Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149454) > Сторінка 2464 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N65H5FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.54 грн
10+225.52 грн
30+200.91 грн
120+182.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.15 грн
10+122.19 грн
30+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.81 грн
10+154.17 грн
30+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65EF5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65ES5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.59 грн
5+181.23 грн
10+164.01 грн
30+141.05 грн
60+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.16 грн
10+231.26 грн
20+200.09 грн
30+181.23 грн
60+168.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+216.37 грн
10+169.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.25 грн
50+8.36 грн
71+5.84 грн
100+5.01 грн
500+3.62 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF IR2125PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2125.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.01 грн
10+168.93 грн
25+154.17 грн
50+145.15 грн
100+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2125SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.64 грн
10+170.57 грн
45+163.19 грн
90+155.81 грн
270+148.43 грн
450+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7F2039728A469&compId=BAS2103WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=c9c0fe8d828947d7f45944e66d5a14dbf6d975f0 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
50+8.20 грн
59+6.97 грн
73+5.64 грн
86+4.81 грн
100+4.12 грн
500+2.95 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAD7554B3411C&compId=IPT015N10N5-DTE.pdf?ci_sign=81070ebcf3bdd89d929519f2630c51174d0da1da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.39 грн
10+85.29 грн
25+75.45 грн
50+68.88 грн
100+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4AC450E1A11C&compId=IPA045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=cacdf50fb45e686d4ac5b40c07270232aecea7b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF2573C60011C&compId=IPI045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=b4e4845dad6a9df60a38fee76a77a3ad8eb67e42 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.70 грн
10+106.61 грн
50+95.13 грн
100+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E4670C7E3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7319pbf.pdf?ci_sign=930d6cef5388477ac5f751b53c8900a39bc7c132 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20957S.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.42 грн
10+150.89 грн
25+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.59 грн
10+191.07 грн
25+168.11 грн
50+151.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BD2687D720A745&compId=IRFS4010TRLPBF.pdf?ci_sign=496ea67e3c29131ec26750b00389f7c763cf8c45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.30 грн
10+423.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58689C0D2E469&compId=BCR162.pdf?ci_sign=6c9bbf739143f7a57c3e9cac63723791f738730e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5836521750469&compId=BCR166.pdf?ci_sign=3fa9723f756af0d24d4a7bd47786e2a7dde80b4b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
29+14.43 грн
37+11.12 грн
100+8.66 грн
250+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.33 грн
5+123.01 грн
10+105.79 грн
25+86.93 грн
50+76.27 грн
100+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+143.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.61 грн
10+62.82 грн
50+44.78 грн
100+38.95 грн
200+34.36 грн
500+29.77 грн
1000+27.14 грн
2000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7316q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 60W
Collector current: 11A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2D2486825F1A303005056AB0C4F&compId=irfb31n20dpbf.pdf?ci_sign=ed3075155006186cadb71ae9521f3327718e6583 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.26 грн
19+22.72 грн
50+20.09 грн
100+18.94 грн
250+17.30 грн
500+16.16 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8743pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.09 грн
17+24.93 грн
25+23.45 грн
50+22.39 грн
100+21.40 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1
+1
 		ICE2QR2280ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9CA1DEB7370760C7&compId=ICE2QR2280Z.pdf?ci_sign=0afed20d41bae5cd14e264b6ccdd85b7a6c8c567 Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP7; 10.5÷25VDC; SMPS; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...25V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 800V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF IR2110PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.21 грн
10+150.89 грн
25+141.87 грн
50+136.13 грн
100+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF IR2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2110STRPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.47 грн
10+136.95 грн
25+126.29 грн
50+119.73 грн
100+113.99 грн
250+107.43 грн
1000+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+207.54 грн
10+150.07 грн
30+124.65 грн
60+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN751x_1EDN851x.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0040pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 26305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.14 грн
23+18.62 грн
50+12.96 грн
100+11.07 грн
500+7.79 грн
1000+6.89 грн
3000+5.66 грн
6000+5.08 грн
9000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.14 грн
22+18.70 грн
50+14.02 грн
100+12.38 грн
500+9.27 грн
1000+8.12 грн
3000+6.81 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 14744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.38 грн
25+16.40 грн
31+13.53 грн
50+10.41 грн
100+8.69 грн
500+5.99 грн
1000+5.33 грн
3000+4.51 грн
6000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C073DE4D1F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6246pbf.pdf?ci_sign=081a27482ca02397f5d07cd5b22cc57d56db8087 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
27+15.34 грн
50+10.17 грн
100+8.61 грн
250+7.05 грн
500+6.31 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 BC848BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.93 грн
140+3.28 грн
500+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2908pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF IRS2003STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF IRS2005STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF IRS2007SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991DE094AADB658BF&compId=IRS2007SPBF.pdf?ci_sign=23f41c499e549f21ad84d82168dfac72ba4d0a9a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989A63D80180FB8BF&compId=IRS2008S.pdf?ci_sign=519175befe37f294a90d6c6f0b0c696fd6b6a464 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DAA4BA9F0B553D7&compId=IRS2093MTRPBF.pdf?ci_sign=e52fc9498b4cbd2fd8fae90e4df59b8441159497 Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+86.55 грн
10+58.47 грн
25+49.20 грн
100+38.05 грн
250+32.72 грн
500+29.52 грн
1000+26.98 грн
2000+24.93 грн
4000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1.pdf
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.54 грн
10+225.52 грн
30+200.91 грн
120+182.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5.pdf
IHW40N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.15 грн
10+122.19 грн
30+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.81 грн
10+154.17 грн
30+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5.pdf
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5-DTE.pdf
IKP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5-DTE.pdf
IKP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 255W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.59 грн
5+181.23 грн
10+164.01 грн
30+141.05 грн
60+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5-DTE.pdf
IKW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.16 грн
10+231.26 грн
20+200.09 грн
30+181.23 грн
60+168.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+216.37 грн
10+169.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1.pdf
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.25 грн
50+8.36 грн
71+5.84 грн
100+5.01 грн
500+3.62 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF ir2125.pdf
IR2125PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.01 грн
10+168.93 грн
25+154.17 грн
50+145.15 грн
100+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF.pdf
IR2125SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.64 грн
10+170.57 грн
45+163.19 грн
90+155.81 грн
270+148.43 грн
450+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7F2039728A469&compId=BAS2103WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=c9c0fe8d828947d7f45944e66d5a14dbf6d975f0
BAS21E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
50+8.20 грн
59+6.97 грн
73+5.64 грн
86+4.81 грн
100+4.12 грн
500+2.95 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAD7554B3411C&compId=IPT015N10N5-DTE.pdf?ci_sign=81070ebcf3bdd89d929519f2630c51174d0da1da
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec
IRFP4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.39 грн
10+85.29 грн
25+75.45 грн
50+68.88 грн
100+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019
AUIRG4PH50S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4AC450E1A11C&compId=IPA045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=cacdf50fb45e686d4ac5b40c07270232aecea7b0
IPA045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF2573C60011C&compId=IPI045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=b4e4845dad6a9df60a38fee76a77a3ad8eb67e42
IPI045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.70 грн
10+106.61 грн
50+95.13 грн
100+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E4670C7E3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7319pbf.pdf?ci_sign=930d6cef5388477ac5f751b53c8900a39bc7c132
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957S.pdf
IRS20957STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.42 грн
10+150.89 грн
25+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.59 грн
10+191.07 грн
25+168.11 грн
50+151.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF irfs3207pbf.pdf
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BD2687D720A745&compId=IRFS4010TRLPBF.pdf?ci_sign=496ea67e3c29131ec26750b00389f7c763cf8c45
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.30 грн
10+423.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58689C0D2E469&compId=BCR162.pdf?ci_sign=6c9bbf739143f7a57c3e9cac63723791f738730e
BCR162E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5836521750469&compId=BCR166.pdf?ci_sign=3fa9723f756af0d24d4a7bd47786e2a7dde80b4b
BCR166E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
29+14.43 грн
37+11.12 грн
100+8.66 грн
250+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.33 грн
5+123.01 грн
10+105.79 грн
25+86.93 грн
50+76.27 грн
100+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF description irfp4227pbf.pdf
IRFP4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+143.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.61 грн
10+62.82 грн
50+44.78 грн
100+38.95 грн
200+34.36 грн
500+29.77 грн
1000+27.14 грн
2000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR auirf7316q.pdf
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af
IRG4PH20KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 60W
Collector current: 11A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2D2486825F1A303005056AB0C4F&compId=irfb31n20dpbf.pdf?ci_sign=ed3075155006186cadb71ae9521f3327718e6583
IRFS31N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.26 грн
19+22.72 грн
50+20.09 грн
100+18.94 грн
250+17.30 грн
500+16.16 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF irlr8743pbf.pdf
IRLR8743TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.09 грн
17+24.93 грн
25+23.45 грн
50+22.39 грн
100+21.40 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9CA1DEB7370760C7&compId=ICE2QR2280Z.pdf?ci_sign=0afed20d41bae5cd14e264b6ccdd85b7a6c8c567
ICE2QR2280ZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP7; 10.5÷25VDC; SMPS; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...25V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 800V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF ir2110_2113.pdf
IR2110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.21 грн
10+150.89 грн
25+141.87 грн
50+136.13 грн
100+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF description ir2110_2113.pdf
IR2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description IR2110STRPBF.pdf
IR2110STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.47 грн
10+136.95 грн
25+126.29 грн
50+119.73 грн
100+113.99 грн
250+107.43 грн
1000+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5.pdf
IHW20N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.54 грн
10+150.07 грн
30+124.65 грн
60+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN751x_1EDN851x.pdf
1EDN7512BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF irlml0040pbf.pdf
IRLML0040TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 26305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.14 грн
23+18.62 грн
50+12.96 грн
100+11.07 грн
500+7.79 грн
1000+6.89 грн
3000+5.66 грн
6000+5.08 грн
9000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF irlml0100pbf.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.14 грн
22+18.70 грн
50+14.02 грн
100+12.38 грн
500+9.27 грн
1000+8.12 грн
3000+6.81 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF irlml6244pbf.pdf
IRLML6244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 14744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.38 грн
25+16.40 грн
31+13.53 грн
50+10.41 грн
100+8.69 грн
500+5.99 грн
1000+5.33 грн
3000+4.51 грн
6000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C073DE4D1F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6246pbf.pdf?ci_sign=081a27482ca02397f5d07cd5b22cc57d56db8087
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
27+15.34 грн
50+10.17 грн
100+8.61 грн
250+7.05 грн
500+6.31 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC848BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.93 грн
140+3.28 грн
500+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780
IRS2003STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf
IRS2005STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991DE094AADB658BF&compId=IRS2007SPBF.pdf?ci_sign=23f41c499e549f21ad84d82168dfac72ba4d0a9a
IRS2007SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989A63D80180FB8BF&compId=IRS2008S.pdf?ci_sign=519175befe37f294a90d6c6f0b0c696fd6b6a464
IRS2008SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DAA4BA9F0B553D7&compId=IRS2093MTRPBF.pdf?ci_sign=e52fc9498b4cbd2fd8fae90e4df59b8441159497
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.55 грн
10+58.47 грн
25+49.20 грн
100+38.05 грн
250+32.72 грн
500+29.52 грн
1000+26.98 грн
2000+24.93 грн
4000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]