Продукція > FQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQD10N20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20Consemi / FairchildMOSFET QFC 200V 360MOHM DPAK
товар відсутній
FQD10N20Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20CTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD10N20CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD10N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD10N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD10N20CTMON-SemicoductorN-MOSFET 200V 7.8A 50W 360mΩ FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQD10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD10N20CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/200V/10A/QFET
товар відсутній
FQD10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD10N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD10N20CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD10N20Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20Lonsemi / FairchildMOSFET QF 200V 360MOHM L DAPK
товар відсутній
FQD10N20LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20L
Код товару: 46654		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FQD10N20LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD10N20LTFFairchild(FSC)-
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20LTFFairchild
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.69 грн
10+ 72.41 грн
25+ 71.04 грн
100+ 53.15 грн
250+ 48.71 грн
500+ 40.34 грн
1000+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD10N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній
FQD10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD10N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD10N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7.6 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.58 грн
10+ 80.36 грн
100+ 59.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQD10N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+77.98 грн
153+ 76.51 грн
197+ 59.36 грн
250+ 56.65 грн
500+ 45.25 грн
1000+ 34.52 грн
Мінімальне замовлення: 150
FQD10N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD10N20TF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD10N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD11P06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD11P06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD11P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 185MOHM DPAK
товар відсутній
FQD11P06FAIRCHILD
на замовлення 5076 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD11P06FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD11P06fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD11P06TFonsemi / FairchildMOSFET TO-250 DPAK P-CH 60V
товар відсутній
FQD11P06TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD11P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD11P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 27380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.73 грн
500+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD11P06TM
Код товару: 161558		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQD11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 34233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.8 грн
10+ 56.55 грн
100+ 44 грн
500+ 35 грн
1000+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD11P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+117.66 грн
5+ 62.62 грн
22+ 45.18 грн
59+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD11P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 27380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.26 грн
11+ 67.38 грн
100+ 48.73 грн
500+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD11P06TMonsemi / FairchildMOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 33012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.44 грн
10+ 62.88 грн
100+ 42.59 грн
500+ 36.08 грн
1000+ 29.38 грн
2500+ 28.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.7 грн
5000+ 27.24 грн
12500+ 25.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD11P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.05 грн
7+ 50.25 грн
22+ 37.65 грн
59+ 35.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD1236/F H-5PHILIPS06+ TUNER
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1236/F H-5PHILIPSTUNER 06+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1236E/WH-5NXP08+ N/A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N10FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 280MOHM L DAPK
товар відсутній
FQD12N20fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20L
Код товару: 165758		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQD12N20Lonsemi / FairchildMOSFET QF 200V 280MOHM L DAPK
товар відсутній
FQD12N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD12N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20LTFFairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.87 грн
10+ 47.78 грн
100+ 33.1 грн
500+ 25.95 грн
1000+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD12N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 58011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.48 грн
10+ 52.83 грн
100+ 32.73 грн
500+ 27.34 грн
1000+ 23.2 грн
2500+ 20.7 грн
5000+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD12N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.43 грн
7+ 40.61 грн
25+ 34.58 грн
32+ 29.9 грн
88+ 28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.19 грн
11+ 32.59 грн
25+ 28.82 грн
32+ 24.92 грн
88+ 23.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD12N20LTM
Код товару: 126115		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQD12N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085ON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20LTM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.09 грн
5000+ 30.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD12N20LTM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 13351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.64 грн
10+ 70.06 грн
100+ 47.45 грн
500+ 40.22 грн
1000+ 32.73 грн
2500+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTM-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD12N20LTM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085PonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.92 грн
10+ 84.61 грн
100+ 67.38 грн
500+ 53.5 грн
1000+ 45.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD12N20LTM-F085Ponsemi / FairchildMOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
FQD12N20LTM_SN00173onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD12N20TFFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD12N20TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 12499 шт:
термін постачання 814-823 дні (днів)
4+79.74 грн
10+ 70.36 грн
100+ 46.79 грн
500+ 38.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD12N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD12N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD12N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD12N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12N20TM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD12P10FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12P10
Код товару: 128005		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQD12P10fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12P10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12P10FAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12P10TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
товар відсутній
FQD12P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12P10TFFairchild
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12P10TF-NB82105ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-PIN(2+TAB) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12P10TF-NB82105ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/100V/9.7A 0.29OHM
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD12P10TF_NB82105Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD12P10TMFAIRCHILD08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
товар відсутній
FQD12P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12P10TMFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD12P10TM-AS004ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/100V/12A/Q-FET
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD12P10TM-AS004ON SemiconductorMOSFET P-CH 100V 12A DPAK
товар відсутній
FQD12P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12P10TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6A; Idm: -37.6A; 50W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Application: automotive industry
