Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16029) > Сторінка 261 з 268

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 268  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.07 грн
3+232.90 грн
10+205.83 грн
50+185.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXFK220N20X3 IXYS IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1314.11 грн
3+1075.92 грн
10+975.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEA250-12DA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793 Category: Diode modules
Description: Module: diode; common anode; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: common anode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 260A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117S XAA117S IXYS XAA117.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.49 грн
50+173.03 грн
250+138.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3 IXYH30N120C3 IXYS IXY_30N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 71ns
Gate charge: 69nC
Turn-off time: 296ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Power dissipation: 500W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120P IXFN30N120P IXYS IXFN30N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 75A
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±40V
Gate charge: 310nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 890W
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120P IXFB30N120P IXYS IXFB30N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 310nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1 IXGT30N120B3D1 IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1 IXYH30N120C3D1 IXYS IXYH30N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 71ns
Gate charge: 69nC
Turn-off time: 296ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Power dissipation: 416W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3 IXYP30N120C3 IXYS IXY_30N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 71ns
Gate charge: 69nC
Turn-off time: 296ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Power dissipation: 500W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA33IF1200HB IXA33IF1200HB IXYS IXA33IF1200HB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Sonic FRD™; 1.2kV; 34A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 110ns
Gate charge: 76nC
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LOC112S LOC112S IXYS LOC112P.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; 3.75kV; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
Trigger current: 1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.55 грн
5+172.21 грн
25+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PM IXTP14N60PM IXYS IXTP14N60PM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4M IXTP230N04T4M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1365820&compId=IXTP230N04T4M.pdf?ci_sign=027a29a87a204a8cf3033295a7b62dd3a81d9d5b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 40W; TO220FP; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 IXYS IXFA(P,Y)30N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.17 грн
10+282.92 грн
50+277.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 IXYS IXFA(P,Y)30N25X3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+347.07 грн
5+284.56 грн
25+268.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170A IXBN75N170A IXYS 98938.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4677.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.27 грн
5+654.41 грн
10+624.06 грн
30+608.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.88 грн
3+215.68 грн
10+190.25 грн
50+172.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609CI IXDN609CI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.73 грн
10+160.73 грн
25+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK DSEC120-12AK IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; tube; Ifsm: 500A; TO264; 330W
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 2.66V
Load current: 60A x2
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 330W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1298.22 грн
3+1093.96 грн
10+969.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 XBB170 IXYS XBB170.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+411.54 грн
10+333.76 грн
250+280.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1333GR CPC1333GR IXYS CPC1333.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.10 грн
10+127.11 грн
100+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PLB171P PLB171P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B494F3CC7AE0C7&compId=PLB171.pdf?ci_sign=9fe800a18959fd9115c3f387e4c1692996f299da Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 80mA; max.800VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Max. operating current: 80mA
Switched voltage: max. 800V AC; max. 800V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 90Ω
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 5kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.40 грн
10+332.94 грн
50+303.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15T IXTP102N15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12E1820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)102N15T.pdf?ci_sign=a7dd4f01d2a4226a8b0a38e27af5b16600fca392 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 97ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI30-12A DSEI30-12A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2916DEC5E36DDF19A99005056AB752F&compId=92722.pdf?ci_sign=990727ced795f1f61d5fc4ad016abc029ccb1a31 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 26A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 138W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 26A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.2V
Power dissipation: 138W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: FRED
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+402.71 грн
10+242.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110LSTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW25-06A6K IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 21A
Collector current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: E1-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Application: motors
Technology: NPT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.78 грн
3+183.69 грн
10+162.37 грн
50+146.79 грн
250+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+213.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50P IXFP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50P IXTA12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3186.37 грн
3+2662.73 грн
10+2352.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GS CPC1972GS IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4931AF084E0C7&compId=CPC1972.pdf?ci_sign=ad681fe35f2cbf4725519c25a38bae72b51c2f77 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GSTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4931AF084E0C7&compId=CPC1972.pdf?ci_sign=ad681fe35f2cbf4725519c25a38bae72b51c2f77 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 IXFP38N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.16 грн
