Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 257 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LCB110 LCB110 IXYS LCB110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+189.01 грн
50+159.85 грн
250+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3 IXYH75N65C3 IXYS IXYH75N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.49 грн
10+200.22 грн
25+188.69 грн
50+180.45 грн
100+172.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LCA712 LCA712 IXYS LCA712.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Turn-off time: 350µs
Turn-on time: 2.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.5Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP6
Kind of output: MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 24A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+414.39 грн
10+278.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+396.65 грн
3+345.24 грн
10+297.45 грн
50+286.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS IXTK32P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1298.20 грн
10+1106.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+996.50 грн
10+655.06 грн
30+649.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3 IXYS IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3133.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LF2304NTR LF2304NTR IXYS LF2304NTR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFP14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1788J CPC1788J IXYS CPC1788.pdf Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1200mA; max.1kVDC; THT; ISOPLUS264™; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 1kV DC
Mounting: THT
Case: ISOPLUS264™
Relay variant: current source
Manufacturer series: OptoMOS
Body dimensions: 19.91x26.16x5.03mm
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Contacts configuration: SPST-NO
On-state resistance: 1.25Ω
Control current max.: 100mA
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 2.5kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.79 грн
25+831.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3 IXFH16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117S XAA117S IXYS XAA117.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.84 грн
50+173.86 грн
250+139.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LOC112S LOC112S IXYS LOC112P.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; 3.75kV; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
Trigger current: 1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.61 грн
5+173.03 грн
25+155.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PM IXTP14N60PM IXYS IXTP14N60PM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 XBB170 IXYS XBB170.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+413.51 грн
10+335.36 грн
250+281.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1333GR CPC1333GR IXYS CPC1333.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.92 грн
10+127.72 грн
100+111.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614PI IXDD614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.15 грн
10+119.48 грн
25+113.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDI614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.56 грн
10+154.91 грн
25+134.31 грн
50+121.12 грн
100+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.04 грн
10+172.21 грн
50+148.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 IXYS IXFN360N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: 310A
Power dissipation: 1.07kW
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T IXTA80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10T IXTP180N10T IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.52 грн
10+406.22 грн
25+324.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4 IXXH30N65B4 IXYS IXXH30N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 146A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1 IXXH30N65C4D1 IXYS IXXH30N65C4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 136A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3 IXYP30N65C3 IXYS IXYH(P)30N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1 IXYS IXXH30N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 146A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 IXYS IXYH(P)30N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Gate charge: 44nC
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80P IXFH12N80P IXYS IXFH12N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60P IXTA14N60P IXYS IXTA(P,Q)14N60P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTP14N60P IXYS IXTA(P,Q)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS IXF_80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.16 грн
3+812.44 грн
5+749.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS IXFH80N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1040.86 грн
5+867.64 грн
10+777.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXFK80N65X2 IXYS IXF_80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1717.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2 IXTH80N65X2 IXYS IXTH80N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV IXYS IXFT80N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS IXXH80N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXYS IXXH80N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS IXTA(P)220N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.84 грн
10+202.70 грн
50+166.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2 IXTA220N04T2 IXYS IXTA(P)220N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7 IXTA220N04T2-7 IXYS IXTA220N04T2-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX2F60N50P3
+1
 		MMIX2F60N50P3 IXYS 238_MMIX2F60N50P3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 320W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3248.60 грн
3+2661.42 грн
10+2392.81 грн
20+2232.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065T IXTP28P065T IXYS IXT_28P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS IXTH64N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.81 грн
10+140.08 грн
50+113.71 грн
100+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS IXTA(H,P)6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.25 грн
5+476.26 грн
10+434.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.28 грн
5+229.06 грн
10+206.82 грн
25+177.98 грн
50+161.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.33 грн
10+202.70 грн
25+160.67 грн
50+121.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716S LBA716S IXYS lba716.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 1000mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.4Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.58 грн
10+489.44 грн
50+396.33 грн
100+376.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TUB DSA120X200LB-TUB IXYS DSA120X200LB.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; tube; 185W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1523.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS IXFN140N30P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2607.93 грн
5+2081.35 грн
10+2011.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-015A DSSK50-015A IXYS DSSK50-015A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.68V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.68V
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 25A x2
Power dissipation: 135W
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+364.70 грн
3+299.93 грн
10+274.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A DSSK50-01A IXYS DSSK50-01A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.65V
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 25A x2
Power dissipation: 135W
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+347.84 грн
3+285.09 грн
10+261.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-0025B DSSK50-0025B IXYS DSSK50-0025B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.42V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.42V
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A x2
Power dissipation: 90W
Max. forward impulse current: 330A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.44 грн
3+214.23 грн
10+189.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LCB110 LCB110.pdf
LCB110
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+189.01 грн
50+159.85 грн
250+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3 IXYH75N65C3.pdf
IXYH75N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTA(P)3N100D2.pdf
IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.49 грн
10+200.22 грн
25+188.69 грн
50+180.45 грн
100+172.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LCA712 LCA712.pdf
