Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 285 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK102N30P IXFK102N30P IXYS IXFK102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1125.39 грн
2+769.92 грн
4+727.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS IXTH(P,Q)32N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.59 грн
3+342.36 грн
8+323.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20T IXFN230N20T IXYS IXFN230N20T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1090W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 358nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 630A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS IXFN240N15T2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1530.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0025B DSS25-0025B IXYS DSS25-0025B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.44V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100 IXFN36N100 IXYS IXFN36N100.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 36A; SOT227B; screw; Idm: 144A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 36A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.24Ω
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 180ns
Gate charge: 380nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4994.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.51 грн
4+278.07 грн
9+263.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-16IO1 MCD200-16IO1 IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MCD200-16IO1-DTE.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 340A
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 216A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
Case: Y4-M6
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5659.15 грн
6+5053.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973Y IXYS CPC1973.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 5Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 2.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.35mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 400V AC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Case: SIP4
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+397.67 грн
4+252.66 грн
10+239.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065T IXTP28P065T IXYS IXT_28P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3 IXYS IXFB82N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+899.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.02 грн
6+160.71 грн
15+151.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1218Y CPC1218Y IXYS CPC1218.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; 600mA; max.60VAC; max.60VDC; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.4x3.3mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.60 грн
6+163.70 грн
15+154.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1393G CPC1393G IXYS CPC1393.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.66 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1393GV CPC1393GV IXYS CPC1393.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.92 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T IXFK230N20T IXYS IXFK(X)230N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1450.61 грн
2+1273.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMA50P1600FC CMA50P1600FC IXYS CMA50P1600FC.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.6kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 80/200mA; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 80/200mA
Max. forward impulse current: 610A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1200HB DMA50P1200HB IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.04 грн
3+304.98 грн
8+288.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1200HR DMA50P1200HR IXYS DMA50P1200HR.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 555A; ISO247™; 210W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 555A
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: ISO247™
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.93 грн
2+550.91 грн
3+550.16 грн
5+520.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1600HB DMA50P1600HB IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-3
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.04 грн
3+313.20 грн
8+296.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LDA111 LDA111 IXYS LDA111.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; DIP6
Case: DIP6
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA111S IXYS LDA111.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Trigger current: 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA111STR LDA111STR IXYS LDA111.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Trigger current: 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X IXYS IXFN66N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2612.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLA140L PLA140L IXYS PLA140L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.400VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 8Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 250mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP6
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+375.13 грн
4+239.20 грн
11+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLA171P PLA171P IXYS PLA171.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.800VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 800V AC; max. 800V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Control current max.: 50mA
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.41 грн
6+174.92 грн
14+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA140PD1200TB IXYS MCMA140PD1200TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 140A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Type of module: diode-thyristor
Threshold on-voltage: 0.85V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO240AA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 220A
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 140A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 2.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA140PD1600TB IXYS MCMA140PD1600TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Type of module: diode-thyristor
Threshold on-voltage: 0.85V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO240AA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 220A
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 140A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 2.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA30E1600PB CMA30E1600PB IXYS CMA30E1600PB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.6kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28/50mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 28/50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 220A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.91 грн
7+136.79 грн
18+129.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10L2 IXTN200N10L2 IXYS IXTN200N10L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 178A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
On-state resistance: 11mΩ
Gate charge: 540nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 245ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.56 грн
3+396.18 грн
7+374.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-14NO1 VUO34-14NO1 IXYS VUO34-14NO1.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 45A; Ifsm: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors 2,0x0,5mm
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward voltage: 1.13V
Load current: 45A
Max. forward impulse current: 0.3kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1691.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 VUO34-18NO1 IXYS VUO34-18NO1.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.8kV; If: 45A; Ifsm: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors 2,0x0,5mm
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 1.13V
Load current: 45A
Max. forward impulse current: 0.3kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2072.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P IXYS IXFN40N110P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2720.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3 IXYS IXFN40N110Q3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1666.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD95-16IO1B IXYS MCD95-16IO1B-DTE.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 116A
Max. forward impulse current: 2.25kA
Case: TO240AA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.28V
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. load current: 180A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2533.34 грн
10+2315.01 грн
36+2261.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1540G CPC1540G IXYS CPC1540.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.90 грн
7+136.04 грн
18+128.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80P IXFH12N80P IXYS IXFH12N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2317N CPC2317N IXYS CPC2317N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Case: SO8
On-state resistance: 16Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.61 грн
9+98.67 грн
25+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609D2TR IXYS IXDD609CI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.22 грн
12+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IX2120B IX2120B IXYS IX2120.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO28; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 15...20V
Kind of package: tube
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...150°C
Voltage class: 1.2kV
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.38 грн
3+208.55 грн
5+192.86 грн
10+187.62 грн
13+182.39 грн
28+174.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428MTR IX4428MTR IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: inverting; non-inverting
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.65 грн
7+127.08 грн
19+120.35 грн
140+115.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.88 грн
3+251.91 грн
5+201.08 грн
12+189.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS IXT_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P IXYS IXFA(P)4N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.58 грн
3+212.29 грн
6+168.94 грн
15+159.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 250nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2670.18 грн
10+2384.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.44 грн
3+432.80 грн
6+409.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L IXYS IXTH12N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T IXFX230N20T IXYS IXFK(X)230N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1265.46 грн
3+1110.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3 IXFX300N20X3 IXYS IXF_300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1923.95 грн
2+1688.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P IXFX32N80P IXYS IXFK(X)32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1 IXYS IXGK(X)55N120A3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS DS94535L(IXTH-T11P50).pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.29 грн
2+578.56 грн
5+546.42 грн
10+537.45 грн
30+525.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P IXFN210N20P IXYS IXFN210N20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 600A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-16io1 MCD312-16io1 IXYS MCC312-12IO1.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 320A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 9.6kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12080.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PAA110LS PAA110LS IXYS PAA110L.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Turn-off time: 0.25ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
On-state resistance: 22Ω
Turn-on time: 1ms
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.24 грн
3+342.36 грн
8+323.67 грн
100+310.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS IXYP(y)8N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N80P IXFT24N80P IXYS IXFH(K,T)24N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-22NO1 VUO52-22NO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 2.2kV; If: 60A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: FASTON connectors
Version: module
Max. forward voltage: 1.13V
Leads: connectors 2,0x0,5mm
Case: V1-A-Pack
Mechanical mounting: screw
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2740.22 грн
24+2485.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P.pdf
IXFK102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1125.39 грн
2+769.92 грн
4+727.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65X IXTH(P,Q)32N65X.pdf
IXTH32N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.59 грн
3+342.36 грн
8+323.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN230N20T IXFN230N20T.pdf
IXFN230N20T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1090W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 358nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 630A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2.pdf
IXFN240N15T2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 150V; 240A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate charge: 460nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 140ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1530.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS25-0025B DSS25-0025B.pdf
DSS25-0025B
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 25V; 25A; TO220AC; Ufmax: 0.44V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN36N100 description IXFN36N100.pdf
IXFN36N100
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 36A; SOT227B; screw; Idm: 144A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 36A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.24Ω
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 180ns
Gate charge: 380nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4994.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXT_2R4N120P.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.51 грн
4+278.07 грн
9+263.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD200-16IO1 PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MCD200-16IO1-DTE.pdf
MCD200-16IO1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 216A; Y4-M6; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 340A
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 216A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 8kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
Case: Y4-M6
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5659.15 грн
6+5053.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1973Y CPC1973.pdf
CPC1973Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 0.35mA; max.400VAC
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 5Ω
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 2.5kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.35mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase
Switched voltage: max. 400V AC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Case: SIP4
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+397.67 грн
4+252.66 грн
10+239.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065T IXT_28P065T.pdf
IXTP28P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB82N60Q3 IXFB82N60Q3.pdf
IXFB82N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+899.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.02 грн
6+160.71 грн
15+151.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1218Y CPC1218.pdf
CPC1218Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; 600mA; max.60VAC; max.60VDC; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.6A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.4x3.3mm
Insulation voltage: 2.5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.60 грн
6+163.70 грн
15+154.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1393G CPC1393.pdf
CPC1393G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.66 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1393GV CPC1393.pdf
CPC1393GV
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 90mA; max.600VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 90mA
Switched voltage: max. 600V AC; max. 600V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.92 грн
9+108.39 грн
23+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T IXFK(X)230N20T.pdf
IXFK230N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1450.61 грн
2+1273.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CMA50P1600FC CMA50P1600FC.pdf
CMA50P1600FC
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.6kV; Ifmax: 79A; 50A; Igt: 80/200mA; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 79A
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 80/200mA
Max. forward impulse current: 610A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1200HB
DMA50P1200HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.04 грн
3+304.98 грн
8+288.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1200HR DMA50P1200HR.pdf
DMA50P1200HR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 50A; tube; Ifsm: 555A; ISO247™; 210W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 555A
Power dissipation: 210W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: ISO247™
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+825.93 грн
2+550.91 грн
3+550.16 грн
5+520.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA50P1600HB
DMA50P1600HB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 50A; tube; Ifsm: 500A; TO247-3
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.5kA
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.04 грн
3+313.20 грн
8+296.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LDA111 LDA111.pdf
LDA111
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; DIP6
Case: DIP6
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA111S LDA111.pdf
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Trigger current: 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA111STR LDA111.pdf
LDA111STR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Trigger current: 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN66N85X IXFN66N85X.pdf
IXFN66N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 830W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2612.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PLA140L PLA140L.pdf
PLA140L
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 250mA; max.400VAC
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 8Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 250mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP6
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.13 грн
4+239.20 грн
11+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PLA171P PLA171.pdf
PLA171P
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.800VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 800V AC; max. 800V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Control current max.: 50mA
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.41 грн
6+174.92 грн
14+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA140PD1200TB MCMA140PD1200TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 140A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Type of module: diode-thyristor
Threshold on-voltage: 0.85V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO240AA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 220A
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 140A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 2.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA140PD1600TB MCMA140PD1600TB.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Type of module: diode-thyristor
Threshold on-voltage: 0.85V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO240AA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 220A
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 140A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 2.4kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMA30E1600PB CMA30E1600PB.pdf
CMA30E1600PB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.6kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 28/50mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 28/50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 220A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.91 грн
7+136.79 грн
18+129.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10L2 IXTN200N10L2.pdf
IXTN200N10L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 178A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
On-state resistance: 11mΩ
Gate charge: 540nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 245ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+637.56 грн
3+396.18 грн
7+374.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-14NO1 VUO34-14NO1.pdf
VUO34-14NO1
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 45A; Ifsm: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors 2,0x0,5mm
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. forward voltage: 1.13V
Load current: 45A
Max. forward impulse current: 0.3kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1691.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO34-18NO1 VUO34-18NO1.pdf
VUO34-18NO1
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.8kV; If: 45A; Ifsm: 300A
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: three-phase
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors 2,0x0,5mm
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 1.13V
Load current: 45A
Max. forward impulse current: 0.3kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2072.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110P IXFN40N110P.pdf
IXFN40N110P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 34A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2720.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN40N110Q3 IXFN40N110Q3.pdf
IXFN40N110Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 35A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 960W
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 434ns
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1666.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCD95-16IO1B MCD95-16IO1B-DTE.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 116A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 116A
Max. forward impulse current: 2.25kA
Case: TO240AA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.28V
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. load current: 180A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2533.34 грн
10+2315.01 грн
36+2261.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1540G CPC1540.pdf
CPC1540G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 2ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.90 грн
7+136.04 грн
18+128.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N80P IXFH12N80P.pdf
IXFH12N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2317N CPC2317N.pdf
CPC2317N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Case: SO8
On-state resistance: 16Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 1.5kV
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.61 грн
9+98.67 грн
25+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD609D2TR IXDD609CI.pdf
IXDD609D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -9÷9A; Ch: 1; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -9...9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.22 грн
12+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IX2120B IX2120.pdf
IX2120B
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO28; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 15...20V
Kind of package: tube
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...150°C
Voltage class: 1.2kV
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.38 грн
3+208.55 грн
5+192.86 грн
10+187.62 грн
13+182.39 грн
28+174.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428MTR IX4426-27-28.pdf
IX4428MTR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; DFN8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: DFN8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: inverting; non-inverting
Supply voltage: 4.5...30V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.65 грн
7+127.08 грн
19+120.35 грн
140+115.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYP8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.88 грн
3+251.91 грн
5+201.08 грн
12+189.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXT_34N65X2.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFA(P)4N100P.pdf
IXFP4N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.58 грн
3+212.29 грн
6+168.94 грн
15+159.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 250nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2670.18 грн
10+2384.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N100P IXFH12N100P.pdf
IXFH12N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.44 грн
3+432.80 грн
6+409.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100L IXTH12N100L.pdf
IXTH12N100L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T IXFK(X)230N20T.pdf
IXFX230N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1670W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 358nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1265.46 грн
3+1110.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3 IXF_300N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFX300N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1923.95 грн
2+1688.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P IXFK(X)32N80P.pdf
IXFX32N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 IXGK(X)55N120A3H1.pdf
IXGX55N120A3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Case: PLUS247™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 DS94535L(IXTH-T11P50).pdf
IXTH11P50
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.29 грн
2+578.56 грн
5+546.42 грн
10+537.45 грн
30+525.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN210N20P IXFN210N20P.pdf
IXFN210N20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 188A
Power dissipation: 1.07kW
Case: SOT227B
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Pulsed drain current: 600A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-16io1 MCC312-12IO1.pdf
MCD312-16io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 320A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 9.6kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12080.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PAA110LS PAA110L.pdf
PAA110LS
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Turn-off time: 0.25ms
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
On-state resistance: 22Ω
Turn-on time: 1ms
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.24 грн
3+342.36 грн
8+323.67 грн
100+310.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3 IXYP(y)8N90C3.pdf
IXYP8N90C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT24N80P IXFH(K,T)24N80P.pdf
IXFT24N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO52-22NO1 media?resourcetype=datasheets&itemid=10EEB412-5AB9-49EA-9FFB-9C193B8DDEAC&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-VUO52-22NO1-Datasheet
VUO52-22NO1
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 2.2kV; If: 60A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: FASTON connectors
Version: module
Max. forward voltage: 1.13V
Leads: connectors 2,0x0,5mm
Case: V1-A-Pack
Mechanical mounting: screw
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2740.22 грн
24+2485.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]