3+264.06 грн
10+233.72 грн
50+209.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M IXFP38N30X3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.22 грн
10+251.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614PI IXDD614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.33 грн
10+118.91 грн
25+113.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDI614PI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.34 грн
10+154.17 грн
25+133.67 грн
50+120.55 грн
100+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609PI IXDN609PI IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.34 грн
10+81.19 грн
50+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614SI IXDD614SI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A5D71347C948CA50&compId=IXDD614CI-DTE.pdf?ci_sign=56f1c241270a7cf5231e597905eedca728d0721d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.42 грн
10+192.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1215G CPC1215G IXYS CPC1215.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 500mA; max.400VAC
Case: DIP4
Mounting: THT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 19.2x6.4x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+389.46 грн
25+232.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1708J CPC1708J IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4927C8678E0C7&compId=CPC1708.pdf?ci_sign=ff32910265bbccbc6d0ceae5ab09eb3f000d60ca Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 5350mA; max.60VDC; THT; i4-pac; OptoMOS; 0.08Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 5350mA
Switched voltage: max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Case: i4-pac
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 2.5kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+813.37 грн
10+647.85 грн
25+608.48 грн
100+547.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEE250-12DA MEE250-12DA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 260A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 CS19-12HO1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0492FBC2D22F1A6F5005056AB5A8F&compId=CS19-12HO1.pdf?ci_sign=0986ae30640165de584e652ab971469e43ceef0c description Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 28mA
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.63 грн
3+201.73 грн
10+159.09 грн
50+117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS IXTP8N70X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.63 грн
10+140.23 грн
30+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PLA171P PLA171P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B494F3CC6E40C7&compId=PLA171.pdf?ci_sign=138dba0ad6265865f9462ed6c575f68af5377000 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.800VAC
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.1A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 50Ω
Switched voltage: max. 800V AC; max. 800V DC
Insulation voltage: 5kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.60 грн
10+252.58 грн
50+209.93 грн
100+194.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLA134 PLA134 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49527A98B60C7&compId=PLA134.pdf?ci_sign=7731cdb8abeac785cdd7ba775e2f0d505010a3bd Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 350mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1362.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1511Y CPC1511Y IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B492320048E0C7&compId=CPC1511.pdf?ci_sign=58b19b931ace12b777f563204bcc6482003a5ac9 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 450mA; max.230VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 450mA
Switched voltage: max. 230V AC; max. 230V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 4ms
Turn-off time: 2ms
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+357.67 грн
10+294.40 грн
125+267.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1383.00 грн
3+1136.60 грн
10+1018.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.43 грн
10+171.39 грн
50+151.71 грн
100+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2 IXTP80N12T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D401DBA5BEB820&compId=IXTA(P)80N12T2.pdf?ci_sign=7682108f228cee2f7d0194b2935bc173520213f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
Power dissipation: 325W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15P IXTQ120N15P IXYS IXTQ120N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0E5820&compId=IXFH160N15T2.pdf?ci_sign=467d005fecee5b2cd75a7e20897d1283fa7c3985 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.62 грн
30+429.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2 IXFK360N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8CF77E51B2D8BF&compId=IXFK(X)360N15T2.pdf?ci_sign=eeafce7d74467a0ac752f9932d45deda43271681 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 150V
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 IXYS IXFN360N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Semiconductor module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 310A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2 IXFX360N15T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8CF77E51B2D8BF&compId=IXFK(X)360N15T2.pdf?ci_sign=eeafce7d74467a0ac752f9932d45deda43271681 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; 150ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 150V
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CF049A4BE1158BF&compId=MMIX1H60N150V1.pdf?ci_sign=2ae92bab7b597b60581a48f40ba8030aeacc3a55 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 32kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: SMPD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.07 грн
3+232.90 грн
10+205.83 грн
50+185.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFK220N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1314.11 грн
3+1075.92 грн
10+975.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEA250-12DA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; common anode; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: common anode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 260A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XAA117S XAA117.pdf
XAA117S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.49 грн
50+173.03 грн
250+138.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXGA(H,P)30N120B3.pdf
IXGA30N120B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3 IXY_30N120C3.pdf
IXYH30N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 71ns
Gate charge: 69nC
Turn-off time: 296ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Power dissipation: 500W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN30N120P IXFN30N120P.pdf
IXFN30N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 75A