LCA712
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 1000mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Turn-off time: 350µs
Turn-on time: 2.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.5Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP6
Kind of output: MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2 IXTQ460P2.pdf
IXTQ460P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 24A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar2™
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+414.39 грн
10+278.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.65 грн
3+345.24 грн
10+297.45 грн
50+286.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P.pdf
IXTK32P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.20 грн
10+1106.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTT16P60P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+996.50 грн
10+655.06 грн
30+649.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N30X3 IXFN210N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFN210N30X3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.6mΩ
Pulsed drain current: 650A
Power dissipation: 695W
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3133.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LF2304NTR LF2304NTR.pdf
LF2304NTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFP14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1788J CPC1788.pdf
CPC1788J
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1200mA; max.1kVDC; THT; ISOPLUS264™; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1.2A
Switched voltage: max. 1kV DC
Mounting: THT
Case: ISOPLUS264™
Relay variant: current source
Manufacturer series: OptoMOS
Body dimensions: 19.91x26.16x5.03mm
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Contacts configuration: SPST-NO
On-state resistance: 1.25Ω
Control current max.: 100mA
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 2.5kV
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1017.79 грн
25+831.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFH16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117S XAA117.pdf
XAA117S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.84 грн
50+173.86 грн
250+139.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LOC112S LOC112P.pdf
LOC112S
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; 3.75kV; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
Trigger current: 1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.61 грн
5+173.03 грн
25+155.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PM IXTP14N60PM.pdf
IXTP14N60PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 XBB170.pdf
XBB170
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+413.51 грн
10+335.36 грн
250+281.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1333GR CPC1333.pdf
CPC1333GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.92 грн
10+127.72 грн
100+111.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDD614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.15 грн
10+119.48 грн
25+113.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDI614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.56 грн
10+154.91 грн
25+134.31 грн
50+121.12 грн
100+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.04 грн
10+172.21 грн
50+148.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: 310A
Power dissipation: 1.07kW
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTA80N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10T IXTA(P)180N10T.pdf
IXTP180N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.52 грн
10+406.22 грн
25+324.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4 IXXH30N65B4.pdf
IXXH30N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 146A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1 IXXH30N65C4D1.pdf
IXXH30N65C4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 136A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3 IXYH(P)30N65C3.pdf
IXYP30N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1.pdf
IXXH30N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 146A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3 IXYH(P)30N65C3.pdf
IXYH30N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Gate charge: 44nC
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3H1 IXY_30N65C3H1_HV.pdf
IXYH30N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV IXY_30N65C3H1_HV.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80P IXFH12N80P.pdf
IXFH12N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFA14N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA14N60P IXTA(P,Q)14N60P.pdf
IXTA14N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60P IXTA(P,Q)14N60P.pdf
IXTP14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 IXF_80N65X2.pdf
IXFH80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.16 грн
3+812.44 грн
5+749.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4.pdf
IXFH80N65X2-4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1040.86 грн
5+867.64 грн
10+777.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2 IXF_80N65X2.pdf
IXFK80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1717.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N65X2 IXTH80N65X2.pdf
IXTH80N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV.pdf
IXFT80N65X2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1.pdf
IXXH80N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1.pdf
IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2 IXTA(P)220N04T2.pdf
IXTP220N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.84 грн
10+202.70 грн
50+166.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2 IXTA(P)220N04T2.pdf
IXTA220N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-7 IXTA220N04T2-7.pdf
IXTA220N04T2-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX2F60N50P3 238_MMIX2F60N50P3.pdf
MMIX2F60N50P3
+1
Виробник: IXYS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 320W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3248.60 грн
3+2661.42 грн
10+2392.81 грн
20+2232.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065T IXT_28P065T.pdf
IXTP28P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH64N65X IXTH64N65X.pdf
IXTH64N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.81 грн
10+140.08 грн
50+113.71 грн
100+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTA(H,P)6N100D2.pdf
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+628.25 грн
5+476.26 грн
10+434.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.28 грн
5+229.06 грн
10+206.82 грн
25+177.98 грн
50+161.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.33 грн
10+202.70 грн
25+160.67 грн
50+121.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716S lba716.pdf
LBA716S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 1000mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.4Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.58 грн
10+489.44 грн
50+396.33 грн
100+376.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TUB DSA120X200LB.pdf
DSA120X200LB-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; tube; 185W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1523.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30P description IXFN140N30P.pdf
IXFN140N30P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 700W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2607.93 грн
5+2081.35 грн
10+2011.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-015A DSSK50-015A.pdf
DSSK50-015A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.68V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.68V
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 25A x2
Power dissipation: 135W
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.70 грн
3+299.93 грн
10+274.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-01A DSSK50-01A.pdf
DSSK50-01A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.65V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.65V
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 25A x2
Power dissipation: 135W
Max. forward impulse current: 0.45kA
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.84 грн
3+285.09 грн
10+261.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK50-0025B DSSK50-0025B.pdf
DSSK50-0025B
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.42V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.42V
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A x2
Power dissipation: 90W
Max. forward impulse current: 330A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.44 грн
3+214.23 грн
10+189.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262  [ Наступна Сторінка >> ]