Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149380) > Сторінка 2470 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRGSL4062D1 AUIRGSL4062D1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC4A423E6C873D7&compId=AUIRGx4062D1.pdf?ci_sign=af7171373d8d0f811877b4635ab8c5c885c6ede0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Trench
Type of transistor: IGBT
Case: TO262
Turn-on time: 35ns
Gate charge: 77nC
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 72A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.68 грн
3+192.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22271D69DD6D2F1A303005056AB0C4F&compId=irgs4062dpbf.pdf?ci_sign=f1806f5a728b86898d073ed3e7f80a224519b756 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO262
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T501N70TOHXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB4847A69CF6160C7&compId=T501N70TOHXPSA1.pdf?ci_sign=32f065570e51f46bdba34fdd7f20fb2249109b1d Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 7kV; Ifmax: 1kA; 640A; Igt: 350mA; in-tray
Case: BG-T7626K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Gate current: 350mA
Load current: 640A
Max. load current: 1kA
Max. off-state voltage: 7kV
Max. forward impulse current: 13.5kA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.94 грн
46+8.63 грн
61+6.59 грн
100+5.83 грн
250+5.00 грн
364+2.56 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5695EBD4E4143&compId=IPD90N04S304.pdf?ci_sign=744e6d18ceef1d2e8f817da583e63cd71a15d851 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Gate charge: 60nC
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD7287EF0E811C&compId=BSC024NE2LS-dte.pdf?ci_sign=02f2819344fa6536fccc816908b39ac8866af181 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+355.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A5F4DDE2DCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7493pbf.pdf?ci_sign=c0b1b5129242a232c27549a49cf8e89a1f378ec3 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.2A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16KOFHPSA2 TD330N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88B9E70C51032B3D1&compId=TD330N16KOF.pdf?ci_sign=cf0811a4f9d14c4abaff1a75e1d02469aca9fb02 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT330N16KOF TT330N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D35FD476572745&compId=TT330N16KOF.pdf?ci_sign=8482230765bc41badec92cc3d5f0c1ef031b3b33 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+339.34 грн
90+283.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2127STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356768e7a27c0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 40A; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R1K4CEBKMA1 IPU50R1K4CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE519BBDCDF1CC&compId=IPU50R1K4CE-DTE.pdf?ci_sign=75cba2a3bf7b157346c62f49d7e4ba3c18a3920c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C33D8F8C211C&compId=IPB011N04LG-DTE.pdf?ci_sign=886231efb9054af0d16648b0abff6e958593f7ba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C55CF5FE411C&compId=IPB011N04NG-dte.pdf?ci_sign=afef0bed750b02c09e3dc1ba463cc912cc3f0be4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+131.30 грн
250+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273AA1BBA60F1A303005056AB0C4F&compId=irl2910spbf.pdf?ci_sign=e0e455514ca6d17f7b1f43e807163325c855281b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96896E26C211C&compId=IPP023N04NG-DTE.pdf?ci_sign=123ca1164b118b381a0221555f5c278b376013f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.28 грн
5+83.92 грн
10+76.00 грн
20+46.71 грн
55+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TT250N18KOFHPSA1 TT250N18KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE76C04CE7E469&compId=TT250N18KOF.pdf?ci_sign=a51bfa528b7ada5ee438c08be9b69cdbf4b92422 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 7kA
Case: BG-PB50-1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14920.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT
Technology: MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A313F6F3849820&compId=BFR181.pdf?ci_sign=38a950279fd876c36adcfab0661237d340b91310 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
Current gain: 70...140
Kind of transistor: RF
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.20 грн
32+12.51 грн
36+11.00 грн
43+9.42 грн
100+7.84 грн
135+6.97 грн
370+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 17438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
28+14.57 грн
35+11.56 грн
50+9.66 грн
100+8.15 грн
228+4.12 грн
625+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE18A4AE4D71CC&compId=IPB50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=b3cb3c08e907a1bd70e009ec0d68109bdbd7b8b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R250CPAKSA1 IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594293782B171BF&compId=IPI60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=80b33f6c9537f9e385eb1a8734bae5eb6131a853 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R250CPXKSA1 IPP60R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594521AEF3011BF&compId=IPP60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=079b2c37446f3fa596ccde728948be63713015c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD343675457820&compId=IKB06N60T.pdf?ci_sign=dc014062b346c713605c9ed411198b67f0f4b331 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA06N60TXKSA1 IKA06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA06N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42868603dee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6.2A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD9D4B1E49820&compId=IKD06N60RF.pdf?ci_sign=96e97126e13c6c0e3ebae3677a35248be6cea775 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RATMA1 AIHD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA4DCD10CAB820&compId=AIHD06N60R.pdf?ci_sign=0a279d67df7c76aa1eaddf5e0c72b6693c0e43bf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RFATMA1 AIHD06N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 16ns
Turn-off time: 127ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4361A78EA11C&compId=BSZ16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1725697285a132145f60b7ce4ef14c6e8c925a67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC5D8650BC411C&compId=BSZ42DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=d9b9070310c5f75946aca5576d4f831b39aa87a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.425Ω
Power dissipation: 33.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612AS-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
750+753.71 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.13 грн
10+77.59 грн
17+55.42 грн
47+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7328-datasheet-en.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRF7328TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F99701188F1A303005056AB0C4F&compId=irf7328pbf.pdf?ci_sign=1056fd32db11150a9acdcdcd1953f3b20c8dc7dd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E993296386811C&compId=IPP048N04NG-DTE.pdf?ci_sign=8e6fab273f650bbf26b7fc696887f5f44527a3d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 TLE4207GXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FF2B14155202745&compId=TLE4207G.pdf?ci_sign=fe0125a4b300ae58a3cda1acbb44855e4d17b0aa Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-DSO-14
Operating voltage: 8...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PG-DSO-14
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.8A
Number of channels: 2
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.70 грн
10+73.63 грн
13+72.84 грн
25+69.67 грн
36+68.88 грн
100+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEF7D18E015EA&compId=IRFR24N15DTRPBF.pdf?ci_sign=ea45edf9f549a5715b095bc03e8c0b797eaf525c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120P7 IPP60R120P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1752E50D38749&compId=IPP60R120P7.pdf?ci_sign=db5d6da5af7792cb5fe3e97f682fefdab165ae7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accdf045c0225 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 BTS70302EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: 4.5A
On-state resistance: 25mΩ
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.1...28V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: PG-TSDSO-14
Technology: PROFET™+2
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.76 грн
10+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.21 грн
8+54.47 грн
10+49.40 грн
23+41.88 грн
50+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.83 грн
10+39.82 грн
54+17.50 грн
147+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA911EA046D911CC&compId=BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf?ci_sign=c1254b06c5c76b1ff31ae1664f0828f8ca5ba6e1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.38 грн
5+110.05 грн
10+98.17 грн
16+60.17 грн
43+56.21 грн
1000+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.14 грн
10+104.51 грн
11+84.71 грн
31+79.96 грн
250+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.30 грн
11+38.24 грн
51+18.53 грн
139+17.50 грн
5000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.19 грн
13+31.27 грн
31+30.96 грн
50+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.63 грн
14+29.85 грн
39+23.99 грн
107+22.64 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGSL4062D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC4A423E6C873D7&compId=AUIRGx4062D1.pdf?ci_sign=af7171373d8d0f811877b4635ab8c5c885c6ede0
AUIRGSL4062D1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Trench
Type of transistor: IGBT
Case: TO262
Turn-on time: 35ns
Gate charge: 77nC
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 72A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.68 грн
3+192.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRGSL4062DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22271D69DD6D2F1A303005056AB0C4F&compId=irgs4062dpbf.pdf?ci_sign=f1806f5a728b86898d073ed3e7f80a224519b756
IRGSL4062DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO262
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T501N70TOHXPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB4847A69CF6160C7&compId=T501N70TOHXPSA1.pdf?ci_sign=32f065570e51f46bdba34fdd7f20fb2249109b1d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 7kV; Ifmax: 1kA; 640A; Igt: 350mA; in-tray
Case: BG-T7626K-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Gate current: 350mA
Load current: 640A
Max. load current: 1kA
Max. off-state voltage: 7kV
Max. forward impulse current: 13.5kA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC847BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.94 грн
46+8.63 грн
61+6.59 грн
100+5.83 грн
250+5.00 грн
364+2.56 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5695EBD4E4143&compId=IPD90N04S304.pdf?ci_sign=744e6d18ceef1d2e8f817da583e63cd71a15d851
IPD90N04S304ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Gate charge: 60nC
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD7287EF0E811C&compId=BSC024NE2LS-dte.pdf?ci_sign=02f2819344fa6536fccc816908b39ac8866af181
BSC024NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130JTRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+355.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A5F4DDE2DCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7493pbf.pdf?ci_sign=c0b1b5129242a232c27549a49cf8e89a1f378ec3
IRF7493TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 9.2A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD330N16KOFHPSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88B9E70C51032B3D1&compId=TD330N16KOF.pdf?ci_sign=cf0811a4f9d14c4abaff1a75e1d02469aca9fb02
TD330N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT330N16KOF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D35FD476572745&compId=TT330N16KOF.pdf?ci_sign=8482230765bc41badec92cc3d5f0c1ef031b3b33
TT330N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+339.34 грн
90+283.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2127STRPBF irs2127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356768e7a27c0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870
BSZ065N03LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 40A; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R1K4CEBKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE519BBDCDF1CC&compId=IPU50R1K4CE-DTE.pdf?ci_sign=75cba2a3bf7b157346c62f49d7e4ba3c18a3920c
IPU50R1K4CEBKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C33D8F8C211C&compId=IPB011N04LG-DTE.pdf?ci_sign=886231efb9054af0d16648b0abff6e958593f7ba
IPB011N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C55CF5FE411C&compId=IPB011N04NG-dte.pdf?ci_sign=afef0bed750b02c09e3dc1ba463cc912cc3f0be4
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+131.30 грн
250+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273AA1BBA60F1A303005056AB0C4F&compId=irl2910spbf.pdf?ci_sign=e0e455514ca6d17f7b1f43e807163325c855281b
IRL2910STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96896E26C211C&compId=IPP023N04NG-DTE.pdf?ci_sign=123ca1164b118b381a0221555f5c278b376013f2
IPP023N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.28 грн
