Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148775) > Сторінка 2470 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS212XXSTRPBf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor,high-side; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: current sensor; high-side
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.40 грн
10+209.77 грн
25+190.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ir2108-ds-en.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: SOIC8
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 10...20V
Maximum output current: 0.35A
Turn-on time: 220ns
Power dissipation: 0.625W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.04 грн
10+197.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.17 грн
10+86.72 грн
25+75.98 грн
100+69.37 грн
500+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.02 грн
21+20.48 грн
26+16.10 грн
50+13.38 грн
100+11.23 грн
250+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BF2040.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Kind of channel: depletion
Features of semiconductor devices: dual gate
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±10V
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Case: SOT143
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+19.39 грн
35+12.39 грн
100+10.90 грн
500+9.99 грн
1000+9.17 грн
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 T560N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T560N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Mounting: Press-Pack
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: in-tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9271.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 BCR402WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.36 грн
42+9.99 грн
100+8.84 грн
500+7.93 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2114SSPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SSOP24
Output current: -1.5...1A
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.4...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Turn-off time: 440ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.23 грн
85+4.87 грн
101+4.11 грн
112+3.69 грн
250+3.43 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04NG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.06 грн
6+80.94 грн
10+75.16 грн
50+63.59 грн
100+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L AUIRF2804L INFINEON TECHNOLOGIES irf2804.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICL8001G-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+83.60 грн
7+68.55 грн
25+61.94 грн
100+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB30N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB30N65ES5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17SROHSBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2ED300C17S.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Type of semiconductor module: gate driver board
Case: AG-EICE
Application: for medium and high power application
Mounting: PCB
Operating temperature: -25...85°C
Voltage class: 1.7kV
Supply voltage: 14...16V DC
Frequency: 60kHz
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327 BGX50AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BGX50AE6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; 6ns; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: bridge rectifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Power dissipation: 0.21W
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+9.61 грн
100+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+442.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.42 грн
10+190.78 грн
20+174.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP330P10NMAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 62A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 27.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+193.00 грн
200+161.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR08PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+12.27 грн
45+10.08 грн
100+8.92 грн
500+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15P10PLHXKSA1 SPP15P10PLHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.98 грн
10+106.54 грн
50+78.46 грн
100+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF IRS25401PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs25401pbf.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.50 грн
10+226.29 грн
50+156.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 120V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.29 грн
10+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 120V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.21 грн
10+136.27 грн
50+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.76 грн
10+106.54 грн
25+89.20 грн
50+78.46 грн
100+69.37 грн
250+60.29 грн
500+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55H6327XTSA1 BCP55H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP55H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A1065ELJFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE3A1065ELJ_v20_2Sep08.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a30431c69a49d011c93b934c0056d Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 650V; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output voltage: 650V
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Breakdown voltage: 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+120.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 4547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.78 грн
65+6.44 грн
72+5.78 грн
92+4.53 грн
101+4.10 грн
500+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 BFP460H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 70mA
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...160
Frequency: 22GHz
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.46 грн
28+15.20 грн
31+13.46 грн
36+11.64 грн
50+10.57 грн
100+9.75 грн
250+8.92 грн
500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.46 грн
21+20.32 грн
24+17.51 грн
50+11.89 грн
100+10.08 грн
500+7.02 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB120N06S402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.45 грн
46+9.00 грн
60+6.97 грн
100+6.27 грн
500+4.99 грн
1000+4.57 грн
3000+4.02 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3906E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.56 грн
63+6.61 грн
77+5.38 грн
100+4.88 грн
250+4.23 грн
500+3.72 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7446TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7446TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Power dissipation: 98W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.45 грн
112+3.72 грн
121+3.44 грн
250+3.29 грн
500+2.95 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+5.34 грн
95+4.38 грн
104+4.01 грн
250+3.82 грн
500+3.44 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N18TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T560N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Mounting: Press-Pack
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3160N18TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T3160N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD160N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT160N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21271STRPBF IRS212XXSTRPBf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor,high-side; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: current sensor; high-side
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.40 грн
10+209.77 грн
25+190.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description infineon-ir2108-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: SOIC8
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 10...20V
