Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149366) > Сторінка 2471 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SR_EVALBOARD INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: TLE49SR_EVALBOARD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12367.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327 BFR193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191CF209426011C&compId=BFR193E6327-dte.pdf?ci_sign=4c5307a786cc21bca7483237e4b4a15904a55f4d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.87 грн
23+17.58 грн
100+11.32 грн
114+8.15 грн
312+7.76 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193FH6327 BFR193FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.20 грн
34+11.80 грн
100+8.39 грн
146+6.41 грн
402+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D61F8F1C611C&compId=BFR193L3E6327-dte.pdf?ci_sign=159eb82f3466f047c6bf832485697538eb140a55 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.32 грн
33+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+227.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84704B7FFF10B&compId=BSS87H6327FTSA1.pdf?ci_sign=f9330c95011fdd909fb6f9e38030ee639046a456 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89-4
Kind of channel: enhancement
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.84 грн
21+18.92 грн
50+15.12 грн
63+14.96 грн
100+13.86 грн
500+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76899C50F310B&compId=BSP88H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7f9ace14eab967c17352ef0016c7b9645cecf49a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.63 грн
14+28.98 грн
15+26.44 грн
48+19.63 грн
100+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.13 грн
3+345.19 грн
8+326.19 грн
10+313.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.36 грн
10+46.16 грн
42+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DB4723ACC11C&compId=IPB029N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5f066976eb9802fc0a5a6395d77568296435c78e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 188W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699443DDF97811C&compId=IPI029N06N-DTE.pdf?ci_sign=e39e3628720de44745f1a3030a66139a6d697760 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1 IPP029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 150W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 150W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9B7CCE93EF6143&compId=IPA95R450P7.pdf?ci_sign=b5017dd83b3f6c315c45a347e528ef15f2f64f93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+211.45 грн
7+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+329.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G BTS5210G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698792116A06469&compId=BTS5210G.pdf?ci_sign=34a674fb634ae891218c8c260ba20409e1b33986 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 22A; 83W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C139920DB3F1A303005056AB0C4F&compId=irfr2307zpbf.pdf?ci_sign=5a02cd30d3be63779fdc26a106cfb0d6acb4247b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1404Q064X0064AAXUMA1 XMC1404Q064X0064AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2023B1600CFA8&compId=XMC1400-DTE.pdf?ci_sign=1e39311d89feedc3199fcab34f75dde484976fcc Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Case: PG-VQFN-64
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x4; BCCU; CCU8; EEPROM emulation; math coprocessor; POSIF; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 16
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-EVB-IMS3-0650603B-GS INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: GS-EVB-IMS3-0650603B-GS
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17229.67 грн
2+14399.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL064J55TFI003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 55ns; TSOP48; parallel
Interface: CFI; parallel
Case: TSOP48
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 55ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 64Mb FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 42A; 110W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2B6150BC8F1A303005056AB0C4F&compId=irfb3006gpbf.pdf?ci_sign=fe50fde39a28df753a65cb90465a06d54c1f585e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1DB36696E11C&compId=BSZ075N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=ea14860559aa7e61c2d27222f8be8bf43b4b6c42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013SXI-411T INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; SOIC16
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: SOIC16
Integrated circuit features: Brown Out Detection (BOD); Brown Out Reset (BOR); internal clock oscillator; PoR; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 12
Clock frequency: 16MHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.52 грн
5+136.97 грн
8+120.34 грн
22+114.01 грн
25+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L AUIRF2804L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04DFEC1617BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804.pdf?ci_sign=1a9d3c5de401577578ccc09d152c5c33c6d2dbde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI310 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI420 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI310 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI313 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI320 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI323 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI210 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI213 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI313 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI323 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI410 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI423 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7DE5C88B86469&compId=SMBT3906E6327.pdf?ci_sign=c9d3548f357d41a291b0ddb7dd0abd5245648fbc Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.94 грн
59+6.81 грн
72+5.57 грн
100+5.05 грн
250+4.37 грн
270+3.44 грн
743+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT13DHNV20 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 130ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 130ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 9A
Supply voltage: 4.1...28V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VS2UE6327HTSA1 ESD24VS2UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD9299A9216259&compId=ESD24VS2UE6327.pdf?ci_sign=11ffaf7a1104f12a35260642dc6d98c4cfd7c8ee Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.99 грн
19+21.53 грн
21+19.08 грн
50+14.25 грн
100+12.43 грн
115+8.08 грн
317+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DD160N22K DD160N22K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C86AA869E30469&compId=DD160N22K.pdf?ci_sign=89bba5a5b6017d61df8b68446cd34101842b194f Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 160A; BG-PB34-1; screw
Case: BG-PB34-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 160A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 4.6kA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12428.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N16K DD260N16K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CA08F9313D8469&compId=DD260N18K.pdf?ci_sign=1a3eeda9b19c3aa4315259af2d268dad7a8056c1 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 260A; BG-PB50-1; screw
Case: BG-PB50-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.32V
Load current: 260A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.5kA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12414.09 грн
3+11357.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2BEA44BDB8469&compId=BAV170E6327.pdf?ci_sign=c347e245b0638e8d11b19d03a57c8b8039a8d928 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.64 грн
43+9.26 грн
64+6.25 грн
100+5.30 грн
315+2.95 грн
866+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+150.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 13.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155
BSC0901NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92
BSC0904NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SR_EVALBOARD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: TLE49SR_EVALBOARD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12367.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191CF209426011C&compId=BFR193E6327-dte.pdf?ci_sign=4c5307a786cc21bca7483237e4b4a15904a55f4d
