Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148391) > Сторінка 2471 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0901NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ097N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.98 грн
10+43.35 грн
25+36.39 грн
34+26.30 грн
94+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+93.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
25+15.82 грн
35+11.01 грн
50+8.87 грн
100+7.49 грн
167+5.35 грн
460+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7493pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
17+23.01 грн
50+16.67 грн
78+11.54 грн
213+10.93 грн
500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD140N16SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD140N16SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Pulsed drain current: 44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5316H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx51_bcx52_bcx53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589c08423034d&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx51_bcx52_bcx53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5516H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+284.04 грн
120+237.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP120N20NFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.70 грн
4+262.98 грн
10+248.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7546TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.45 грн
10+46.48 грн
35+25.76 грн
96+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3709ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3709zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71HE6327 BCX71HE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX71.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.87 грн
105+3.79 грн
115+3.43 грн
345+2.63 грн
940+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA040N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 6.4mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 252A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.5nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 241A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21472AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDA21472-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175ca2e1448e Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+245.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7855pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R125C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH35UD-EP IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES irg7ph35udpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBF IRFR1010ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr1010zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr1010zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr1018epbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+191.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
TLD21313EPXUMA1 TLD21313EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD21313EP.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 80mA
Mounting: SMD
Case: PG-SSOP-14-EP
Operating voltage: 5.5...40V DC
Output current: 80mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Protection: overheating OTP
Technology: Litix™
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD21321EPXUMA1 TLD21321EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD21321EP.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 240mA
Mounting: SMD
Case: PG-SSOP-14-EP
Operating voltage: 5.5...40V DC
Output current: 240mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Protection: overheating OTP
Technology: Litix™
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ425N14KOF TZ425N14KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ425N14KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.4kV; 425A; BG-PB501-1
Semiconductor structure: single thyristor
Gate current: 300mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: BG-PB501-1
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 425A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+400.12 грн
3+334.85 грн
4+256.87 грн
10+242.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCW68FE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8734pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.74 грн
10+48.62 грн
35+25.61 грн
96+24.23 грн
2000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a4cc721be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.41 грн
32+12.16 грн
100+6.03 грн
248+3.60 грн
682+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9251VLEXUMA1 TLE9251VLEXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE9251V.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-TSON-8; 60mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-TSON-8
Integrated circuit features: WUP
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9251VSJXUMA1 TLE9251VSJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE9251V-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14b8c287597b Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; 60mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-8
Integrated circuit features: WUP
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC299TX128F300NBCKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TC290_97_98_99.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+4976.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523UE6327 BCR523UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR523.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SC74; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.00 грн
35+11.39 грн
90+10.09 грн
245+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR521E6327HTSA1 BCR521E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr521.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407b78610308 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523E6433HTMA1 BCR523E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NS-DTE.pdf
BSZ0901NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSI-DTE.pdf
BSZ0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NS-DTE.pdf
BSC0901NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG-DTE.pdf
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.98 грн
10+43.35 грн
25+36.39 грн
34+26.30 грн
94+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
25+15.82 грн
35+11.01 грн
50+8.87 грн
100+7.49 грн
167+5.35 грн
460+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description irf7493pbf.pdf
IRF7493TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF irlhs2242pbf.pdf
IRLHS2242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
17+23.01 грн
50+16.67 грн
78+11.54 грн
213+10.93 грн
500+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD140N16SOFHPSA1 TD140N16SOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Pulsed drain current: 44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5316H6327XTSA1 bcx51_bcx52_bcx53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589c08423034d&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx51_bcx52_bcx53.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5516H6327XTSA1 bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+284.04 грн
120+237.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFD-DTE.pdf
IPP120N20NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.70 грн
4+262.98 грн
10+248.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF.pdf
IRFR7546TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.45 грн
10+46.48 грн
35+25.76 грн
96+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF.pdf
IRFR3709ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBF irfr3709zpbf.pdf
IRFR3709ZTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71HE6327 BCX71.pdf
BCX71HE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.87 грн
105+3.79 грн
115+3.43 грн
345+2.63 грн
940+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06N-DTE.pdf
IPA040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 6.4mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 252A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30.5nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 241A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 64mΩ
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21472AUMA1 Infineon-TDA21472-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d175ca2e1448e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+245.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF irf7855pbf.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6-DTE.pdf
IPB60R125C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH35UD-EP irg7ph35udpbf.pdf
IRG7PH35UD-EP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRLPBF irfr1010zpbf.pdf
IRFR1010ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF irfr1010zpbf.pdf
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF irfr1018epbf.pdf
IRFR1018ETRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+191.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
TLD21313EPXUMA1 TLD21313EP.pdf
TLD21313EPXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 80mA
Mounting: SMD
Case: PG-SSOP-14-EP
Operating voltage: 5.5...40V DC
Output current: 80mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Protection: overheating OTP
Technology: Litix™
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD21321EPXUMA1 TLD21321EP.pdf
TLD21321EPXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 240mA
Mounting: SMD
Case: PG-SSOP-14-EP
Operating voltage: 5.5...40V DC
Output current: 240mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Protection: overheating OTP
Technology: Litix™
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ425N14KOF TZ425N14KOF.pdf
TZ425N14KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.4kV; 425A; BG-PB501-1
Semiconductor structure: single thyristor
Gate current: 300mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: BG-PB501-1
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 425A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5-DTE.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+400.12 грн
3+334.85 грн
4+256.87 грн
10+242.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327 BCW68FE6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF irf8734pbf.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.74 грн
10+48.62 грн
35+25.61 грн
96+24.23 грн
2000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBF irfs4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a4cc721be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.41 грн
32+12.16 грн
100+6.03 грн
248+3.60 грн
682+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9251VLEXUMA1 TLE9251V.pdf
TLE9251VLEXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-TSON-8; 60mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-TSON-8
Integrated circuit features: WUP
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9251VSJXUMA1 Infineon-TLE9251V-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14b8c287597b
TLE9251VSJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; 60mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-8
Integrated circuit features: WUP
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC299TX128F300NBCKXUMA1 TC290_97_98_99.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4976.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523UE6327 BCR523.pdf
BCR523UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SC74; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.00 грн
35+11.39 грн
90+10.09 грн
245+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523E6327HTSA1 bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309
BCR523E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR521E6327HTSA1 bcr521.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407b78610308
BCR521E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523E6433HTMA1 bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309
BCR523E6433HTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474  [ Наступна Сторінка >> ]