Maximum output current: 0.35A
Turn-on time: 220ns
Power dissipation: 0.625W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.04 грн
10+197.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N.pdf
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.17 грн
10+86.72 грн
25+75.98 грн
100+69.37 грн
500+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.02 грн
21+20.48 грн
26+16.10 грн
50+13.38 грн
100+11.23 грн
250+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040.pdf
BF2040E6814HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Kind of channel: depletion
Features of semiconductor devices: dual gate
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±10V
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Case: SOT143
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+19.39 грн
35+12.39 грн
100+10.90 грн
500+9.99 грн
1000+9.17 грн
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 T560N.pdf
T560N16TOFXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Mounting: Press-Pack
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: in-tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9271.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192
BCR402WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.36 грн
42+9.99 грн
100+8.84 грн
500+7.93 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF.pdf
IR2114SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SSOP24
Output current: -1.5...1A
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.4...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Turn-off time: 440ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.23 грн
85+4.87 грн
101+4.11 грн
112+3.69 грн
250+3.43 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LG-DTE.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NG-dte.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RF.pdf
IKD06N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.06 грн
6+80.94 грн
10+75.16 грн
50+63.59 грн
100+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS-DTE.pdf
BSC010N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSI-DTE.pdf
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf
IRFB3006GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L irf2804.pdf
AUIRF2804L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001G-DTE.pdf
ICL8001GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.60 грн
7+68.55 грн
25+61.94 грн
100+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5.pdf
IKB30N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5.pdf
IKB30N65ES5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED300C17SROHSBPSA1 2ED300C17S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Type of semiconductor module: gate driver board
Case: AG-EICE
Application: for medium and high power application
Mounting: PCB
Operating temperature: -25...85°C
Voltage class: 1.7kV
Supply voltage: 14...16V DC
Frequency: 60kHz
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGX50AE6327 BGX50AE6327.pdf
BGX50AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; 6ns; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: bridge rectifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Power dissipation: 0.21W
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+9.61 грн
100+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612PBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+442.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N135R5XKSA1 Infineon-IHW40N135R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0fe63f5326a
IHW40N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 0.5µs
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.42 грн
10+190.78 грн
20+174.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP330P10NMAKSA1 Infineon-IPP330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde48dfab1c0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 62A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 27.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+193.00 грн
200+161.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327.pdf
BCR08PNH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+12.27 грн
45+10.08 грн
100+8.92 грн
500+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15P10PLHXKSA1 SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf
SPP15P10PLHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.98 грн
10+106.54 грн
50+78.46 грн
100+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6-DTE.pdf
IPW60R125C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25401PBF irs25401pbf.pdf
IRS25401PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Case: DIP8
Output current: -700...500mA
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.50 грн
10+226.29 грн
50+156.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 120V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.29 грн
10+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 120V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.21 грн
10+136.27 грн
50+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.76 грн
10+106.54 грн
25+89.20 грн
50+78.46 грн
100+69.37 грн
250+60.29 грн
500+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55H6327XTSA1 BCP55H6327XTSA1.pdf
BCP55H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A1065ELJFKLA1 Datasheet_ICE3A1065ELJ_v20_2Sep08.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a30431c69a49d011c93b934c0056d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 650V; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output voltage: 650V
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Breakdown voltage: 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+120.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1 infineon-irfb4020-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356158ffd1e05
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 4547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.78 грн
65+6.44 грн
72+5.78 грн
92+4.53 грн
101+4.10 грн
500+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5-DTE.pdf
IKP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP460H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 70mA
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...160
Frequency: 22GHz
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.46 грн
28+15.20 грн
31+13.46 грн
36+11.64 грн
50+10.57 грн
100+9.75 грн
250+8.92 грн
500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.46 грн
21+20.32 грн
24+17.51 грн
50+11.89 грн
100+10.08 грн
500+7.02 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402.pdf
IPB120N06S402ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.45 грн
46+9.00 грн
60+6.97 грн
100+6.27 грн
500+4.99 грн
1000+4.57 грн
3000+4.02 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327.pdf
SMBT3906E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.56 грн
63+6.61 грн
77+5.38 грн
100+4.88 грн
250+4.23 грн
500+3.72 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF.pdf
IRFH7446TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
Power dissipation: 78W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF.pdf
IRFR7446TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Power dissipation: 98W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.45 грн
112+3.72 грн
121+3.44 грн
250+3.29 грн
500+2.95 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.34 грн
95+4.38 грн
104+4.01 грн
250+3.82 грн
500+3.44 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N18TOFXPSA1 T560N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Mounting: Press-Pack
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3160N18TOFVTXPSA1 T3160N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD160N18SOF TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT160N18SOF TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2480  [ Наступна Сторінка >> ]