Drain current: -6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: -37.6A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
FQD12P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FQD12P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD12P10TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6A; Idm: -37.6A; 50W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Application: automotive industry
Drain current: -6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: -37.6A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FQD12P10TM-F085onsemi / FairchildMOSFET P-CH/100V/Q-FET
товар відсутній
FQD12P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FQD12P10TM_AS004Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 12A DPAK
товар відсутній
FQD12P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD12P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
товар відсутній
FQD12P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD13N03LTMJAT09+
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06onsemi / FairchildMOSFET QF 60V 140MOHM DPAK
товар відсутній
FQD13N06fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06Lonsemi / FairchildMOSFET QF 60V 115MOHM L DPAK
товар відсутній
FQD13N06LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N06LTFFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 39.02 грн
100+ 27.03 грн
500+ 21.19 грн
1000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD13N06LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.42 грн
25+ 32.33 грн
39+ 24.73 грн
108+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQD13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.77 грн
5000+ 16.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD13N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N06LTMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 36330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.6 грн
10+ 42.78 грн
100+ 25.76 грн
500+ 21.42 грн
1000+ 17.02 грн
2500+ 15.44 грн
5000+ 15.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N06LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.18 грн
25+ 25.95 грн
39+ 20.61 грн
108+ 19.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQD13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET
на замовлення 22496 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
6+53.67 грн
2500+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 180MOHM DPAK
товар відсутній
FQD13N10LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 180MOHM L DPAK
товар відсутній
FQD13N10Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10LTFonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній
FQD13N10LTFFAIRCHILD
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD13N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товар відсутній
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 38.61 грн
100+ 26.75 грн
500+ 20.97 грн
1000+ 17.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 327291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.06 грн
10+ 42.93 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
2500+ 16.76 грн
5000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD13N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD13N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.142 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товар відсутній
FQD13N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD13N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD13N10LTM_NBEL001onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.72 грн
10+ 49.7 грн
100+ 34.39 грн
500+ 26.97 грн
1000+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD13N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD13N10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 1076-1085 дні (днів)
6+54.9 грн
10+ 47.69 грн
100+ 30.1 грн
500+ 26.02 грн
1000+ 22.94 грн
2500+ 21.03 грн
5000+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FQD13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD13N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD14N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD14N15FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD14N15FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD14N15fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD14N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD14N15TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD16N15FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N15fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N15FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N15TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD16N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 566
FQD16N25CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N25CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N25Consemi / FairchildMOSFET QFC 250V 270MOHM DPAK
товар відсутній
FQD16N25Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N25CTFFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.36 грн
10+ 59.22 грн
100+ 46.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD16N25CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Technology: QFET®
Mounting: SMD
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.28 грн
5+ 57.5 грн
23+ 42.96 грн
61+ 40.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD16N25CTMonsemi / FairchildMOSFET HIGH VOLTAGE
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.04 грн
10+ 65.83 грн
100+ 44.56 грн
500+ 37.79 грн
1000+ 30.82 грн
2500+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD16N25CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Technology: QFET®
Mounting: SMD
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.56 грн
8+ 46.14 грн
23+ 35.8 грн
61+ 33.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD16N25CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD16N25CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.94 грн
10+ 74.46 грн
100+ 54.78 грн
500+ 42.03 грн
1000+ 28.88 грн
5000+ 28.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQD16N25CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD16NE06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD17N08LTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 888
FQD17N08LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQD17N08LTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 1068
FQD17N08LTF
на замовлення 19914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17N08LTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD17N08LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 8.2A; Idm: 51.6A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 51.6A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD17N08LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD17N08LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 8.2A; Idm: 51.6A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 51.6A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 23
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD17N08LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD17N08LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD17P06fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17P06FAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17P06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17P06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17P06Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17P06FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD17P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD17P06TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD17P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.54 грн
5000+ 25.26 грн
12500+ 24.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD17P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.77 грн
5+ 55.96 грн
24+ 41.9 грн
64+ 39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD17P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 45050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72 грн
10+ 58.35 грн
100+ 39.43 грн
500+ 33.45 грн
1000+ 27.27 грн
2500+ 25.17 грн
5000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 20338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.11 грн
10+ 52.44 грн
100+ 40.8 грн
500+ 32.46 грн
1000+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD17P06TM
Код товару: 144540		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQD17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD17P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.98 грн
