Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYH24N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 900V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Gate charge: 40nC Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns Power dissipation: 240W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 110A кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH24N90C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 900V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Gate charge: 40nC Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns Power dissipation: 200W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 105A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYH25N250CHV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH30N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH30N120C3D1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH30N170C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYH30N450HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 30A; 430W; TO247HV Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 88nC Turn-on time: 632ns Turn-off time: 1545ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Power dissipation: 430W Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 4.5kV Type of transistor: IGBT Technology: XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYH30N65C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH30N65C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYH40N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 577W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 84ns Turn-off time: 411ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH40N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 84ns Turn-off time: 411ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH40N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 577W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 95ns Turn-off time: 303ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH40N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 95ns Turn-off time: 303ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH40N65B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 195A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Turn-on time: 57ns Turn-off time: 350ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH40N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 160ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH40N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYH40N90C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH40N90C3D1 | IXYS | IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors |
на замовлення 216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXYH50N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH50N120C3D1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXYH50N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH50N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH50N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXYH60N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 900V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 104ns Turn-off time: 268ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 310A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXYH75N120B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 1.15kW Case: TO247; TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 157nC Kind of package: tube Turn-on time: 24ns Turn-off time: 235ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYH75N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Turn-off time: 179ns Turn-on time: 90ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYH75N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Turn-off time: 179ns Turn-on time: 90ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYH80N90C3 | IXYS | IXYH80N90C3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH82N120C3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYH85N120A4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 73ns Gate charge: 200nC Turn-off time: 990ns Collector current: 85A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 1.15kW Pulsed collector current: 520A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: GenX4™; Trench™; XPT™ Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYH8N250C | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYH8N250CHV | IXYS |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXYH8N250CV1HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYJ20N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 105W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Collector current: 21A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 20ns Turn-off time: 90ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYK100N120C3 | IXYS | IXYK100N120C3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYK120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 412nC Kind of package: tube Collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 105ns Turn-off time: 346ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXYK140N90C3 | IXYS | IXYK140N90C3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYK200N65B3 | IXYS | IXYK200N65B3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYL40N250CV1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYL60N450 | IXYS | IXYL60N450 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYN100N120B3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYN100N120C3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: screw Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 84A Power dissipation: 830W Pulsed collector current: 460A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYN100N120C3H1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXYN100N65A3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: screw Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Power dissipation: 600W Pulsed collector current: 460A кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYN100N65B3D1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYN100N65C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYN120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 1.2kW Case: SOT227B Collector current: 120A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A Max. off-state voltage: 1.2kV Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYN150N60B3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 830W Case: SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 140A Semiconductor structure: single transistor Pulsed collector current: 750A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYN30N170CV1 | IXYS | IXYN30N170CV1 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYN50N170CV1 | IXYS | IXYN50N170CV1 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYN75N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 600W Case: SOT227B Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Pulsed collector current: 360A Max. off-state voltage: 650V Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXYN80N90C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYN82N120C3 | IXYS | IXYN82N120C3 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXYN82N120C3H1 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXYP10N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 18nC Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Collector current: 10A Pulsed collector current: 54A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYP10N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 53W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 18nC Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Collector current: 7A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXYP15N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 122ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYP15N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 102ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYP15N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 57W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector current: 9A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 122ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXYP20N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 278W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 96A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 60ns Gate charge: 53nC Turn-off time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXYH24N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH24N90C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH25N250CHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH30N120C3 THT IGBT transistors
IXYH30N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH30N120C3D1 THT IGBT transistors
IXYH30N120C3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N170C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH30N170C THT IGBT transistors
IXYH30N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 30A; 430W; TO247HV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 88nC
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Power dissipation: 430W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 4.5kV; 30A; 430W; TO247HV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 88nC
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 1545ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Power dissipation: 430W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 4.5kV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH30N65C3 THT IGBT transistors
IXYH30N65C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH30N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH30N65C3H1 THT IGBT transistors
IXYH30N65C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH40N90C3D1 |
Виробник: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 941.22 грн |
2+ | 599.80 грн |
6+ | 566.48 грн |
IXYH50N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH50N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1363.64 грн |
2+ | 860.66 грн |
4+ | 814.01 грн |
IXYH50N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH50N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH50N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 937.12 грн |
2+ | 647.58 грн |
3+ | 622.65 грн |
5+ | 589.32 грн |
IXYH60N90C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 996.59 грн |
2+ | 598.15 грн |
6+ | 544.58 грн |
120+ | 539.82 грн |
IXYH75N120B4 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO247; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO247; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH75N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 179ns
Turn-on time: 90ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 179ns
Turn-on time: 90ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH75N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 179ns
Turn-on time: 90ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 179ns
Turn-on time: 90ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH80N90C3 |
Виробник: IXYS
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH82N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH85N120A4 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 73ns
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 990ns
Collector current: 85A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 1.15kW
Pulsed collector current: 520A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 73ns
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 990ns
Collector current: 85A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 1.15kW
Pulsed collector current: 520A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH8N250C |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH8N250C THT IGBT transistors
IXYH8N250C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYH8N250CHV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1668.01 грн |
2+ | 1577.56 грн |
IXYH8N250CV1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYJ20N120C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYK100N120C3 |
Виробник: IXYS
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYK120N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2404.31 грн |
2+ | 2192.88 грн |
3+ | 2110.71 грн |
IXYK140N90C3 |
Виробник: IXYS
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYK200N65B3 |
Виробник: IXYS
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYL40N250CV1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYL60N450 |
Виробник: IXYS
IXYL60N450 THT IGBT transistors
IXYL60N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N120B3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 84A
Power dissipation: 830W
Pulsed collector current: 460A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 84A
Power dissipation: 830W
Pulsed collector current: 460A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3728.26 грн |
IXYN100N65A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 460A
кількість в упаковці: 300 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 460A
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN100N65C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN120N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN150N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed collector current: 750A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN30N170CV1 |
Виробник: IXYS
IXYN30N170CV1 IGBT modules
IXYN30N170CV1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN50N170CV1 |
Виробник: IXYS
IXYN50N170CV1 IGBT modules
IXYN50N170CV1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN75N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Pulsed collector current: 360A
Max. off-state voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Pulsed collector current: 360A
Max. off-state voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN80N90C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN82N120C3 |
Виробник: IXYS
IXYN82N120C3 IGBT modules
IXYN82N120C3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYN82N120C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP10N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP10N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.95 грн |
IXYP15N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP15N65C3D1M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 122ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXYP20N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.