BFR193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.87 грн
23+17.58 грн
100+11.32 грн
114+8.15 грн
312+7.76 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193FH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d
BFR193FH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.20 грн
34+11.80 грн
100+8.39 грн
146+6.41 грн
402+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193L3E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D61F8F1C611C&compId=BFR193L3E6327-dte.pdf?ci_sign=159eb82f3466f047c6bf832485697538eb140a55
BFR193L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.32 грн
33+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+227.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84704B7FFF10B&compId=BSS87H6327FTSA1.pdf?ci_sign=f9330c95011fdd909fb6f9e38030ee639046a456
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89-4
Kind of channel: enhancement
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.84 грн
21+18.92 грн
50+15.12 грн
63+14.96 грн
100+13.86 грн
500+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76899C50F310B&compId=BSP88H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7f9ace14eab967c17352ef0016c7b9645cecf49a
BSP88H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.63 грн
14+28.98 грн
15+26.44 грн
48+19.63 грн
100+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597
IR2214SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.13 грн
3+345.19 грн
8+326.19 грн
10+313.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104
BSP295H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.36 грн
10+46.16 грн
42+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DB4723ACC11C&compId=IPB029N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5f066976eb9802fc0a5a6395d77568296435c78e
IPB029N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 188W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A699443DDF97811C&compId=IPI029N06N-DTE.pdf?ci_sign=e39e3628720de44745f1a3030a66139a6d697760
IPI029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E994B5BD37011C&compId=IPP029N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=44f27abab4c8ca927c2abefa9665829d753d9b04
IPP029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06NF2SATMA1 Infineon-IPB029N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67ca353b2d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 150W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 150W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9B7CCE93EF6143&compId=IPA95R450P7.pdf?ci_sign=b5017dd83b3f6c315c45a347e528ef15f2f64f93
IPA95R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.45 грн
7+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+329.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698792116A06469&compId=BTS5210G.pdf?ci_sign=34a674fb634ae891218c8c260ba20409e1b33986
BTS5210G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 22A; 83W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C139920DB3F1A303005056AB0C4F&compId=irfr2307zpbf.pdf?ci_sign=5a02cd30d3be63779fdc26a106cfb0d6acb4247b
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1404Q064X0064AAXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2023B1600CFA8&compId=XMC1400-DTE.pdf?ci_sign=1e39311d89feedc3199fcab34f75dde484976fcc
XMC1404Q064X0064AAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Case: PG-VQFN-64
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x4; BCCU; CCU8; EEPROM emulation; math coprocessor; POSIF; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 16
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-EVB-IMS3-0650603B-GS
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: GS-EVB-IMS3-0650603B-GS
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17229.67 грн
2+14399.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL064J55TFI003 Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 55ns; TSOP48; parallel
Interface: CFI; parallel
Case: TSOP48
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 55ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 64Mb FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 42A; 110W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2B6150BC8F1A303005056AB0C4F&compId=irfb3006gpbf.pdf?ci_sign=fe50fde39a28df753a65cb90465a06d54c1f585e
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1DB36696E11C&compId=BSZ075N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=ea14860559aa7e61c2d27222f8be8bf43b4b6c42
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013SXI-411T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; SOIC16
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: SOIC16
Integrated circuit features: Brown Out Detection (BOD); Brown Out Reset (BOR); internal clock oscillator; PoR; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 12
Clock frequency: 16MHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.52 грн
5+136.97 грн
8+120.34 грн
22+114.01 грн
25+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04DFEC1617BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804.pdf?ci_sign=1a9d3c5de401577578ccc09d152c5c33c6d2dbde
AUIRF2804L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI010 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI020 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI310 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J60TFI420 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI310 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI313 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI320 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70BHI323 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI010 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI020 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI023 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI210 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI213 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI313 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI323 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI410 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29JL032J70TFI423 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7DE5C88B86469&compId=SMBT3906E6327.pdf?ci_sign=c9d3548f357d41a291b0ddb7dd0abd5245648fbc
SMBT3906E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.94 грн
59+6.81 грн
72+5.57 грн
100+5.05 грн
250+4.37 грн
270+3.44 грн
743+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT13DHNV20
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 130ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 130ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69
AUIRF7342QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19.5mΩ
Number of channels: 1
Output current: 9A
Supply voltage: 4.1...28V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VS2UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD9299A9216259&compId=ESD24VS2UE6327.pdf?ci_sign=11ffaf7a1104f12a35260642dc6d98c4cfd7c8ee
ESD24VS2UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.99 грн
19+21.53 грн
21+19.08 грн
50+14.25 грн
100+12.43 грн
115+8.08 грн
317+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DD160N22K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C86AA869E30469&compId=DD160N22K.pdf?ci_sign=89bba5a5b6017d61df8b68446cd34101842b194f
DD160N22K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 160A; BG-PB34-1; screw
Case: BG-PB34-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 160A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 4.6kA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12428.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N16K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CA08F9313D8469&compId=DD260N18K.pdf?ci_sign=1a3eeda9b19c3aa4315259af2d268dad7a8056c1
DD260N16K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 260A; BG-PB50-1; screw
Case: BG-PB50-1
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.32V
Load current: 260A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.5kA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12414.09 грн
3+11357.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2BEA44BDB8469&compId=BAV170E6327.pdf?ci_sign=c347e245b0638e8d11b19d03a57c8b8039a8d928
BAV170E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.64 грн
43+9.26 грн
64+6.25 грн
100+5.30 грн
315+2.95 грн
866+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+150.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 13.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2490  [ Наступна Сторінка >> ]