8+ 44.91 грн
24+ 34.91 грн
64+ 32.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD18N20V2FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD18N20V2FAIRCHIL09+ QFP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD18N20V2onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 140MOHM DPAK
товар відсутній
FQD18N20V2FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD18N20V2FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD18N20V2FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD18N20V2TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD18N20V2TFFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD18N20V2TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD18N20V2TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD18N20V2TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD18N20V2TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD18N20V2TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 44720 шт:
термін постачання 655-664 дні (днів)
4+88.17 грн
10+ 77.84 грн
100+ 52.38 грн
500+ 43.7 грн
1000+ 35.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD18N20V2TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD18N20V2TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD18N20VSfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD18N20VSfairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 100MOHM DPAK
товар відсутній
FQD19N10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 100MOHM L DPAK
товар відсутній
FQD19N10LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10L
Код товару: 116425		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQD19N10LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10LFAIRCHIL09+ SOT23
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD19N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10LTFFAIRCHIL..02+ TO220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.21 грн
8+ 46.96 грн
25+ 33 грн
67+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.62 грн
12+ 61.71 грн
100+ 44.46 грн
500+ 28.48 грн
2500+ 25.59 грн
7500+ 25.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+ 52.58 грн
100+ 40.9 грн
500+ 32.54 грн
1000+ 26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 57161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.76 грн
10+ 58.5 грн
100+ 39.63 грн
500+ 34.24 грн
1000+ 27.86 грн
2500+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD19N10LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.46 грн
500+ 28.48 грн
2500+ 25.59 грн
7500+ 25.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD19N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD19N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.05 грн
5+ 58.52 грн
25+ 39.6 грн
67+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD19N10LTM
Код товару: 117287		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQD19N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD19N10TMFSC09+ DIP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 13231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+44.9 грн
314+ 37.09 грн
500+ 31.74 грн
1000+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 260
FQD19N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD19N10TMFAIRCHILDTO-252 0715+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD19N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD19N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.04 грн
14+ 44.06 грн
100+ 36.4 грн
500+ 30.02 грн
1000+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQD19N10TM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD19N20Cfairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD19N20Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N50FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N50fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N50FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N50BFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N50TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 241289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 523
FQD1N60FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.18 грн
17+ 34.67 грн
100+ 28.22 грн
500+ 22.64 грн
1000+ 17.5 грн
2500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
FQD1N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD1N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD1N60CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD1N60CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 9.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 9.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9.3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.68 грн
15+ 50.21 грн
100+ 35.17 грн
500+ 25.81 грн
1000+ 19.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQD1N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 9264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1110
FQD1N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+34.87 грн
411+ 28.37 грн
500+ 23.6 грн
1000+ 19.01 грн
2500+ 16.29 грн
Мінімальне замовлення: 334
FQD1N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N60CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.74 грн
10+ 49.88 грн
100+ 33.32 грн
500+ 26.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD1N60CTMFairchildN-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
FQD1N60TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 42509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 952
FQD1N60TMFAIRCHIL09+ QFFP100
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 888
FQD1N80FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N80FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N80onsemi / FairchildMOSFET QF 800V 20.0OHM DPAK
товар відсутній
FQD1N80FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N80fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N80TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1N80TFFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N80TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N80TMonsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.62 грн
10+ 57.44 грн
100+ 38.84 грн
500+ 32.93 грн
1000+ 26.81 грн
2500+ 26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD1N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N80TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.4 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQD1N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1P50FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1P50fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1P50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1P50FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1P50TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD1P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 1.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1P50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
товар відсутній
FQD20N06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LEFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LEfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LEFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LETMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V
на замовлення 49818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 888
FQD20N06LETMON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній
FQD20N06LETMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD20N06LETMFSC04+ LP5
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD20N06LTFON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній
FQD20N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD20N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD20N06LTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній
FQD20N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD20N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD20N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD20N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD20N06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 83-92 дні (днів)
5+75.14 грн
10+ 65 грн
100+ 43.31 грн
500+ 34.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD20N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.03 грн
11+ 53.04 грн
25+ 49.56 грн
100+ 36.03 грн
250+ 33.03 грн
500+ 26.25 грн
1000+ 23.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD24N08FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD24N08fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD24N08FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD24N08FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD24N08TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
товар відсутній
FQD24N08TFFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD24N08TFFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD24N08TMFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD24N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
товар відсутній
FQD24N08TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET
товар відсутній
FQD2N100FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N100fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N100onsemi / FairchildMOSFET QF 1000V 9.0OHM DPAK
товар відсутній
FQD2N100FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N100FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N100LFAIRCHILD04+
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N100TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N100TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N100TFFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 1,6 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 15,5 @ 10 В; Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; DPAK-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+78.51 грн
10+ 73.27 грн
100+ 68.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQD2N100TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N100TMonsemi / FairchildMOSFET 1000V N-Channel QFET
товар відсутній
FQD2N100TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N100TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N100TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N100TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N100TM-F101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N100TM-F101onsemiMOSFET
товар відсутній
FQD2N100TM_F101onsemi / FairchildMOSFET N-CH/1000V/1.6A/9OHM
товар відсутній
FQD2N30FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N30FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N30FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N30TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
товар відсутній
FQD2N40FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N40FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N40fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N40FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N40TFFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N40TFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
товар відсутній
FQD2N40TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
товар відсутній
FQD2N50FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N50FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N50fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N50BFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N50BFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N50TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1015+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 1015
FQD2N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N60FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60Consemi / FairchildMOSFET QFC 600V 4.7OHM DPAK
товар відсутній
FQD2N60CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N60CTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N60CTF_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N60CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET
товар відсутній
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N60CTMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
FQD2N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD2N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.55 грн
10+ 57.14 грн
100+ 38.12 грн
500+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD2N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.14 грн
5000+ 27.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD2N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD2N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD2N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N60TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+36.1 грн
Мінімальне замовлення: 544
FQD2N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N80FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N80FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N80fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N80onsemi / FairchildMOSFET QF 800V 6.3OHM DPAK
товар відсутній
FQD2N80FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N80LFAIRCHILD04+
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N80TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
товар відсутній
FQD2N80TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N80TFonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQD2N80TFFairchild
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N80TF_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/800V/1.8A/6.3OHM
товар відсутній
FQD2N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N80TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQD2N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQD2N80TM
Код товару: 168154		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQD2N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N80TM_WSonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQD2N80TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD2N90FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N90fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N90FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N90onsemi / FairchildMOSFET QF 900V 7.2OHM DPAK
товар відсутній
FQD2N90-NLFAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N90TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N90TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 503
FQD2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.66 грн
5000+ 34.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD2N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
товар відсутній
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N90TMonsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.14 грн
10+ 75.58 грн
100+ 53.1 грн
500+ 45.74 грн
1000+ 37.2 грн
2500+ 34.57 грн
5000+ 33.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD2N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91 грн
10+ 71.74 грн
100+ 55.79 грн
500+ 44.38 грн
1000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD2P25FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2P25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2P40FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2P40fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2P40FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2P40TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
товар відсутній
FQD2P40TFFAIRCH09+ PLCC68
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2P40TF_F080Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
товар відсутній
FQD2P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD2P40TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.14 грн
500+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD2P40TMONSEMIFQD2P40TM SMD P channel transistors
товар відсутній
FQD2P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD2P40TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2P40TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.56 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.58 грн
13+ 57.36 грн
100+ 41.14 грн
500+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
FQD2P40TMonsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET, P-Channel, QFET, -400 V, -1.56 A, 6.5 ?, DPAK
на замовлення 22475 шт:
термін постачання 789-798 дні (днів)
5+69.7 грн
10+ 56.76 грн
100+ 40.75 грн
500+ 33.65 грн
1000+ 27.14 грн
2500+ 24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD2P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.85 грн
10+ 48.67 грн
100+ 37.88 грн
500+ 30.13 грн
1000+ 24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD30N06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06
Код товару: 133481		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQD30N06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06Lonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQD30N06LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD30N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD30N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD30N06LTMFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD30N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD30N06TF_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD30N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD30N06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
