100+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.12 грн
48+8.75 грн
74+5.63 грн
100+4.64 грн
250+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.05 грн
50+28.58 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.92 грн
25+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
10+53.93 грн
50+45.26 грн
100+41.54 грн
200+37.99 грн
250+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Part status: Not recommended for new designs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.15 грн
8+58.64 грн
10+47.08 грн
95+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.23 грн
77+5.37 грн
78+5.32 грн
100+5.19 грн
250+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.56 грн
50+8.26 грн
55+7.52 грн
100+5.62 грн
500+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760.pdf
BFP760H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.46 грн
19+21.80 грн
25+19.66 грн
100+17.34 грн
250+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.56 грн
10+148.66 грн
25+140.40 грн
50+133.79 грн
100+127.19 грн
250+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4653.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7006WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.45 грн
41+10.16 грн
100+7.01 грн
500+4.79 грн
1000+4.11 грн
3000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.15 грн
25+82.59 грн
95+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.23 грн
51+8.18 грн
60+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.34 грн
49+8.59 грн
58+7.14 грн
67+6.18 грн
100+5.39 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.79 грн
39+10.65 грн
54+7.76 грн
100+6.85 грн
500+5.20 грн
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Power: 625mW
Voltage class: 200V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.54 грн
5+123.06 грн
10+111.49 грн
25+99.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.34 грн
46+9.08 грн
100+6.06 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 56A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF irs2184.pdf
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 625mW
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.73 грн
10+78.46 грн
25+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094SPBF.pdf
IR21094STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.19 грн
10+85.89 грн
25+80.11 грн
50+75.98 грн
100+71.85 грн
250+68.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N12KOF TT210N12KOF.pdf
TT210N12KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9765.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21531DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
10+53.68 грн
25+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400W.pdf
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Case: SOT343
Mounting: SMD
Power: 0.33W
Supply voltage: 1.6...18V DC
Integrated circuit features: active bias controller
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Output current: 10mA
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.23 грн
39+10.74 грн
45+9.33 грн
100+8.67 грн
250+7.76 грн
500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2480  [ Наступна Сторінка >> ]