НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCH-11/06.2330PRO POWERDescription: PRO POWER - FCH-11/06.2330 - HF-/Koaxialsteckverbinder, F-Koaxial, Gerader Stecker, Twist-On, 75 ohm
Steckverbindertyp: 0
Steckverbinderausführung: Gerader Stecker
Koaxialanschluss: Twist-On
Impedanz: 75
Steckverbindermontage: Kabelmontage
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
FCH-FGC00182ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC00182R - Kanalheizung, Produktreihe FCH-FGC0, 70°C, 24V, 20W, Gehäuseheizung und Heizlüfter
Versorgungsspannung: 24
Temperatur der ausströmenden Luft, max.: 70
Durchflussrate, max.: 5.1
Mantelmaterial: -
Stromverbrauch: 20
Wattdichte: -
Einlass NPT: -
Beheizte Länge - metrisch: -
Phasen: -
Beheizte Länge - imperial: -
Auslass NPT: -
Anzahl der Heizelemente: -
Außendurchmesser: -
Produktpalette: FCH-FGC0 Series
Kanalheizung: Gehäuseheizung und Heizlüfter
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC05032ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC05032R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC05242ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC05242R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC10022ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC10022R - Heizlüfter, 60 W, 12 V, 8 cu.ft/min, 42 mm, 42 mm, 72 mm
Luftdurchsatz: 8
Nennleistung: 60
Netzsteckertyp: -
Versorgungsspannung: 12
Außentiefe: 72
Außenhöhe: 42
Außenbreite: 42
Produktpalette: FCH-FGC1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC10262ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC10262R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC10312ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC10312R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC15012ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC15012R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC15022ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC15022R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC15142ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC15142R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH-FGC20022ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC20022R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH0100STARRETTDescription: STARRETT - FCH0100 - Lochsäge, Bimetall, 25mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 25mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.61 грн
FCH0112STARRETTDescription: STARRETT - FCH0112 - Lochsäge, Bimetall, 38mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 38mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1336.83 грн
FCH0114STARRETTDescription: STARRETT - FCH0114 - Lochsäge, Bimetall, 32mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 32mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.08 грн
FCH0134STARRETTDescription: STARRETT - FCH0134 - Lochsäge, Bimetall, 44mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 44mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.12 грн
FCH0158STARRETTDescription: STARRETT - FCH0158 - Lochsäge, Bimetall, 41mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 41mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1478.17 грн
FCH0196STARRETTDescription: STARRETT - FCH0196 - Lochsäge, Bimetall, 40mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 40mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1467.87 грн
FCH0200STARRETTDescription: STARRETT - FCH0200 - Lochsäge, Bimetall, 51mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 51mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.12 грн
FCH0212STARRETTDescription: STARRETT - FCH0212 - Lochsäge, Bimetall, 64mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 64mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1760.85 грн
FCH0234STARRETTDescription: STARRETT - FCH0234 - Lochsäge, Bimetall, 70mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 70mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1805.02 грн
FCH0238STARRETTDescription: STARRETT - FCH0238 - Lochsäge, Bimetall, 60mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 60mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1750.54 грн
FCH023N65S3onsemionsemi SF3 650V 23MOHM E TO247L
товар відсутній
FCH023N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1471.55 грн
5+ 1375.85 грн
10+ 1280.15 грн
50+ 1145.65 грн
100+ 1017.77 грн
250+ 979.28 грн
FCH023N65S3-F155
Код товару: 160087
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 23 mOhm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
1+1516.63 грн
10+ 1328.18 грн
60+ 1009.92 грн
270+ 866.86 грн
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
на замовлення 10259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.08 грн
30+ 1103.08 грн
120+ 1034.14 грн
510+ 828.16 грн
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3L4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3L4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH023N65S3L4onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
товар відсутній
FCH023N65S3L4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH023N65S3L4ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.85 грн
5+ 1032.07 грн
FCH023N65S3L4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3L4onsemi / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
на замовлення 695 шт:
термін постачання 605-614 дні (днів)
1+1609.26 грн
10+ 1463.27 грн
30+ 1252.72 грн
60+ 1221.88 грн
120+ 1086.04 грн
510+ 986.29 грн
FCH023N65S3L4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3L4ON Semiconductor
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH0278STARRETTDescription: STARRETT - FCH0278 - Lochsäge, Bimetall, 73mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 73mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1844.77 грн
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
товар відсутній
FCH029N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH029N65S3-F155onsemiMOSFET SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1714.15 грн
10+ 1513.83 грн
30+ 1268.47 грн
60+ 1221.88 грн
120+ 1173.32 грн
510+ 921.99 грн
1020+ 902.3 грн
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
товар відсутній
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1263.75 грн
10+ 1171.08 грн
25+ 977.58 грн
100+ 933.21 грн
FCH029N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1318.43 грн
5+ 1228.62 грн
10+ 1138.07 грн
50+ 1018.5 грн
100+ 902.3 грн
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
товар відсутній
FCH029N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH029N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 201 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 400 V
товар відсутній
FCH0300STARRETTDescription: STARRETT - FCH0300 - Lochsäge, Bimetall, 76mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 76mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1880.84 грн
FCH0314STARRETTDescription: STARRETT - FCH0314 - Lochsäge, Bimetall, 83mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 83mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1989.05 грн
FCH0318STARRETTDescription: STARRETT - FCH0318 - Lochsäge, Bimetall, 79mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 79mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1916.91 грн
FCH0400STARRETTDescription: STARRETT - FCH0400 - Lochsäge, Bimetall, 102mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 102mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2555.15 грн
FCH040N65S3onsemionsemi SF3 650V 40MOHM E TO247L
товар відсутній
FCH040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH040N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+876.6 грн
10+ 761.44 грн
30+ 659.5 грн
60+ 572.22 грн
120+ 571.57 грн
270+ 519.07 грн
510+ 496.76 грн
FCH040N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.1 грн
30+ 629.08 грн
