Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 257 з 301

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 270 300 301  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYN50N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYN50N170CV1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1 IXYS IXYN75N65C3D1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYN80N90C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3 IXYS IXYN82N120C3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYN82N120C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS IXYP10N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.52 грн
10+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS IXYP15N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.97 грн
7+176.05 грн
18+160.56 грн
50+159.67 грн
1000+154.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS IXYP20N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3 IXYP30N120C3 IXYS IXY_30N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3 IXYP30N65C3 IXYS IXYH(P)30N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.25 грн
3+313.92 грн
5+241.29 грн
12+227.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr100n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV IXYS IXYT20N120C3D1HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHV IXYS IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n450hv-datasheet?assetguid=8177b3a8-4830-4a30-aa21-82b58521b532 IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_80n90c3_datasheet.pdf.pdf IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n120b3_datasheet.pdf.pdf IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n65b3d1_datasheet.pdf.pdf IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 IXYS IXYX120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2412.10 грн
2+2199.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 IXYX120N120C3 IXYS IXYK(x)120N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2404.37 грн
2+2191.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_140n90c3_datasheet.pdf.pdf IXYX140N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_200n65b3_datasheet.pdf.pdf IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1 IXYS IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHV IXYS IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HV IXYS IXYX40N450HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170C IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyx50n170c-datasheet?assetguid=07d284af-ff38-43e9-9dc7-89f24c802f28 IXYX50N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.78 грн
7+158.36 грн
19+144.42 грн
140+139.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+660.74 грн
4+278.97 грн
11+263.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100L One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+492.66 грн
4+282.56 грн
11+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100LS IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100LS One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+669.44 грн
4+282.56 грн
11+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100LSTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P LAA100P IXYS LAA100.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+386.40 грн
4+290.63 грн
11+264.62 грн
250+258.34 грн
500+253.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100PL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100PL One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100PLTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100PLTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100PTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100PTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100S One Phase Solid State Relays
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+660.74 грн
4+278.97 грн
11+263.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100STR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100STR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 LAA108 IXYS LAA108.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance:
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.64 грн
8+152.77 грн
20+139.04 грн
1000+135.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P LAA108P IXYS LAA108.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance:
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.47 грн
8+152.77 грн
20+139.04 грн
400+136.34 грн
500+133.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108PTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0fdc07a3-0e0a-4303-a660-fcfd71179886&filename=laa108 LAA108PTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108S IXYS LAA108.pdf LAA108S One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108STR IXYS LAA108.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance:
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110 LAA110 IXYS LAA110.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+524.54 грн
4+272.93 грн
11+248.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110L LAA110L IXYS LAA110L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110LS LAA110LS IXYS LAA110L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110LSTR IXYS LAA100L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110P IXYS LAA100.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYN50N170CV1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1.pdf
IXYN75N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN80N90C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3
Виробник: IXYS
IXYN82N120C3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN82N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M.pdf
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.52 грн
10+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYP15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M.pdf
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYP20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1.pdf
IXYP20N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYP20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.97 грн
7+176.05 грн
18+160.56 грн
50+159.67 грн
1000+154.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M.pdf
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3 IXY_30N120C3.pdf
IXYP30N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3 IXYH(P)30N65C3.pdf
IXYP30N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.25 грн
3+313.92 грн
5+241.29 грн
12+227.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr100n120c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR50N120C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV.pdf
IXYT20N120C3D1HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT25N250CHV
Виробник: IXYS
IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N450HV littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n450hv-datasheet?assetguid=8177b3a8-4830-4a30-aa21-82b58521b532
Виробник: IXYS
IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT30N65C3H1HV IXY_30N65C3H1_HV.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_80n90c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n120b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n65b3d1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3.pdf
IXYX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2412.10 грн
2+2199.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX120N120C3 IXYK(x)120N120C3.pdf
IXYX120N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2404.37 грн
2+2191.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_140n90c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX140N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_200n65b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX25N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX30N170CV1
Виробник: IXYS
IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N250CHV
Виробник: IXYS
IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX40N450HV
Виробник: IXYS
IXYX40N450HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170C littelfuse-discrete-igbts-ixyx50n170c-datasheet?assetguid=07d284af-ff38-43e9-9dc7-89f24c802f28
Виробник: IXYS
IXYX50N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.78 грн
7+158.36 грн
19+144.42 грн
140+139.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100 media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Виробник: IXYS
LAA100 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.74 грн
4+278.97 грн
11+263.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100L media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Виробник: IXYS
LAA100L One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.66 грн
4+282.56 грн
11+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100LS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Виробник: IXYS
LAA100LS One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.44 грн
4+282.56 грн
11+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100LSTR media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Виробник: IXYS
LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100P LAA100.pdf
LAA100P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.40 грн
4+290.63 грн
11+264.62 грн
250+258.34 грн
500+253.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100PL media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Виробник: IXYS
LAA100PL One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100PLTR media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Виробник: IXYS
LAA100PLTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100PTR media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Виробник: IXYS
LAA100PTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100S media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Виробник: IXYS
LAA100S One Phase Solid State Relays
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.74 грн
4+278.97 грн
11+263.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA100STR media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Виробник: IXYS
LAA100STR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108 LAA108.pdf
LAA108
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance:
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.64 грн
8+152.77 грн
20+139.04 грн
1000+135.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108P LAA108.pdf
LAA108P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance:
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.47 грн
8+152.77 грн
20+139.04 грн
400+136.34 грн
500+133.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108PTR media?resourcetype=datasheets&itemid=0fdc07a3-0e0a-4303-a660-fcfd71179886&filename=laa108
Виробник: IXYS
LAA108PTR One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108S LAA108.pdf
Виробник: IXYS
LAA108S One Phase Solid State Relays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA108STR LAA108.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance:
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110 LAA110.pdf
LAA110
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.54 грн
4+272.93 грн
11+248.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110L LAA110L.pdf
LAA110L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110LS LAA110L.pdf
LAA110LS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110LSTR LAA100L.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110P LAA100.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 270 300 301  Наступна Сторінка >> ]