Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18217) > Сторінка 291 з 304

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA140N12T2 IXTA140N12T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Gate charge: 174nC
Reverse recovery time: 65ns
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 577W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.33 грн
3+288.00 грн
4+251.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X101-06A DSEI2X101-06A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04A8FCC4F92F1A6F5005056AB5A8F&compId=DSEI2x101-06A.pdf?ci_sign=09b084b06228819067d2329633b0aef8070e24cb Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 96Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 96A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2274.44 грн
2+1996.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-06A DSEI12-06A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E269244771F7DAF1A303005056AB0C4F&compId=DSEI12-06A.pdf?ci_sign=1a0272622fb5d81809dede3e61b8d2bfcae11f38 description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 14A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 62W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 14A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 62W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.15 грн
9+111.07 грн
24+104.73 грн
50+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC DSA15IM200UC IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991C8FD8A880F38BF&compId=DSA15IM200UC.pdf?ci_sign=056317a4f5de6751e61974d806a68417d45989a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 200V; 15A; reel,tape; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.78V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.33 грн
5+85.69 грн
14+68.23 грн
38+64.26 грн
500+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG20C300PN DPG20C300PN IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG20C300PN-Datasheet?assetguid=81A91808-9E32-4874-B0CD-3B7F01F1EA7E Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 140A; TO220FP; 35W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 35W
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 300V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.87 грн
10+98.38 грн
11+88.86 грн
29+84.10 грн
250+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG20C300PB DPG20C300PB IXYS DPG20C300PB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 140A; TO220AB; 65W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 65W
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 300V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.43 грн
9+111.07 грн
24+105.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI IXDN602PI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.55 грн
10+65.06 грн
16+58.71 грн
44+55.54 грн
100+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA IXDN602SIA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.55 грн
10+61.88 грн
17+57.12 грн
46+53.95 грн
100+53.16 грн
300+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965G CPC1965G IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A44BA23226F8BF&compId=CPC1965G.pdf?ci_sign=3a2396cdfa67a4109f17be1dd9e9ffa31f3979f0 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Max. operating current: 1A
Body dimensions: 19.2x7.62x3.3mm
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 260V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP4
Switching method: zero voltage switching
Mounting: THT
Type of relay: solid state
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.40 грн
5+224.53 грн
12+211.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MEK300-06DA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A5A417959964C0E2&compId=MEx300-06DA.pdf?ci_sign=0556e9583efd8b38c39b9e2bb9f3f3b9775ec323 Category: Diode modules
Description: Module: diode; common cathode; 600V; If: 304A; Y4-M6; Ufmax: 1.19V
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Case: Y4-M6
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.19V
Load current: 304A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 2.4kA
Semiconductor structure: common cathode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5198.24 грн
6+4748.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2330N CPC2330N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891AC0C7&compId=CPC2330N.pdf?ci_sign=029ea682cdcd4f7973c59961ae0fa6d8e53884ee Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Case: SO8
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 1.5kV
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.46 грн
8+124.56 грн
21+118.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.31 грн
6+176.92 грн
15+167.40 грн
100+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-18io1 MCD162-18io1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A7A01F68DDF93E27&compId=MCD162-18IO1-DTE.pdf?ci_sign=455e3bcba99267b8d353287e50d54a847388ebe6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.88V
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Max. forward impulse current: 6kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4736.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD2401 PD2401 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49527A98480C7&compId=PD2401.pdf?ci_sign=a60ef1f1aa10789c66a0d571757966686af45183 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.500VAC; 1-phase
Mounting: THT
Case: DIP4
Switching method: zero voltage switching
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 500V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.48 грн
3+360.99 грн
8+341.95 грн
25+341.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.21 грн
5+188.82 грн
14+178.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+375.94 грн
5+218.97 грн
12+207.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+373.38 грн
4+238.01 грн
11+225.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX110N20L2 IXTX110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604D2TR IXDD604D2TR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.00 грн
10+91.24 грн
12+82.51 грн
31+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI604SIA IXDI604SIA IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.00 грн
10+91.24 грн
12+83.31 грн
25+82.51 грн
31+78.54 грн
100+76.16 грн
