Продукція > FQD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQD10N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20C | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20C | onsemi / Fairchild | MOSFET QFC 200V 360MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20CTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/200V/10A/QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20CTM | On Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20CTM | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 360mOhm; 7,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; FQD10N20CTM-VB; TPM2007NK3; FQD10N20CTM-JSM; FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD10N20CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20CTM_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20L Код товару: 46654
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD10N20L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 200V 360MOHM L DAPK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20L | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20LTF | Fairchild | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD10N20LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD10N20LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 51 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD10N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD10N20TF | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FQD10N20TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD10N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD11P06 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD11P06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF -60V 185MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD11P06TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD11P06TF | ONS/FAI | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD11P06TF | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-250 DPAK P-CH 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | onsemi | MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V | на замовлення 17768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | на замовлення 66519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Gate charge: 17nC On-state resistance: 0.185Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 38W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A | на замовлення 1097 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 6420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V | на замовлення 31961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM Код товару: 161558
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD11P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD11P06TM | On Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1236/F H-5 | PHILIPS | 06+ TUNER | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1236E/WH-5 | NXP | 08+ N/A | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N10 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 200V 280MOHM L DAPK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20L Код товару: 165758
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD12N20L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 200V 280MOHM L DAPK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20LTF | Fairchild | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD12N20LTM Код товару: 126115
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1224 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 24403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 18915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | onsemi | MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 16706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ON-Semiconductor | N-MOSFET 9A 200V 55W 0.28Ω FQD12N20LTM TFQD12n20ltm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 18915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab | на замовлення 13410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085P | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085P | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM-F085P | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20LTM_SN00173 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20TF | Fairchild | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD12N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel QFET | на замовлення 12499 шт: термін постачання 814-823 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD12N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12N20TM_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10 Код товару: 128005
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD12P10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TF | Fairchild | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD12P10TF-NB82105 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-CH/100V/9.7A 0.29OHM | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TF_NB82105 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM | FAIRCHILD | 08+ | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM-AS004 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-CH/100V/12A/Q-FET | на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET P-CH/100V/Q-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM_AS004 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 12A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD12P10TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N03LTM | JAT | 09+ | на замовлення 1518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 60V 140MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06L | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 60V 115MOHM L DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06LTF | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2062 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | onsemi | MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level | на замовлення 16599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD13N06LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.092 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N06TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch QFET | на замовлення 22496 шт: термін постачання 280-289 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 100V 180MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10L | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 100V 180MOHM L DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10LTF | FAIRCHILD | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD13N10LTF | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | на замовлення 4554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | onsemi | MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 228451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | на замовлення 4485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.3A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: QFET® | на замовлення 1553 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10LTM_NBEL001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD13N10TM | onsemi | MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD14N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD14N15TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N15TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N15TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD16N25C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N25C | onsemi / Fairchild | MOSFET QFC 250V 270MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N25CTF | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N25CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD16N25CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N25CTM | onsemi / Fairchild | MOSFETs HIGH VOLTAGE | на замовлення 16719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD16N25CTM | ONN | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD16N25CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 90079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD16N25CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16N25CTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 9260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD16N25CTM_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD16NE06 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 735 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17N08L | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17N08LTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD17N08LTF - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17N08LTF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17N08LTF | на замовлення 19914 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FQD17N08LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17N08LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17N08LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17N08LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17N08LTM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17N08LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06TF | ONS/FAI | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 11629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06TM Код товару: 144540
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD17P06TM | onsemi | MOSFETs 60V P-Channel QFET | на замовлення 19233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 8662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.6A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 291 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD17P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 15346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | ONS/FAI | P-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD17P06TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V P-Channel QFET | на замовлення 10739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD18N20V2 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 200V 140MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TF | Fairchild | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD18N20V2TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.75A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 121 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | onsemi | MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series | на замовлення 22390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 7565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series | на замовлення 25370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD18N20VS | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 100V 100MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10L | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10L Код товару: 116425
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD19N10L | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 100V 100MOHM L DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTF | FAIRCHIL.. | 02+ TO220 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM Код товару: 117287
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | onsemi | MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 30192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: QFET® | на замовлення 2084 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ONS/FAI | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | на замовлення 10321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 50W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 13231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.1Ω Kind of channel: enhancement Power dissipation: 50W Drain current: 9.8A Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 62.4A Drain-source voltage: 100V Technology: QFET® Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10TM | FAIRCHILD | TO-252 0715+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD19N10TM_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD19N20C | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N50B | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N50TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 241289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N60C | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N60CTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | Fairchild | N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 3410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N60TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 42509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N60TM | FAIRCHIL | 09+ QFFP100 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 800V 20.0OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80TF | Fairchild | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD1N80TM | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N80TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80TM | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 195 @ 25, Qg, нКл = 7,2 @ 10 В, Rds = 20 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80TM | On Semiconductor | N-MOSFET unipolar 800V 0.63A 45W DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V | на замовлення 4655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1N80TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs Power MOSFET | на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD1P50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1P50TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD1P50TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06 | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD20N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 60V 63MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06 | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06L | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LE | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LE | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LETF | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LETM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LETM | ON Semiconductor | FQD20N06LETM | на замовлення 37718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD20N06LETM | FSC | 04+ LP5 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LETM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V | на замовлення 44018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD20N06LETM | ON Semiconductor | FQD20N06LETM | на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD20N06LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LTF | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06LTM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 2204 шт: термін постачання 83-92 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD20N06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD20N06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD20N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD24N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD24N08TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD24N08TF | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD24N08TM | Fairchild | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD24N08TM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD24N08TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 1000V 9.0OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100L | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 4170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100TF | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 15,5 @ 10 В, Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. кількість в упаковці: 2000 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N100TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100TF | ONS/FAI | PBF, TO-252 (reel) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100TM | ONN | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD2N100TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | на замовлення 1286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N100TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 1000V N-Channel QFET | на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N100TM | ONS/FAI | PBF, TO-252 (reel) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100TM-F101 | onsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N100TM_F101 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/1000V/1.6A/9OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N30TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N40TF | Fairchild | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD2N40TF | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N40TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N50B | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N50TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N50TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60C | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60C | onsemi / Fairchild | MOSFETs QFC 600V 4.7OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTF_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 132500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | onsemi | MOSFETs N-CH/600V/2A/A.QFET | на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 132500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 44, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 235pF @ 25V, Qg, нКл = 12, Rds = 4.7 Ом, Tексп, °C = -55...150, Ugs(th) = ±30 В,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | On Semiconductor | N-CH 600V 1.14A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.14A Pulsed drain current: 7.6A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60CTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD2N60TF - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 7387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60TF | ON Semiconductor | FQD2N60TF | на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 7387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60TF | ON Semiconductor | FQD2N60TF | на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 800V 6.3OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80L | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 1441 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TF | Fairchild | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD2N80TF | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TF_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/800V/1.8A/6.3OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TM | Fairchild | Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TM | ONS/FAI | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK (TO-252) Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TM Код товару: 168154
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD2N80TM_WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N80TM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N90 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF 900V 7.2OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N90 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N90-NL | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N90TF | FAIRCHILD | FQD2N90TF | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ONN | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD2N90TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 7754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | onsemi | MOSFETs 900V N-Channel QFET | на замовлення 12890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2N90TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 7.2Ω Drain current: 1.08A Pulsed drain current: 6.8A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 900V Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2P25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2P40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2P40TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2P40TF | FAIRCH | 09+ PLCC68 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2P40TF_F080 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ONN | на замовлення 2382 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD2P40TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 6418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5? | на замовлення 18929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | onsemi | MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm | на замовлення 13609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1375000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD2P40TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD30N06 Код товару: 133481
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD30N06 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 60V 45MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06L | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06L | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06LTM | Fairchild | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD30N06TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06TF_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD30N06TM | ON Semiconductor | на замовлення 5799 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD30N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD30N06TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14.3A Pulsed drain current: 90.8A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1201 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD30N06TM | onsemi | MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET | на замовлення 6681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD30N06TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N30TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N40TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3N40TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N40TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V | на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N50C | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N50CTF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N50CTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N50CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N50CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N50CTM | FAIRCHIL | 09+ TSSOP | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N50CTM_WS | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60C | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60CTF | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60CTM | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60CTM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3N60CTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60CTM_WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3N60CTM_WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3N60TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60TF | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD3N60TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3N60TM | Fairchild | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD3P20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P20TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF -500V 4.9OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD3P50TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 8347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3P50TM Код товару: 86765
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD3P50TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -1.33A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 496 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | onsemi | MOSFETs 500V P-Channel QFET | на замовлення 26836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | на замовлення 14427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V P-Channel QFET | на замовлення 31566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3P50TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM-AM002BLT | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM-AM002BLT | onsemi / Fairchild | MOSFET P-CH/500V/2.1A 4.9OHM | на замовлення 4732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD3P50TM-AM002BLT | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET Trans MOS P-Ch 500V 2.1A 3-Pin 2+Tab | на замовлення 7495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD3P50TM_NL | FAIRCHILD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD45N03 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD45N03L | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20L | FAIRCHILD | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20TM | ONS/FAI | DPAK=TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N20TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N25TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N25TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4N25TM | Fairchild | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD4N25TM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel QFET | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4N25TM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK Mounting: SMD Gate charge: 5.6nC On-state resistance: 1.75Ω Drain current: 1.9A Power dissipation: 37W Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 250V Gate-source voltage: ±30V Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N25TM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N50TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4N50TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD4N50TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4N50TM_WS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4N60 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FQD4N60C | FAIRCHILD | на замовлення 88800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD4P25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM-TWS | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-CH/250V/3.1A/ 2.1OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM-WS | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM_WS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK | на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM_WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM_WS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK | на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P25TM_WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4P25TM_WS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P40 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P40TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P40TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V P-Channel QFET | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4P40TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P40TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P40TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD4P40TM-AM002 | onsemi / Fairchild | MOSFET | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD4P40TM-AM002 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N15TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N15TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N15TF | Fairchild | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD5N15TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel QFET | на замовлення 3804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N15TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N15TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20L | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N20LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 7490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N20TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N30TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 6905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N30TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N30TM | FAIRCHILD | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD5N40 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N40TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N40TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | на замовлення 157506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50C | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50C | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50CTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50CTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N50CTM | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FQD5N50CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50CTM-WS | FAIRCHILD | 08+ TO-252 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50CTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET Power MOSFET, N-Channel, QFET , 500 V, 4 A, 1.4 O, DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50CTMWS | Fairchild | на замовлення 415000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD5N50CTM_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50CTM_WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N50TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | на замовлення 28688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N50TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | на замовлення 21653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N60C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N60CTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.8A Power dissipation: 49W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | onsemi | MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | на замовлення 44460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 10008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V, NCH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM_F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5N60CTM_WS | ON Semiconductor | MOSFET 600V, N Channel MOSFET | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P10TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P10TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P10TM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V P-Channel QFET | на замовлення 3042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P10TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P10TM-X | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P10TM_X | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P20 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P20 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF -200V 1.4OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P20TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P20TF | Fairchild | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ONS/FAI | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK=TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | Fairchild/ON Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 13 @ 10 В, Rds = 1,4 Ом @ 1,85 A, 10 В, Ugs(th) = 5 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | onsemi | MOSFETs 200V P-Channel QFET | на замовлення 25387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 18903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD5P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD5P20TM (D-PAK) Код товару: 92602
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD5P20TM_F080 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD60N03 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD60N03L | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD60N03LTM | FAIRCHIL | TO-252 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD60N03LTM | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD630 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD630TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V | на замовлення 207503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD630TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N15TF | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N15TM | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N25 | onsemi / Fairchild | MOSFET QFC 250V 1.0OHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N25TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N25TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel QFET | на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40 | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40CTF | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | на замовлення 9941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET | на замовлення 11544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | ON-Semiconductor | N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD6N40CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | onsemi | MOSFETs 400V N-Channel Advance QFET | на замовлення 11373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.7A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1459 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM-NBEA002 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel QFET | на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40CTM_NBEA002 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N40TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50CTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50CTF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N50CTM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50CTM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series | на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6N50CTM | On Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50CTM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50CTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N50CTM_F080 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60C | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTF | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTF | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTF | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTM | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6N60CTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6P25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD6P25TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V | на замовлення 53364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD6P25TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD70N03 | FAIRCHILD | 03+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD70N03L | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 100V 350MOHM L DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10L | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10LTF | Fairchild | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD7N10LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10LTM | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | на замовлення 26481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N10LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N10TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 172261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N20L | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N20L | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF 200V 750MOHM L DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N20LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N20LTM | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N20LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 69083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N20LTM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N20LTM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N20LTM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N20TF | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N20TF | Fairchild | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD7N20TM | Fairchild | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD7N20TM | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N20TM_F080 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N30 | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N30TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7N30TM | Fairchild | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD7N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N30TM | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 300V N-Channel QFET | на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7P06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs QF -60V 45MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TF | Fairchild | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD7P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V P-Channel QFET | на замовлення 3307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TM-NB82050 | Fairchild | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD7P06TM_F080 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P06TM_NB82050 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V P-Channel QFET | на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | ONS/FAI | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1898 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V | на замовлення 15593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20TM Код товару: 149423
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD7P20TM | onsemi | MOSFETs 200V P-Channel QFET | на замовлення 8787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | Fairchild/ON Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 770 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 690 мОм @ 2,85 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 55, Тексп, °C = -55..+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. в кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD7P20TM_F080 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8N25 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8N25TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8N25TF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | на замовлення 33444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8N25TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD8N25TF - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 33444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8N60CF | fairchild | 07+ to-252/d-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10 | onsemi / Fairchild | MOSFET QF -100V 53MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TF | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TF-NB82052 | Fairchild | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD8P10TF_NB82052 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | ON-Semiconductor | P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 18570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | на замовлення 6692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 44W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1549 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | onsemi | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 16576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 32030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | ONN | на замовлення 1228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM-F085 | onsemi | MOSFETs 100V P-Channel QFET | на замовлення 30877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FQD8P10TM_F080 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3 | на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3 | на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD8P10TM_SB82052 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N08L | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N08TM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N15 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F080 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F080 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 29.6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F080 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F080 | onsemi / Fairchild | MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab | на замовлення 2491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQD9N25TM-SBEK002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQDLX36 | Panduit Corp | Description: CABLE FIBER OPTIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQDPN25 | на замовлення 2070 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |