Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148774) > Сторінка 2471 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.51 грн
10+189.13 грн
20+167.65 грн
30+156.09 грн
120+151.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9Ω
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
Kind of package: 7 inch reel
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9Ω
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
Kind of package: 13 inch reel
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.40 грн
10+191.60 грн
20+185.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ikw30n65h5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.16 грн
5+213.08 грн
10+199.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 55A; 188W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IGW30N65L5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd55583ac9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+85.38 грн
7+66.57 грн
10+61.45 грн
20+56.82 грн
50+51.54 грн
100+48.23 грн
200+45.34 грн
500+42.37 грн
1000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01G ICE2HS01G INFINEON TECHNOLOGIES ICE2HS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 30kHz...1MHz
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: SMPS
Operating voltage: 11...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7002VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.34 грн
44+9.50 грн
55+7.60 грн
100+6.77 грн
250+5.86 грн
500+5.12 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S53R1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5-5R4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4 IPZ40N04S5-8R4 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5-8R4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8 IPZ40N04S5L-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5L-2R8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8 IPZ40N04S5L-4R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5L-4R8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4 IPZ40N04S5L-7R4 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5L-7R4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.81 грн
10+151.14 грн
100+118.10 грн
250+105.71 грн
500+96.63 грн
1000+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17STROHSBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2ED300C17S.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Type of semiconductor module: gate driver board
Case: AG-EICE
Application: for medium and high power application
Mounting: PCB
Operating temperature: -40...85°C
Voltage class: 1.7kV
Supply voltage: 14...16V DC
Frequency: 60kHz
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUS165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF7769L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R041CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46E6327 BCV46E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV46E6327.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+51.59 грн
14+30.14 грн
50+21.31 грн
100+18.58 грн
250+15.77 грн
500+14.21 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R150G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.57 грн
10+142.88 грн
50+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+103.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.60 грн
3+171.78 грн
10+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 21A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFCM20T65GDXKMA1 IFCM20T65GDXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IFCM20T65GD.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IPM,2-phase motor controller; PG-MDIP24; 20A; 60kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 2-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™ 5
Case: PG-MDIP24
Output current: 20A
Integrated circuit features: interleaved PFC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Frequency: 60kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 650V
Power dissipation: 52.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR360F.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Kind of transistor: RF
Case: TSFP-3
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Collector-emitter voltage: 6V
Frequency: 14GHz
Current gain: 90...160
Polarisation: bipolar
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+16.01 грн
35+11.89 грн
40+10.57 грн
46+9.00 грн
52+8.01 грн
100+7.27 грн
250+6.61 грн
500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 16.3kA
Case: BG-PB60ECO-1
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.67 грн
55+7.60 грн
100+5.05 грн
500+4.06 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.95 грн
10+48.23 грн
25+44.43 грн
100+39.23 грн
250+35.84 грн
500+33.37 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirl1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 212nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+611.92 грн
60+511.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3177-24LQXQT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183 Category: Unclassified
Description: DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+8409.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50251EL TLF50251EL INFINEON TECHNOLOGIES TLF50251EL.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50201EL TLF50201EL INFINEON TECHNOLOGIES TLF50201EL.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.42 грн
3+433.59 грн
10+384.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSHBSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: BSHBSS138NH6433XTMA1
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.51 грн
10+189.13 грн
20+167.65 грн
30+156.09 грн
120+151.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUSA1 Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9Ω
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
Kind of package: 7 inch reel
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 Infineon-BTS3205N-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4ba4f81d5ec6&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9Ω
Output current: 0.6A
Power dissipation: 0.78W
Number of channels: 1
Kind of package: 13 inch reel
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.40 грн
10+191.60 грн
20+185.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5.pdf
IKW30N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5.pdf