на замовлення 13852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.21 грн
10+ 63.71 грн
100+ 43.11 грн
500+ 36.54 грн
1000+ 29.77 грн
2500+ 28 грн
5000+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD30N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD30N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD30N06TMON Semiconductor
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD30N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.51 грн
10+ 57.37 грн
100+ 44.61 грн
500+ 35.48 грн
1000+ 28.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD30N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD30N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3N25FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N30FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N30FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N30FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N30TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 952
FQD3N30TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
товар відсутній
FQD3N40FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N40FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N40FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N40TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 26408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 740
FQD3N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 952
FQD3N50FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N50CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N50Cfairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N50Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N50CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
товар відсутній
FQD3N50CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
товар відсутній
FQD3N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
товар відсутній
FQD3N50CTMFAIRCHIL09+ TSSOP
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3N50CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
товар відсутній
FQD3N50CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A
товар відсутній
FQD3N50CTM_WSonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQD3N60FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60CTFFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60CTMFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60CTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 962
FQD3N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.31 грн
10+ 73.39 грн
100+ 57.24 грн
500+ 44.37 грн
1000+ 35.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD3N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD3N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET
товар відсутній
FQD3N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD3N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
товар відсутній
FQD3N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3N60CTM_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.22 грн
25+ 25.82 грн
100+ 24.5 грн
250+ 22.32 грн
500+ 21.08 грн
1000+ 20.74 грн
3000+ 20.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
FQD3N60CTM_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3N60TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 523
FQD3N60TFFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3N60TMFairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P20FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P20FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P20fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P50fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P50FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD3P50onsemi / FairchildMOSFET QF -500V 4.9OHM DPAK
товар відсутній
FQD3P50TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50TMonsemi / FairchildMOSFET 500V P-Channel QFET
на замовлення 45787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.67 грн
10+ 80.11 грн
100+ 54.55 грн
500+ 46.2 грн
1000+ 37.66 грн
2500+ 35.62 грн
5000+ 34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50TM
Код товару: 86765		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQD3P50TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.14 грн
7+ 54.08 грн
19+ 44.5 грн
50+ 41.76 грн
500+ 40.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD3P50TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76.97 грн
5+ 67.39 грн
19+ 53.4 грн
50+ 50.11 грн
500+ 48.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD3P50TM-AM002BLTonsemi / FairchildMOSFET P-CH/500V/2.1A 4.9OHM
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.57 грн
10+ 92.96 грн
100+ 63.48 грн
500+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD3P50TM-AM002BLTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM-AM002BLTONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD3P50TM-AM002BLTONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD3P50TM-AM002BLTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM-AM002BLTonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
FQD3P50TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD3P50TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD3P50TM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 500V 2.1A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD3P50TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 500V 2.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD3P50TM_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD45N03FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD45N03FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD45N03LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD45N03LFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20FAIRC09+ SSOP28
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N20LTFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
товар відсутній
FQD4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4N20LTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
товар відсутній
FQD4N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
товар відсутній
FQD4N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
товар відсутній
FQD4N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.95A; Idm: 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.95A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD4N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.95A; Idm: 12A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.95A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD4N20TMonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1086+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 1086
FQD4N25fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N25FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N25FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4N25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 1158
FQD4N25TMFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N25TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4N25TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FQD4N25TM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD4N25TM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 6411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
992+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 992
FQD4N25TM-WSonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.73 грн
10+ 52.07 грн
100+ 34.7 грн
500+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD4N50FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N50FSC08+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N50FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N50fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N50TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 683
FQD4N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 833
FQD4N50TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
товар відсутній
FQD4N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4N60CFAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P25FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P25fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P25FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P25TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4P25TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4P25TM-TWSON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/250V/3.1A/ 2.1OHM
товар відсутній