200+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120P IXFH12N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC077820&compId=IXFH12N120P.pdf?ci_sign=03e4ff54b9f94353d29ae1889cf223edf7d7b9d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1175.67 грн
2+879.07 грн
3+830.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X101-04A DSEP2X101-04A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BA953BFBDF922143&compId=DSEP2X101-04A.pdf?ci_sign=594b348ef84af72be8b50caeb80a2a4f9bfe9466 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 100A x2
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.73V
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2801.62 грн
10+2589.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114NTR CPC1114NTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49250A75FE0C7&compId=CPC1114N.pdf?ci_sign=36ecf46fb10f7b97fccf3227e429fc88dfec2307 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2 IXTH16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Reverse recovery time: 440ns
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH47N60C IXKH47N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TRR IXYS Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; reel,tape; 185W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE30-12A DSEE30-12A IXYS DSEE30-12A.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-3; 165W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 30ns
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 30A
Power dissipation: 165W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1265.38 грн
3+1110.74 грн
10+1067.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 125ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.34 грн
3+353.85 грн
8+334.81 грн
120+330.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.64 грн
3+342.74 грн
8+323.70 грн
120+317.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1726Y CPC1726Y IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4931BC75C80C7&compId=CPC1726.pdf?ci_sign=a53eb8bf498480b7b73e068027bb14401528e7ca Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1000mA; max.250VDC; THT; SIP4; OptoMOS; 0.75Ω
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 250V DC
Relay variant: current source
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 2.5kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 2ms
On-state resistance: 0.75Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.53 грн
5+199.93 грн
13+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB CLA100E1200KB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB0C3BE18465FA0D2&compId=CLA100E1200KB.pdf?ci_sign=8a6a9c1a38dc741ed9180f9f3b065cc6992c0b39 Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.76 грн
3+464.92 грн
6+439.53 грн
25+429.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 IXFK150N30P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1285.89 грн
3+1128.98 грн
25+1092.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1104.75 грн
2+817.18 грн
4+772.75 грн
25+742.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.47 грн
4+277.68 грн
10+262.61 грн
50+260.23 грн
100+253.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA140PD1600TB MCMA140PD1600TB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BD80B7921B0CE0C4&compId=MCMA140PD1600TB.pdf?ci_sign=c6eeb5142d57bdd4750d35a87b20279a22ab7570 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB868934A0DC0DC&compId=PCN210930_TO240%20screw.pdf?ci_sign=fc1deaeffb9c0a234ca205e9ee1ec78950839dc9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB852A8E14A40DC&compId=PCN210915_TO240%20screw.pdf?ci_sign=1f8f5638dbc52f8c352e3e79d6ce5b26fd81478d Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Case: TO240AA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 140A
Max. load current: 220A
Max. forward impulse current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2564.09 грн
6+2289.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
On-state resistance: 1Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.20 грн
4+295.14 грн
9+279.27 грн
50+273.72 грн
100+268.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+839.89 грн
2+533.95 грн
5+504.59 грн
120+485.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7DFB6358BD820&compId=IXXH80N65B4D1.pdf?ci_sign=5b6961bb362942b072eeea4395a0b19d8d0c5341 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 222ns
Turn-on time: 125ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA3648FD9178BF&compId=IXXH80N65B4H1.pdf?ci_sign=a2c8e0ac4e56ecc4129b580ddf983a551d75c6ef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 123ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.00 грн
5+186.44 грн
14+176.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: Polar™
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.69 грн
3+192.00 грн
7+153.12 грн
17+145.19 грн
250+142.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50P IXTA12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P IXFP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+396.45 грн
5+198.35 грн
13+188.03 грн
100+180.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.80 грн
5+189.62 грн
14+179.30 грн
50+173.75 грн
100+172.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3 IXFA16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.16 грн
7+133.29 грн
20+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P IXTQ16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P IXFH16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P IXFA16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3 IXFH16N50P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P IXTA16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD72-08io8B MCD72-08io8B IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BCFF9E05F5C880C4&compId=MCD72-08io8B.pdf?ci_sign=866106dbdcc74352da58c97a5f01fcb2bd1c4ad7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB868934A0DC0DC&compId=PCN210930_TO240%20screw.pdf?ci_sign=fc1deaeffb9c0a234ca205e9ee1ec78950839dc9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB852A8E14A40DC&compId=PCN210915_TO240%20screw.pdf?ci_sign=1f8f5638dbc52f8c352e3e79d6ce5b26fd81478d Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 85A; TO240AA; Ufmax: 1.34V; bulk
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 85A
Semiconductor structure: double series
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.34V
