Продукція > IMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMB-9454G-R20 | IEI Technology Corporation | MICRO-ATX MOTHERBOARD, CORE2 DUO CPU 800/1066/1333 MHZ FSB WITH VGA, DUAL PCIE GBE, SATA II | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-9454G-R40 | IEI Technology Corporation | SBC, Intel CPU 4GB DDR2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-G41A-R10 | IEI Technology Corporation | SBC, 2.66GHz Intel CPU 4GB DDR3 1000Mbps 2048x1536Pixels | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-G41A-R10-EKA | IEI Technology Corporation | M-ATX MB LGA775 CORE 2 QUAD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-H110-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per Intel H110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO Packing and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-H110-R10 | IEI Technology Corporation | Motherboard, Intel CPU 64GB DDR4 1000Mbps 3480x2160Pixels | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-H110-R10 | IEI | Single Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per Intel H110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB-H610A-R10 | Aaeon | MICRO/ATX MB WITH LGA1155 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-H610A-R10 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3/Pentium/Celeron CPU with Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE, USB 2.0, 6xCOM,SATA 3Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB-H810-ECO-R11 | IEI | Single Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual PCIe GbE, USB 2.0, COM, LPT, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing, RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-H810-i2-R11 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, USB 2.0, PCI, COM, LPT, SATA 3Gb/s, HD Audio, iRIS and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-M40H | ADLINK Technology | Single Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 3rd Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 2x PCIe x1 and 4x PCI slots BIOS Rev. A1.16 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB-M42H | ADLINK Technology | Single Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 4th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 1x PCIe x4 and 4x PCI slots | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-M43 | ADLINK Technology | Single Board Computers IMB-M43 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB-M43-C236 | ADLINK Technology | Single Board Computers IMB-M43-C236 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation E3Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB-M43H | ADLINK Technology | Single Board Computers IMB-M43HIMB-M43H ATX Embedded Motherboard supports Intel 6th/7 th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIex16, 1x PCIex4 and 5x PCI slots, BIOS REV:1.08.10,HS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-Q670-R30 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67, DDR3, VGA/DVI/HDMI, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, 10 COM, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-Q770-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-Q870-i2-R10 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,HDMI/ DVI-D/ VGA / DP,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,Six Serial Ports, Audio, iRIS-2400 and RoHS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB-S90 | ADLINK Technology | Single Board Computers ExtendATX Server Board support Dual Xeon-E5 Processors,4x PCIe x16, 1x PCIe x8 and 1xPCIe x4slots | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-T10 | ADLINK Technology | Single Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset, BIOS Rev P1.1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB-T10B | ADLINK Technology | Single Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset w/CPU Fan, BIOS Rev P1.0 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB0105S05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 5.5V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 79% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 4.5V Voltage - Output 1: 5V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB0105S05 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0105S05 | XP POWER | IMB0105S05 DC/DC Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB0105S12 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0105S12 | XP POWER | IMB0105S12 DC/DC Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB0105S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 5.5V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 84mA Voltage - Input (Min): 4.5V Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2V; Uout: 5VDC; Iout: 200mA; SIP7 Type of converter: DC/DC Power: 1W Input voltage: 10.8...13.2V Output voltage: 5V DC Output current: 200mA Case: SIP7 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm Efficiency: 79% Operating temperature: -40...105°C Switching frequency: 60kHz Insulation voltage: 4kV DC Mounting: THT Manufacturer series: IMB01 Number of outputs: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 13.2V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 79% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 5V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2V; Uout: 5VDC; Iout: 200mA; SIP7 Type of converter: DC/DC Power: 1W Input voltage: 10.8...13.2V Output voltage: 5V DC Output current: 200mA Case: SIP7 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm Efficiency: 79% Operating temperature: -40...105°C Switching frequency: 60kHz Insulation voltage: 4kV DC Mounting: THT Manufacturer series: IMB01 Number of outputs: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB0112S12 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0112S12 | XP POWER | IMB0112S12 DC/DC Converters | на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0112S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 13.2V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 81% Current - Output (Max): 84mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0124S05 | XP POWER | IMB0124S05 DC/DC Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB0124S05 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB0124S12 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0124S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 26.4V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 79% Current - Output (Max): 84mA Voltage - Input (Min): 21.6V Voltage - Output 1: 12V Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB0124S12 | XP POWER | IMB0124S12 DC/DC Converters | на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB01CGR | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays 140MW 3V DIELEC .2500VAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB01CTS | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays IM RELAY 140MW 3V DIEL. 2500VAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB02CGR | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays 140MW 4.5V dielectic 2500Vac | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB02CTS | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays THT standard | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB02IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: 4G COM RELAY IM Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 4.5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 31 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.45 VDC Must Operate Voltage: 3.38 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB02IGR | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB02IGR =IM Relay 140 mW 4,5V | на замовлення 993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB02IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: 4G COM RELAY IM Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 4.5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 31 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.45 VDC Must Operate Voltage: 3.38 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB02ITS | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB02ITS =IM Relay 140 mW 4,5V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO SMD | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | на замовлення 10165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB03CTS | TE Connectivity / P&B | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO T/H | на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03CTS Код товару: 191933 | Пасивні компоненти > Реле | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
