Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148775) > Сторінка 2465 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+419.80 грн
5+315.49 грн
10+313.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+87.16 грн
10+61.78 грн
50+46.25 грн
100+40.80 грн
250+35.02 грн
500+31.55 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+43.58 грн
13+33.61 грн
25+31.22 грн
75+28.49 грн
150+26.76 грн
375+24.53 грн
525+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+36.47 грн
15+28.25 грн
17+24.94 грн
100+15.11 грн
500+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.68 грн
7+61.12 грн
10+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+31.13 грн
17+25.60 грн
19+22.79 грн
50+15.86 грн
100+13.54 грн
250+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.05 грн
50+33.45 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.09 грн
10+108.19 грн
30+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.59 грн
3+215.56 грн
10+177.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.12 грн
4+164.35 грн
10+137.92 грн
20+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302STRPBF IR2302STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF IR21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+201.90 грн
5+168.48 грн
25+147.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.83 грн
6+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.84 грн
10+93.32 грн
50+78.46 грн
100+71.03 грн
250+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF IR21094SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.45 грн
10+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR2109PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+214.35 грн
10+149.48 грн
25+141.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF IR2109STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.94 грн
7+63.59 грн
10+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD08N50C3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.72 грн
10+57.07 грн
20+49.80 грн
100+36.50 грн
200+32.54 грн
250+31.55 грн
500+28.74 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.71 грн
10+49.97 грн
25+44.35 грн
100+36.01 грн
500+26.68 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.90 грн
36+11.73 грн
50+10.57 грн
100+9.83 грн
250+9.42 грн
500+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP06N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.48 грн
10+48.31 грн
20+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+83.60 грн
10+47.90 грн
100+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.96 грн
10+62.77 грн
50+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+140.53 грн
10+99.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.00 грн
10+136.27 грн
20+123.88 грн
50+106.54 грн
100+94.15 грн
200+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBF IRF2804STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf2804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.28 грн
10+56.08 грн
50+43.11 грн
100+38.65 грн
200+34.77 грн
500+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+211.68 грн
10+117.28 грн
25+105.71 грн
50+98.28 грн
100+91.67 грн
250+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.03 грн
5+172.61 грн
10+158.57 грн
25+142.05 грн
50+130.49 грн
100+118.10 грн
125+115.62 грн
250+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.86 грн
5+227.94 грн
10+210.60 грн
25+190.78 грн
50+175.91 грн
100+162.70 грн
250+148.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65H5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.64 грн
10+251.89 грн
20+220.51 грн
30+214.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.52 грн
3+266.76 грн
10+265.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65NH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.41 грн
10+86.72 грн
50+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.06 грн
5+222.99 грн
10+217.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RF.pdf
IKD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+419.80 грн
5+315.49 грн
10+313.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.16 грн
10+61.78 грн
50+46.25 грн
100+40.80 грн
250+35.02 грн
500+31.55 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.58 грн
13+33.61 грн
25+31.22 грн
75+28.49 грн
150+26.76 грн
375+24.53 грн
525+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.47 грн
15+28.25 грн
17+24.94 грн
100+15.11 грн
500+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.68 грн
7+61.12 грн
10+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.13 грн
17+25.60 грн
19+22.79 грн
50+15.86 грн
100+13.54 грн
250+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF description irlz44n.pdf
IRLZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
50+33.45 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF irlz44nspbf.pdf
IRLZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF irlz44zpbf.pdf
IRLZ44ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60T.pdf
IGB30N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.09 грн
10+108.19 грн
30+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.59 грн
3+215.56 грн
10+177.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.12 грн
4+164.35 грн
10+137.92 грн
20+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CT.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302STRPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF ir2106.pdf
IR21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF ir2106.pdf
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.90 грн
5+168.48 грн
25+147.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF description ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.83 грн
6+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.84 грн
10+93.32 грн
50+78.46 грн
100+71.03 грн
250+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF IR21094SPBF.pdf
IR21094SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.45 грн
10+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR21094SPBF.pdf
IR2109PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+214.35 грн
10+149.48 грн
25+141.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF IR21094SPBF.pdf
IR2109STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.94 грн
7+63.59 грн
10+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3.pdf
SPD08N50C3BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.72 грн
10+57.07 грн
20+49.80 грн
100+36.50 грн
200+32.54 грн
250+31.55 грн
500+28.74 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.71 грн
10+49.97 грн
25+44.35 грн
100+36.01 грн
500+26.68 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.90 грн
36+11.73 грн
50+10.57 грн
100+9.83 грн
250+9.42 грн
500+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60T-DTE.pdf
IGP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.48 грн
10+48.31 грн
20+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 279ns
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.60 грн
10+47.90 грн
100+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 188ns
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.96 грн
10+62.77 грн
50+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.53 грн
10+99.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.00 грн
10+136.27 грн
20+123.88 грн
50+106.54 грн
100+94.15 грн
200+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBF IRF2804STRRPBF.pdf
IRF2804STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL auirf2804.pdf
AUIRF2804STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.28 грн
10+56.08 грн
50+43.11 грн
100+38.65 грн
200+34.77 грн
500+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.68 грн
10+117.28 грн
25+105.71 грн
50+98.28 грн
100+91.67 грн
250+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.03 грн
5+172.61 грн
10+158.57 грн
25+142.05 грн
50+130.49 грн
100+118.10 грн
125+115.62 грн
250+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L.pdf
BTS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.86 грн
5+227.94 грн
10+210.60 грн
25+190.78 грн
50+175.91 грн
100+162.70 грн
250+148.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5.pdf
IGZ50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.64 грн
10+251.89 грн
20+220.51 грн
30+214.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.52 грн
3+266.76 грн
10+265.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5.pdf
IKZ50N65NH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.41 грн
10+86.72 грн
50+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.06 грн
5+222.99 грн
10+217.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2480  [ Наступна Сторінка >> ]