Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149461) > Сторінка 2471 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
86+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF IRLR8103VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8103vpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.18 грн
7+63.14 грн
10+57.40 грн
25+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.66 грн
31+13.61 грн
35+11.89 грн
100+7.54 грн
500+5.82 грн
1000+5.33 грн
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
88+5.05 грн
100+4.23 грн
250+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF IRS2186STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.89 грн
10+104.15 грн
50+91.85 грн
100+87.75 грн
250+82.83 грн
1000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.10 грн
3+254.22 грн
10+227.98 грн
50+212.40 грн
250+211.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR15N20DTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.33 грн
10+129.57 грн
20+123.83 грн
50+114.81 грн
100+108.25 грн
200+101.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.25 грн
10+127.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.01 грн
37+11.15 грн
42+9.84 грн
49+8.45 грн
54+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.38 грн
22+19.35 грн
100+11.97 грн
250+9.76 грн
500+8.45 грн
1000+7.30 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.90 грн
33+12.46 грн
44+9.51 грн
50+8.36 грн
100+7.50 грн
250+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.15 грн
10+93.49 грн
50+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 274nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.71 грн
10+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.10 грн
25+179.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
55+7.54 грн
75+5.51 грн
100+4.84 грн
500+3.68 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+73.30 грн
12+34.61 грн
100+26.57 грн
250+23.86 грн
500+21.98 грн
1000+20.26 грн
2000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 90nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.18 грн
8+51.66 грн
50+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.18 грн
10+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 10275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.20 грн
32+13.12 грн
37+11.32 грн
100+7.18 грн
500+5.50 грн
1000+4.95 грн
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 TLE4906KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.16 грн
12+35.02 грн
50+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.25 грн
50+8.28 грн
65+6.40 грн
100+5.68 грн
250+4.77 грн
500+4.16 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.91 грн
18+23.45 грн
21+20.34 грн
100+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C86ABB5A59F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4229pbf.pdf?ci_sign=610a1310601004a142c32c1e433d2c89212cbf1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+214.60 грн
10+150.89 грн
25+136.13 грн
50+125.47 грн
100+115.63 грн
250+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.01 грн
48+8.69 грн
74+5.59 грн
100+4.61 грн
250+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C88B246D09F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4310pbf.pdf?ci_sign=2ba0ed2c7db4f06ecd950a74a0a6d9e52fd245bf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7437TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr6225pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+72.42 грн
10+45.02 грн
50+38.30 грн
100+35.51 грн
250+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.57 грн
25+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+53.55 грн
50+44.94 грн
100+41.25 грн
200+37.72 грн
250+36.57 грн
500+32.97 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.65 грн
8+58.22 грн
10+46.74 грн
95+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.18 грн
77+5.33 грн
78+5.28 грн
100+5.16 грн
250+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D26FA7464F1A303005056AB0C4F&compId=irlms5703pbf.pdf?ci_sign=38add10ed924f0e4045c7b62faae0750f826b459 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.66 грн
25+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.48 грн
50+8.20 грн
55+7.46 грн
100+5.58 грн
500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.04 грн
10+72.99 грн
50+62.32 грн
100+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12F2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD881E853F2259&compId=1ED020I12-F2.pdf?ci_sign=7a0aa10f2c5c9bc192268ae50cfca85594182ebe Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-16-15
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Voltage class: 0.6/1.2kV
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.59 грн
5+213.22 грн
10+195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1ED020I12FA2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344d078be4cdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES 1ED020I12-F_Ver2.3_May2011.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP760.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.26 грн
19+21.65 грн
25+19.52 грн
100+17.22 грн
250+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.44 грн
10+74.63 грн
50+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6133D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.07 грн
4+159.91 грн
10+135.31 грн
25+123.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.23 грн
10+147.61 грн
25+139.41 грн
50+132.85 грн
100+126.29 грн
250+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.6...1.4pF
Leakage current: 20nA
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
59+7.60 грн
97+4.26 грн
126+3.26 грн
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Semiconductor module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6623.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6777.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 BAS7006WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
41+10.09 грн
100+6.96 грн
500+4.76 грн
1000+4.08 грн
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN7550B.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.59 грн
10+52.40 грн
25+47.24 грн
100+40.59 грн
250+39.12 грн
500+37.64 грн
1000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CD3BEA965F1A303005056AB0C4F&compId=irlms1902pbf.pdf?ci_sign=e136a626b5a031e6f0ab75cf9615f2ae6f830f66 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
86+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF irlr8103vpbf.pdf
IRLR8103VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc
IRFB4615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.18 грн
7+63.14 грн
10+57.40 грн
