Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYN50N170CV1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYN75N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Case: SOT227B Power dissipation: 600W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYN80N90C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYN82N120C3 | IXYS | IXYN82N120C3 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYN82N120C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYP10N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 18nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 54A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP10N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 53W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 18nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 7A Pulsed collector current: 50A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXYP15N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP15N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP15N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 57W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Collector current: 9A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP20N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 278W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Collector current: 20A Pulsed collector current: 96A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 200ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP20N65B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 29nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 108A Turn-on time: 39ns Turn-off time: 271ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP20N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 288 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXYP20N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 50W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Gate charge: 30nC Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns Collector current: 9A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP30N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 500W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 145A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 296ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP30N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 270W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP50N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP8N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 48A Collector current: 8A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Turn-on time: 39ns Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 238ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXYP8N90C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 48A Collector current: 8A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Turn-on time: 39ns Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 238ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXYR100N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYR50N120C3D1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYT20N120C3D1HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO268HV Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: tube Collector current: 17A Pulsed collector current: 88A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 0.22µs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXYT25N250CHV | IXYS | IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYT30N450HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYT30N65C3H1HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 270W Case: TO268HV Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYT80N90C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX100N120B3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX100N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX100N65B3D1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYX120N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: PLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Collector current: 120A Pulsed collector current: 800A Turn-on time: 84ns Turn-off time: 826ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXYX120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: PLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 412nC Kind of package: tube Collector current: 120A Pulsed collector current: 700A Turn-on time: 105ns Turn-off time: 346ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXYX140N90C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX200N65B3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX25N250CV1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX25N250CV1HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX30N170CV1 | IXYS | IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX40N250CHV | IXYS | IXYX40N250CHV THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX40N450HV | IXYS | IXYX40N450HV THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXYX50N170C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXYY8N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO252 Mounting: SMD Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 48A Collector current: 8A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Turn-on time: 39ns Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 238ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 308 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
LAA100 | IXYS |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
LAA100L | IXYS |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
LAA100LS | IXYS |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
LAA100LSTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
LAA100P | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Case: DIP8 On-state resistance: 25Ω Mounting: SMT Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Insulation voltage: 3.75kV Contacts configuration: SPST-NO x2 Max. operating current: 120mA Type of relay: solid state Relay variant: 1-phase; current source Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Control current max.: 50mA Manufacturer series: OptoMOS Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
LAA100PL | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
LAA100PLTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
LAA100PTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
LAA100S | IXYS |
![]() |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
LAA100STR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
LAA108 | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Case: DIP8 On-state resistance: 8Ω Kind of output: MOSFET Insulation voltage: 3.75kV Contacts configuration: SPST-NO x2 Max. operating current: 300mA Type of relay: solid state Relay variant: 1-phase; current source Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Control current max.: 50mA Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
LAA108P | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Case: DIP8 On-state resistance: 8Ω Kind of output: MOSFET Insulation voltage: 3.75kV Contacts configuration: SPST-NO x2 Max. operating current: 300mA Type of relay: solid state Relay variant: 1-phase; current source Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Control current max.: 50mA Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
LAA108PTR | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
LAA108S | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
LAA108STR | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 300mA Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 8Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
LAA110 | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: THT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
LAA110L | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: THT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
LAA110LS | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
LAA110LSTR | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
LAA110P | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXYN50N170CV1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN50N170CV1 IGBT modules
IXYN50N170CV1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN75N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN80N90C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN82N120C3 |
Виробник: IXYS
IXYN82N120C3 IGBT modules
IXYN82N120C3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN82N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP10N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP10N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.52 грн |
10+ | 69.07 грн |
IXYP15N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP15N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP20N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP20N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP20N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 284.97 грн |
7+ | 176.05 грн |
18+ | 160.56 грн |
50+ | 159.67 грн |
1000+ | 154.28 грн |
IXYP20N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP30N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP30N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP50N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP8N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP8N90C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 362.25 грн |
3+ | 313.92 грн |
5+ | 241.29 грн |
12+ | 227.84 грн |
IXYR100N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYR50N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYT20N120C3D1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYT25N250CHV |
Виробник: IXYS
IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYT30N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYT30N65C3H1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYT80N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX100N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX100N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX100N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX120N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2412.10 грн |
2+ | 2199.27 грн |
IXYX120N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2404.37 грн |
2+ | 2191.82 грн |
IXYX140N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX140N90C3 THT IGBT transistors
IXYX140N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX200N65B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX25N250CV1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX25N250CV1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX30N170CV1 |
Виробник: IXYS
IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX40N250CHV |
Виробник: IXYS
IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX40N450HV |
Виробник: IXYS
IXYX40N450HV THT IGBT transistors
IXYX40N450HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYX50N170C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYX50N170C THT IGBT transistors
IXYX50N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYY8N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 318.78 грн |
7+ | 158.36 грн |
19+ | 144.42 грн |
140+ | 139.04 грн |
LAA100 |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100 One Phase Solid State Relays
LAA100 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 660.74 грн |
4+ | 278.97 грн |
11+ | 263.72 грн |
LAA100L |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100L One Phase Solid State Relays
LAA100L One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 492.66 грн |
4+ | 282.56 грн |
11+ | 267.31 грн |
LAA100LS |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100LS One Phase Solid State Relays
LAA100LS One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 669.44 грн |
4+ | 282.56 грн |
11+ | 267.31 грн |
LAA100LSTR |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 386.40 грн |
4+ | 290.63 грн |
11+ | 264.62 грн |
250+ | 258.34 грн |
500+ | 253.85 грн |
LAA100PL |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100PL One Phase Solid State Relays
LAA100PL One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA100PLTR |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100PLTR One Phase Solid State Relays
LAA100PLTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA100PTR |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100PTR One Phase Solid State Relays
LAA100PTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA100S |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100S One Phase Solid State Relays
LAA100S One Phase Solid State Relays
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 660.74 грн |
4+ | 278.97 грн |
11+ | 263.72 грн |
LAA100STR |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA100STR One Phase Solid State Relays
LAA100STR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA108 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.64 грн |
8+ | 152.77 грн |
20+ | 139.04 грн |
1000+ | 135.45 грн |
LAA108P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 242.47 грн |
8+ | 152.77 грн |
20+ | 139.04 грн |
400+ | 136.34 грн |
500+ | 133.65 грн |
LAA108PTR |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA108PTR One Phase Solid State Relays
LAA108PTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA108S |
![]() |
Виробник: IXYS
LAA108S One Phase Solid State Relays
LAA108S One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA108STR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA110 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 524.54 грн |
4+ | 272.93 грн |
11+ | 248.47 грн |
LAA110L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA110LS |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA110LSTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LAA110P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.