Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149380) > Сторінка 2467 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB09C2A6E7411C&compId=IPP030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=63c7641476ffce0c4aa2c4b5d4a1581de0c6277a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.40 грн
5+230.39 грн
12+217.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAEAD4954FC11C&compId=IPI030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d8688e08bb3c486249e6a18fad4ec33e798e3b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 45.5W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB055809EC11C&compId=BSB280N15NZ3G-DTE.pdf?ci_sign=9edfd8e4d09931dafcfcdb3961b4bb1c7e9b77ff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCB94E69C404469&compId=ITS4140N.pdf?ci_sign=acda9a4625f19354e009b9e1b34db3fb185be71e Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 200mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Supply voltage: 4.9...60V DC
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.58 грн
10+89.46 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF IRS23364DJPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -0.35...0.2A
Supply voltage: 11.5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DMTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: MLPQ34
Output current: -0.35...0.2A
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRS2336x-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e52d2c70c54 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 200mA; Ch: 6; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC28
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+177.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B1D8E6A7C1F1A303005056AB0C4F&compId=irf9952pbf.pdf?ci_sign=7b8000ddc0fc92d5659fca7da6e6c1d909d075b5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE120237C411C&compId=IPD082N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=1b478a229b725d8d0d4ac482a6f0ab481602057e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.38 грн
10+65.71 грн
19+51.46 грн
50+48.29 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DEMO SENSE2GOL INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: demonstration; Comp: BGT24LTR11; Software: included
Type of development kit: demonstration
Kit contents: documentation; prototype board; USB A - USB B micro cable
Components: BGT24LTR11
Software: included
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+163.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84ED23234910B&compId=SN7002NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=d6285ac03f0bea3b7779feaacb4ca2f8607ef04b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.05 грн
38+10.61 грн
55+7.32 грн
100+6.21 грн
361+2.59 грн
991+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698ADC90B0F2469&compId=ITS716G.pdf?ci_sign=5c0b2b70d0440cd80f3dc3ac79724784534b9258 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Kind of output: N-Channel
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+387.94 грн
5+186.05 грн
14+175.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.25 грн
19+21.69 грн
25+16.78 грн
50+13.62 грн
99+9.42 грн
250+9.03 грн
270+8.95 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: EasyPACK™ 2B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEEF50A44F5B5EA&compId=IRFS52N15DTRLP.pdf?ci_sign=e6b4ae92e1807fa44abcf6d34c99a50ce0f0c20e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF4842F86155EA&compId=IRFS52N15DTRRP.pdf?ci_sign=ebc254e558cc0929f63fa9dc13b00da8547b2f4d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5028CXGAD28HAMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: TLE5028CXGAD28HAMA1
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1500+243.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-416045-02 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; 4dBm; Bluetooth; SMD; 2Mbps; 2.4GHz
Communications modules features: antenna
Communictions protocol: Bluetooth
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Transmitter output power: 4dBm
Data transfer rate: 2Mbps
Band: 2.4GHz
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+742.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697B83D3C892469&compId=BTS134D.pdf?ci_sign=279382de0641561c09d83bf152f00a64c4ac44ed Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 35mΩ
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.47 грн
10+143.30 грн
11+91.84 грн
28+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263; SMT
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 1.95mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+414.37 грн
3+346.77 грн
4+266.02 грн
10+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 1EDS5663HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD35D15A916F8BF&compId=1EDF5673F_1EDF5663H.pdf?ci_sign=78bf5f71fdff35205d0ff7cff4e413d561b7228b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SL BTS3800SL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697E30B5066C469&compId=BTS3800SL.pdf?ci_sign=cf2798fc7085ad14eef5f0487446413b0d9150bf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-SCT595
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 3µs
Turn-on time: 3µs
Output current: 0.35A
On-state resistance: 0.8Ω
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.10 грн
10+64.37 грн
25+53.99 грн
32+29.29 грн
88+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA33ABC275D4143&compId=IPB100N06S2L05.pdf?ci_sign=ed9a21125ac2c67384789464ad8f62978609982b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA32C6912322143&compId=IPB100N06S205.pdf?ci_sign=cd8570fdde39d441592cb3a22ab9f2932d43b8c5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.09 грн
10+89.46 грн
15+64.13 грн
40+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV33ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850B0TB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf0f9cb6d40 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 500mA; D2PAK-5; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
Protection: overheating OTP
Application: automotive industry
Number of channels: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+104.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.70 грн
14+30.01 грн
34+28.11 грн
50+26.92 грн
91+26.60 грн
100+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 715mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E964BC12BDC11C&compId=IPP015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=e4e930fc62a0b08bfd25e00a3a3255eeba0cdc35 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+380.27 грн
5+215.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA2FE9E0AFB2143&compId=IPB015N04LG.pdf?ci_sign=1a31c5b0016acfcba16c81af4f75670fe4ab153c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2093198D6C11C&compId=BSB015N04NX3G-DTE.pdf?ci_sign=b7867ebe58cbd3b3d3056e88f49c277850dedf12 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CA15F7D7A11C&compId=IPB015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a9024a78fb9752bb225a91352e84938b6e0a7202 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A7C9D225C7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7606pbf.pdf?ci_sign=1c367cbf393a3a2237dfc8f4b42c4929181d01c6 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.8W; Micro8
Mounting: SMD
Case: Micro8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 ICE1HS01G1XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE38DEF8FA44259&compId=ICE1HS01G-1.pdf?ci_sign=96815c7069c4d4ca3a0bb743e0a3848133bf4034 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 50÷609kHz; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Operating voltage: 10.2...18V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for LCD displays; SMPS
Frequency: 50...609kHz
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Topology: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3134D BTS3134D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697D586252BC469&compId=BTS3134D.pdf?ci_sign=388ee08463115f09af1d881eb48523bb1a4de87b Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE894BC24492EF813D5&compId=FZ600R12KS4.pdf?ci_sign=a0460730c6d5a7ddfe7deaaf4d7f9bbcba82420d Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM-2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-2
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 3.9kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF300R12KE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a3fed3c1e00 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+9026.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2E2F54B0DD1BF&compId=IPA65R650CE-DTE.pdf?ci_sign=2a62d78fe10808ff5baf4319fa8a6c11b583d570 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.74 грн
10+44.18 грн
28+33.73 грн
76+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D86E790811BF&compId=IPA60R650CE-DTE.pdf?ci_sign=b48a70375863e2e7469ef2c4c15db26199e76ea3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.11 грн
6+72.05 грн
10+60.96 грн
16+60.17 грн
43+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ CE
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.34 грн
22+42.75 грн
25+39.27 грн
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE98ED7ED20FD300D5&compId=BSP75N.pdf?ci_sign=d5a45818eac72fb35f21d59d6c9eb79296229cad Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
 		EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658 Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5028CXAID28HAMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: TLE5028CXAID28HAMA1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1500+279.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8C6BF407458143&compId=BF2040.pdf?ci_sign=8ddd8e3e394ba0039b81be9437cdd764153593f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT143
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: dual gate
Kind of transistor: RF
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+16.88 грн
40+10.77 грн
100+9.50 грн
270+8.95 грн
500+8.71 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHAC13 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.55 грн
17+23.43 грн
25+21.38 грн
50+18.84 грн
100+18.68 грн
136+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+105.72 грн
6+66.19 грн
10+60.88 грн
32+29.85 грн
86+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 BCR148SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58B4B5D02A469&compId=BCR148.pdf?ci_sign=e97eb104b0c53699eb1c27d2f3eeba910076f276 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Frequency: 100MHz
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.25 грн
55+7.76 грн
100+6.89 грн
175+5.38 грн
480+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB09C2A6E7411C&compId=IPP030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=63c7641476ffce0c4aa2c4b5d4a1581de0c6277a
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.40 грн
5+230.39 грн
12+217.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAEAD4954FC11C&compId=IPI030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d8688e08bb3c486249e6a18fad4ec33e798e3b4
IPI030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 45.5W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB055809EC11C&compId=BSB280N15NZ3G-DTE.pdf?ci_sign=9edfd8e4d09931dafcfcdb3961b4bb1c7e9b77ff
BSB280N15NZ3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCB94E69C404469&compId=ITS4140N.pdf?ci_sign=acda9a4625f19354e009b9e1b34db3fb185be71e
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 200mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Supply voltage: 4.9...60V DC
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.58 грн
10+89.46 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086
IRS23364DJPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -0.35...0.2A
Supply voltage: 11.5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DMTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: MLPQ34
Output current: -0.35...0.2A
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DSTRPBF Infineon-IRS2336x-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e52d2c70c54
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 200mA; Ch: 6; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC28
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+177.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B1D8E6A7C1F1A303005056AB0C4F&compId=irf9952pbf.pdf?ci_sign=7b8000ddc0fc92d5659fca7da6e6c1d909d075b5
IRF9952TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE120237C411C&compId=IPD082N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=1b478a229b725d8d0d4ac482a6f0ab481602057e
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.38 грн
10+65.71 грн
19+51.46 грн
50+48.29 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DEMO SENSE2GOL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: demonstration; Comp: BGT24LTR11; Software: included
Type of development kit: demonstration
Kit contents: documentation; prototype board; USB A - USB B micro cable
Components: BGT24LTR11
Software: included
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+163.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84ED23234910B&compId=SN7002NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=d6285ac03f0bea3b7779feaacb4ca2f8607ef04b
SN7002NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 5Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.05 грн
38+10.61 грн
55+7.32 грн
100+6.21 грн
361+2.59 грн
991+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698ADC90B0F2469&compId=ITS716G.pdf?ci_sign=5c0b2b70d0440cd80f3dc3ac79724784534b9258
ITS716G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Kind of output: N-Channel
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+387.94 грн
5+186.05 грн
14+175.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.25 грн
19+21.69 грн
25+16.78 грн
50+13.62 грн
99+9.42 грн
250+9.03 грн
270+8.95 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: EasyPACK™ 2B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEEF50A44F5B5EA&compId=IRFS52N15DTRLP.pdf?ci_sign=e6b4ae92e1807fa44abcf6d34c99a50ce0f0c20e
IRFS52N15DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF4842F86155EA&compId=IRFS52N15DTRRP.pdf?ci_sign=ebc254e558cc0929f63fa9dc13b00da8547b2f4d
IRFS52N15DTRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5028CXGAD28HAMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: TLE5028CXGAD28HAMA1
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+243.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-416045-02 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; 4dBm; Bluetooth; SMD; 2Mbps; 2.4GHz
Communications modules features: antenna
Communictions protocol: Bluetooth
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Transmitter output power: 4dBm
Data transfer rate: 2Mbps
Band: 2.4GHz
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+742.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697B83D3C892469&compId=BTS134D.pdf?ci_sign=279382de0641561c09d83bf152f00a64c4ac44ed
BTS134D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 35mΩ
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.47 грн
10+143.30 грн
11+91.84 грн
28+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263; SMT
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 1.95mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+414.37 грн
3+346.77 грн
4+266.02 грн
10+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD35D15A916F8BF&compId=1EDF5673F_1EDF5663H.pdf?ci_sign=78bf5f71fdff35205d0ff7cff4e413d561b7228b
1EDS5663HXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697E30B5066C469&compId=BTS3800SL.pdf?ci_sign=cf2798fc7085ad14eef5f0487446413b0d9150bf
BTS3800SL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-SCT595
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 3µs
Turn-on time: 3µs
Output current: 0.35A
On-state resistance: 0.8Ω
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.10 грн
10+64.37 грн
25+53.99 грн
32+29.29 грн
88+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA33ABC275D4143&compId=IPB100N06S2L05.pdf?ci_sign=ed9a21125ac2c67384789464ad8f62978609982b
IPB100N06S2L05ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA32C6912322143&compId=IPB100N06S205.pdf?ci_sign=cd8570fdde39d441592cb3a22ab9f2932d43b8c5
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.09 грн
10+89.46 грн
15+64.13 грн
40+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV33ATMA1 Infineon-TLS850B0TB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf0f9cb6d40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 500mA; D2PAK-5; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
Protection: overheating OTP
Application: automotive industry
Number of channels: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+104.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.70 грн
14+30.01 грн
34+28.11 грн
50+26.92 грн
91+26.60 грн
100+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 715mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E964BC12BDC11C&compId=IPP015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=e4e930fc62a0b08bfd25e00a3a3255eeba0cdc35
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+380.27 грн
5+215.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA2FE9E0AFB2143&compId=IPB015N04LG.pdf?ci_sign=1a31c5b0016acfcba16c81af4f75670fe4ab153c
IPB015N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2093198D6C11C&compId=BSB015N04NX3G-DTE.pdf?ci_sign=b7867ebe58cbd3b3d3056e88f49c277850dedf12
BSB015N04NX3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5CA15F7D7A11C&compId=IPB015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a9024a78fb9752bb225a91352e84938b6e0a7202
IPB015N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7606TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A7C9D225C7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7606pbf.pdf?ci_sign=1c367cbf393a3a2237dfc8f4b42c4929181d01c6
IRF7606TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.8W; Micro8
Mounting: SMD
Case: Micro8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE38DEF8FA44259&compId=ICE1HS01G-1.pdf?ci_sign=96815c7069c4d4ca3a0bb743e0a3848133bf4034
ICE1HS01G1XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 50÷609kHz; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Operating voltage: 10.2...18V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for LCD displays; SMPS
Frequency: 50...609kHz
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Topology: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3134D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697D586252BC469&compId=BTS3134D.pdf?ci_sign=388ee08463115f09af1d881eb48523bb1a4de87b
BTS3134D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R12KS4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE894BC24492EF813D5&compId=FZ600R12KS4.pdf?ci_sign=a0460730c6d5a7ddfe7deaaf4d7f9bbcba82420d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM-2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-2
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 3.9kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 Infineon-FF300R12KE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a3fed3c1e00
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+9026.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2E2F54B0DD1BF&compId=IPA65R650CE-DTE.pdf?ci_sign=2a62d78fe10808ff5baf4319fa8a6c11b583d570
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.74 грн
10+44.18 грн
28+33.73 грн
76+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D86E790811BF&compId=IPA60R650CE-DTE.pdf?ci_sign=b48a70375863e2e7469ef2c4c15db26199e76ea3
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.11 грн
6+72.05 грн
10+60.96 грн
16+60.17 грн
43+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ CE
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.34 грн
22+42.75 грн
25+39.27 грн
100+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE98ED7ED20FD300D5&compId=BSP75N.pdf?ci_sign=d5a45818eac72fb35f21d59d6c9eb79296229cad
BSP75N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5028CXAID28HAMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: TLE5028CXAID28HAMA1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+279.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8C6BF407458143&compId=BF2040.pdf?ci_sign=8ddd8e3e394ba0039b81be9437cdd764153593f3
BF2040E6814HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT143
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: dual gate
Kind of transistor: RF
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+16.88 грн
40+10.77 грн
100+9.50 грн
270+8.95 грн
500+8.71 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHAC13 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.55 грн
17+23.43 грн
25+21.38 грн
50+18.84 грн
100+18.68 грн
136+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.72 грн
6+66.19 грн
10+60.88 грн
32+29.85 грн
86+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58B4B5D02A469&compId=BCR148.pdf?ci_sign=e97eb104b0c53699eb1c27d2f3eeba910076f276
BCR148SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Frequency: 100MHz
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.25 грн
55+7.76 грн
100+6.89 грн
175+5.38 грн
480+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2490  [ Наступна Сторінка >> ]