120+ 592.07 грн
510+ 503.54 грн
1020+ 461.87 грн
FCH040N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH040N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 417
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0354
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCH040N65S3-F155ON Semiconductor
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH040N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH0412STARRETTDescription: STARRETT - FCH0412 - Lochsäge, Bimetall, 114mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 114mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3735.92 грн
FCH0418STARRETTDescription: STARRETT - FCH0418 - Lochsäge, Bimetall, 105mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 105mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2672.19 грн
FCH041N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Pulsed drain current: 231A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH041N60Eonsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600V, 77A, 41mO
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.33 грн
10+ 781.82 грн
30+ 661.47 грн
60+ 624.72 грн
120+ 588.63 грн
270+ 569.6 грн
510+ 532.85 грн
FCH041N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 592W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 100 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+829.11 грн
30+ 646.6 грн
120+ 608.57 грн
FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Pulsed drain current: 231A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60EON Semiconductor
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60FON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60FONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.66 грн
5+ 828.9 грн
10+ 750.13 грн
50+ 639.81 грн
100+ 563.46 грн
250+ 548.95 грн
FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60F
Код товару: 194305
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FCH041N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH041N60Fonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.26 грн
30+ 658.05 грн
120+ 540.07 грн
270+ 488.88 грн
FCH041N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14365 pF @ 100 V
на замовлення 11157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+829.82 грн
30+ 646.72 грн
120+ 608.66 грн
510+ 517.66 грн
1020+ 474.82 грн
FCH041N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH041N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET Auto SuperFET2 600V 41mOhm, 76A, FRFET
товар відсутній
FCH041N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 347 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.93 грн
30+ 704.36 грн
120+ 662.93 грн
510+ 563.81 грн
1020+ 517.15 грн
FCH041N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65EF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+828.9 грн
Мінімальне замовлення: 43
FCH041N65EFonsemionsemi SF2 650V 44MOHM F TO247L
товар відсутній
FCH041N65EFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+539.74 грн
Мінімальне замовлення: 36
FCH041N65EF-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1007.99 грн
10+ 892.32 грн
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1044.18 грн
12+ 967.72 грн
30+ 829.67 грн
120+ 718.12 грн
510+ 613.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
FCH041N65EF-F155onsemi / FairchildMOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+973.83 грн
10+ 843.7 грн
30+ 717.25 грн
60+ 639.81 грн
120+ 632.59 грн
270+ 580.1 грн
510+ 566.97 грн
FCH041N65EF-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.15 грн
10+ 755.61 грн
100+ 653.5 грн
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.86 грн
5+ 788.41 грн
10+ 705.96 грн
50+ 622.04 грн
100+ 543.27 грн
250+ 520.56 грн
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EF-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
товар відсутній
FCH041N65EF-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+969.59 грн
10+ 898.6 грн
30+ 770.41 грн
120+ 666.82 грн
510+ 569.82 грн
FCH041N65EFL4onsemi / FairchildMOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1083.31 грн
10+ 981.8 грн
120+ 721.18 грн
510+ 603.72 грн
1020+ 562.38 грн
2520+ 557.78 грн
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFL4onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH041N65EFL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65EFL4 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1009.25 грн
Мінімальне замовлення: 35
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCH041N65EFL4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
товар відсутній
FCH041N65EFL4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFL4Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+657.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.04 грн
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFLN4ON SemiconductorMOSFET SF2 650V 44MOHM F TO2474L NARROW LEAD
товар відсутній
FCH041N65EFLN4onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH041N65Fonsemionsemi SF2 650V 44MOHM F TO247L
товар відсутній
FCH041N65FFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+539.74 грн
Мінімальне замовлення: 36
FCH041N65FONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65F - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+828.9 грн
Мінімальне замовлення: 43
FCH041N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
товар відсутній
FCH041N65F-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13566 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+617.39 грн
Мінімальне замовлення: 32
FCH041N65F-F085ON SemiconductorFCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH041N65F-F085ON Semiconductor
на замовлення 9884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH041N65F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65F-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+947.41 грн
Мінімальне замовлення: 37
FCH041N65F-F085ON SemiconductorFCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH041N65F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65F-F085onsemi / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 1000-1009 дні (днів)
1+996.79 грн
10+ 865.58 грн
30+ 725.78 грн
60+ 692.31 грн
120+ 638.5 грн
270+ 611.59 грн
510+ 572.88 грн
FCH041N65F-F085ON SemiconductorFCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH041N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FCH041N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65F-F155ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET2 650V, 44 mOhm, FRFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCH041N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
товар відсутній
FCH041N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13020 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH041N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH0438STARRETTDescription: STARRETT - FCH0438 - Lochsäge, Bimetall, 111mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 111mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3630.65 грн
FCH043N60onsemi / FairchildMOSFET SF2 600V 43MOHM F TO247
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1205.8 грн
10+ 1031.61 грн
100+ 792.71 грн
450+ 673.28 грн
900+ 654.9 грн
2700+ 643.75 грн
5400+ 641.12 грн
FCH043N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47.5A; Idm: 225A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47.5A
Pulsed drain current: 225A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH043N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 592W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12225 pF @ 400 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+730.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
FCH043N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH043N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.48 грн
5+ 1187.4 грн
10+ 1112.31 грн
