Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148397) > Сторінка 2470 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7465TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD020N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7324pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: Transistors - Unclassified
Description: IRF7341GTRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Category: Transistors - Unclassified
Description: SPD08N50C3ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422S-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf?fileId=5546d462533600a401535684473f2973 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
750+500.56 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB017N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b379cf73c7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+288.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.52 грн
14+28.59 грн
49+18.50 грн
134+17.51 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.99 грн
21+18.96 грн
25+15.82 грн
50+10.24 грн
100+8.56 грн
175+5.12 грн
478+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20546A-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+482.45 грн
90+402.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TZ240N36KOF TZ240N36KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ240N36KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 3.6kV; 240A; BG-PB501-1
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 3.6kV
Load current: 240A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 3.43V
Max. forward impulse current: 6.1kA
Gate current: 300mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BF2040.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT143
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800MHz
Kind of channel: depletion
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 23dB
Features of semiconductor devices: dual gate
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+19.43 грн
35+12.38 грн
100+9.10 грн
270+8.56 грн
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R180C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.75 грн
3+207.94 грн
5+179.65 грн
14+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1 IPW60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT400N26KOF TT400N26KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT400N26KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567624e2279d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
On-state resistance: 17.5mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 370A
Mounting: THT
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.92 грн
6+170.48 грн
15+161.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+201.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BGA420H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bga420.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418cec781637 Category: SMD operational amplifiers
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR10080JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6144LQI-S4F82 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906 Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
260+387.77 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SMEOHUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMENHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SMEN.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 0.16Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SSJD.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008SBDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS42008-SB-D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.3W
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Turn-off time: 0.1ms
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Turn-on time: 150µs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1314ELXUMA1 TLD1314ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD1314EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+124.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2580.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60SR045CPX2SA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: IPC60SR045CPX2SA1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+712.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PVT212SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+560.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs6376pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.10 грн
13+29.97 грн
50+22.86 грн
61+14.75 грн
167+13.91 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD020N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBF irf7821pbf.pdf
IRF7821TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324pbf.pdf
IRF7324TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IRF7341GTRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: SPD08N50C3ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422S-TPBF pvt422.pdf?fileId=5546d462533600a401535684473f2973
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+500.56 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1 Infineon-IPB017N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b379cf73c7f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+288.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.52 грн
14+28.59 грн
49+18.50 грн
134+17.51 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
21+18.96 грн
25+15.82 грн
50+10.24 грн
100+8.56 грн
175+5.12 грн
478+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20546A-24PVXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+482.45 грн
90+402.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169IXTSA1 Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TZ240N36KOF TZ240N36KOF.pdf
TZ240N36KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 3.6kV; 240A; BG-PB501-1
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 3.6kV
Load current: 240A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 3.43V
Max. forward impulse current: 6.1kA
Gate current: 300mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040.pdf
BF2040E6814HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT143
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800MHz
Kind of channel: depletion
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 23dB
Features of semiconductor devices: dual gate
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+19.43 грн
35+12.38 грн
100+9.10 грн
270+8.56 грн
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7-DTE.pdf
IPP60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.75 грн
3+207.94 грн
5+179.65 грн
14+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180C7XKSA1 IPW60R180C7-DTE.pdf
IPW60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SE8228AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06N-DTE.pdf
IPB010N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT400N26KOF TT400N26KOF.pdf
TT400N26KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6302LE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6306WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF irs2101pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567624e2279d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
On-state resistance: 17.5mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 370A
Mounting: THT
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.92 грн
6+170.48 грн
15+161.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+201.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BGA420H6327XTSA1 bga420.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418cec781637
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR10080JZXKLA1 Infineon-ICE3AR10080JZ-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a3043324cae8c01326fade0414605
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6144LQI-S4F82 Infineon-PSoC_6_MCU_CY8C61X4-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0276175906
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C6144LQI-S4F82
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
260+387.77 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEOHUMA1 ITS4200SMEOHUMA1.pdf
ITS4200SMEOHUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMENHUMA1 ITS4200SMEN.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Case: SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 0.16Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SSJDXUMA1 ITS4200SSJD.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42008SBDAUMA1 ITS42008-SB-D.pdf
ITS42008SBDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.3W
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Turn-off time: 0.1ms
Supply voltage: 11...45V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Turn-on time: 150µs
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.7A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD1314ELXUMA1 TLD1314EL.pdf
TLD1314ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NS-DTE.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113STRPBF irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+124.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4B3.pdf
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2580.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60SR045CPX2SA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPC60SR045CPX2SA1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+712.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PVT212SPBF pvt212.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841646295d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+560.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF irlhs6376pbf.pdf
IRLHS6376TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+46.10 грн
13+29.97 грн
50+22.86 грн
61+14.75 грн
167+13.91 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474  [ Наступна Сторінка >> ]