Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149454) > Сторінка 2469 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4105ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540E09F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr4105.pdf?ci_sign=6b0de7a9edec38bdda26e5eb1b5e027f4166a6da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2121PBF IR2121PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2121.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 5V
Supply voltage: 12...18V DC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12-FI 2ED020I12-FI INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C03E1F002831F1A6F5005056AB5A8F&compId=10027685.pdf?ci_sign=1ab77e8c2d7501fb50ace795d6564c2952906e00 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -2...1A
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: PG-DSO-18
Supply voltage: 0...5V; 14...18V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 1.2kV
Technology: EiceDRIVER™
Topology: IGBT half-bridge
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.22 грн
10+190.25 грн
25+173.85 грн
100+151.71 грн
250+136.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 1Ω
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.61 грн
6+77.91 грн
25+68.88 грн
100+62.32 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99C743C5DE11C&compId=IPA032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=b6736c10eb5920ad8ce93c1b17bc3994112976c6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D120.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Kind of integrated circuit: digital microphone
Type of integrated circuit: driver/sensor
Case: LLGA-5-1
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D130.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Kind of integrated circuit: digital microphone
Type of integrated circuit: driver/sensor
Case: LLGA-5-1
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 34nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+87.43 грн
10+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.26 грн
10+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.17 грн
10+84.47 грн
20+73.81 грн
50+62.32 грн
100+56.58 грн
200+50.84 грн
500+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.87 грн
5+94.63 грн
10+84.63 грн
25+72.17 грн
50+63.96 грн
100+57.08 грн
250+49.70 грн
500+45.43 грн
1000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2204pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.41 грн
5+136.95 грн
10+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4142N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.08 грн
10+149.25 грн
40+126.29 грн
80+116.45 грн
100+112.35 грн
250+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 680ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+200.47 грн
10+164.01 грн
30+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.96 грн
10+61.50 грн
25+57.40 грн
50+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.79 грн
10+81.92 грн
25+71.51 грн
50+62.49 грн
100+54.45 грн
250+46.83 грн
500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6163D-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+385.05 грн
10+253.40 грн
100+214.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441RG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.27 грн
5+246.02 грн
25+220.60 грн
100+209.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.6W
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.05 грн
10+187.79 грн
25+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+105.09 грн
10+66.34 грн
25+57.81 грн
100+47.40 грн
250+41.90 грн
500+38.21 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.41 грн
10+117.27 грн
25+104.97 грн
100+90.21 грн
250+80.37 грн
500+73.81 грн
1000+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.43 грн
5+359.19 грн
10+337.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.85 грн
3+197.63 грн
10+169.75 грн
20+157.45 грн
50+141.87 грн
100+130.39 грн
250+115.63 грн
500+104.97 грн
800+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.17 грн
50+36.41 грн
100+34.44 грн
125+33.79 грн
250+31.82 грн
500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 10157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.43 грн
33+12.46 грн
41+10.17 грн
64+6.41 грн
100+5.38 грн
500+3.86 грн
1000+3.46 грн
5000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.79 грн
21+20.42 грн
50+15.50 грн
100+14.02 грн
500+11.40 грн
1000+10.66 грн
1500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF PVDZ172NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED681A961E89D5611BF&compId=pvdz172.pdf?ci_sign=57f8b5c83e175231261dae25c5b87c62d89bb814 description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Case: DIP8
On-state resistance: 0.25Ω
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Control voltage: 1.2V DC
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...60V DC
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.51 грн
10+606.02 грн
25+579.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF IRS21867STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS21867SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.03 грн
6+68.88 грн
10+55.76 грн
25+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05N06PFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDL05x06xx.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.92 грн
5+93.49 грн
25+84.47 грн
100+77.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDN752x-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 20V
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.65 грн
50+59.78 грн
100+55.35 грн
250+53.14 грн
500+47.97 грн
1000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T INFINEON TECHNOLOGIES BTS462T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.37 грн
10+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.01 грн
10+177.95 грн
50+136.13 грн
100+106.61 грн
250+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.11A
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.91 грн
18+23.95 грн
20+21.24 грн
25+18.12 грн
100+15.01 грн
200+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 BTS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS711L1.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+380.63 грн
10+270.62 грн
25+249.30 грн
50+242.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5F4C3ED4E4A18&compId=IRF300P226.pdf?ci_sign=523cfb4517b457f02217f0b7903329d12f595169 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 191nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 53A
Power dissipation: 313W
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 313W
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF IRF3315STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3315spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.01 грн
49+8.45 грн
81+5.12 грн
100+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.95 грн
72+5.74 грн
76+5.41 грн
100+4.17 грн
250+3.74 грн
500+3.44 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327 BCR133SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 130MHz
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
49+9.18 грн
72+5.71 грн
250+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF IR2130SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130_2132.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.34 грн
10+332.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IR2133SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+593.47 грн
3+496.14 грн
10+437.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.71 грн
10+172.21 грн
25+158.27 грн
50+145.97 грн
100+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4105ZTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540E09F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr4105.pdf?ci_sign=6b0de7a9edec38bdda26e5eb1b5e027f4166a6da
AUIRFR4105ZTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2121PBF ir2121.pdf
IR2121PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 5V
Supply voltage: 12...18V DC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12-FI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C03E1F002831F1A6F5005056AB5A8F&compId=10027685.pdf?ci_sign=1ab77e8c2d7501fb50ace795d6564c2952906e00
2ED020I12-FI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Output current: -2...1A
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: PG-DSO-18
Supply voltage: 0...5V; 14...18V
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 1.2kV
Technology: EiceDRIVER™
Topology: IGBT half-bridge
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.22 грн
10+190.25 грн
25+173.85 грн
100+151.71 грн
250+136.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N.pdf
BTS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 1Ω
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.61 грн
6+77.91 грн
25+68.88 грн
100+62.32 грн
500+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99C743C5DE11C&compId=IPA032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=b6736c10eb5920ad8ce93c1b17bc3994112976c6
IPA032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120.pdf
IM69D120V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Kind of integrated circuit: digital microphone
Type of integrated circuit: driver/sensor
Case: LLGA-5-1
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130.pdf
IM69D130V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Interface: PDM
Kind of integrated circuit: digital microphone
Type of integrated circuit: driver/sensor
Case: LLGA-5-1
Integrated circuit features: MEMS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f
IRLU3110ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 34nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf
IRLU3410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.43 грн
10+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.26 грн
10+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
IRFB4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.17 грн
10+84.47 грн
20+73.81 грн
50+62.32 грн
100+56.58 грн
200+50.84 грн
500+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.87 грн
5+94.63 грн
10+84.63 грн
25+72.17 грн
50+63.96 грн
100+57.08 грн
250+49.70 грн
500+45.43 грн
1000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60R.pdf
AIHD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RF.pdf
AIHD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf
IRF2204PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+193.41 грн
5+136.95 грн
10+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N.pdf
BTS4142N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.08 грн
10+149.25 грн
40+126.29 грн
80+116.45 грн
100+112.35 грн
250+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 680ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.47 грн
10+164.01 грн
30+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP76E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4
BSP76E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.96 грн
10+61.50 грн
25+57.40 грн
50+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3G-DTE.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5-dte.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.79 грн
10+81.92 грн
25+71.51 грн
50+62.49 грн
100+54.45 грн
250+46.83 грн
500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D-DTE.pdf
BTS6163D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+385.05 грн
10+253.40 грн
100+214.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG.pdf
BTS441RG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.27 грн
5+246.02 грн
25+220.60 грн
100+209.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716G.pdf
BTS716GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.6W
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.05 грн
10+187.79 грн
25+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.09 грн
10+66.34 грн
25+57.81 грн
100+47.40 грн
250+41.90 грн
500+38.21 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c
BSP742R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+193.41 грн
10+117.27 грн
25+104.97 грн
100+90.21 грн
250+80.37 грн
500+73.81 грн
1000+69.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.43 грн
5+359.19 грн
10+337.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e
IRFS7730TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.85 грн
3+197.63 грн
10+169.75 грн
20+157.45 грн
50+141.87 грн
100+130.39 грн
250+115.63 грн
500+104.97 грн
800+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF irfr3910pbf.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.17 грн
50+36.41 грн
100+34.44 грн
125+33.79 грн
250+31.82 грн
500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 10157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.43 грн
33+12.46 грн
41+10.17 грн
64+6.41 грн
100+5.38 грн
500+3.86 грн
1000+3.46 грн
5000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.79 грн
21+20.42 грн
50+15.50 грн
100+14.02 грн
500+11.40 грн
1000+10.66 грн
1500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED681A961E89D5611BF&compId=pvdz172.pdf?ci_sign=57f8b5c83e175231261dae25c5b87c62d89bb814
PVDZ172NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Case: DIP8
On-state resistance: 0.25Ω
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Control voltage: 1.2V DC
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...60V DC
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+706.51 грн
10+606.02 грн
25+579.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF IRS21867SPBF.pdf
IRS21867STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.03 грн
6+68.88 грн
10+55.76 грн
25+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05x06xx.pdf
2EDL05N06PFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.92 грн
5+93.49 грн
25+84.47 грн
100+77.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN752x-DTE.pdf
2EDN7524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 20V
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.65 грн
50+59.78 грн
100+55.35 грн
250+53.14 грн
500+47.97 грн
1000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF irlr7833pbf.pdf
IRLR7833TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T.pdf
BTS462T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.37 грн
10+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.01 грн
10+177.95 грн
50+136.13 грн
100+106.61 грн
250+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.11A
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.91 грн
18+23.95 грн
20+21.24 грн
25+18.12 грн
100+15.01 грн
200+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 description BTS711L1.pdf
BTS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+380.63 грн
10+270.62 грн
25+249.30 грн
50+242.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5F4C3ED4E4A18&compId=IRF300P226.pdf?ci_sign=523cfb4517b457f02217f0b7903329d12f595169
IRF300P226
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 191nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 53A
Power dissipation: 313W
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED887AB2225E6692A18&compId=IRF300P227.pdf?ci_sign=5c942898fab40cc8874ca0703a86883c323b92ab
IRF300P227
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 313W
Mounting: THT
Technology: StrongIRFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF irf3315spbf.pdf
IRF3315STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8
IRF3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.01 грн
49+8.45 грн
81+5.12 грн
100+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.95 грн
72+5.74 грн
76+5.41 грн
100+4.17 грн
250+3.74 грн
500+3.44 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5-DTE.pdf
BSZ110N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a
BCR133SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 130MHz
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
49+9.18 грн
72+5.71 грн
250+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF description ir2130_2132.pdf
IR2130SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.34 грн
10+332.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2133SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.47 грн
3+496.14 грн
10+437.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.71 грн
10+172.21 грн
25+158.27 грн
50+145.97 грн
100+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]