Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15705) > Сторінка 258 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCMA120UJ1800ED MCMA120UJ1800ED IXYS MCMA120UJ1800ED.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.8kV; If: 120A; E2-Pack
Case: E2-Pack
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Type of bridge rectifier: half-controlled
Version: module
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Gate current: 70/150mA
Max. forward voltage: 1.36V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Load current: 120A
Max. off-state voltage: 1.8kV
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5652.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N120P IXFR16N120P IXYS IXFR16N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 230W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2 IXTH75N10L2 IXYS IXT_75N10L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F132N50P3
+1
 		MMIX1F132N50P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-mmix1f132n50p3-datasheet?assetguid=78cb4333-d3a9-496a-a626-6ed7394c5316 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3620.40 грн
3+2972.89 грн
10+2669.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 IXYS IXFN132N50P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3061.37 грн
5+2668.02 грн
10+2626.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3 IXFB132N50P3 IXYS IXFB132N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL132N50P3 IXFL132N50P3 IXYS IXFL132N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 63A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 250nC
Power dissipation: 520W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH1N450HV IXYS IXTH(T)1N450HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2739.26 грн
5+2512.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA710 LAA710 IXYS LAA710.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 1000mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 2.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.5Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.03 грн
10+726.74 грн
50+609.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716 LBA716 IXYS LBA716.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 1000mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.4Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.95 грн
10+421.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB150S PLB150S IXYS PLB150.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.250VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP6
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
On-state resistance: 7Ω
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXEL40N400 IXEL40N400 IXYS IXEL40N400.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 4kV; 40A; 380W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 4kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 260ns
Turn-off time: 1.17µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-16IO1 MCD200-16IO1 IXYS MCD200-16IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.2V
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 216A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 8kA
Max. load current: 340A
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-14io1 IXYS MCD200-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 8kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.1V
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 216A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 8kA
Max. load current: 340A
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-18io1 IXYS MCD200-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.2V
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 216A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 8kA
Max. load current: 340A
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLA143S PLA143S IXYS PLA143.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP6
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
On-state resistance: 50Ω
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Insulation voltage: 4kV
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.14 грн
10+231.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLA143 PLA143 IXYS PLA143.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP6
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
On-state resistance: 50Ω
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Insulation voltage: 4kV
Relay variant: 1-phase; current source
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2 IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS IXG_50N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.16 грн
3+803.37 грн
5+763.00 грн
10+697.90 грн
30+603.97 грн
120+552.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2 IXGH50N90B2 IXYS IXGH(T)50N90B2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.89 грн
3+533.93 грн
10+471.31 грн
30+424.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+958.34 грн
3+823.15 грн
10+786.07 грн
30+704.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 IXTH60N20L2 IXYS IXTH(T,Q)60N20L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2 IXYS IXTH260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH360N055T2 IXYS IXTH(T)360N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Reverse recovery time: 78ns
Gate charge: 330nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 935W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS IXT_10P60.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Reverse recovery time: 440ns
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS IXTH(Q,T,V)26N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.55 грн
5+481.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 IXTN60N50L2 IXYS IXTN60N50L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2 IXTK60N50L2 IXYS IXTK(X)60N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N50P3 IXFQ60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2 IXTX60N50L2 IXYS IXTK(X)60N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 980ns
Gate charge: 610nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3 IXFT60N50P3 IXYS IXF_60N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1977J CPC1977J IXYS CPC1977.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1250mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1.25A
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Case: i4-pac
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TRR IXYS Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; reel,tape; 185W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M45S IXCP10M45S IXYS IXCP10M90S.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Operating current: 2...100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.07 грн
10+562.77 грн
30+526.52 грн
120+481.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.82 грн
10+468.84 грн
50+375.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 IXTA6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.98 грн
10+498.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3982TTR CPC3982TTR IXYS CPC3982.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.15A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.4W
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 380Ω
Drain-source voltage: 800V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708CTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.59 грн
13+33.78 грн
100+28.84 грн
500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603CTR IXYS CPC5603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+55.02 грн
11+39.88 грн
100+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703CTR IXYS CPC3703.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.54 грн
10+50.84 грн
50+38.56 грн
100+34.36 грн
250+29.58 грн
500+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3701CTR CPC3701CTR IXYS CPC3701.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.33 грн
10+42.93 грн
100+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5602CTR CPC5602CTR IXYS CPC5602.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.33 грн
10+45.90 грн
50+36.09 грн
100+32.71 грн
250+28.67 грн
500+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3902ZTR CPC3902ZTR IXYS CPC3902.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.4A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.31 грн
10+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708ZTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.86 грн
10+49.77 грн
100+38.56 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720CTR IXYS CPC3720.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+63.00 грн
13+33.29 грн
25+30.49 грн
100+26.86 грн
250+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730CTR IXYS CPC3730.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.78 грн
11+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS IXTA(P)3N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.85 грн
10+190.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.91 грн
10+649.29 грн
30+608.91 грн
120+558.65 грн
270+532.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+734.73 грн
3+603.15 грн
10+541.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2 IXYS IXTQ470P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2 IXTA90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 37ns
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet?assetguid=d4c565e9-7fdb-4ff8-bc54-16d1603a6ce2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 90A; Idm: 150A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.05 грн
5+478.73 грн
10+434.23 грн
30+418.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.69 грн
5+402.10 грн
10+362.55 грн
50+351.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1062.16 грн
5+855.28 грн
10+753.93 грн
25+660.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-12NO7 IXYS VUO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 175A; Ifsm: 1.8kA
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 175A
Max. forward impulse current: 1.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Max. forward voltage: 1.39V
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO160-12NO7 IXYS VBO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 160A; Ifsm: 2.8kA
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 160A
Max. forward impulse current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA120UJ1800ED MCMA120UJ1800ED.pdf
MCMA120UJ1800ED
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.8kV; If: 120A; E2-Pack
Case: E2-Pack
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Type of bridge rectifier: half-controlled
Version: module
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Gate current: 70/150mA
Max. forward voltage: 1.36V
Max. forward impulse current: 0.5kA
Load current: 120A
Max. off-state voltage: 1.8kV
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5652.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N120P IXFR16N120P.pdf
IXFR16N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 230W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 230W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+625.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH75N10L2 IXT_75N10L2.pdf
IXTH75N10L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F132N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-mmix1f132n50p3-datasheet?assetguid=78cb4333-d3a9-496a-a626-6ed7394c5316
MMIX1F132N50P3
+1
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3620.40 грн
3+2972.89 грн
10+2669.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3.pdf
IXFN132N50P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 112A
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 39mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 1.5kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3061.37 грн
5+2668.02 грн
10+2626.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB132N50P3 IXFB132N50P3.pdf
IXFB132N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 267nC
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL132N50P3 IXFL132N50P3.pdf
IXFL132N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 63A; 520W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 250nC
Power dissipation: 520W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH(T)1N450HV.pdf
IXTH1N450HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.75µs
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2739.26 грн
5+2512.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LAA710 LAA710.pdf
LAA710
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 1000mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 2.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.5Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
Kind of output: MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.03 грн
10+726.74 грн
50+609.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LBA716 LBA716.pdf
LBA716
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 1000mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Turn-off time: 5ms
Turn-on time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 0.4Ω
Max. operating current: 1A
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP8
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.95 грн
10+421.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLB150S PLB150.pdf
PLB150S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.250VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Case: DIP6
Mounting: SMT
Kind of output: MOSFET
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 2.5ms
On-state resistance: 7Ω
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 250mA
Switched voltage: max. 250V AC; max. 250V DC
Relay variant: 1-phase; current source
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXEL40N400 IXEL40N400.pdf
IXEL40N400
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 4kV; 40A; 380W; ISOPLUS i5-pac™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 4kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: ISOPLUS i5-pac™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 260ns
Turn-off time: 1.17µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-16IO1 MCD200-16IO1-DTE.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
MCD200-16IO1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.2V
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 216A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 8kA
Max. load current: 340A
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-14io1 MCD200-14io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 8kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.1V
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 216A
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward impulse current: 8kA
Max. load current: 340A
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-18io1 MCD200-18io1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/220mA
Max. forward voltage: 1.2V
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 216A