IHW30N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 ikw30n65h5.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.16 грн
5+213.08 грн
10+199.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5-DTE.pdf
IGP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 55A; 188W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N65L5XKSA1 Infineon-IGW30N65L5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd55583ac9
IGW30N65L5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65F5XKSA1 IKP30N65F5.pdf
IKP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 93W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.38 грн
7+66.57 грн
10+61.45 грн
20+56.82 грн
50+51.54 грн
100+48.23 грн
200+45.34 грн
500+42.37 грн
1000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 108A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01G ICE2HS01G.pdf
ICE2HS01G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 30kHz...1MHz
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: SMPS
Operating voltage: 11...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7002VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.34 грн
44+9.50 грн
55+7.60 грн
100+6.77 грн
250+5.86 грн
500+5.12 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1.pdf
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4.pdf
IPZ40N04S5-5R4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4 IPZ40N04S5-8R4.pdf
IPZ40N04S5-8R4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8 IPZ40N04S5L-2R8.pdf
IPZ40N04S5L-2R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8 IPZ40N04S5L-4R8.pdf
IPZ40N04S5L-4R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4 IPZ40N04S5L-7R4.pdf
IPZ40N04S5L-7R4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T.pdf
BSP762T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.81 грн
10+151.14 грн
100+118.10 грн
250+105.71 грн
500+96.63 грн
1000+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17STROHSBPSA1 2ED300C17S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Type of semiconductor module: gate driver board
Case: AG-EICE
Application: for medium and high power application
Mounting: PCB
Operating temperature: -40...85°C
Voltage class: 1.7kV
Supply voltage: 14...16V DC
Frequency: 60kHz
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029.pdf
IAUS165N08S5N029ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF.pdf
IRF7769L1TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 3.3W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 3.3W
Case: DirectFET
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFD-DTE.pdf
IPW65R041CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF irfr2405pbf.pdf
IRFR2405TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf
IRFR2405TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46E6327 BCV46E6327.pdf
BCV46E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6-DTE.pdf
IPW60R099C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.59 грн
14+30.14 грн
50+21.31 грн
100+18.58 грн
250+15.77 грн
500+14.21 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.57 грн
10+142.88 грн
50+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+103.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2106S06FXUMA1 Infineon-2ED2106-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7402029e7
2ED2106S06FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.60 грн
3+171.78 грн
10+155.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPI21N50C3XKSA1 SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 21A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 95nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFCM20T65GDXKMA1 IFCM20T65GD.pdf
IFCM20T65GDXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IPM,2-phase motor controller; PG-MDIP24; 20A; 60kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 2-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™ 5
Case: PG-MDIP24
Output current: 20A
Integrated circuit features: interleaved PFC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Frequency: 60kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 650V
Power dissipation: 52.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 BFR360F.pdf
BFR360FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Kind of transistor: RF
Case: TSFP-3
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Collector-emitter voltage: 6V
Frequency: 14GHz
Current gain: 90...160
Polarisation: bipolar
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.01 грн
35+11.89 грн
40+10.57 грн
46+9.00 грн
52+8.01 грн
100+7.27 грн
250+6.61 грн
500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 16.3kA
Case: BG-PB60ECO-1
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.67 грн
55+7.60 грн
100+5.05 грн
500+4.06 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.95 грн
10+48.23 грн
25+44.43 грн
100+39.23 грн
250+35.84 грн
500+33.37 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL auirl1404s.pdf
AUIRL1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 212nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+611.92 грн
60+511.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3177-24LQXQT Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Infineon-DDB2U60N12W1RF_B11-DataSheet-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f0179796012a65183
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+8409.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon-IPD30N06S2L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433bafe5d69
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252
Application: automotive industry
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 55V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 15.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252
Power dissipation: 100W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50251EL TLF50251EL.pdf
TLF50251EL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50201EL TLF50201EL.pdf
TLF50201EL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3230AKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.42 грн
3+433.59 грн
10+384.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSHBSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BSHBSS138NH6433XTMA1
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2480  [ Наступна Сторінка >> ]