Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149617) > Сторінка 2471 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
Supply voltage: 10.5...16.5V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.96 грн
10+71.93 грн
25+63.94 грн
50+59.15 грн
100+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+420.91 грн
10+298.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 288A
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 241A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+203.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.09 грн
11+38.84 грн
25+34.37 грн
50+31.41 грн
100+28.85 грн
250+25.90 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFD0CECB95E469&compId=BAS7004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ff2c882736c2865056ef199c5df8e8b8e4521bb0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.08 грн
39+10.47 грн
100+5.82 грн
250+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23; SMT
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2109STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.37 грн
10+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Input voltage: 10...20V
Output current: 0.13A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA BTS5180-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698775F8CE50469&compId=BTS5180-2EKA.pdf?ci_sign=dcbfa526d3bc10e800b4f1d73c4a0cc27042a66a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Technology: PROFET™+ 12V
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Output current: 1.5A
On-state resistance: 0.33Ω
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...18V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO14
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.42 грн
10+55.95 грн
25+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 87A; 79W; D2PAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 17nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF IR2010STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.25W
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.30 грн
10+150.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF IR2010SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA94E7C0F02143&compId=IPP60R360P7.pdf?ci_sign=0b12d4d4fd5f2cf02bb1bb741529ca54afdbe158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP236-PS2GO-KIT KP236-PS2GO-KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1100; prototype board
Family: XMC1100
Kind of connector: pin strips; USB micro
Application: for pressure sensors
Kit contents: prototype board
Components: XMC1100; XMC4200
Number of add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Kind of architecture: Cortex M0
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2243.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFx2905ZPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 500mA; Ch: 6; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC28
Output current: 0.5A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+149.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+341.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2001pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675a760277e Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 BCV62CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.52 грн
27+14.95 грн
100+10.07 грн
250+8.55 грн
500+7.67 грн
1000+6.87 грн
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF IR2233SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF IR2233PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.5W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB4E5872EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7807zpbf.pdf?ci_sign=c1df805b56b2417932bb256a741c2f70a29cea6c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB2C875C09F1A303005056AB0C4F&compId=irf7807vpbf.pdf?ci_sign=78f9e59fb9aca18cea2e3a1094d175afcb9560cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Mounting: SMD
Drain current: 8.3A
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 9...20V
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Input voltage: 12...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB0C13A75AE11C&compId=IPP030N10N5-DTE.pdf?ci_sign=1be40706d804a7fcb61d5a9915cdd86de2f44469 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850D0TAV50ATMA1 TLS850D0TAV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850D0TA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969edb50c4266 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 70mV
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F0TAV33ATMA1 TLS850F0TAV33ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4960E4EE04259&compId=TLS850F0TAV33.pdf?ci_sign=52cec9691fbcab9bf084b17e499b61cb26c0d750 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 80mV
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.425V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 54mΩ
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.30 грн
5+151.86 грн
10+133.48 грн
25+111.90 грн
50+99.11 грн
100+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW16N50C3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 560V; 16A; 160W; TO247; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 16A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL1404STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2304spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567a8fe72802 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 165W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 22µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 84A
Power dissipation: 165W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 89W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 71A
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.40 грн
19+21.74 грн
22+18.86 грн
25+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 25mA; 170mA; SMT; SMD8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.17A
Mounting: SMT
Case: SMD8
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Body dimensions: 9.39x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+723.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
Supply voltage: 10.5...16.5V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.96 грн
10+71.93 грн
25+63.94 грн
50+59.15 грн
100+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b
IPP120N20NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+420.91 грн
10+298.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c
IPA040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 288A
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 241A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+203.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.09 грн
11+38.84 грн
25+34.37 грн
50+31.41 грн
100+28.85 грн
250+25.90 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFD0CECB95E469&compId=BAS7004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ff2c882736c2865056ef199c5df8e8b8e4521bb0
BAS7004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.08 грн
39+10.47 грн
100+5.82 грн
250+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23; SMT
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF irs2153d.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2109STRPBF IRSDS11365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.37 грн
10+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Input voltage: 10...20V
Output current: 0.13A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698775F8CE50469&compId=BTS5180-2EKA.pdf?ci_sign=dcbfa526d3bc10e800b4f1d73c4a0cc27042a66a
BTS5180-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Technology: PROFET™+ 12V
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Output current: 1.5A
On-state resistance: 0.33Ω
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...18V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO14
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.42 грн
10+55.95 грн
25+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 87A; 79W; D2PAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 17nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.25W
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.30 грн
10+150.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA94E7C0F02143&compId=IPP60R360P7.pdf?ci_sign=0b12d4d4fd5f2cf02bb1bb741529ca54afdbe158
IPP60R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP236-PS2GO-KIT
KP236-PS2GO-KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1100; prototype board
Family: XMC1100
Kind of connector: pin strips; USB micro
Application: for pressure sensors
Kit contents: prototype board
Components: XMC1100; XMC4200
Number of add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Kind of architecture: Cortex M0
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2243.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFx2905ZPBF.pdf
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 500mA; Ch: 6; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC28
Output current: 0.5A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+149.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JTRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+341.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001STRPBF irs2001pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675a760277e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24
BCV62CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.52 грн
27+14.95 грн
100+10.07 грн
250+8.55 грн
500+7.67 грн
1000+6.87 грн
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.5W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB4E5872EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7807zpbf.pdf?ci_sign=c1df805b56b2417932bb256a741c2f70a29cea6c
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB2C875C09F1A303005056AB0C4F&compId=irf7807vpbf.pdf?ci_sign=78f9e59fb9aca18cea2e3a1094d175afcb9560cf
IRF7807VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Mounting: SMD
Drain current: 8.3A
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.5A
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 9...20V
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Case: SOIC8
Input voltage: 12...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB0C13A75AE11C&compId=IPP030N10N5-DTE.pdf?ci_sign=1be40706d804a7fcb61d5a9915cdd86de2f44469
IPP030N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850D0TAV50ATMA1 Infineon-TLS850D0TA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969edb50c4266
TLS850D0TAV50ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 70mV
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F0TAV33ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE4960E4EE04259&compId=TLS850F0TAV33.pdf?ci_sign=52cec9691fbcab9bf084b17e499b61cb26c0d750
TLS850F0TAV33ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 80mV
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; PG-TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.425V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 54mΩ
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.30 грн
5+151.86 грн
10+133.48 грн
25+111.90 грн
50+99.11 грн
100+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2eca4824
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 560V; 16A; 160W; TO247; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 16A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304STRPBF irs2304spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567a8fe72802
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G120C5XTMA1 Infineon-IDK10G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0e5de0f41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 165W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 22µA
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 84A
Power dissipation: 165W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 89W
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Case: PG-TO263-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 71A
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.40 грн
19+21.74 грн
22+18.86 грн
25+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322ASPBF IRSD-S-A0001022139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 25mA; 170mA; SMT; SMD8
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.17A
Mounting: SMT
Case: SMD8
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 25mA
Body dimensions: 9.39x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+723.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]