FQD4P25TM-WSonsemi / FairchildMOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel
товар відсутній
FQD4P25TM-WSonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4P25TM-WSONSEMIFQD4P25TM-WS SMD P channel transistors
товар відсутній
FQD4P25TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD4P25TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD4P25TM_WSON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4P25TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD4P25TM_WSON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.6 грн
22+ 27.18 грн
25+ 26.74 грн
100+ 23.33 грн
250+ 21.53 грн
500+ 19.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
FQD4P40FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P40fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P40FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P40FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD4P40TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD4P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4P40TMonsemi / FairchildMOSFET 400V P-Channel QFET
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.54 грн
10+ 77.09 грн
100+ 52.44 грн
500+ 46.53 грн
1000+ 37.39 грн
2500+ 34.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD4P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4P40TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4P40TMONSEMIFQD4P40TM SMD P channel transistors
товар відсутній
FQD4P40TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91 грн
10+ 78.11 грн
100+ 60.89 грн
500+ 47.21 грн
1000+ 37.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD4P40TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD4P40TM-AM002onsemi / FairchildMOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.01 грн
10+ 123.95 грн
25+ 101.21 грн
100+ 86.75 грн
500+ 70.98 грн
1000+ 60.26 грн
2500+ 51.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD4P40TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD4P40TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N15FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N15fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N15FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N15TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
товар відсутній
FQD5N15TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
товар відсутній
FQD5N15TFFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N15TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N15TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.72A
Pulsed drain current: 17.2A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD5N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
товар відсутній
FQD5N15TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD5N15TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.72A
Pulsed drain current: 17.2A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5N15TMonsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel QFET
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD5N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
товар відсутній
FQD5N20FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.4A; Idm: 15.2A; 37W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15.2A
Power dissipation: 37W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.07 грн
10+ 62.5 грн
100+ 41.6 грн
250+ 40.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD5N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.4A; Idm: 15.2A; 37W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15.2A
Power dissipation: 37W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD5N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N30fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N30FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N30FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N30FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N30TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD5N30TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
товар відсутній
FQD5N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD5N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
товар відсутній
FQD5N30TMFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N40fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N40FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N40FAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N40FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
товар відсутній
FQD5N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
на замовлення 157506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD5N50FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50Consemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQD5N50CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N50CTM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N50CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+36.1 грн
Мінімальне замовлення: 544
FQD5N50CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET Power MOSFET, N-Channel, QFET , 500 V, 4 A, 1.4 O, DPAK
товар відсутній
FQD5N50CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N50CTM-WSFAIRCHILD08+ TO-252
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N50CTMWSFairchild
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N50CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N50CTM_WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N50TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 28688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 544
FQD5N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 21653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 258
FQD5N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N60CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N60CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N60Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5N60CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товар відсутній
FQD5N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.62 грн
10+ 62.5 грн
100+ 48.65 грн
500+ 38.69 грн
1000+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD5N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FQD5N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD5N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5N60CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5N60CTM-WSON SemiconductorMOSFET 600V, NCH MOSFET
товар відсутній
FQD5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V, NCH MOSFET
товар відсутній
FQD5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5N60CTM_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5P10FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P10FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P10fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P10TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
товар відсутній
FQD5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD5P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.6 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.84 грн
13+ 60.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
FQD5P10TMON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
товар відсутній
FQD5P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD5P10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD5P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2.28A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD5P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2.28A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5P10TMON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.4 грн
10+ 55.79 грн
100+ 42.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD5P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5P10TM-XON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM
товар відсутній
FQD5P10TM_XON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
FQD5P20FAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P20onsemi / FairchildMOSFET QF -200V 1.4OHM DPAK
товар відсутній
FQD5P20FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P20fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P20TFFairchild
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD5P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5P20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 54269 шт:
термін постачання 463-472 дні (днів)
5+66.32 грн
10+ 56.46 грн
100+ 33.98 грн
500+ 28.39 грн
1000+ 24.18 грн
2500+ 21.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD5P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD5P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD5P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD5P20TM (D-PAK)