25+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF irfml8244pbf.pdf
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.66 грн
31+13.61 грн
35+11.89 грн
100+7.54 грн
500+5.82 грн
1000+5.33 грн
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
88+5.05 грн
100+4.23 грн
250+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed
IRS2186STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.89 грн
10+104.15 грн
50+91.85 грн
100+87.75 грн
250+82.83 грн
1000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.10 грн
3+254.22 грн
10+227.98 грн
50+212.40 грн
250+211.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60R.pdf
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.33 грн
10+129.57 грн
20+123.83 грн
50+114.81 грн
100+108.25 грн
200+101.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.25 грн
10+127.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 65mA
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.01 грн
37+11.15 грн
42+9.84 грн
49+8.45 грн
54+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.38 грн
22+19.35 грн
100+11.97 грн
250+9.76 грн
500+8.45 грн
1000+7.30 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.90 грн
33+12.46 грн
44+9.51 грн
50+8.36 грн
100+7.50 грн
250+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.15 грн
10+93.49 грн
50+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 274nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.71 грн
10+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7
IRFP7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.10 грн
25+179.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
55+7.54 грн
75+5.51 грн
100+4.84 грн
500+3.68 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.30 грн
12+34.61 грн
100+26.57 грн
250+23.86 грн
500+21.98 грн
1000+20.26 грн
2000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF.pdf
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 90nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.18 грн
8+51.66 грн
50+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.18 грн
10+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 10275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.20 грн
32+13.12 грн
37+11.32 грн
100+7.18 грн
500+5.50 грн
1000+4.95 грн
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642
TLE4906KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.16 грн
12+35.02 грн
50+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.25 грн
50+8.28 грн
65+6.40 грн
100+5.68 грн
250+4.77 грн
500+4.16 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.91 грн
18+23.45 грн
21+20.34 грн
100+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C86ABB5A59F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4229pbf.pdf?ci_sign=610a1310601004a142c32c1e433d2c89212cbf1e
IRFS4229TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f
IRFS4321TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+214.60 грн
10+150.89 грн
25+136.13 грн
50+125.47 грн
100+115.63 грн
250+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.01 грн
48+8.69 грн
74+5.59 грн
100+4.61 грн
250+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C88B246D09F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4310pbf.pdf?ci_sign=2ba0ed2c7db4f06ecd950a74a0a6d9e52fd245bf
IRFS4310TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF irlr6225pbf.pdf
IRLR6225TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+72.42 грн
10+45.02 грн
50+38.30 грн
100+35.51 грн
250+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.57 грн
25+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.48 грн
10+53.55 грн
50+44.94 грн
100+41.25 грн
200+37.72 грн
250+36.57 грн
500+32.97 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.65 грн
8+58.22 грн
10+46.74 грн
95+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.18 грн
77+5.33 грн
78+5.28 грн
100+5.16 грн
250+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D26FA7464F1A303005056AB0C4F&compId=irlms5703pbf.pdf?ci_sign=38add10ed924f0e4045c7b62faae0750f826b459
IRLMS5703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.66 грн
25+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.48 грн
50+8.20 грн
55+7.46 грн
100+5.58 грн
500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4
IRF4104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.04 грн
10+72.99 грн
50+62.32 грн
100+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD881E853F2259&compId=1ED020I12-F2.pdf?ci_sign=7a0aa10f2c5c9bc192268ae50cfca85594182ebe
1ED020I12F2XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -2...2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-16-15
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Voltage class: 0.6/1.2kV
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.59 грн
5+213.22 грн
10+195.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 Infineon-1ED020I12FA2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344d078be4cdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 1ED020I12-F_Ver2.3_May2011.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760.pdf
BFP760H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.26 грн
19+21.65 грн
25+19.52 грн
100+17.22 грн
250+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.44 грн
10+74.63 грн
50+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D.pdf
BTS6133D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.07 грн
4+159.91 грн
10+135.31 грн
25+123.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.23 грн
10+147.61 грн
25+139.41 грн
50+132.85 грн
100+126.29 грн
250+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA89202VH6127XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.6...1.4pF
Leakage current: 20nA
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+7.60 грн
97+4.26 грн
126+3.26 грн
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4.pdf
FF200R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Semiconductor module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6623.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6777.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7006WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 70mA
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
41+10.09 грн
100+6.96 грн
500+4.76 грн
1000+4.08 грн
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550B.pdf
1EDN7550BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.59 грн
10+52.40 грн
25+47.24 грн
100+40.59 грн
250+39.12 грн
500+37.64 грн
1000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CD3BEA965F1A303005056AB0C4F&compId=irlms1902pbf.pdf?ci_sign=e136a626b5a031e6f0ab75cf9615f2ae6f830f66
IRLMS1902TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]