Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148398) > Сторінка 2467 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180N04S4H0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N04S5N012-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20182c67740 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ60R017C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 240nC
Technology: CoolMOS™ C7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R099P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.05 грн
4+285.92 грн
9+269.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1 IPW60R160P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR555E6327 BCR555E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR555.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.33W
Frequency: 150MHz
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.32 грн
100+5.92 грн
200+4.47 грн
549+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
32+12.00 грн
41+9.39 грн
50+7.69 грн
100+6.33 грн
226+4.05 грн
500+4.04 грн
622+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2548DSTRPBF IRS2548DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2548D-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: boost
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: SO14
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: dead time; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...15.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs25401pbf.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; SO8; -700÷500mA; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: SO8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Voltage class: 600V
Operating temperature: -25...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 8...16.6V DC
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 180ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7862pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E120ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3
Case: TO263-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.37 грн
10+96.33 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E60ATMA1 IDB30E60ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDB30E60ATMA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3
Case: TO263-3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA1 2EDS8265HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDF7xx5F_K_H.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-16
Kind of package: reel; tape
Output current: -8...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Supply voltage: 3...3.5V; 4.5...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI100 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 108MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327 BSP296L6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSP296.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP296NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.10 грн
10+40.44 грн
25+32.87 грн
39+23.47 грн
106+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 207A
Case: TO220
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
On-state resistance: 84mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 245W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 207A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP20R06W1E3B11BOMA1 FP20R06W1E3B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP20R06W1E3B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Collector current: 20A
Power dissipation: 94W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRMCK099M IRMCK099M INFINEON TECHNOLOGIES IRMCK099M.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; DMC,3-phase motor controller; iMOTION™; QFN32; 73.5mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Case: QFN32
Operating voltage: 3...3.6V DC
Frequency: 1...20kHz
Output current: 73.5mA
Type of integrated circuit: driver
Interface: I2C; JTAG; UART
Clock frequency: 100MHz
Integrated circuit features: current monitoring; FOC; internal temperature sensor; MCE; PMSM
Technology: iMOTION™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; DMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 IPA050N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ150N10LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM20F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM20F60GAXKMA1.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; -20÷20A; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: DIP 36x21 (PG-DIP-24)
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM10F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 26.1W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.22 грн
2+482.39 грн
6+456.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.28 грн
10+46.71 грн
38+24.16 грн
103+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.37 грн
10+123.85 грн
11+81.80 грн
31+77.21 грн
500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
27+14.53 грн
50+8.93 грн
100+7.91 грн
195+4.59 грн
536+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPS65R1K5CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.30 грн
25+19.57 грн
52+17.43 грн
143+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI029N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR08PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.18 грн
40+10.09 грн
100+8.94 грн
115+7.87 грн
315+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC072N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB055N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES F4150R12KS4BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: AG-ECONO3-4
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 960W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7184FXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE7184F-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30431ed1d7b2011ee035c2f23e81&ack=t Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+246.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+354.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7469GV52AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE7469-DS-v01_60-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9e958903f04 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+183.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010zspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da7d69188d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BCR555E6327HTSA1 BCR555E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr555.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144081dc82030c Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR555E6433HTMA1 BCR555E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr555.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144081dc82030c Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LF2SATMA1.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD040N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD130B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD130-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c02811e9592e Category: Diodes - Unclassified
Description: ESD130B1W0201E6327XTSA1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD131B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD131-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce94850964889 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ065N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FS75R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of module: IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+5034.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 XMC1302Q024X0064ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1300-AB-EN.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-24; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1300
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Number of inputs/outputs: 22
Number of 16bit timers: 8
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; math coprocessor; POSIF; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 8
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1300
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Case: PG-VQFN-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSI-DTE.pdf
