Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ44N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 650W Case: TO3P On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTQ44P15T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTQ450P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTQ460P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 480W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Technology: Polar2™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTQ470P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTQ480P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTQ48N20T | IXYS | IXTQ48N20T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ50N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTQ50N25T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTQ52N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 52A Power dissipation: 400W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ52P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A Gate charge: 60nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Case: TO3P Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ60N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Power dissipation: 540W Case: TO3P On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 330ns Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTQ60N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Case: TO3P Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTQ62N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTQ69N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Kind of package: tube Case: TO3P Polarisation: unipolar Gate charge: 156nC Reverse recovery time: 330ns On-state resistance: 49mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 69A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 500W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTQ74N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTQ75N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTQ76N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 243 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTQ82N25P | IXYS |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTQ86N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTQ88N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTQ96N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTQ96N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTQ96N25T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTR102N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTR120P20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTR140P10T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTR16P60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTR170P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -100A; 312W; 176ns Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -100A Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 176ns On-state resistance: 15.4mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 312W Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTR20P50P | IXYS |
![]() |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXTR210P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: -195A Drain-source voltage: -100V Gate charge: 740nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 390W Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTR32P60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -18A Power dissipation: 310W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.385Ω Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 480ns Technology: PolarP™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTR36P15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTR40P50P | IXYS |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXTR48P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -30A Gate charge: 103nC Reverse recovery time: 260ns On-state resistance: 93mΩ Technology: PolarP™ Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 190W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTR62N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTR90P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -57A Gate charge: 0.12µC Reverse recovery time: 144ns On-state resistance: 27mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 190W Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTR90P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns Case: ISOPLUS247™ Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Technology: PolarP™ Kind of package: tube Drain-source voltage: -200V Drain current: -53A Gate charge: 205nC Reverse recovery time: 315ns On-state resistance: 48mΩ Power dissipation: 312W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT02N450HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 625Ω Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT10N100D | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 400W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 850ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTT10N100D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTT10P60 | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A Power dissipation: 300W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTT110N10L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 600W Case: TO268 On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 230ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTT110N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTT11P50 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTT12N150 | IXYS | IXTT12N150 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTT12N150HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTT140N075L2HV | IXYS | IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTT140N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTT140P10T | IXYS | IXTT140P10T SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTT16N10D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTT16N20D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTT16N50D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTT16P60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -16A Power dissipation: 460W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 440ns Technology: PolarP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT170N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268 Kind of channel: enhancement Case: TO268 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: Polar™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A Gate charge: 198nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 9mΩ Power dissipation: 715W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTT1N250HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 1.5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 41nC Reverse recovery time: 2.5µs On-state resistance: 40Ω Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 2.5kV Power dissipation: 250W Case: TO268HV Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTT1N300P3HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTT1N450HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 46nC Reverse recovery time: 1.75µs Drain current: 1A On-state resistance: 80Ω Power dissipation: 520W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTT20P50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTQ44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ44P15T THT P channel transistors
IXTQ44P15T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ450P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ450P2 THT N channel transistors
IXTQ450P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ460P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar2™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar2™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 527.00 грн |
4+ | 367.79 грн |
9+ | 335.12 грн |
30+ | 328.46 грн |
IXTQ470P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ470P2 THT N channel transistors