50+ 972.02 грн
100+ 840.46 грн
250+ 747.08 грн
FCH043N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47.5A; Idm: 225A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47.5A
Pulsed drain current: 225A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH043N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH043N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH0500STARRETTDescription: STARRETT - FCH0500 - Lochsäge, Bimetall, 127mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 127mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4418.32 грн
FCH05A10NIHON09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH0600STARRETTDescription: STARRETT - FCH0600 - Lochsäge, Bimetall, 152mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 152mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5685.96 грн
FCH060N80-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCH060N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 36.8A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH060N80-F155
Код товару: 158569
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FCH060N80-F155ON Semiconductor
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH060N80-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 800V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1231.83 грн
10+ 1068.58 грн
30+ 905.58 грн
60+ 866.21 грн
120+ 795.99 грн
270+ 752.03 грн
510+ 727.75 грн
FCH060N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 36.8A
Pulsed drain current: 174A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH060N80-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14685 pF @ 100 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1122.27 грн
10+ 952.4 грн
450+ 746.5 грн
FCH060N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH067N65S3onsemionsemi SF3 650V 67MOHM E TO247L
товар відсутній
FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH067N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+452.15 грн
27+ 425.68 грн
30+ 410.21 грн
Мінімальне замовлення: 26
FCH067N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.61 грн
30+ 487.99 грн
120+ 436.64 грн
510+ 361.56 грн
FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH067N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.34 грн
5+ 694.18 грн
10+ 636.03 грн
50+ 540.01 грн
100+ 451.15 грн
250+ 442.32 грн
FCH067N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH067N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.75 грн
10+ 470.9 грн
30+ 364.2 грн
120+ 361.58 грн
270+ 341.89 грн
510+ 328.11 грн
1020+ 322.2 грн
FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.86 грн
10+ 395.28 грн
30+ 380.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH06A10NIEC09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH070N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH070N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 380 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+648.09 грн
30+ 498.04 грн
120+ 445.62 грн
FCH070N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH070N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCH070N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 481
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 481
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCH070N60Eonsemi / FairchildMOSFET SF2 600V 72MOHM E TO247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.1 грн
10+ 671.64 грн
120+ 482.98 грн
510+ 381.92 грн
1020+ 341.89 грн
2520+ 336.64 грн
5010+ 332.7 грн
FCH070N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH070N60EONSEMIFCH070N60E THT N channel transistors
товар відсутній
FCH072N60onsemi / FairchildMOSFET SF2 600V 72MOHM F TO247
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+646.16 грн
10+ 545.61 грн
30+ 362.23 грн
120+ 309.08 грн
270+ 299.24 грн
FCH072N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH072N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH072N60ON Semiconductor
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH072N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 380 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.73 грн
10+ 515.88 грн
FCH072N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH072N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH072N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8660 pF @ 100 V
на замовлення 70452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.79 грн
30+ 447.75 грн
120+ 400.63 грн
510+ 331.74 грн
1020+ 298.57 грн
2010+ 279.77 грн
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH072N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+705.53 грн
18+ 638.15 грн
120+ 528.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
FCH072N60Fonsemi / FairchildMOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.84 грн
10+ 516.18 грн
30+ 380.61 грн
120+ 366.17 грн
270+ 330.08 грн
510+ 322.86 грн
FCH072N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.13 грн
10+ 592.57 грн
120+ 490.64 грн
FCH072N60FONSEMIDescription: ONSEMI - FCH072N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.35 грн
10+ 546.22 грн
25+ 493.21 грн
100+ 408.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH072N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH072N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH072N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCH072N60F-F085ON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH072N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FCH072N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH077N65F-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+435.23 грн
Мінімальне замовлення: 46
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH077N65F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+723.34 грн
30+ 556.08 грн
120+ 497.53 грн
510+ 411.98 грн
FCH077N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH077N65F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH077N65F-F085 - FCH077N65F-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+421.07 грн
Мінімальне замовлення: 148
FCH077N65F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH077N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH077N65F-F085onsemi / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 271-280 дні (днів)
1+741.09 грн
10+ 649.75 грн
30+ 465.26 грн
120+ 448.85 грн
270+ 401.61 грн
510+ 381.26 грн
1020+ 365.51 грн
FCH077N65F-F085ON Semiconductor
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.5 грн
10+ 610.25 грн
25+ 567.73 грн
50+ 453.02 грн
100+ 385.9 грн
FCH077N65F-F155ON Semiconductor
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH077N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH077N65F-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+599.96 грн
Мінімальне замовлення: 59
FCH077N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH077N65F-F155Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+395.9 грн
Мінімальне замовлення: 66
FCH077N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH077N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.59 грн
10+ 605.98 грн
30+ 482.32 грн
120+ 439.01 грн
270+ 413.42 грн
510+ 387.17 грн
1020+ 348.45 грн
FCH077N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.45 грн
30+ 506.86 грн
120+ 453.5 грн
FCH077N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.95 грн
10+ 762.77 грн
25+ 717.65 грн
50+ 628.13 грн
FCH085N80-F155ON Semiconductor
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH085N80-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH085N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 138A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH085N80-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10825 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH085N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 138A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH085N80-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 800V