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon-IAUA180N04S5N012-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20182c67740
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7.pdf
IPZ60R017C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 240nC
Technology: CoolMOS™ C7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6-DTE.pdf
IPW60R099P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.05 грн
4+285.92 грн
9+269.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6-DTE.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6-DTE.pdf
IPB60R160C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1 IPW60R160P6-DTE.pdf
IPW60R160P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR555E6327 BCR555.pdf
BCR555E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.33W
Frequency: 150MHz
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.32 грн
100+5.92 грн
200+4.47 грн
549+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 BSS131.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
32+12.00 грн
41+9.39 грн
50+7.69 грн
100+6.33 грн
226+4.05 грн
500+4.04 грн
622+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2548DSTRPBF IRS2548D-DTE.pdf
IRS2548DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: boost
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: SO14
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: dead time; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...15.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF irs25401pbf.pdf
IRS25411STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; SO8; -700÷500mA; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: SO8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Voltage class: 600V
Operating temperature: -25...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 8...16.6V DC
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 180ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF irf7862pbf.pdf
IRF7862TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF irf8788pbf.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1.pdf
IDB30E120ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3
Case: TO263-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.37 грн
10+96.33 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E60ATMA1 IDB30E60ATMA1.pdf
IDB30E60ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3
Case: TO263-3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA1 2EDF7xx5F_K_H.pdf
2EDS8265HXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-16
Kind of package: reel; tape
Output current: -8...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Supply voltage: 3...3.5V; 4.5...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG-DTE.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI100 Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 108MHz
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296L6327 BSP296.pdf
BSP296L6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.10 грн
10+40.44 грн
25+32.87 грн
39+23.47 грн
106+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 Infineon-IPT60R040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc266ace577b2
IPT60R040S7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 207A
Case: TO220
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
On-state resistance: 84mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 245W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 207A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP20R06W1E3B11BOMA1 FP20R06W1E3B11.pdf
FP20R06W1E3B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Collector current: 20A
Power dissipation: 94W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRMCK099M IRMCK099M.pdf
IRMCK099M
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; DMC,3-phase motor controller; iMOTION™; QFN32; 73.5mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Case: QFN32
Operating voltage: 3...3.6V DC
Frequency: 1...20kHz
Output current: 73.5mA
Type of integrated circuit: driver
Interface: I2C; JTAG; UART
Clock frequency: 100MHz
Integrated circuit features: current monitoring; FOC; internal temperature sensor; MCE; PMSM
Technology: iMOTION™
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; DMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d
IPA050N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3G-DTE.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM20F60GAXKMA1 IGCM20F60GAXKMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; -20÷20A; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: DIP 36x21 (PG-DIP-24)
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GA.pdf
IGCM10F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 26.1W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.22 грн
2+482.39 грн
6+456.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF irll2705pbf.pdf
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.28 грн
10+46.71 грн
38+24.16 грн
103+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NS-DTE.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.37 грн
10+123.85 грн
11+81.80 грн
31+77.21 грн
500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
27+14.53 грн
50+8.93 грн
100+7.91 грн
195+4.59 грн
536+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CE-DTE.pdf
IPS65R1K5CEAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.30 грн
25+19.57 грн
52+17.43 грн
143+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06N-DTE.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327.pdf
BCR08PNH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Base resistor: 2.2kΩ
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.18 грн
40+10.09 грн
100+8.94 грн
115+7.87 грн
315+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5-DTE.pdf
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LG-DTE.pdf
IPB055N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: AG-ECONO3-4
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 960W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7184FXUMA2 Infineon-TLE7184F-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30431ed1d7b2011ee035c2f23e81&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+246.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+354.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7469GV52AUMA1 Infineon-TLE7469-DS-v01_60-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9e958903f04
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+183.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF irf1010zspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da7d69188d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BCR555E6327HTSA1 bcr555.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144081dc82030c
BCR555E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR555E6433HTMA1 bcr555.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144081dc82030c
BCR555E6433HTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD040N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD130B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD130-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c02811e9592e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - Unclassified
Description: ESD130B1W0201E6327XTSA1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD131B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD131-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce94850964889
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LS-DTE.pdf
BSZ065N03LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BOSA1 FS75R12KE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of module: IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+5034.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXUMA1 XMC1300-AB-EN.pdf
XMC1302Q024X0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-24; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1300
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Number of inputs/outputs: 22
Number of 16bit timers: 8
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; math coprocessor; POSIF; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 8
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1300
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Case: PG-VQFN-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2474  [ Наступна Сторінка >> ]