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 8kA
Max. load current: 340A
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PLA143S PLA143.pdf
PLA143S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP6
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
On-state resistance: 50Ω
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Insulation voltage: 4kV
Relay variant: 1-phase; current source
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.14 грн
10+231.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLA143 PLA143.pdf
PLA143
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.600VAC
Operating temperature: -40...85°C
Case: DIP6
Kind of output: MOSFET
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
On-state resistance: 50Ω
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Insulation voltage: 4kV
Relay variant: 1-phase; current source
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2 IXTN80N30L2.pdf
IXTN80N30L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXG_50N90B2D1.pdf
IXGH50N90B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.16 грн
3+803.37 грн
5+763.00 грн
10+697.90 грн
30+603.97 грн
120+552.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2 IXGH(T)50N90B2.pdf
IXGH50N90B2
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+638.89 грн
3+533.93 грн
10+471.31 грн
30+424.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3d1.pdf
IXYH50N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+958.34 грн
3+823.15 грн
10+786.07 грн
30+704.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 IXTH(T,Q)60N20L2.pdf
IXTH60N20L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2.pdf
IXTH260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH(T)360N055T2.pdf
IXTH360N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Reverse recovery time: 78ns
Gate charge: 330nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 935W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXT_10P60.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTH16P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Reverse recovery time: 440ns
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P IXTH(Q,T,V)26N60P_S.pdf
IXTH26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.55 грн
5+481.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 IXTN60N50L2.pdf
IXTN60N50L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2 IXTK(X)60N50L2.pdf
IXTK60N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFQ60N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2 IXTK(X)60N50L2.pdf
IXTX60N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 980ns
Gate charge: 610nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3 IXF_60N50P3.pdf
IXFT60N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1977J CPC1977.pdf
CPC1977J
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 100mA; 1250mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1.25A
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Case: i4-pac
Body dimensions: 19.91x20.88x5.03mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 20ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TRR
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; reel,tape; 185W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXCP10M45S IXCP10M90S.pdf
IXCP10M45S
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: driver; current regulator; TO220AB; 450VDC; 40W; 2÷100mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator
Case: TO220AB
Mounting: THT
Operating temperature: -55...150°C
Operating voltage: 450V DC
Power dissipation: 40W
Operating current: 2...100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTH6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+732.07 грн
10+562.77 грн
30+526.52 грн
120+481.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.82 грн
10+468.84 грн
50+375.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTA6N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+653.98 грн
10+498.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3982TTR CPC3982.pdf
CPC3982TTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.15A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.4W
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 380Ω
Drain-source voltage: 800V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708.pdf
CPC3708CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.59 грн
13+33.78 грн
100+28.84 грн
500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603.pdf
CPC5603CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.02 грн
11+39.88 грн
100+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703.pdf
CPC3703CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.54 грн
10+50.84 грн
50+38.56 грн
100+34.36 грн
250+29.58 грн
500+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3701CTR CPC3701.pdf
CPC3701CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.33 грн
10+42.93 грн
100+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5602CTR CPC5602.pdf
CPC5602CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.33 грн
10+45.90 грн
50+36.09 грн
100+32.71 грн
250+28.67 грн
500+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3902ZTR CPC3902.pdf
CPC3902ZTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.4A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.31 грн
10+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708.pdf
CPC3708ZTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.86 грн
10+49.77 грн
100+38.56 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720.pdf
CPC3720CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.00 грн
13+33.29 грн
25+30.49 грн
100+26.86 грн
250+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730.pdf
CPC3730CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.78 грн
11+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTA(P)3N50D2.pdf
IXTP3N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.85 грн
10+190.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXT_50P10.pdf
IXTH50P10
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.91 грн
10+649.29 грн
30+608.91 грн
120+558.65 грн
270+532.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.73 грн
3+603.15 грн
10+541.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2.pdf
IXTQ470P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTA90N055T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 37ns
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet?assetguid=d4c565e9-7fdb-4ff8-bc54-16d1603a6ce2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 90A; Idm: 150A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTH80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.05 грн
5+478.73 грн
10+434.23 грн
30+418.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.69 грн
5+402.10 грн
10+362.55 грн
50+351.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTA80N075L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1062.16 грн
5+855.28 грн
10+753.93 грн
25+660.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-12NO7 VUO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 175A; Ifsm: 1.8kA
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 175A
Max. forward impulse current: 1.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Max. forward voltage: 1.39V
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO160-12NO7 VBO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 160A; Ifsm: 2.8kA
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 160A
Max. forward impulse current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262  [ Наступна Сторінка >> ]