товар відсутній
FCH08A10NIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH099N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH099N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V
товар відсутній
FCH099N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH099N60Eonsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V Slow version
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCH099N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH099N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.76 грн
10+ 425.62 грн
30+ 287.42 грн
120+ 240.18 грн
270+ 232.96 грн
FCH099N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH099N65S3-F155ON SemiconductorN-Channel SuperFET III MOSFET
товар відсутній
FCH099N65S3-F155ON Semiconductor
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH099N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.53 грн
30+ 356.16 грн
120+ 318.68 грн
FCH099N65S3_F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
товар відсутній
FCH104N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
товар відсутній
FCH104N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH104N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH104N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH104N60onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V Fast ver
товар відсутній
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH104N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH104N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH104N60Fonsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.2 грн
10+ 402.98 грн
30+ 254.61 грн
120+ 234.93 грн
270+ 227.71 грн
510+ 224.43 грн
1020+ 219.83 грн
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH104N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.27 грн
30+ 335.9 грн
120+ 300.54 грн
FCH104N60F
Код товару: 154661
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH104N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4302 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.39 грн
30+ 304.07 грн
FCH104N60F-F085
Код товару: 189067
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.16 грн
10+ 263.97 грн
30+ 235.26 грн
120+ 204.48 грн
270+ 186.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH104N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH104N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
FCH104N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.26 грн
10+ 363.74 грн
30+ 251.33 грн
120+ 209.99 грн
270+ 204.08 грн
1020+ 203.43 грн
2520+ 198.83 грн
FCH10A04NIEC09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH10A06NIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH10A10NIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH10A15NIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH10A15Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO-220 FULL MOLD
товар відсутній
FCH10A15KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOTT 150V TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
товар відсутній
FCH10A20Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO-220 FULL MOLD
товар відсутній
FCH10A20KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO-220 F
товар відсутній
FCH110N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.06 грн
30+ 379.79 грн
120+ 339.81 грн
FCH110N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH110N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH110N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH110N65F-F155ON Semiconductor
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH110N65F-F155Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+296.93 грн
Мінімальне замовлення: 69
FCH110N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
товар відсутній
FCH125N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.102Ω
товар відсутній
FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH125N60EFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+164.53 грн
Мінімальне замовлення: 120
FCH125N60Eonsemi / FairchildMOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
товар відсутній
FCH125N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.102Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH125N60EON Semiconductor
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH125N65S3R0-F155ON Semiconductor
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+133.12 грн
151+ 128.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCH125N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 181
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH125N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH125N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH125N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.27 грн
30+ 333.6 грн
120+ 285.95 грн
FCH125N65S3R0-F155onsemiMOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.13 грн
10+ 392.42 грн
30+ 290.05 грн
120+ 274.96 грн
270+ 265.11 грн
FCH130N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH130N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+168.46 грн
Мінімальне замовлення: 144
FCH130N60onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V, 130mohm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.43 грн
10+ 335.06 грн
25+ 274.96 грн
100+ 244.11 грн
FCH130N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH150N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.97 грн
30+ 320.16 грн
FCH150N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.46 грн
10+ 382.61 грн
30+ 301.2 грн
120+ 276.27 грн
270+ 226.4 грн
1020+ 213.93 грн
2520+ 209.99 грн
FCH150N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH150N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH150N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH150N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.06 грн
5+ 326.11 грн
10+ 270.16 грн
50+ 240.61 грн
100+ 212.64 грн
250+ 195.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH160808SF-1R0MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 1UH 0.08OHM 1700MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 1.7 A
товар відсутній
FCH160808SF-2R2MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 2.2UH 0.13OHM 1300MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 130mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 1.3 A
товар відсутній
FCH160808SF-4R7MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 4.7UH 0.2OHM 1000MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1 A
товар відсутній
FCH16252ABTP
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH165N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH165N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH165N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.07 грн
30+ 305.85 грн
120+ 262.17 грн
510+ 218.69 грн
1020+ 187.26 грн
2010+ 176.32 грн
FCH165N60Eonsemi / FairchildMOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.21 грн
10+ 364.5 грн
30+ 239.52 грн
120+ 221.8 грн
270+ 221.15 грн
510+ 189.65 грн
1020+ 183.74 грн
FCH165N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH165N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 47.5A
Power dissipation: 154W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH165N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.07 грн
10+ 324.14 грн
FCH165N65S3R0-F155onsemiMOSFET SF3 650V 165MOHM 19A
товар відсутній
FCH165N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH165N65S3R0-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+329.06 грн
Мінімальне замовлення: 109
FCH165N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 47.5A
Power dissipation: 154W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH165N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH170N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH170N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+317.28 грн
Мінімальне замовлення: 113
FCH170N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
товар відсутній
FCH170N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH170N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH170N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH170N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.87 грн
10+ 334.53 грн
100+ 274.09 грн
500+ 218.97 грн
1000+ 184.68 грн
2000+ 175.44 грн
FCH170N60onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V, 170mohm
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.81 грн
10+ 319.97 грн
120+ 227.05 грн
510+ 202.11 грн
1020+ 191.62 грн
2520+ 188.99 грн
5010+ 186.37 грн
FCH190N65Fonsemionsemi SF2 650V 190MOHM F TO247L
товар відсутній
FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH190N65F-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCH190N65F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товар відсутній
FCH190N65F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH190N65F-F155ON Semiconductor
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH190N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH190N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20.6
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCH190N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH190N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.99 грн
10+ 375.82 грн
30+ 247.39 грн
120+ 225.74 грн
270+ 209.33 грн
510+ 189.65 грн
FCH190N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 100 V
на замовлення 9415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.84 грн
10+ 334.53 грн
450+ 240.61 грн
1350+ 193.34 грн
2250+ 182.05 грн
FCH190N65F-F155
Код товару: 191730
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FCH2-A-C14PanduitCable Mounting & Accessories FOR 2 CABLE W/ADHSV
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.87 грн
10+ 182.63 грн
20+ 154.21 грн
50+ 149.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH2-A-C14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
товар відсутній
FCH2-A-C14Panduit CorpDescription: CABLE TIE HLDR SNGLE ADH GRAY
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 2.48" L x 1.03" W (63.0mm x 26.2mm)
Mounting Type: Screw, #6, Adhesive
Material: Nylon
Type: Single Opening
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.04 грн
10+ 165.15 грн
25+ 160.58 грн
50+ 146.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH2-A-C14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+140.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCH2-A-T14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
товар відсутній
FCH2-A-T14Panduit CorpDescription: CBL CLIP FLAT ADHESIVE FASTENER
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Adhesive, Fastener
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 2.480" (63.00mm)
Type: Clip, Flat
Width: 1.030" (26.16mm)
Adhesive: Rubber Based
Opening Size: 2.060" (52.32mm)
Type Attributes: Hinged, Top Lock
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.67 грн
10+ 113.4 грн
25+ 110.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH2-A-T14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
товар відсутній
FCH2-A-T14PanduitCable Mounting & Accessories 2 FLAT CABLE HOLDER
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCH2-S6-C14PANDUITDescription: PANDUIT - FCH2-S6-C14 - Befestigungselement, Flachbandkabelhalter, Schraubmontage, Nylon 6.6, grau, 26.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH2-S6-C14PanduitCable Mounting & Accessories Flat Cbl Holder Adh. 2 (50.8mm)W Ca
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FCH2-S6-C14Panduit CorpDescription: CABLE MNT #6 STACK TO .25"
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCH20A03LNIEC2001
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A06
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A10NIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A15Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers 150V 20A TO-220 FULL-MOLD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.63 грн
10+ 156.21 грн
100+ 108.93 грн
500+ 91.87 грн
1000+ 74.15 грн
2500+ 73.5 грн
5000+ 71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH20A15NIECTO-220AB
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A15KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOTT 150V TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH20A15NIEC09+
на замовлення 70018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A15KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCH20A15 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.86 грн
10+ 152.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCH20A15GNIHONTO220
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A20NIEC09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A20NIEC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20A20Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO-220 FULL MOLD
товар відсутній
FCH20A20KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO-220 F
товар відсутній
FCH20B06??TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20E10KYOCERA AVXSchottky Diodes & Rectifiers 100V 20A TO-220 FULL-MOLD
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.87 грн
10+ 124.52 грн
100+ 87.28 грн
500+ 71.53 грн
1000+ 57.48 грн
2500+ 57.42 грн
5000+ 56.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH20E10KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCH20E10 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 180A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 800mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -888
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.12 грн
10+ 87.6 грн
100+ 72.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
FCH20E10KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 100V 20A TO220 F
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.35 грн
10+ 109.16 грн
100+ 87.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH20N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+188.12 грн
Мінімальне замовлення: 105
FCH20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FCH20U10NIECTO-220AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20U10SHINDE
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH20U15
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH211SIEMENS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH22N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH22N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH22N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH22N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH22N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH22N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH22N60Nonsemi / FairchildMOSFET SUPREMOS 22A-TO247
товар відсутній
FCH252505T-V2AMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH252505T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 25 mm, 5 mm, 25 mm
tariffCode: 85479000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.2"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 25mm
Wärmewiderstand: 6W/m.K
Produktpalette: FCH Series
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 25mm
Außenbreite - Zoll: 0.98"
Außenlänge - imperial: 0.98"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+247.34 грн
10+ 170.78 грн
25+ 159.74 грн
50+ 139.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH25255TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH25255T - Kühlkörper, 25.4 mm, 5 mm, 25 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.2"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 25.4mm
Wärmewiderstand: -
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 25mm
Außenbreite - Zoll: 1"
Außenlänge - imperial: 1"
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.95 грн
10+ 136.92 грн
