Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149380) > Сторінка 2469 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC015N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4302e0001 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+243.85 грн
150+203.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5013RSPBF PVI5013RSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE789CF03423360A745&compId=pvi5013r.pdf?ci_sign=2896a267ac238fb8d92b31fc582bd7c80dbfef82 Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 2
Case: Gull wing 8
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Manufacturer series: PVI5013RPbF
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.15 грн
5+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS-EVB-HB-0650603B-HD INFINEON TECHNOLOGIES Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: GS-EVB-HB-0650603B-HD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18145.38 грн
2+15164.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC299TX128F300SBCKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: TC299TX128F300SBCKXUMA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+4888.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.30 грн
10+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+289.04 грн
150+241.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA71791143A11C&compId=IPB015N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3b3d54fa795afd84f282f91371f0c9b7e9caecb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 35A; 125W; DPAK,TO252
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NS BSC039N06NS INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E2FB308FA11C&compId=BSC039N06NS-DTE.pdf?ci_sign=e8ff53d8e981086458ea46f47acf12b3c94b9cae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSSLP-2-4
Type of diode: TVS
Leakage current: 20nA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
на замовлення 8252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.94 грн
45+8.87 грн
52+7.76 грн
59+6.73 грн
100+6.18 грн
171+5.46 грн
470+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ESD101_B1_02series_rev_1_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433e9d5d11013e9d6619a20002 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P BTS443P INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0475774F78AF1A6F5005056AB5A8F&compId=BTS443P_DS_v10.pdf?ci_sign=0db5963a0c6bf5177e49dfb2e922acd92c0ac2f3 description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+162.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 109A; 446W; TO247; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+1151.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1ED020I12-B2-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344bf16f84ca6 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: FF400R12KE3HOSA1
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+15393.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CD74818F51BF&compId=IPA60R230P6-DTE.pdf?ci_sign=4eded1c8a7f006aee967ee72659e80ba3017b516 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 16.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.40 грн
9+112.42 грн
23+106.09 грн
250+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R170CFD7XKSA1 IPA60R170CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD81071412BAE0C7&compId=IPA60R170CFD7.pdf?ci_sign=472c564ec0979ccb100660718b6ed72e21d10351 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 51A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Pulsed drain current: 51A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC155N06NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files description Category: 8-bit PIC family
Description: IC: PIC microcontroller; 4096B; 24MHz; SMD; SSOP20; -40÷85°C
Type of integrated circuit: PIC microcontroller
Integrated circuit features: PoR; PWM
Mounting: SMD
Case: SSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 1
Number of capacitive channels: 8
Number of inputs/outputs: 16
Program memory: 4096B
Clock frequency: 24MHz
на замовлення 3298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
66+217.42 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C21323-24PVXIT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+217.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8A6A5609611C&compId=IPP600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=eb7b93c1e4c9d590d6856df6ae36f640cede45f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+201.22 грн
6+165.47 грн
10+164.68 грн
16+155.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC3B5872EA11C&compId=IPB600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=0c8b0a11b5bacba491b0b72986cefacf94736e41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SSOP24
Output current: -1.5...1A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+589.16 грн
2+524.12 грн
5+494.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5516H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Case: SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 60V
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+421.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FLL-45SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62138F_MOBL_2_MBIT_(256K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9f27325d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 1EDC10I12MHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.95 грн
5+172.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607TRPBF IRF7607TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A7E4395B88F1A303005056AB0C4F&compId=irf7607pbf.pdf?ci_sign=df1f9251b24cacd7a6a4255ddad2d2f9ec10fde1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.8W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBF IRF7601TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A77B13BA4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf7601pbf.pdf?ci_sign=b64038af7d5f7c3646022a69072534bd2f6da07a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; 1.8W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB21N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d07ff47f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252; SMT