5+83.92 грн
10+76.00 грн
20+46.71 грн
55+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TT250N18KOFHPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE76C04CE7E469&compId=TT250N18KOF.pdf?ci_sign=a51bfa528b7ada5ee438c08be9b69cdbf4b92422
TT250N18KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 7kA
Case: BG-PB50-1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14920.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT
Technology: MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 71A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
On-state resistance: 4.7mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A313F6F3849820&compId=BFR181.pdf?ci_sign=38a950279fd876c36adcfab0661237d340b91310
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
Current gain: 70...140
Kind of transistor: RF
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.20 грн
32+12.51 грн
36+11.00 грн
43+9.42 грн
100+7.84 грн
135+6.97 грн
370+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 17438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
28+14.57 грн
35+11.56 грн
50+9.66 грн
100+8.15 грн
228+4.12 грн
625+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE18A4AE4D71CC&compId=IPB50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=b3cb3c08e907a1bd70e009ec0d68109bdbd7b8b1
IPB50R250CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R250CPAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594293782B171BF&compId=IPI60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=80b33f6c9537f9e385eb1a8734bae5eb6131a853
IPI60R250CPAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R250CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594521AEF3011BF&compId=IPP60R250CP-DTE.pdf?ci_sign=079b2c37446f3fa596ccde728948be63713015c0
IPP60R250CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC146N10LS5ATMA1 Infineon-BSC146N10LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b4c4f80f313ea
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD343675457820&compId=IKB06N60T.pdf?ci_sign=dc014062b346c713605c9ed411198b67f0f4b331
IKB06N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1 INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGD06N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA06N60TXKSA1 IKA06N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42868603dee
IKA06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6.2A; 28W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD9D4B1E49820&compId=IKD06N60RF.pdf?ci_sign=96e97126e13c6c0e3ebae3677a35248be6cea775
IKD06N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA4DCD10CAB820&compId=AIHD06N60R.pdf?ci_sign=0a279d67df7c76aa1eaddf5e0c72b6693c0e43bf
AIHD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RFATMA1
AIHD06N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 16ns
Turn-off time: 127ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4361A78EA11C&compId=BSZ16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1725697285a132145f60b7ce4ef14c6e8c925a67
BSZ16DN25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC5D8650BC411C&compId=BSZ42DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=d9b9070310c5f75946aca5576d4f831b39aa87a8
BSZ42DN25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.425Ω
Power dissipation: 33.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612AS-TPBF pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+753.71 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.13 грн
10+77.59 грн
17+55.42 грн
47+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 infineon-irf7328-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F99701188F1A303005056AB0C4F&compId=irf7328pbf.pdf?ci_sign=1056fd32db11150a9acdcdcd1953f3b20c8dc7dd
IRF7328TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E993296386811C&compId=IPP048N04NG-DTE.pdf?ci_sign=8e6fab273f650bbf26b7fc696887f5f44527a3d6
IPP048N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4207GXUMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FF2B14155202745&compId=TLE4207G.pdf?ci_sign=fe0125a4b300ae58a3cda1acbb44855e4d17b0aa
TLE4207GXUMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-DSO-14
Operating voltage: 8...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: fault detection
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Topology: MOSFET half-bridge
Case: PG-DSO-14
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.8A
Number of channels: 2
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.70 грн
10+73.63 грн
13+72.84 грн
25+69.67 грн
36+68.88 грн
100+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEF7D18E015EA&compId=IRFR24N15DTRPBF.pdf?ci_sign=ea45edf9f549a5715b095bc03e8c0b797eaf525c
IRFR24N15DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R120P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1752E50D38749&compId=IPP60R120P7.pdf?ci_sign=db5d6da5af7792cb5fe3e97f682fefdab165ae7b
IPP60R120P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896815B32C1F013D6&compId=IPB60R120P7.pdf?ci_sign=0b1a6511fa612c71b351822f654355b3493d4f24
IPB60R120P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 Infineon-IPW60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015accdf045c0225
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f
BTS70302EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: 4.5A
On-state resistance: 25mΩ
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.1...28V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: PG-TSDSO-14
Technology: PROFET™+2
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.76 грн
10+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.21 грн
8+54.47 грн
10+49.40 грн
23+41.88 грн
50+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.83 грн
10+39.82 грн
54+17.50 грн
147+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA911EA046D911CC&compId=BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf?ci_sign=c1254b06c5c76b1ff31ae1664f0828f8ca5ba6e1
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.38 грн
5+110.05 грн
10+98.17 грн
16+60.17 грн
43+56.21 грн
1000+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0
BSC028N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.14 грн
10+104.51 грн
11+84.71 грн
31+79.96 грн
250+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.30 грн
11+38.24 грн
51+18.53 грн
139+17.50 грн
5000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
13+31.27 грн
31+30.96 грн
50+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.63 грн
14+29.85 грн
39+23.99 грн
107+22.64 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d
BSC0902NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2490  [ Наступна Сторінка >> ]