25+ 114.84 грн
50+ 100.48 грн
100+ 90.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCH2532STARRETTDescription: STARRETT - FCH2532 - Lochsäge, Bimetall, 20mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 20mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.88 грн
FCH25N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 216W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 108mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH25N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH25N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 216W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 108mΩ
товар відсутній
FCH25N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH25N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH25N60Nonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET SupreMOS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.37 грн
10+ 390.91 грн
25+ 300.55 грн
100+ 263.14 грн
250+ 249.36 грн
450+ 235.58 грн
900+ 208.68 грн
FCH25N60NFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
на замовлення 7298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+245.8 грн
Мінімальне замовлення: 80
FCH303005T-V2AMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH303005T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 30 mm, 5.25 mm, 30 mm
tariffCode: 85479000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 30mm
Wärmewiderstand: 6W/m.K
Produktpalette: FCH Series
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 30mm
Außenbreite - Zoll: 1.18"
Außenlänge - imperial: 1.18"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.8 грн
10+ 181.09 грн
25+ 169.31 грн
50+ 147.65 грн
100+ 112.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH30305TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH30305T - Kühlkörper, 999 °C/W, 30 mm, 5.25 mm, 30 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 30mm
Wärmewiderstand: 999°C/W
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 30mm
Außenbreite - Zoll: 1.18"
Außenlänge - imperial: 1.18"
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.35 грн
10+ 153.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCH303512TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH303512T - Kühlkörper, 30 mm, 12.25 mm, 35 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.48"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 12.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 30mm
Wärmewiderstand: -
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 35mm
Außenbreite - Zoll: 1.18"
Außenlänge - imperial: 1.38"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+250.29 грн
10+ 172.26 грн
25+ 161.21 грн
50+ 140.81 грн
100+ 107.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH30A03LNIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH30A04NITO-220 04+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH30A06NIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH30A06
Код товару: 46274
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FCH30A06NIECTO-220AB
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH30A10NIHON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH30A15
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH30AU10KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 100V 30A TO220 F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
товар відсутній
FCH30B15
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH3216-R10M
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH35N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.63 грн
10+ 378.83 грн
25+ 298.58 грн
100+ 274.96 грн
250+ 243.46 грн
450+ 230.99 грн
900+ 215.24 грн
FCH35N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
товар відсутній
FCH35N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.2A; Idm: 105A; 312.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.2A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH35N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
товар відсутній
FCH35N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH35N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.2A; Idm: 105A; 312.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.2A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH35N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH404005T-V2AMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH404005T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 40 mm, 5.25 mm, 40 mm
tariffCode: 85479000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 40mm
Wärmewiderstand: 6W/m.K
Produktpalette: FCH Series
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 40mm
Außenbreite - Zoll: 1.57"
Außenlänge - imperial: 1.57"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.56 грн
10+ 245.14 грн
25+ 215.69 грн
50+ 183.19 грн
100+ 152.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCH40405TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH40405T - Kühlkörper, 999 °C/W, 40 mm, 5.25 mm, 40 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 40mm
Wärmewiderstand: 999°C/W
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 40mm
Außenbreite - Zoll: 1.57"
Außenlänge - imperial: 1.57"
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.66 грн
10+ 150.91 грн
25+ 141.34 грн
50+ 123.04 грн
100+ 94.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCH47N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FCH47N60onsemi / FairchildMOSFET 650V SUPER FET
товар відсутній
FCH47N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
FCH47N60-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH47N60-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60-F085onsemi / FairchildMOSFET 600V, 47A, SuperFET
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.64 грн
10+ 837.66 грн
25+ 709.37 грн
50+ 669.34 грн
100+ 629.97 грн
250+ 570.91 грн
900+ 523.01 грн
FCH47N60-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FCH47N60-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60-F133ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60-F133ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60-F133ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.37 грн
10+ 716.27 грн
25+ 662.53 грн
100+ 565.3 грн
450+ 464.4 грн
FCH47N60-F133onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+764.82 грн
10+ 664.09 грн
30+ 561.72 грн
60+ 529.57 грн
120+ 498.73 грн
270+ 402.26 грн
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.86 грн
10+ 571.05 грн
30+ 549.35 грн
60+ 501.17 грн
120+ 437.85 грн
270+ 360.19 грн
FCH47N60-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+703.46 грн
30+ 548.44 грн
120+ 516.19 грн
FCH47N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FCH47N60Fonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
товар відсутній
FCH47N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
FCH47N60F(транзистор)
Код товару: 95873
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FCH47N60F-F085Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL MOSFET 600V, 47A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+850.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
FCH47N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH47N60F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60F-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1288.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
FCH47N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH47N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FCH47N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET NMOS TO247 600V 47 MOHM
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1375.76 грн
10+ 1246.68 грн
25+ 1038.79 грн
100+ 915.42 грн
FCH47N60F-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
FCH47N60F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60F-F133onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.63 грн
