Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 289 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSEC240-04A DSEC240-04A IXYS DSEC240-04A.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; common cathode; 400V; If: 120Ax2; SOT227UI; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1V
Load current: 120A x2
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward impulse current: 2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: SOT227UI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T IXYS IXFH120N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.93 грн
2+715.36 грн
3+687.70 грн
4+675.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+871.82 грн
2+686.20 грн
4+648.83 грн
10+640.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.15 грн
2+694.43 грн
4+656.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T IXFK120N30T IXYS IXFK(X)120N30T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X200NA DPF240X200NA IXYS DPF240X200NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 120A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: SOT227B
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2613.84 грн
9+2386.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5 IXYS IXKT70N60C5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P IXYS IXFH22N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.14 грн
4+288.54 грн
9+272.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1208.30 грн
2+812.53 грн
3+767.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.40 грн
2+865.60 грн
3+817.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30P3 IXFX120N30P3 IXYS IXFK(X)120N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30T IXFX120N30T IXYS IXFK(X)120N30T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 IXFH90N20X3 IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.88 грн
3+432.06 грн
6+408.14 грн
120+402.90 грн
270+392.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3 IXYS IXFA90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.74 грн
2+439.53 грн
3+420.84 грн
6+415.61 грн
10+399.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 IXFP90N20X3 IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.39 грн
3+347.59 грн
7+328.15 грн
100+325.91 грн
250+316.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.64 грн
2+454.48 грн
6+429.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3M IXFP90N20X3M IXYS IXFP90N20X3M.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-10B DSEI2X61-10B IXYS DSEI2X61-10B.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 2.3V
Semiconductor structure: double independent
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2144.52 грн
2+1882.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60X3 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD26-12N1B IXYS MDD26-12N1B-DTE.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 36A; TO240AA; Ufmax: 1.05V
Case: TO240AA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 60A
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 36A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 555A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1392.65 грн
2+1222.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3 IXFB100N50Q3 IXYS IXFB100N50Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR18N90P IXFR18N90P IXYS IXFR18N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.36 грн
2+700.41 грн
4+662.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90P IXFH18N90P IXYS IXFH(T,V)18N90P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS IXFK(X)180N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1114.92 грн
3+979.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFK88N30P IXYS IXFH(K,T)88N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.12 грн
2+737.78 грн
4+697.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS IXFK(X)240N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 345nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 177ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1886.92 грн
2+1656.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2 IXFK94N50P2 IXYS IXFx94N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1180.13 грн
3+1036.04 грн
25+1029.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK80N50P IXYS IXFK(X)80N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1227.62 грн
3+1077.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P IXYS IXTK170N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 120ns
Case: TO264
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.88 грн
2+575.58 грн
5+544.18 грн
25+537.45 грн
100+521.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS IXTK200N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1016.72 грн
2+754.23 грн
3+753.48 грн
4+712.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS IXTK180N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1120.56 грн
2+775.90 грн
4+734.04 грн
10+706.39 грн
25+705.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB20I15PA DSB20I15PA IXYS DSB20I15PA.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 15V; 20A; TO220AC; Ufmax: 0.39V
Max. off-state voltage: 15V
Max. forward voltage: 0.39V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 390A
Power dissipation: 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AC
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.75 грн
10+65.03 грн
16+59.05 грн
42+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.40 грн
2+556.14 грн
5+525.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170 IXBH6N170 IXYS IXBH6N170_IXBT6N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60PD1200NA CLA60PD1200NA IXYS CLA60PD1200NA.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 60A; SOT227B; Ufmax: 1.09V; screw
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.09V
Max. forward impulse current: 935A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Threshold on-voltage: 0.79V
Max. load current: 94A
Gate current: 40/80mA
Kind of package: bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1969.84 грн
2+1728.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMO74-12IO6 MMO74-12IO6 IXYS MMO74-12io6.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 40A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/150mA
Kind of package: bulk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2017.33 грн
2+1824.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2X101-015A DSS2X101-015A IXYS DSS2X101-015A.pdf description Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 150V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 100A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.99V
Max. forward impulse current: 1.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1824.94 грн
2+1601.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCO150-16IO1 MCO150-16IO1 IXYS MCO150-16IO1.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 158A; SOT227B; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 158A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 2.16kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Kind of package: bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2671.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170 IXBN75N170 IXYS IXBN75N170.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Power dissipation: 625W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6421.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2448.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.34 грн
3+310.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.52 грн
3+426.82 грн
6+402.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P IXFN200N10P IXYS IXFN200N10P.pdf description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 400A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10T IXTN200N10T IXYS IXTN200N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: SOT227B
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: TrenchMV™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2 IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 IXTH60N20L2 IXYS IXTH(T,Q)60N20L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2 IXYS IXTH260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH360N055T2 IXYS IXTH(T)360N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS IXT_10P60.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA110STR LDA110STR IXYS LDA110.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Trigger current: 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604D2TR IXDD604D2TR IXYS IXDD604PI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Supply voltage: 4.5...35V
Case: DFN8
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of output: non-inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.24 грн
12+77.74 грн
32+74.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1016NTR CPC1016NTR IXYS CPC1016N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.100VAC
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Max. operating current: 0.1A
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Turn-off time: 1ms
Turn-on time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Case: SOP4
Mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1 MDD312-22N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 9.18kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10118.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1 MDD312-18N1 IXYS MDD312-18N1.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 10.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1 MDD312-16N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 9.18kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1 MDD312-12N1 IXYS MDD312-12N1-DTE.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 9.18kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-18io1 MCD312-18io1 IXYS MCD312-18IO1-DTE.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 320A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 9.6kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-14io1 MCD312-14io1 IXYS MCD312-14io1.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 320A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 9.6kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC240-04A description DSEC240-04A.pdf
DSEC240-04A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; common cathode; 400V; If: 120Ax2; SOT227UI; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1V
Load current: 120A x2
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward impulse current: 2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: SOT227UI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25T IXFH120N25T.pdf
IXFH120N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+825.93 грн
2+715.36 грн
3+687.70 грн
4+675.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N25X3 IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+871.82 грн
2+686.20 грн
4+648.83 грн
10+640.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HV IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFT120N25X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+990.15 грн
2+694.43 грн
4+656.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T IXFK(X)120N30T.pdf
IXFK120N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DPF240X200NA DPF240X200NA.pdf
DPF240X200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 200V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 120A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: SOT227B
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2613.84 грн
9+2386.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5.pdf
IXKT70N60C5
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P IXFH22N50P.pdf
IXFH22N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.14 грн
4+288.54 грн
9+272.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH120N30X3 IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH120N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1208.30 грн
2+812.53 грн
3+767.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFT120N30X3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1191.40 грн
2+865.60 грн
3+817.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30P3 IXFK(X)120N30P3.pdf
IXFX120N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30T IXFK(X)120N30T.pdf
IXFX120N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3 IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH90N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.88 грн
3+432.06 грн
6+408.14 грн
120+402.90 грн
270+392.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA90N20X3 IXFA90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFA90N20X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.74 грн
2+439.53 грн
3+420.84 грн
6+415.61 грн
10+399.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3 IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFP90N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.39 грн
3+347.59 грн
7+328.15 грн
100+325.91 грн
250+316.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFQ90N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO3P
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.64 грн
2+454.48 грн
6+429.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP90N20X3M IXFP90N20X3M.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFP90N20X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 124ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X61-10B DSEI2X61-10B.pdf
DSEI2X61-10B
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 60A x2
Case: SOT227B
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 2.3V
Semiconductor structure: double independent
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2144.52 грн
2+1882.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD26-12N1B MDD26-12N1B-DTE.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 36A; TO240AA; Ufmax: 1.05V
Case: TO240AA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 60A
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 36A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 555A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1392.65 грн
2+1222.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB100N50Q3 IXFB100N50Q3.pdf
IXFB100N50Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR18N90P IXFR18N90P.pdf
IXFR18N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1055.36 грн
2+700.41 грн
4+662.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90P IXFH(T,V)18N90P_S.pdf
IXFH18N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK(X)180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
On-state resistance: 12.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 364nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1114.92 грн
3+979.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P IXFH(K,T)88N30P.pdf
IXFK88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.12 грн
2+737.78 грн
4+697.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXFK(X)240N25X3.pdf
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 345nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 177ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1886.92 грн
2+1656.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2 IXFx94N50P2.pdf
IXFK94N50P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 228nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1180.13 грн
3+1036.04 грн
25+1029.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK(X)80N50P.pdf
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 197nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.62 грн
3+1077.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P-DTE.pdf
IXTK170N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 120ns
Case: TO264
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.88 грн
2+575.58 грн
5+544.18 грн
25+537.45 грн
100+521.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P-DTE.pdf
IXTK200N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.72 грн
2+754.23 грн
3+753.48 грн
4+712.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P-DTE.pdf
IXTK180N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1120.56 грн
2+775.90 грн
4+734.04 грн
10+706.39 грн
25+705.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSB20I15PA DSB20I15PA.pdf
DSB20I15PA
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 15V; 20A; TO220AC; Ufmax: 0.39V
Max. off-state voltage: 15V
Max. forward voltage: 0.39V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 390A
Power dissipation: 70W
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AC
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.75 грн
10+65.03 грн
16+59.05 грн
42+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFH36N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.40 грн
2+556.14 грн
5+525.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH6N170 IXBH6N170_IXBT6N170.pdf
IXBH6N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60PD1200NA CLA60PD1200NA.pdf
CLA60PD1200NA
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 60A; SOT227B; Ufmax: 1.09V; screw
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.09V
Max. forward impulse current: 935A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Threshold on-voltage: 0.79V
Max. load current: 94A
Gate current: 40/80mA
Kind of package: bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1969.84 грн
2+1728.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMO74-12IO6 MMO74-12io6.pdf
MMO74-12IO6
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 40A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 100/150mA
Kind of package: bulk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2017.33 грн
2+1824.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2X101-015A description DSS2X101-015A.pdf
DSS2X101-015A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 150V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Type of module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 100A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 0.99V
Max. forward impulse current: 1.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1824.94 грн
2+1601.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCO150-16IO1 MCO150-16IO1.pdf
MCO150-16IO1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 158A; SOT227B; screw
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 158A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 2.16kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Kind of package: bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2671.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN75N170 IXBN75N170.pdf
IXBN75N170
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: BiMOSFET™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 680A
Power dissipation: 625W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6421.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBN42N170A IXBN42N170A.pdf
IXBN42N170A
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2448.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+601.34 грн
3+310.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTH200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.52 грн
3+426.82 грн
6+402.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN200N10P description IXFN200N10P.pdf
IXFN200N10P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 235nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 400A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10T IXTN200N10T.pdf
IXTN200N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: SOT227B
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: TrenchMV™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2 IXTN80N30L2.pdf
IXTN80N30L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 IXTH(T,Q)60N20L2.pdf
IXTH60N20L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH260N055T2 IXTH260N055T2.pdf
IXTH260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2 IXTH(T)360N055T2.pdf
IXTH360N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXT_10P60.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTH16P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA110STR LDA110.pdf
LDA110STR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 3.75kV; 1A
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 345µs
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-30000%@1mA
Trigger current: 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604D2TR IXDD604PI.pdf
IXDD604D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Supply voltage: 4.5...35V
Case: DFN8
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of output: non-inverting
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.24 грн
12+77.74 грн
32+74.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1016NTR CPC1016N.pdf
CPC1016NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.100VAC
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Max. operating current: 0.1A
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Turn-off time: 1ms
Turn-on time: 2ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 16Ω
Case: SOP4
Mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-22N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-22N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 9.18kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10118.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-18N1 MDD312-18N1.pdf
MDD312-18N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 10.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-16N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-16N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 9.18kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD312-12N1 MDD312-12N1-DTE.pdf
MDD312-12N1
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 310A; Y1-CU; Ufmax: 1.03V
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 310A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 9.18kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-18io1 MCD312-18IO1-DTE.pdf
MCD312-18io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 320A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 9.6kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD312-14io1 MCD312-14io1.pdf
MCD312-14io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 320A; Y1-CU; Ufmax: 1.06V; screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. load current: 520A
Max. forward voltage: 1.06V
Load current: 320A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 9.6kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]