Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149749) > Сторінка 2467 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.73 грн
10+90.21 грн
28+85.62 грн
250+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.08 грн
10+97.85 грн
14+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.80 грн
5+181.95 грн
14+172.77 грн
50+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
19+20.41 грн
50+16.05 грн
60+15.60 грн
91+9.86 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10N3GXKSA1 IPA030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.35 грн
50+7.80 грн
58+6.62 грн
100+5.18 грн
250+3.58 грн
688+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.86 грн
10+40.75 грн
25+28.44 грн
47+19.49 грн
100+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.03 грн
10+62.69 грн
18+49.69 грн
50+47.40 грн
100+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.45 грн
10+68.04 грн
17+54.28 грн
46+51.22 грн
500+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.8A
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 13698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
27+14.68 грн
31+12.46 грн
100+7.64 грн
200+4.51 грн
549+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 TLE4906KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: unipolar
Mounting: SMT
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.63 грн
10+56.88 грн
32+29.05 грн
86+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935L TLE4935L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: latch
Mounting: THT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.03 грн
17+53.51 грн
47+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
41+9.40 грн
100+6.86 грн
284+3.16 грн
779+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4426SPBF IRS4426SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -3.3...2.3A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.67 грн
24+16.36 грн
50+12.61 грн
100+11.39 грн
129+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD623B4773655EA&compId=BFP405.pdf?ci_sign=bbd5eba073d89df9b5be3a85a32e193fbe8f17b9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Case: SOT343
Frequency: 25GHz
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...130
Collector current: 25mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C86ABB5A59F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4229pbf.pdf?ci_sign=610a1310601004a142c32c1e433d2c89212cbf1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.18 грн
10+97.09 грн
26+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+398.48 грн
3+338.67 грн
4+265.28 грн
10+250.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF PVT322PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0C9ACEC8401EC&compId=pvt322.pdf?ci_sign=b9abbd52b80cec3b819c7a498466d806bbe1483b Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.86 грн
10+68.04 грн
16+58.10 грн
43+55.04 грн
150+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
40+9.79 грн
46+8.41 грн
52+7.42 грн
100+6.50 грн
224+3.98 грн
614+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C88B246D09F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4310pbf.pdf?ci_sign=2ba0ed2c7db4f06ecd950a74a0a6d9e52fd245bf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C919EF3AF7F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4615pbf.pdf?ci_sign=00aacefc98a77bbdafb41717ba543c793224741a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.84 грн
8+113.14 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.51 грн
10+70.33 грн
15+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.39 грн
10+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327 BFP650H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP650H6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.34 грн
11+36.54 грн
25+32.26 грн
32+27.98 грн
88+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A23D233598F1A303005056AB0C4F&compId=irf7410pbf.pdf?ci_sign=ed56f1efe816eb53c277cc5a0dcc077dfacc8801 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.21 грн
10+60.39 грн
20+47.40 грн
53+45.10 грн
250+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCBBFA706B75EA&compId=IRFH7440TRPBF.pdf?ci_sign=efd1156289203e6b12eeebd10aca763d039ad2e6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.33 грн
10+84.86 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
500+68.80 грн
1000+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.21 грн
5+86.39 грн
10+78.74 грн
12+75.68 грн
33+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.27 грн
10+67.20 грн
21+44.19 грн
56+41.74 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.85 грн
10+67.28 грн
28+32.80 грн
75+31.04 грн
1000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E26E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2101pbf.pdf?ci_sign=0c7d1ed5d887e67d675cd1f685c2f6e8713c1678 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+4.94 грн
90+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D26FA7464F1A303005056AB0C4F&compId=irlms5703pbf.pdf?ci_sign=38add10ed924f0e4045c7b62faae0750f826b459 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2168DSTRPBF IRS2168DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2168d.pdf?fileId=5546d462533600a401535676b78127d0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -260÷180mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side; PFC controller
Case: SO16
Output current: -260...180mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 11.5...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.16 грн
25+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.8A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.47 грн
41+9.40 грн
53+7.34 грн
100+6.57 грн
189+4.74 грн
518+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.08 грн
10+84.86 грн
15+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.32 грн
10+100.15 грн
14+66.51 грн