Код товару: 92602		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQD5P20TM_F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD60N03FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTMFAIRCHIL09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD60N03LTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 503
FQD60N03LTMFAIRCHILTO-252
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD630FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD630FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD630FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD630fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD630TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 207503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 888
FQD630TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
товар відсутній
FQD6N15FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N15TFonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQD6N15TMonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQD6N25FSC09+
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N25FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N25fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N25FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N25onsemi / FairchildMOSFET QFC 250V 1.0OHM DPAK
товар відсутній
FQD6N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD6N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.6A; Idm: 17.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.6A; Idm: 17.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N40FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N40FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N40Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N40CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N40CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N40CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N40CTFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
товар відсутній
FQD6N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N40CTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel Advance QFET
на замовлення 32380 шт:
термін постачання 1082-1091 дні (днів)
4+95.84 грн
10+ 77.09 грн
100+ 52.31 грн
500+ 44.36 грн
1000+ 36.15 грн
2500+ 35.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N40CTMON-SemicoductorN-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQD6N40CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD6N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N40CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N40CTM-NBEA002ON Semiconductor / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD6N40CTM_NBEA002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
товар відсутній
FQD6N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
товар відсутній
FQD6N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N50CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N50CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N50Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N50CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N50CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 503
FQD6N50CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.94 грн
25+ 23.11 грн
26+ 21.6 грн
100+ 19.68 грн
250+ 18.59 грн
500+ 18.28 грн
1000+ 17.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQD6N50CTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD6N50CTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD6N50CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD6N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N50CTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
товар відсутній
FQD6N50CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD6N50CTM_F080ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
товар відсутній
FQD6N60Cfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N60CFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N60Consemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQD6N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N60CTFFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N60CTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N60CTFonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
товар відсутній
FQD6N60CTFFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N60CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
товар відсутній
FQD6N60CTMFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N60CTMFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD6N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
товар відсутній
FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD6P25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6P25FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6P25FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6P25fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD6P25TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
на замовлення 102120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD6P25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
товар відсутній
FQD70N03FAIRCHILD03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD70N03LFAIRCHILD04+
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 350MOHM L DPAK
товар відсутній
FQD7N10LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N10LTFFairchild
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 26481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.9 грн
10+ 46.25 грн
100+ 31.22 грн
250+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD7N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 178355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+36.1 грн
Мінімальне замовлення: 544
FQD7N20FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20Lfairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20Lonsemi / FairchildMOSFET QF 200V 750MOHM L DPAK
товар відсутній
FQD7N20LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20LFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N20LTMonsemi / FairchildMOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 48.44 грн
100+ 30.95 грн
500+ 25.83 грн
1000+ 22.02 грн
2500+ 19.58 грн
5000+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD7N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.72 грн
500+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD7N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD7N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.84 грн
14+ 53.67 грн
100+ 34.72 грн
500+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQD7N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD7N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N20TFFairchild
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20TFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
товар відсутній
FQD7N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
товар відсутній
FQD7N20TMFairchild
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N20TM_F080ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
товар відсутній
FQD7N30FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N30fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N30FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N30FAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7N30TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N30TMONSEMIFQD7N30TM SMD N channel transistors
товар відсутній
FQD7N30TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQD7N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.83 грн
25+ 27.26 грн
100+ 25.41 грн
250+ 23.33 грн
500+ 21.77 грн
1000+ 21.39 грн
Мінімальне замовлення: 21
FQD7N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N30TMFairchild
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7P06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 45MOHM DPAK
товар відсутній
FQD7P06FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7P06FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7P06fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7P06TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
товар відсутній
FQD7P06TFFairchild
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD7P06TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7P06TMONSEMIFQD7P06TM SMD P channel transistors
товар відсутній
FQD7P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
товар відсутній
FQD7P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
товар відсутній
FQD7P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній