Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149437) > Сторінка 2465 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PVT322ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 25mA; 170mA; SMT; SMD8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.17A
Mounting: SMT
Case: SMD8
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 4kV
Control current max.: 25mA
Body dimensions: 9.39x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+716.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61BE6327 BCV61BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69899F14555811C&compId=BCV61BE6327-DTE.pdf?ci_sign=226bb373ff6cfbdc71da33125b90df15faf29c58 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.32 грн
32+12.75 грн
100+10.53 грн
138+6.73 грн
380+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-2R8 IPC100N04S5-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5609480CC74A&compId=IPC100N04S52R8.pdf?ci_sign=5b7f2247667a57b86e00f4f164c65681cdb98334 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 2.8mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.98 грн
10+40.69 грн
37+25.65 грн
100+24.31 грн
200+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 400A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 400A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6FA6CAF00F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5300pbf.pdf?ci_sign=16877abd46adde0d05dd5636df9b1e140cef2b47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q048X0064AAXUMA1 XMC1403Q048X0064AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2023B1600CFA8&compId=XMC1400-DTE.pdf?ci_sign=1e39311d89feedc3199fcab34f75dde484976fcc Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Case: PG-VQFN-48
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 16
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DA9E7E5A51CC&compId=SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=a20986a621e71ec1c6f409668776e8d55dea2f8c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.97 грн
10+124.30 грн
15+64.92 грн
40+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.69 грн
12+83.13 грн
31+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A69262455901EC&compId=irfs7537pbf.pdf?ci_sign=5f35c07031438beffb94243d453935f7d2efe081 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.88 грн
5+110.05 грн
10+93.42 грн
16+58.59 грн
44+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA56B08FDB5EA&compId=IRFB7430PBF.pdf?ci_sign=06bb1ab19637c4d745e3676bfe9c624f7cca507e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.05 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.12 грн
9+103.71 грн
25+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6B370EE5BF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3207pbf.pdf?ci_sign=9d5c11df231dd7c9061d11989f17acc39f514a7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDED9A02745B1CC&compId=IPA50R280CE-DTE.pdf?ci_sign=a066060a8e4fa79cb0804ec9d84befd498ce3cdc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.92 грн
10+60.88 грн
19+49.01 грн
53+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDC265D9431CC&compId=IPA50R950CE-DTE.pdf?ci_sign=2024861169eaf55680772217cf6cf99de93e0ce2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.19 грн
28+33.96 грн
76+32.14 грн
100+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE91C89A0F71CC&compId=IPA50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=0316e1852350f0edf6d6295d7a00b4c2acf40bde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.67 грн
9+109.26 грн
24+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 IPA50R190CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDF08C2E171CC&compId=IPA50R190CE-DTE.pdf?ci_sign=e005fb1f8201a70c20ce97ed35abebd84cf20329 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDA485961D1CC&compId=IPA50R500CE-DTE.pdf?ci_sign=bebb744a20f727ec0b8f0c747fb2266d676ae43c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CPXKSA1 IPA50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE8B1E4535F1CC&compId=IPA50R399CP-DTE.pdf?ci_sign=42760d96673f7b515b2b7d8fe7e964159cb01c2e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.399Ω
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 8.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R520CPXKSA1 IPA50R520CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE900DBF53D1CC&compId=IPA50R520CP-DTE.pdf?ci_sign=48b324500d98190fb60fd8261ca2a53504008c15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R800CEXKSA2 IPA50R800CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE17E8DD7F1CC&compId=IPA50R800CE-DTE.pdf?ci_sign=e60562202a376529f147e9141e1e4c6bd962109d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 26.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CDD33F73280749&compId=IPB110N20N3LF.pdf?ci_sign=57c3a81a5f34e089235de10d0a3e0e068655a3a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.86 грн
8+124.30 грн
21+117.17 грн
200+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G
+1
 		IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB019N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cf77bd7313c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 180A; 224W; TO263-7; SMT
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 224W
Gate charge: 123nC
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+151.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE698C6F5A53D1&compId=IPN80R900P7.pdf?ci_sign=1cb3ac008409bbbe434f89ad91f7ebd4ca924304 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 40GHz
Application: automotive industry
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17STROHSBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF15375D3CBE0C7&compId=2ED300C17S.pdf?ci_sign=de48bb685dd09aaef7868c9babf206260b9f5ee0 Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Voltage class: 1.7kV
Application: for medium and high power application
Frequency: 60kHz
Case: AG-EICE
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Type of semiconductor module: gate driver board
Kind of output: IGBT driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 167W
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.62 грн
5+116.38 грн
50+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.88 грн
115+3.55 грн
250+3.14 грн
345+2.73 грн
940+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CE6327 BC858CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 BCV62BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcv62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114498f7eab01ce&fileId=db3a30431441fb5d011449a5795f0230 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7091GTR AUIPS7091GTR INFINEON TECHNOLOGIES auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.77 грн
10+46.79 грн
39+23.91 грн
108+22.64 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952403C1FAD1BF&compId=IPW60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=0ff4e9262369219235dac83c27672666e66fcd60 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1AC19AA1CA259&compId=IPD70R900P7S.pdf?ci_sign=746f7b1943fba9fedd7a1fb78f582f1027187f3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Gate-source voltage: ±16V
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 700V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA526BEF5A6143&compId=IPN70R900P7S.pdf?ci_sign=003efb79197d315493859738eb83e97ee6904935 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±16V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 700V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 IDH02G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FB83CA5339CAFA8&compId=IDH02G120C5-DTE.pdf?ci_sign=c0376ff0f508097055bda59dd691f57aee3224bb Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; PG-TO220-2; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Kind of package: tube
Leakage current: 1.2µA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 37A
Power dissipation: 75W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.77 грн
8+116.38 грн
22+110.05 грн
250+108.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.61 грн
23+17.89 грн
25+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
19+20.90 грн
25+19.32 грн
53+17.66 грн
145+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XMC750 WATT MOTOR CONTROL KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4400; Comp: XMC1300,XMC4400
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4400
Kit contents: board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4400 microcontroller; three-phase inverter
Components: XMC1300; XMC4400
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; screw; USB B micro
Application: 3-phase BLDC motors
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 IPP410N30NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 44A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.19 грн
2+594.58 грн
3+403.77 грн
7+381.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1356C-166AXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 512kx18bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322ASPBF IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 25mA; 170mA; SMT; SMD8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.17A
Mounting: SMT
Case: SMD8
Operating temperature: -40...85°C
Insulation voltage: 4kV
Control current max.: 25mA
Body dimensions: 9.39x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+716.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61BE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A69899F14555811C&compId=BCV61BE6327-DTE.pdf?ci_sign=226bb373ff6cfbdc71da33125b90df15faf29c58
BCV61BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.32 грн
32+12.75 грн
100+10.53 грн
138+6.73 грн
380+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-2R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA5609480CC74A&compId=IPC100N04S52R8.pdf?ci_sign=5b7f2247667a57b86e00f4f164c65681cdb98334
IPC100N04S5-2R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 2.8mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4
BSP324H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.98 грн
10+40.69 грн
37+25.65 грн
100+24.31 грн
200+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PP irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 400A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 400A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B6FA6CAF00F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5300pbf.pdf?ci_sign=16877abd46adde0d05dd5636df9b1e140cef2b47
IRFH5300TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B750AF2BF3F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5302pbf.pdf?ci_sign=168686822e44708888b38f507989100363ce9544
IRFH5302TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q048X0064AAXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2023B1600CFA8&compId=XMC1400-DTE.pdf?ci_sign=1e39311d89feedc3199fcab34f75dde484976fcc
XMC1403Q048X0064AAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Case: PG-VQFN-48
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 16
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92DA9E7E5A51CC&compId=SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=a20986a621e71ec1c6f409668776e8d55dea2f8c
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.97 грн
10+124.30 грн
15+64.92 грн
40+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.69 грн
12+83.13 грн
31+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A69262455901EC&compId=irfs7537pbf.pdf?ci_sign=5f35c07031438beffb94243d453935f7d2efe081
IRFB7537PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.88 грн
5+110.05 грн
10+93.42 грн
16+58.59 грн
44+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA56B08FDB5EA&compId=IRFB7430PBF.pdf?ci_sign=06bb1ab19637c4d745e3676bfe9c624f7cca507e
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.05 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.12 грн
9+103.71 грн
25+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6B370EE5BF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3207pbf.pdf?ci_sign=9d5c11df231dd7c9061d11989f17acc39f514a7b
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDED9A02745B1CC&compId=IPA50R280CE-DTE.pdf?ci_sign=a066060a8e4fa79cb0804ec9d84befd498ce3cdc
IPA50R280CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.92 грн
10+60.88 грн
19+49.01 грн
53+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDC265D9431CC&compId=IPA50R950CE-DTE.pdf?ci_sign=2024861169eaf55680772217cf6cf99de93e0ce2
IPA50R950CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
28+33.96 грн
76+32.14 грн
100+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE91C89A0F71CC&compId=IPA50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=0316e1852350f0edf6d6295d7a00b4c2acf40bde
IPA50R250CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.67 грн
9+109.26 грн
24+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDF08C2E171CC&compId=IPA50R190CE-DTE.pdf?ci_sign=e005fb1f8201a70c20ce97ed35abebd84cf20329
IPA50R190CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R500CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDA485961D1CC&compId=IPA50R500CE-DTE.pdf?ci_sign=bebb744a20f727ec0b8f0c747fb2266d676ae43c
IPA50R500CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE8B1E4535F1CC&compId=IPA50R399CP-DTE.pdf?ci_sign=42760d96673f7b515b2b7d8fe7e964159cb01c2e
IPA50R399CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.399Ω
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 8.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R520CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE900DBF53D1CC&compId=IPA50R520CP-DTE.pdf?ci_sign=48b324500d98190fb60fd8261ca2a53504008c15
IPA50R520CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R800CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE17E8DD7F1CC&compId=IPA50R800CE-DTE.pdf?ci_sign=e60562202a376529f147e9141e1e4c6bd962109d
IPA50R800CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 26.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CDD33F73280749&compId=IPB110N20N3LF.pdf?ci_sign=57c3a81a5f34e089235de10d0a3e0e068655a3a9
IPB110N20N3LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8F45FEA3211C&compId=IPP110N20NA-DTE.pdf?ci_sign=70b94064ff7df98367394afbee4bceb42f627658
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead
IPB019N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.86 грн
8+124.30 грн
21+117.17 грн
200+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987
IPB019N08N3G
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1 Infineon-IPB019N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cf77bd7313c8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 180A; 224W; TO263-7; SMT
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 224W
Gate charge: 123nC
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+151.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE698C6F5A53D1&compId=IPN80R900P7.pdf?ci_sign=1cb3ac008409bbbe434f89ad91f7ebd4ca924304
IPN80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 40GHz
Application: automotive industry
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17STROHSBPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF15375D3CBE0C7&compId=2ED300C17S.pdf?ci_sign=de48bb685dd09aaef7868c9babf206260b9f5ee0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Voltage class: 1.7kV
Application: for medium and high power application
Frequency: 60kHz
Case: AG-EICE
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Type of semiconductor module: gate driver board
Kind of output: IGBT driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 167W
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.62 грн
5+116.38 грн
50+112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4
BC858BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+5.88 грн
115+3.55 грн
250+3.14 грн
345+2.73 грн
940+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4
BC858CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24
BCV62BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327HTSA1 bcv62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114498f7eab01ce&fileId=db3a30431441fb5d011449a5795f0230
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7091GTR auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322
AUIPS7091GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.77 грн
10+46.79 грн
39+23.91 грн
108+22.64 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952403C1FAD1BF&compId=IPW60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=0ff4e9262369219235dac83c27672666e66fcd60
IPW60R099C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1AC19AA1CA259&compId=IPD70R900P7S.pdf?ci_sign=746f7b1943fba9fedd7a1fb78f582f1027187f3b
IPD70R900P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Gate-source voltage: ±16V
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 700V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA526BEF5A6143&compId=IPN70R900P7S.pdf?ci_sign=003efb79197d315493859738eb83e97ee6904935
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±16V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 700V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FB83CA5339CAFA8&compId=IDH02G120C5-DTE.pdf?ci_sign=c0376ff0f508097055bda59dd691f57aee3224bb
IDH02G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; PG-TO220-2; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Kind of package: tube
Leakage current: 1.2µA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 37A
Power dissipation: 75W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.77 грн
8+116.38 грн
22+110.05 грн
250+108.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526
BSC035N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2
BSO207PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.61 грн
23+17.89 грн
25+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2
BSO211PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
19+20.90 грн
25+19.32 грн
53+17.66 грн
145+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XMC750 WATT MOTOR CONTROL KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4400; Comp: XMC1300,XMC4400
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4400
Kit contents: board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4400 microcontroller; three-phase inverter
Components: XMC1300; XMC4400
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; screw; USB B micro
Application: 3-phase BLDC motors
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC940FD466611C&compId=IPP410N30N-DTE.pdf?ci_sign=91131cadec2f63016d12e8ee56b378c8247df703
IPP410N30NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 44A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+664.19 грн
2+594.58 грн
3+403.77 грн
7+381.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354C-166AXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 256kx36bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1356C-166AXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Memory: 9Mb SRAM
Frequency: 166MHz
Memory organisation: 512kx18bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]