IXTQ470P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ480P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ480P2 THT N channel transistors
IXTQ480P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ48N20T |
Виробник: IXYS
IXTQ48N20T THT N channel transistors
IXTQ48N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ48N65X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1012.99 грн |
2+ | 701.96 грн |
5+ | 638.83 грн |
IXTQ50N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 451.13 грн |
5+ | 272.87 грн |
12+ | 248.49 грн |
270+ | 238.97 грн |
IXTQ50N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ50N25T THT N channel transistors
IXTQ50N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ52N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 569.04 грн |
3+ | 392.50 грн |
9+ | 357.02 грн |
270+ | 353.21 грн |
510+ | 343.69 грн |
IXTQ52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 622.35 грн |
3+ | 413.27 грн |
8+ | 376.06 грн |
120+ | 371.30 грн |
270+ | 361.78 грн |
IXTQ60N20L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ60N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 494.19 грн |
5+ | 262.00 грн |
13+ | 238.01 грн |
510+ | 236.11 грн |
IXTQ62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ62N15P THT N channel transistors
IXTQ62N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ69N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Gate charge: 156nC
Reverse recovery time: 330ns
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 500W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Gate charge: 156nC
Reverse recovery time: 330ns
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 500W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ74N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ74N20P THT N channel transistors
IXTQ74N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ75N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
IXTQ76N25T THT N channel transistors
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 573.14 грн |
4+ | 361.78 грн |
9+ | 341.79 грн |
IXTQ82N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ82N25P THT N channel transistors
IXTQ82N25P THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 789.48 грн |
3+ | 496.02 грн |
7+ | 469.36 грн |
IXTQ86N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ86N20T THT N channel transistors
IXTQ86N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
IXTQ88N30P THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1008.89 грн |
2+ | 717.85 грн |
5+ | 678.82 грн |
IXTQ96N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ96N15P THT N channel transistors
IXTQ96N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ96N20P THT N channel transistors
IXTQ96N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ96N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ96N25T THT N channel transistors
IXTQ96N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR102N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR102N65X2 THT N channel transistors
IXTR102N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR120P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR120P20T THT P channel transistors
IXTR120P20T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR140P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR140P10T THT P channel transistors
IXTR140P10T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR16P60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR16P60P THT P channel transistors
IXTR16P60P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR170P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -100A; 312W; 176ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -100A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 15.4mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -100A; 312W; 176ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -100A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 15.4mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR20P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
IXTR20P50P THT P channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1209.85 грн |
2+ | 856.85 грн |
4+ | 810.20 грн |
IXTR210P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2482.24 грн |
2+ | 2263.08 грн |
30+ | 2095.48 грн |
IXTR32P60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -18A
Power dissipation: 310W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -18A
Power dissipation: 310W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR36P15P THT P channel transistors
IXTR36P15P THT P channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 853.04 грн |
2+ | 597.89 грн |
6+ | 565.52 грн |
IXTR40P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR40P50P THT P channel transistors
IXTR40P50P THT P channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1510.92 грн |
3+ | 1428.09 грн |
IXTR48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 725.91 грн |
3+ | 547.73 грн |
6+ | 498.88 грн |
IXTR62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR62N15P THT N channel transistors
IXTR62N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR90P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR90P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 735.14 грн |
IXTT02N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2144.92 грн |
2+ | 1955.60 грн |
10+ | 1810.82 грн |
IXTT10N100D |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT10N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT10P60 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT110N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT110N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT11P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT11P50 SMD P channel transistors
IXTT11P50 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT12N150 |
Виробник: IXYS
IXTT12N150 SMD N channel transistors
IXTT12N150 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT12N150HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT140N075L2HV |
Виробник: IXYS
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT140P10T |
Виробник: IXYS
IXTT140P10T SMD P channel transistors
IXTT140P10T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT16N10D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT16N20D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT16N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT16P60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 440ns
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 440ns
Technology: PolarP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1242.66 грн |
2+ | 857.18 грн |
4+ | 780.69 грн |
30+ | 750.22 грн |
IXTT170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Gate charge: 198nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 715W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Gate charge: 198nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 715W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1116.55 грн |
2+ | 763.26 грн |
5+ | 695.00 грн |
30+ | 668.35 грн |
IXTT1N250HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 1.5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Reverse recovery time: 2.5µs
On-state resistance: 40Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 2.5kV
Power dissipation: 250W
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 1.5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Reverse recovery time: 2.5µs
On-state resistance: 40Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 2.5kV
Power dissipation: 250W
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT1N300P3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT1N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT20P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT20P50P SMD P channel transistors
IXTT20P50P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.