37+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12F2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD881E853F2259&compId=1ED020I12-F2.pdf?ci_sign=7a0aa10f2c5c9bc192268ae50cfca85594182ebe Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Voltage class: 0.6/1.2kV
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.39 грн
5+201.06 грн
13+189.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1ED020I12FA2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344d078be4cdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES 1ED020I12-F_Ver2.3_May2011.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC5C0EE5DD820&compId=Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf?ci_sign=8598667148023825c70ff370d5b13105b6eb907b Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.22 грн
15+26.37 грн
50+21.02 грн
57+15.78 грн
157+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90FA0EABC59E80D3&compId=BFP760.pdf?ci_sign=1929f603bc546f8a545134befdd1ff3f3e6f452c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
21+18.35 грн
25+16.51 грн
57+15.90 грн
100+14.60 грн
250+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.98 грн
10+61.16 грн
18+50.46 грн
50+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBEE6ACC2908143&compId=IRFR8314TRPBF.pdf?ci_sign=62635df23b932e52fbdf293ba7105247b029c798 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 36nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.43 грн
10+79.28 грн
20+45.18 грн
55+42.73 грн
1000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005B02VH6327XTSA1 BAS3005B02VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF44459099C469&compId=BAS3005B02VH6327XT.pdf?ci_sign=78eead26a8a3e3ccae040d2a59e4ef7c2af2aac4 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 30V; 0.5A
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC79
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.29 грн
39+9.86 грн
100+8.03 грн
140+6.42 грн
384+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4EECEAA10C259&compId=BTS5030-1EJA.pdf?ci_sign=25f2afe1cf2c7472cefa85b9ca4559e7261c2c31 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Power dissipation: 1.9W
Technology: PROFET™+ 12V
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.18 грн
10+94.80 грн
26+89.45 грн
250+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586987EA20CFB6469&compId=BTS6133D.pdf?ci_sign=2f43acd29dc3b9b6e224e7f86f62b1384a1b7c82 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.15 грн
7+128.43 грн
20+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B42634788B6469&compId=BTS6143D.pdf?ci_sign=fc01caa9553195a299c036982da51db7e3ca4de4 description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.68 грн
8+121.55 грн
21+114.67 грн
1000+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS4030TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.73 грн
10+90.21 грн
28+85.62 грн
250+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.08 грн
10+97.85 грн
14+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7
IRFP7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.80 грн
5+181.95 грн
14+172.77 грн
50+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
19+20.41 грн
50+16.05 грн
60+15.60 грн
91+9.86 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10N3GXKSA1 IPA030N10N3G-DTE.pdf
IPA030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.35 грн
50+7.80 грн
58+6.62 грн
100+5.18 грн
250+3.58 грн
688+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.86 грн
10+40.75 грн
25+28.44 грн
47+19.49 грн
100+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.03 грн
10+62.69 грн
18+49.69 грн
50+47.40 грн
100+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.45 грн
10+68.04 грн
17+54.28 грн
46+51.22 грн
500+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.8A
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 13698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
27+14.68 грн
31+12.46 грн
100+7.64 грн
200+4.51 грн
549+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642
TLE4906KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: unipolar
Mounting: SMT
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.63 грн
10+56.88 грн
32+29.05 грн
86+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769
TLE4935L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: latch
Mounting: THT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.03 грн
17+53.51 грн
47+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
41+9.40 грн
100+6.86 грн
284+3.16 грн
779+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4426SPBF IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS4426SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -3.3...2.3A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.67 грн
24+16.36 грн
50+12.61 грн
100+11.39 грн
129+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD623B4773655EA&compId=BFP405.pdf?ci_sign=bbd5eba073d89df9b5be3a85a32e193fbe8f17b9
BFP405H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Case: SOT343
Frequency: 25GHz
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...130
Collector current: 25mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C86ABB5A59F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4229pbf.pdf?ci_sign=610a1310601004a142c32c1e433d2c89212cbf1e
IRFS4229TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f
IRFS4321TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.18 грн
10+97.09 грн
26+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120.pdf
IKW25T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+398.48 грн
3+338.67 грн
4+265.28 грн
10+250.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0C9ACEC8401EC&compId=pvt322.pdf?ci_sign=b9abbd52b80cec3b819c7a498466d806bbe1483b
PVT322PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.86 грн
10+68.04 грн
16+58.10 грн
43+55.04 грн
150+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
40+9.79 грн
46+8.41 грн
52+7.42 грн
100+6.50 грн
224+3.98 грн
614+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C88B246D09F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4310pbf.pdf?ci_sign=2ba0ed2c7db4f06ecd950a74a0a6d9e52fd245bf
IRFS4310TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C919EF3AF7F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4615pbf.pdf?ci_sign=00aacefc98a77bbdafb41717ba543c793224741a
IRFS4615TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.84 грн
8+113.14 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA5EB3E6F411C&compId=IPP126N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=35a144c2f33ca71b6a8eca3700b3927fd3fd0b32
IPP126N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.51 грн
10+70.33 грн
15+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67
IRLR6225TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.39 грн
10+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327 BFP650H6327-DTE.pdf
BFP650H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.34 грн
11+36.54 грн
25+32.26 грн
32+27.98 грн
88+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A23D233598F1A303005056AB0C4F&compId=irf7410pbf.pdf?ci_sign=ed56f1efe816eb53c277cc5a0dcc077dfacc8801
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.21 грн
10+60.39 грн
20+47.40 грн
53+45.10 грн
250+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCBBFA706B75EA&compId=IRFH7440TRPBF.pdf?ci_sign=efd1156289203e6b12eeebd10aca763d039ad2e6
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.33 грн
10+84.86 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
500+68.80 грн
1000+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.21 грн
5+86.39 грн
10+78.74 грн
12+75.68 грн
33+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.27 грн
10+67.20 грн
21+44.19 грн
56+41.74 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.85 грн
10+67.28 грн
28+32.80 грн
75+31.04 грн
1000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E26E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2101pbf.pdf?ci_sign=0c7d1ed5d887e67d675cd1f685c2f6e8713c1678
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+4.94 грн
90+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D26FA7464F1A303005056AB0C4F&compId=irlms5703pbf.pdf?ci_sign=38add10ed924f0e4045c7b62faae0750f826b459
IRLMS5703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2168DSTRPBF irs2168d.pdf?fileId=5546d462533600a401535676b78127d0
IRS2168DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -260÷180mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side; PFC controller
Case: SO16
Output current: -260...180mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 11.5...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.16 грн
25+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.8A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.47 грн
41+9.40 грн
53+7.34 грн
100+6.57 грн
189+4.74 грн
518+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4
IRF4104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.08 грн
10+84.86 грн
15+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.32 грн
10+100.15 грн
14+66.51 грн
37+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD881E853F2259&compId=1ED020I12-F2.pdf?ci_sign=7a0aa10f2c5c9bc192268ae50cfca85594182ebe
1ED020I12F2XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Voltage class: 0.6/1.2kV
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.39 грн
5+201.06 грн
13+189.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 Infineon-1ED020I12FA2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344d078be4cdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 1ED020I12-F_Ver2.3_May2011.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC5C0EE5DD820&compId=Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf?ci_sign=8598667148023825c70ff370d5b13105b6eb907b
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.22 грн
15+26.37 грн
50+21.02 грн
57+15.78 грн
157+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90FA0EABC59E80D3&compId=BFP760.pdf?ci_sign=1929f603bc546f8a545134befdd1ff3f3e6f452c
BFP760H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
21+18.35 грн
25+16.51 грн
57+15.90 грн
100+14.60 грн
250+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de
IPP039N04LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.98 грн
10+61.16 грн
18+50.46 грн
50+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBEE6ACC2908143&compId=IRFR8314TRPBF.pdf?ci_sign=62635df23b932e52fbdf293ba7105247b029c798
IRFR8314TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 36nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.43 грн
10+79.28 грн
20+45.18 грн
55+42.73 грн
1000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005B02VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF44459099C469&compId=BAS3005B02VH6327XT.pdf?ci_sign=78eead26a8a3e3ccae040d2a59e4ef7c2af2aac4
BAS3005B02VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 30V; 0.5A
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC79
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.29 грн
39+9.86 грн
100+8.03 грн
140+6.42 грн
384+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4EECEAA10C259&compId=BTS5030-1EJA.pdf?ci_sign=25f2afe1cf2c7472cefa85b9ca4559e7261c2c31
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Power dissipation: 1.9W
Technology: PROFET™+ 12V
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.18 грн
10+94.80 грн
26+89.45 грн
250+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586987EA20CFB6469&compId=BTS6133D.pdf?ci_sign=2f43acd29dc3b9b6e224e7f86f62b1384a1b7c82
BTS6133D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.15 грн
7+128.43 грн
20+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B42634788B6469&compId=BTS6143D.pdf?ci_sign=fc01caa9553195a299c036982da51db7e3ca4de4
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.68 грн
8+121.55 грн
21+114.67 грн
1000+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]