10+ 726.73 грн
30+ 609.63 грн
60+ 544.66 грн
120+ 540.72 грн
270+ 494.79 грн
510+ 483.63 грн
FCH47N60F-F133ON Semiconductor
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH47N60F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60F_F133FCS10+ T0-247
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH47N60F_F133fairchild2011+
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH47N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V
товар відсутній
FCH47N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60Nonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+913.35 грн
10+ 788.61 грн
50+ 666.72 грн
100+ 637.19 грн
250+ 580.1 грн
450+ 492.82 грн
2700+ 483.63 грн
FCH47N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.26 грн
10+ 663.07 грн
25+ 636.79 грн
FCH47N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH47N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH47N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.71 грн
10+ 679.73 грн
FCH47N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60NON Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH47N60NONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FCH47N60NFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+573.54 грн
Мінімальне замовлення: 35
FCH47N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH47N60NFONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.86 грн
5+ 819.33 грн
10+ 767.06 грн
FCH47N60NFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товар відсутній
FCH47N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60NFonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
товар відсутній
FCH47N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH47N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH47N60NFON Semiconductor
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH505010TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH505010T - Kühlkörper, 999 °C/W, 50 mm, 10.25 mm, 50 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.41"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 10.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 50mm
Wärmewiderstand: 999°C/W
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 50mm
Außenbreite - Zoll: 1.97"
Außenlänge - imperial: 1.97"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.74 грн
10+ 265.75 грн
25+ 233.36 грн
50+ 198.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCH76N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.1A; Idm: 228A; 543W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.1A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 543W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH76N60NFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+991.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCH76N60Nonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
товар відсутній
FCH76N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.1A; Idm: 228A; 543W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.1A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 543W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH76N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH76N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; Idm: 218A; 543W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 543W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 28.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH76N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 72.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH76N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 72.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH76N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; Idm: 218A; 543W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 543W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 28.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH76N60NFFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11045 pF @ 100 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+844.9 грн
Мінімальне замовлення: 24
FCH76N60NFonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
товар відсутній
FCHC20-1R0M-RCAllied Components InternationalDescription: 1.0uH +/-20% Ferrite Core Chip
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm
Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 100MHz
Current - Saturation (Isat): 1.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.66 грн
10+ 58.38 грн
15+ 51.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCHC20-3R3K-RCAllied Components InternationalDescription: 3.3uH +/-10% Ferrite Core Chip
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 160mOhm
Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 54MHz
Current - Saturation (Isat): 837mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.94 грн
10+ 61.52 грн
15+ 54.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCHC20-5R6K-RCAllied Components InternationalDescription: 5.6uH +/-10% Ferrite Core Chip
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1414 (3535 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.142" W (3.70mm x 3.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 260mOhm
Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 36MHz
Current - Saturation (Isat): 620mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Supplier Device Package: 1414
Height - Seated (Max): 0.114" (2.90mm)
Part Status: Active
Inductance: 5.6 µH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.94 грн
10+ 61.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCHC20-681K-RCAllied Components InternationalDescription: 680uH +/-10% High Current Chip
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1414 (3535 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.142" W (3.70mm x 3.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 28Ohm
Q @ Freq: 15 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Current - Saturation (Isat): 65mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Supplier Device Package: 1414
Height - Seated (Max): 0.114" (2.90mm)
Part Status: Active
Inductance: 680 µH
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.94 грн
10+ 61.52 грн
15+ 54.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCHD040N65S3onsemionsemi
товар відсутній
FCHD040N65S3-F155ON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
FCHD040N65S3-F155onsemiMOSFET Easy Drive 650V 65A 40 mOhm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.71 грн
10+ 766.72 грн
30+ 565.66 грн
120+ 536.13 грн
270+ 502.66 грн
510+ 486.26 грн
1020+ 469.2 грн
FCHD040N65S3-F155ON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCHD040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCHD040N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCHD040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCHD040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCHD040N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.61 грн
30+ 618.69 грн
FCHD125N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCHD125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 181
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCHD125N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
товар відсутній
FCHD125N65S3R0-F155onsemiMOSFET Easy Drive 650V 24A 125 mOhm
товар відсутній
FCHD190N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.87 грн
30+ 295.07 грн
FCHD190N65S3R0-F155onsemiMOSFET Easy Drive 650V 17A 190 mOhm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.18 грн
10+ 410.53 грн
30+ 288.74 грн
120+ 248.71 грн
270+ 233.61 грн
510+ 225.08 грн
FCHD190N65S3R0-F155ON Semiconductor
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCHD190N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCHD190N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCHD190N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 144