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±40V
Gate charge: 310nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 890W
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB30N120P IXFB30N120P.pdf
IXFB30N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS264™
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 310nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1 IXGH(t)30N120B3D1.pdf
IXGT30N120B3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N120C3D1 IXYH30N120C3D1.pdf
IXYH30N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 71ns
Gate charge: 69nC
Turn-off time: 296ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Power dissipation: 416W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C3 IXY_30N120C3.pdf
IXYP30N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 71ns
Gate charge: 69nC
Turn-off time: 296ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Power dissipation: 500W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA33IF1200HB IXA33IF1200HB.pdf
IXA33IF1200HB
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Sonic FRD™; 1.2kV; 34A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 110ns
Gate charge: 76nC
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LOC112S LOC112P.pdf
LOC112S
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; 3.75kV; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 3.75kV
Trigger current: 1A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.55 грн
5+172.21 грн
25+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PM IXTP14N60PM.pdf
IXTP14N60PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 75W; TO220FP; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1365820&compId=IXTP230N04T4M.pdf?ci_sign=027a29a87a204a8cf3033295a7b62dd3a81d9d5b
IXTP230N04T4M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 40W; TO220FP; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFA(P,Y)30N25X3.pdf
IXFP30N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.17 грн
10+282.92 грн
50+277.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXFA(P,Y)30N25X3.pdf
IXFY30N25X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.07 грн
5+284.56 грн
25+268.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170A 98938.pdf
IXBN75N170A
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Application: for UPS; motors
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 500W
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4677.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+761.27 грн
5+654.41 грн
10+624.06 грн
30+608.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D504A4ED455820&compId=IXFA(P)4N100P.pdf?ci_sign=3bc1928e6ac9c7c21646c91f222f882230a1532c
IXFP4N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.88 грн
3+215.68 грн
10+190.25 грн
50+172.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609CI IXDD609CI.pdf
IXDN609CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.73 грн
10+160.73 грн
25+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC120-12AK Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC120-12AK-Datasheet?assetguid=6d7c4a83-944f-41eb-8b81-8f646ced8d79
DSEC120-12AK
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60Ax2; tube; Ifsm: 500A; TO264; 330W
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Case: TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 40ns
Max. forward voltage: 2.66V
Load current: 60A x2
Max. forward impulse current: 0.5kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 330W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.22 грн
3+1093.96 грн
10+969.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XBB170 XBB170.pdf
XBB170
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+411.54 грн
10+333.76 грн
250+280.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1333GR CPC1333.pdf
CPC1333GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 130mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.13A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.10 грн
10+127.11 грн
100+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PLB171P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B494F3CC7AE0C7&compId=PLB171.pdf?ci_sign=9fe800a18959fd9115c3f387e4c1692996f299da
PLB171P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 80mA; max.800VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Max. operating current: 80mA
Switched voltage: max. 800V AC; max. 800V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 90Ω
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 5kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.40 грн
10+332.94 грн
50+303.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12E1820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)102N15T.pdf?ci_sign=a7dd4f01d2a4226a8b0a38e27af5b16600fca392
IXTP102N15T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 97ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI30-12A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2916DEC5E36DDF19A99005056AB752F&compId=92722.pdf?ci_sign=990727ced795f1f61d5fc4ad016abc029ccb1a31
DSEI30-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 26A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 138W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 26A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.2V
Power dissipation: 138W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: FRED
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+402.71 грн
10+242.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LAA110LSTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUBW25-06A6K
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 21A
Collector current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: E1-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Application: motors
Technology: NPT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.78 грн
3+183.69 грн
10+162.37 грн
50+146.79 грн
250+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3
IXFA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+213.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3
IXFP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4
IXFR26N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3186.37 грн
3+2662.73 грн
10+2352.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4931AF084E0C7&compId=CPC1972.pdf?ci_sign=ad681fe35f2cbf4725519c25a38bae72b51c2f77
CPC1972GS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1972GSTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4931AF084E0C7&compId=CPC1972.pdf?ci_sign=ad681fe35f2cbf4725519c25a38bae72b51c2f77
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.800VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 800V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBADFCE7F4B8BF&compId=IXF_38N30X3.pdf?ci_sign=1109e99730c8ed475df2ed7e746e482190ba3431 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.16 грн
3+264.06 грн
10+233.72 грн
50+209.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP38N30X3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB3F631E6D8BF&compId=IXFP38N30X3M.pdf?ci_sign=76d575cc16e861382b12e8f0daa79094585c8fd8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFP38N30X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Reverse recovery time: 90ns
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 38A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Case: TO220FP
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.22 грн
10+251.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDD614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.33 грн
10+118.91 грн
25+113.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI614PI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDI614PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: inverting
Turn-off time: 130ns
Turn-on time: 140ns
Supply voltage: 4.5...35V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.34 грн
10+154.17 грн
25+133.67 грн
50+120.55 грн
100+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609PI IXDD609CI.pdf
IXDN609PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.34 грн
10+81.19 грн
50+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD614SI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A5D71347C948CA50&compId=IXDD614CI-DTE.pdf?ci_sign=56f1c241270a7cf5231e597905eedca728d0721d
IXDD614SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -14...14A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 130ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.42 грн
10+192.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1215G CPC1215.pdf
CPC1215G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 500mA; max.400VAC
Case: DIP4
Mounting: THT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 3ms
Turn-on time: 5ms
Body dimensions: 19.2x6.4x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Insulation voltage: 3.75kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+389.46 грн
25+232.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1708J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4927C8678E0C7&compId=CPC1708.pdf?ci_sign=ff32910265bbccbc6d0ceae5ab09eb3f000d60ca
CPC1708J
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 5350mA; max.60VDC; THT; i4-pac; OptoMOS; 0.08Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 5350mA
Switched voltage: max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: current source
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Case: i4-pac
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 2.5kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+813.37 грн
10+647.85 грн
25+608.48 грн
100+547.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEE250-12DA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793
MEE250-12DA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 260A
Case: Y4-M6
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0492FBC2D22F1A6F5005056AB5A8F&compId=CS19-12HO1.pdf?ci_sign=0986ae30640165de584e652ab971469e43ceef0c
CS19-12HO1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 28mA
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.63 грн
3+201.73 грн
10+159.09 грн
50+117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M.pdf
IXTP8N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 12nC
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.63 грн
10+140.23 грн
30+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PLA171P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B494F3CC6E40C7&compId=PLA171.pdf?ci_sign=138dba0ad6265865f9462ed6c575f68af5377000
PLA171P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.800VAC
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Max. operating current: 0.1A
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 50Ω
Switched voltage: max. 800V AC; max. 800V DC
Insulation voltage: 5kV
Relay variant: 1-phase; current source
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.60 грн
10+252.58 грн
50+209.93 грн
100+194.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLA134 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49527A98B60C7&compId=PLA134.pdf?ci_sign=7731cdb8abeac785cdd7ba775e2f0d505010a3bd
PLA134
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 350mA; max.100VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1511Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B492320048E0C7&compId=CPC1511.pdf?ci_sign=58b19b931ace12b777f563204bcc6482003a5ac9
CPC1511Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 450mA; max.230VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 450mA
Switched voltage: max. 230V AC; max. 230V DC
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 4ms
Turn-off time: 2ms
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+357.67 грн
10+294.40 грн
125+267.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC102BD600B820&compId=IXFK(X)32N80Q3.pdf?ci_sign=c47e75c209491b589467e1adbfe959bafdbee39b
IXFK32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 1kW
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1383.00 грн
3+1136.60 грн
10+1018.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.43 грн
10+171.39 грн
50+151.71 грн
100+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D401DBA5BEB820&compId=IXTA(P)80N12T2.pdf?ci_sign=7682108f228cee2f7d0194b2935bc173520213f0
IXTP80N12T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
Power dissipation: 325W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15P IXTQ120N15P-DTE.pdf
IXTQ120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH160N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0E5820&compId=IXFH160N15T2.pdf?ci_sign=467d005fecee5b2cd75a7e20897d1283fa7c3985
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 253nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.62 грн
30+429.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8CF77E51B2D8BF&compId=IXFK(X)360N15T2.pdf?ci_sign=eeafce7d74467a0ac752f9932d45deda43271681
IXFK360N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 150V
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2.pdf
IXFN360N15T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Semiconductor module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 310A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 1.07kW
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8CF77E51B2D8BF&compId=IXFK(X)360N15T2.pdf?ci_sign=eeafce7d74467a0ac752f9932d45deda43271681
IXFX360N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; 150ns
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 715nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.67kW
Drain-source voltage: 150V
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1H60N150V1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CF049A4BE1158BF&compId=MMIX1H60N150V1.pdf?ci_sign=2ae92bab7b597b60581a48f40ba8030aeacc3a55
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 32kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: SMPD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 268  [ Наступна Сторінка >> ]