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Mounting: SMD
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 100W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38722EF2F23A11C&compId=BSC072N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=c26e399b4328c18b246b5e82a3b4ee2831baf95e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD03F9598C55EA&compId=IRFR3709ZTRPBF.pdf?ci_sign=81100efa9686ec246f64dec8abf1c711090f7610 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 79W
Drain current: 86A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C3E9C2773DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr3709zpbf.pdf?ci_sign=64d82bd91e26be1182992fc1edd4c49fe3fb408a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 79W
Drain current: 86A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 250mA; 5ns
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Capacitance: 6pF
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Reverse recovery time: 5ns
Max. load current: 0.25A
Leakage current: 2µA
Application: automotive industry
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1 IPB020N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D4B3FFC6811C&compId=IPB020N04NG-DTE.pdf?ci_sign=64a12bcd61572fea0991d6044b6ce94671247ea2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25A9939DDA11C&compId=BSC014N04LS-DTE.pdf?ci_sign=702ca4986b6c1f5e5d8f755d7d5c4d74798c8fd0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25D852524411C&compId=BSC014N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=53868b51fbb5ec3ed88489a6d0c056d375046e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D8C91B1A2E143&compId=IAUT300N08S5N012.pdf?ci_sign=a7ed1dfb1242275fc40ac963e384fc5474eb3a2f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5F158E68B8BF&compId=IAUT240N08S5N019.pdf?ci_sign=489748605735eacfc3f8b132fe907392a2a67dbe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA625C2D75F8BF&compId=IAUT260N10S5N019.pdf?ci_sign=1aa6b2f88c04f179f60d3021911e4032f4f93c2b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA3F7795BC38BF&compId=IAUT300N10S5N015.pdf?ci_sign=e3a82d26f35a79f1a1297b5f8c8713126b20d22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1050G IFX1050G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEC30C27BD2AEA14&compId=IFX1050G.pdf?ci_sign=3b19f6f23684a12e8a704a9094175cf74ba83fe2 Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; 70mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-8
Interface: CAN
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 70mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1 Infineon-ISC015N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4302e0001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+243.85 грн
150+203.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5013RSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE789CF03423360A745&compId=pvi5013r.pdf?ci_sign=2896a267ac238fb8d92b31fc582bd7c80dbfef82
PVI5013RSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 2
Case: Gull wing 8
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Manufacturer series: PVI5013RPbF
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.15 грн
5+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS-EVB-HB-0650603B-HD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: GS-EVB-HB-0650603B-HD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18145.38 грн
2+15164.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC299TX128F300SBCKXUMA1 Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: TC299TX128F300SBCKXUMA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4888.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466
IPA60R400CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.30 грн
10+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+289.04 грн
150+241.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWH6327XTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA71791143A11C&compId=IPB015N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3b3d54fa795afd84f282f91371f0c9b7e9caecb8
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD380P06NMATMA1 Infineon-IPD380P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2ea8300b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 35A; 125W; DPAK,TO252
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC039N06NS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E2FB308FA11C&compId=BSC039N06NS-DTE.pdf?ci_sign=e8ff53d8e981086458ea46f47acf12b3c94b9cae
BSC039N06NS
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402
ESD101B102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TSSLP-2-4
Type of diode: TVS
Leakage current: 20nA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
на замовлення 8252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.94 грн
45+8.87 грн
52+7.76 грн
59+6.73 грн
100+6.18 грн
171+5.46 грн
470+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELE6327XTMA1 ESD101_B1_02series_rev_1_2.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433e9d5d11013e9d6619a20002
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0475774F78AF1A6F5005056AB5A8F&compId=BTS443P_DS_v10.pdf?ci_sign=0db5963a0c6bf5177e49dfb2e922acd92c0ac2f3
BTS443P
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+162.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 109A; 446W; TO247; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1151.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 Infineon-1ED020I12-B2-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344bf16f84ca6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: FF400R12KE3HOSA1
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+15393.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CD74818F51BF&compId=IPA60R230P6-DTE.pdf?ci_sign=4eded1c8a7f006aee967ee72659e80ba3017b516
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 16.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.40 грн
9+112.42 грн
23+106.09 грн
250+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R170CFD7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD81071412BAE0C7&compId=IPA60R170CFD7.pdf?ci_sign=472c564ec0979ccb100660718b6ed72e21d10351
IPA60R170CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 51A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Pulsed drain current: 51A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC155N06NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXI description Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: 8-bit PIC family
Description: IC: PIC microcontroller; 4096B; 24MHz; SMD; SSOP20; -40÷85°C
Type of integrated circuit: PIC microcontroller
Integrated circuit features: PoR; PWM
Mounting: SMD
Case: SSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Number of 8bit timers: 1
Number of 16bit timers: 1
Number of capacitive channels: 8
Number of inputs/outputs: 16
Program memory: 4096B
Clock frequency: 24MHz
на замовлення 3298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
66+217.42 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXIT Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C21323-24PVXIT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+217.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8A6A5609611C&compId=IPP600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=eb7b93c1e4c9d590d6856df6ae36f640cede45f5
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.22 грн
6+165.47 грн
10+164.68 грн
16+155.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC3B5872EA11C&compId=IPB600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=0c8b0a11b5bacba491b0b72986cefacf94736e41
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327HTSA1 bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597
IR2114SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SSOP24
Output current: -1.5...1A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.16 грн
2+524.12 грн
5+494.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5516H6327XTSA1 bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Case: SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 60V
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: BAR6402ELE6327XTMA1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state
Type of relay: solid state
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+421.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FLL-45SXIT Infineon-CY62138F_MOBL_2_MBIT_(256K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe9f27325d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B631F8F54993D6&compId=1EDCxxI12MH.pdf?ci_sign=4561d7fac3ac124e788ba07bb931c0c6ab15205c
1EDC10I12MHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+196.95 грн
5+172.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7607TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A7E4395B88F1A303005056AB0C4F&compId=irf7607pbf.pdf?ci_sign=df1f9251b24cacd7a6a4255ddad2d2f9ec10fde1
IRF7607TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.8W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7601TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A77B13BA4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf7601pbf.pdf?ci_sign=b64038af7d5f7c3646022a69072534bd2f6da07a
IRF7601TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; 1.8W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 1.8W
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 SPB21N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d07ff47f0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 73A; 100W; DPAK,TO252; SMT
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Mounting: SMD
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 100W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871A373A03E11C&compId=BSC070N10NS3G-dte.pdf?ci_sign=5c8c232415a157613259f38f01c15cb9959274fa
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38722EF2F23A11C&compId=BSC072N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=c26e399b4328c18b246b5e82a3b4ee2831baf95e
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD03F9598C55EA&compId=IRFR3709ZTRPBF.pdf?ci_sign=81100efa9686ec246f64dec8abf1c711090f7610
IRFR3709ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 79W
Drain current: 86A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C3E9C2773DF1A303005056AB0C4F&compId=irfr3709zpbf.pdf?ci_sign=64d82bd91e26be1182992fc1edd4c49fe3fb408a
IRFR3709ZTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 79W
Drain current: 86A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6433HTMA1 INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 250mA; 5ns
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Capacitance: 6pF
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Reverse recovery time: 5ns
Max. load current: 0.25A
Leakage current: 2µA
Application: automotive industry
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D4B3FFC6811C&compId=IPB020N04NG-DTE.pdf?ci_sign=64a12bcd61572fea0991d6044b6ce94671247ea2
IPB020N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25A9939DDA11C&compId=BSC014N04LS-DTE.pdf?ci_sign=702ca4986b6c1f5e5d8f755d7d5c4d74798c8fd0
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25D852524411C&compId=BSC014N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=53868b51fbb5ec3ed88489a6d0c056d375046e73
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D8C91B1A2E143&compId=IAUT300N08S5N012.pdf?ci_sign=a7ed1dfb1242275fc40ac963e384fc5474eb3a2f
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5F158E68B8BF&compId=IAUT240N08S5N019.pdf?ci_sign=489748605735eacfc3f8b132fe907392a2a67dbe
IAUT240N08S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA625C2D75F8BF&compId=IAUT260N10S5N019.pdf?ci_sign=1aa6b2f88c04f179f60d3021911e4032f4f93c2b
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA3F7795BC38BF&compId=IAUT300N10S5N015.pdf?ci_sign=e3a82d26f35a79f1a1297b5f8c8713126b20d22b
IAUT300N10S5N015ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1050G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEC30C27BD2AEA14&compId=IFX1050G.pdf?ci_sign=3b19f6f23684a12e8a704a9094175cf74ba83fe2
IFX1050G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; 70mA
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-8
Interface: CAN
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 70mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2464 2465 2466 2467 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2490  [ Наступна Сторінка >> ]