Max. load current: 133A
Max. forward impulse current: 1.7kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.85V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2072.80 грн
2+1820.02 грн
3+1819.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 IXTH60N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630CI IXDN630CI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D875D8EAC1A78BF&compId=IXD_630.pdf?ci_sign=6691b6fa21018ff2c79d3fb6449ba0909ac8793c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 135ns
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.37 грн
2+497.45 грн
6+469.68 грн
25+462.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630MYI IXDN630MYI IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D875D8EAC1A78BF&compId=IXD_630.pdf?ci_sign=6691b6fa21018ff2c79d3fb6449ba0909ac8793c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 9÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.95 грн
2+497.45 грн
6+469.68 грн
10+465.72 грн
25+451.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA140N12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba
IXTA140N12T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Gate charge: 174nC
Reverse recovery time: 65ns
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 577W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.33 грн
3+288.00 грн
4+251.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI2X101-06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04A8FCC4F92F1A6F5005056AB5A8F&compId=DSEI2x101-06A.pdf?ci_sign=09b084b06228819067d2329633b0aef8070e24cb
DSEI2X101-06A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 96Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 96A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2274.44 грн
2+1996.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI12-06A description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E269244771F7DAF1A303005056AB0C4F&compId=DSEI12-06A.pdf?ci_sign=1a0272622fb5d81809dede3e61b8d2bfcae11f38
DSEI12-06A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 14A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 62W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 14A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 62W
Technology: FRED
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.15 грн
9+111.07 грн
24+104.73 грн
50+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991C8FD8A880F38BF&compId=DSA15IM200UC.pdf?ci_sign=056317a4f5de6751e61974d806a68417d45989a7
DSA15IM200UC
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 200V; 15A; reel,tape; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.78V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.33 грн
5+85.69 грн
14+68.23 грн
38+64.26 грн
500+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG20C300PN Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG20C300PN-Datasheet?assetguid=81A91808-9E32-4874-B0CD-3B7F01F1EA7E
DPG20C300PN
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 140A; TO220FP; 35W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 35W
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 300V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.87 грн
10+98.38 грн
11+88.86 грн
29+84.10 грн
250+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DPG20C300PB DPG20C300PB.pdf
DPG20C300PB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 10Ax2; tube; Ifsm: 140A; TO220AB; 65W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 65W
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 140A
Load current: 10A x2
Max. off-state voltage: 300V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.43 грн
9+111.07 грн
24+105.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602PI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4
IXDN602PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.55 грн
10+65.06 грн
16+58.71 грн
44+55.54 грн
100+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN602SIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8766598F5858BF&compId=IXD_602.pdf?ci_sign=3e191a16a6efe3cbc7e087c32c0894f7463b8ad4
IXDN602SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 4.5÷35V
Number of channels: 2
Output current: -2...2A
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 93ns
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.55 грн
10+61.88 грн
17+57.12 грн
46+53.95 грн
100+53.16 грн
300+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1965G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A44BA23226F8BF&compId=CPC1965G.pdf?ci_sign=3a2396cdfa67a4109f17be1dd9e9ffa31f3979f0
CPC1965G
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.260VAC; 1-phase
Operating temperature: -40...85°C
Max. operating current: 1A
Body dimensions: 19.2x7.62x3.3mm
Control current max.: 100mA
Switched voltage: max. 260V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
Case: DIP4
Switching method: zero voltage switching
Mounting: THT
Type of relay: solid state
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.40 грн
5+224.53 грн
12+211.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MEK300-06DA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A5A417959964C0E2&compId=MEx300-06DA.pdf?ci_sign=0556e9583efd8b38c39b9e2bb9f3f3b9775ec323
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; common cathode; 600V; If: 304A; Y4-M6; Ufmax: 1.19V
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Case: Y4-M6
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.19V
Load current: 304A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 2.4kA
Semiconductor structure: common cathode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5198.24 грн
6+4748.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2330N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891AC0C7&compId=CPC2330N.pdf?ci_sign=029ea682cdcd4f7973c59961ae0fa6d8e53884ee
CPC2330N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO + SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 120mA
Case: SO8
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 30Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Insulation voltage: 1.5kV
Manufacturer series: OptoMOS
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.46 грн
8+124.56 грн
21+118.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6
IXTP450P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+350.31 грн
6+176.92 грн
15+167.40 грн
100+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCD162-18io1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A7A01F68DDF93E27&compId=MCD162-18IO1-DTE.pdf?ci_sign=455e3bcba99267b8d353287e50d54a847388ebe6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB87B287EDE20DC&compId=PCN241015_Y4-M6%20screw.pdf?ci_sign=38ad13cc2fd32f04493442be66d282dffeb86793
MCD162-18io1
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 181A; Y4-M6; Ufmax: 1.03V; Ifsm: 6kA
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.88V
Max. forward voltage: 1.03V
Load current: 181A
Max. load current: 300A
Max. forward impulse current: 6kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4736.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD2401 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49527A98480C7&compId=PD2401.pdf?ci_sign=a60ef1f1aa10789c66a0d571757966686af45183
PD2401
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.500VAC; 1-phase
Mounting: THT
Case: DIP4
Switching method: zero voltage switching
Type of relay: solid state
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 500V AC
Relay variant: 1-phase
Insulation voltage: 3.75kV
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.48 грн
3+360.99 грн
8+341.95 грн
25+341.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.21 грн
5+188.82 грн
14+178.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTQ50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.94 грн
5+218.97 грн
12+207.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+373.38 грн
4+238.01 грн
11+225.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434
IXTP50N20PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b
IXTX110N20L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDD604D2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327
IXDD604D2TR
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DFN8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DFN8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.00 грн
10+91.24 грн
12+82.51 грн
31+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI604SIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF23FE769DD55EA&compId=IXDD604PI.pdf?ci_sign=ec27755554a44cc83c0b7faa400454990cec8327
IXDI604SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...35V
Kind of output: inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.00 грн
10+91.24 грн
12+83.31 грн
25+82.51 грн
31+78.54 грн
100+76.16 грн
200+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC077820&compId=IXFH12N120P.pdf?ci_sign=03e4ff54b9f94353d29ae1889cf223edf7d7b9d6
IXFH12N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1175.67 грн
2+879.07 грн
3+830.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP2X101-04A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BA953BFBDF922143&compId=DSEP2X101-04A.pdf?ci_sign=594b348ef84af72be8b50caeb80a2a4f9bfe9466
DSEP2X101-04A
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 100A x2
Max. forward impulse current: 1kA
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.73V
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2801.62 грн
10+2589.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1114NTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49250A75FE0C7&compId=CPC1114N.pdf?ci_sign=36ecf46fb10f7b97fccf3227e429fc88dfec2307
CPC1114NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 400mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.4A
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMT
Case: SOP4
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTH16N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTH16P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Reverse recovery time: 440ns
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 720mΩ
Power dissipation: 460W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH47N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7
IXKH47N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA120X200LB-TRR
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SMD; 200V; 65Ax2; reel,tape; 185W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMPD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 65A x2
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 700A
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE30-12A DSEE30-12A.PDF
DSEE30-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-3; 165W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 30ns
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 30A
Power dissipation: 165W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1265.38 грн
3+1110.74 грн
10+1067.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 125ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.34 грн
3+353.85 грн
8+334.81 грн
120+330.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH110N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC01F820&compId=IXFH110N10P.pdf?ci_sign=2692b409156b87ba36b15cc212f6c4d34cf32b38
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.64 грн
3+342.74 грн
8+323.70 грн
120+317.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1726Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B4931BC75C80C7&compId=CPC1726.pdf?ci_sign=a53eb8bf498480b7b73e068027bb14401528e7ca
CPC1726Y
Виробник: IXYS
Category: DC Solid State Relays
Description: Relay: solid state; 1000mA; max.250VDC; THT; SIP4; OptoMOS; 0.75Ω
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 250V DC
Relay variant: current source
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Insulation voltage: 2.5kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-off time: 2ms
On-state resistance: 0.75Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Manufacturer series: OptoMOS
Turn-on time: 5ms
Kind of output: MOSFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.53 грн
5+199.93 грн
13+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA100E1200KB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB0C3BE18465FA0D2&compId=CLA100E1200KB.pdf?ci_sign=8a6a9c1a38dc741ed9180f9f3b065cc6992c0b39
CLA100E1200KB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 160A; 100A; Igt: 80mA; TO264; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 160A
Load current: 100A
Gate current: 80mA
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 1.19kA
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.76 грн
3+464.92 грн
6+439.53 грн
25+429.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D336DC7D7F5820&compId=IXFK(X)150N30P3.pdf?ci_sign=e1cc3cf21ad8db90ded334fd7d3c224869e18e9c
IXFK150N30P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1285.89 грн
3+1128.98 грн
25+1092.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817
IXTK180N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1104.75 грн
2+817.18 грн
4+772.75 грн
25+742.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.47 грн
4+277.68 грн
10+262.61 грн
50+260.23 грн
100+253.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA140PD1600TB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BD80B7921B0CE0C4&compId=MCMA140PD1600TB.pdf?ci_sign=c6eeb5142d57bdd4750d35a87b20279a22ab7570 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB868934A0DC0DC&compId=PCN210930_TO240%20screw.pdf?ci_sign=fc1deaeffb9c0a234ca205e9ee1ec78950839dc9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB852A8E14A40DC&compId=PCN210915_TO240%20screw.pdf?ci_sign=1f8f5638dbc52f8c352e3e79d6ce5b26fd81478d
MCMA140PD1600TB
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; TO240AA; Ufmax: 1.28V; bulk
Case: TO240AA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward voltage: 1.28V
Load current: 140A
Max. load current: 220A
Max. forward impulse current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2564.09 грн
6+2289.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTP10P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
On-state resistance: 1Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.20 грн
4+295.14 грн
9+279.27 грн
50+273.72 грн
100+268.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108
IXTH90P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.89 грн
2+533.95 грн
5+504.59 грн
120+485.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7DFB6358BD820&compId=IXXH80N65B4D1.pdf?ci_sign=5b6961bb362942b072eeea4395a0b19d8d0c5341
IXXH80N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 222ns
Turn-on time: 125ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA3648FD9178BF&compId=IXXH80N65B4H1.pdf?ci_sign=a2c8e0ac4e56ecc4129b580ddf983a551d75c6ef
IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 123ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7AEFCAC3138BF&compId=IXF_12N50P.pdf?ci_sign=3dd36ef8468ec34dac25b7833e04dbc62f9852a3
IXFA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.00 грн
5+186.44 грн
14+176.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: Polar™
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.69 грн
3+192.00 грн
7+153.12 грн
17+145.19 грн
250+142.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTA12N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.45 грн
5+198.35 грн
13+188.03 грн
100+180.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTP16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.80 грн
5+189.62 грн
14+179.30 грн
50+173.75 грн
100+172.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFA16N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.16 грн
7+133.29 грн
20+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTT16N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTQ16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFH16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA6DD3183E58BF&compId=IXF_16N50P.pdf?ci_sign=2631c8f6dc7ac34e6e7b7c4e413dbe89b86fe7d7
IXFA16N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH16N50P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CED3DAD721478BF&compId=IXF_16N50P3.pdf?ci_sign=3cf1dcbda0c3debe79a98653f51f690525bb49da
IXFH16N50P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTA16N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCD72-08io8B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BCFF9E05F5C880C4&compId=MCD72-08io8B.pdf?ci_sign=866106dbdcc74352da58c97a5f01fcb2bd1c4ad7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB868934A0DC0DC&compId=PCN210930_TO240%20screw.pdf?ci_sign=fc1deaeffb9c0a234ca205e9ee1ec78950839dc9 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBEB852A8E14A40DC&compId=PCN210915_TO240%20screw.pdf?ci_sign=1f8f5638dbc52f8c352e3e79d6ce5b26fd81478d
MCD72-08io8B
Виробник: IXYS
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 85A; TO240AA; Ufmax: 1.34V; bulk
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 85A
Semiconductor structure: double series
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.34V
Max. load current: 133A
Max. forward impulse current: 1.7kA
Kind of package: bulk
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Gate current: 150/200mA
Threshold on-voltage: 0.85V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2072.80 грн
2+1820.02 грн
3+1819.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH60N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442
IXTH60N20L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E678466B5B8BF&compId=IXT_10P60.pdf?ci_sign=1f66270f133ab710d995425d2a54122a9b741bbc
IXTH10P60
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e
IXTH26N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630CI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D875D8EAC1A78BF&compId=IXD_630.pdf?ci_sign=6691b6fa21018ff2c79d3fb6449ba0909ac8793c
IXDN630CI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO220-5; -30÷30A; Ch: 1; 12.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: TO220-5
Output current: -30...30A
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 12.5...35V
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 135ns
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+643.37 грн
2+497.45 грн
6+469.68 грн
25+462.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN630MYI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D875D8EAC1A78BF&compId=IXD_630.pdf?ci_sign=6691b6fa21018ff2c79d3fb6449ba0909ac8793c
IXDN630MYI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; TO263-5; -30÷30A; Ch: 1; 9÷35V
Type of integrated circuit: driver
Output current: -30...30A
Case: TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...35V
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Kind of output: non-inverting
Turn-off time: 135ns
Turn-on time: 135ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.95 грн
2+497.45 грн
6+469.68 грн
10+465.72 грн
25+451.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]