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCHMCynergy 3Description: PUMP CONTROLLER - PRESSURE
товар відсутній
FCHP0402E1000BBT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BBT1 - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: TBA
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.16 грн
10+ 194.34 грн
25+ 180.35 грн
50+ 156.54 грн
100+ 127.46 грн
250+ 121.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCHP0402E1000BBT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.81 грн
100+ 112.44 грн
250+ 83.34 грн
500+ 76.12 грн
1000+ 62.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCHP0402E1000BBT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 618-627 дні (днів)
2+166.9 грн
10+ 147.16 грн
25+ 118.12 грн
50+ 110.9 грн
100+ 97.78 грн
250+ 93.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E1000BGT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.95 грн
250+ 86.81 грн
500+ 68.15 грн
1000+ 67.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
FCHP0402E1000BGT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.66 грн
10+ 147.16 грн
25+ 118.12 грн
50+ 110.9 грн
100+ 97.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E1000BGT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.39 грн
50+ 123.67 грн
100+ 108.95 грн
250+ 86.81 грн
500+ 68.15 грн
1000+ 67.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCHP0402E1000BGT1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.73 грн
10+ 153.85 грн
25+ 142.81 грн
50+ 125.09 грн
100+ 100.96 грн
250+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCHP0402E1000BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% LEAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 100 Ohms
товар відсутній
FCHP0402E1000BST1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.54 грн
10+ 127.54 грн
100+ 95.81 грн
250+ 87.93 грн
500+ 68.9 грн
1000+ 67.59 грн
10000+ 59.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E1000BST1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.41 грн
50+ 116.31 грн
100+ 107.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCHP0402E1000BST1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.6 грн
10+ 128.29 грн
100+ 97.78 грн
500+ 70.22 грн
1000+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E1000BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% LEAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 100 Ohms
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.46 грн
10+ 101.71 грн
50+ 75.71 грн
100+ 62.26 грн
500+ 57.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E1000BST1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
FCHP0402E1000BST1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BST1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.83 грн
10+ 142.81 грн
25+ 137.66 грн
50+ 122.36 грн
100+ 107.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCHP0402E1000BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% TOPS
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCHP0402E1000BTT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.56 грн
50+ 117.78 грн
100+ 106 грн
250+ 88.18 грн
500+ 80.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCHP0402E1000BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% TOPS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCHP0402E1000BTT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.4 грн
10+ 123.76 грн
100+ 88.59 грн
250+ 80.71 грн
500+ 69.56 грн
1000+ 60.11 грн
2000+ 60.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCHP0402E1000BTT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106 грн
250+ 88.18 грн
500+ 80.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
FCHP0402E1000BTT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.66 грн
10+ 147.16 грн
25+ 118.12 грн
50+ 110.9 грн
100+ 97.78 грн
250+ 83.34 грн
500+ 69.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E1000BTT1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.73 грн
10+ 145.02 грн
25+ 136.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
FCHP0402E50R0BBT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.32 грн
10+ 141.12 грн
100+ 99.75 грн
250+ 91.87 грн
500+ 79.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E50R0BGT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 694-703 дні (днів)
2+167.66 грн
10+ 138.1 грн
100+ 97.78 грн
500+ 76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E50R0BGT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.63 грн
10+ 166.78 грн
100+ 110.9 грн
500+ 93.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E50R0BGT1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E50R0BGT1. - RES, 50R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 50ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.81 грн
10+ 126.62 грн
25+ 117.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
FCHP0402E50R0BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCHP0402E50R0BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD
товар відсутній
FCHP0402E50R0BST1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.73 грн
10+ 146.4 грн
100+ 97.78 грн
250+ 91.87 грн
500+ 69.56 грн
1000+ 65.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E50R0BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% TOPSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 50 Ohms
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.46 грн
10+ 101.71 грн
50+ 75.71 грн
100+ 62.26 грн
500+ 57.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCHP0402E50R0BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% TOPSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 50 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FCHS10A065Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 65V 10A TO-220 FULL MOLD
товар відсутній
FCHS10A065KYOCERADiode Schottky 65V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+33.94 грн
348+ 32.78 грн
352+ 32.4 грн
500+ 30.68 грн
Мінімальне замовлення: 336
FCHS10A065KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOT 65V 10A TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 65 V
товар відсутній
FCHS10A08Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 85V 10A TO-220 FULL MOLD
товар відсутній
FCHS10A08KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOTTKY 85V 10A TO-220 FU
товар відсутній
FCHS20A065KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 65V 20A TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товар відсутній
FCHS20A08KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCHS20A08 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
FCHS20A08Kyocera AVXDiodes - General Purpose, Power, Switching 80V 20A TO-220 FULL-MOLD
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.18 грн
10+ 85.28 грн
100+ 58.21 грн
500+ 49.35 грн
1000+ 37.86 грн
5000+ 36.03 грн
10000+ 35.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCHS20A08KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOT 80V 20A TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 80 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.93 грн
10+ 80.93 грн
100+ 62.98 грн
500+ 50.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCHS20A12KYOCERA AVXDiodes - General Purpose, Power, Switching 120V 20A TO-220 FULL-MOLD
товар відсутній
FCHS20A12KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOTT 120V TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 120 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.25 грн
50+ 75.1 грн
100+ 59.51 грн
500+ 47.34 грн
1000+ 38.56 грн
2000+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCHS20A12KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCHS20A12 - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 890
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCHS30A12KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 120V 30A TO220 F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 120 V
товар відсутній