| IMB03CTS | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO(254x152.4x137.16)mm THT Automotive | на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: 4G COM RELAY IM Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 28.1 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.5 VDC Must Operate Voltage: 3.75 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03IGR | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB03IGR =IM Relay 140 mW 5V | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: 4G COM RELAY IM Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 28.1 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.5 VDC Must Operate Voltage: 3.75 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB03ITS | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB03ITS =IM Relay 140 mW 5V | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity | Signal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity | Signal Relay 12VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity | Signal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity / P&B | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD | на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity / Axicom | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB06CTS | TE Connectivity / Axicom | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO T/H | на замовлення 4775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB06IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: 4G COM RELAY IM Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 12VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 11.7 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max Must Release Voltage: 1.2 VDC Must Operate Voltage: 9 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB06IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: 4G COM RELAY IM Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 12VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 11.7 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max Must Release Voltage: 1.2 VDC Must Operate Voltage: 9 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB06IGR | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB06IGR =IM Relay 140 mW 12V | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB06ITS | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB06ITS =IM Relay 140 mW 12V | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB06ITS | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: 4G COM RELAY IM Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Coil Voltage: 12VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Relay Type: Telecom Coil Current: 11.7 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max Must Release Voltage: 1.2 VDC Must Operate Voltage: 9 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVT0K | SICK | IMB08-02BDSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVT0S | SICK | IMB08-02BDSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2K | SICK | IMB08-02BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2S | SICK | IMB08-02BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUC 2MM CYL 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVT0K | SICK, Inc. | Description: SEN PROX SHLD NPN NC M8 SHRT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVT0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNPVC0S | SICK | IMB08-02BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVC0S | SICK | IMB08-02BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVT0K | SICK | IMB08-02BNSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVT0S | SICK | IMB08-02BNSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVU2K | SICK | IMB08-02BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVU2S | SICK | IMB08-02BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BPPVC0S | SICK | IMB08-02BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BPPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVC0S | SICK | IMB08-02BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: PNP / NO Range: 0...2mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4000Hz Overall length: 40mm Number of pins: 3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: PNP / NO Range: 0...2mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4000Hz Overall length: 40mm Number of pins: 3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0S | SICK | IMB08-02BPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2K | SICK | Description: SICK - IMB08-02BPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 2mm, PNP, M8 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 2mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2K | SICK | IMB08-02BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2S | SICK | IMB08-02BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVT0S | SICK | IMB08-04NDSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVU2K | SICK | IMB08-04NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVU2S | SICK | IMB08-04NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNPVC0S | SICK | IMB08-04NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVC0S | SICK | IMB08-04NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVT0K | SICK | IMB08-04NNSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVT0S | SICK | IMB08-04NNSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVU2K | SICK | IMB08-04NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVU2S | SICK | IMB08-04NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 4kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NPPVC0S | SICK | IMB08-04NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVC0S | SICK | IMB08-04NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVT0K | SICK | IMB08-04NPSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVT0S | SICK | IMB08-04NPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVU2K | SICK | IMB08-04NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVU2S | SICK | IMB08-04NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB1 | ROHM | на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB1 T110 | ROHM | SOT163-B1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB1 T110 SOT163-B1 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB1 T110 SOT163-B1 | ROHM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB1/B1 | ROHM | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB10 | ROHM | SOT-163 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB10AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 300mW Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Current gain: 80 Case: SC74; SOT457 Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB10AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB10AT110 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB10AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB10AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA SOT-457 | на замовлення 8976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB10AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 300mW Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Current gain: 80 Case: SC74; SOT457 Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB10T110 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB11 | ROHM | SOT-163 | на замовлення 1130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB11A T110 | ROHM | SOT23 | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB11A/B11 | ROHM | 09+ | на замовлення 1868 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB11AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB11AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 50MA SOT-457 | на замовлення 5437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB11AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB11AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | IMB11AT110 PNP SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVC0S | SICK | IMB12-04BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVU2K | SICK | IMB12-04BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUC 4MM CYL 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVU2S | SICK | IMB12-04BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNPVC0K | SICK | IMB12-04BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNPVC0S | SICK | IMB12-04BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0K | SICK | IMB12-04BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0S | SICK | IMB12-04BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2K | SICK | IMB12-04BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2S | SICK | IMB12-04BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0K | SICK | IMB12-04BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0S | SICK | IMB12-04BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-04BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 4mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 4 productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30 usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0K | SICK | IMB12-04BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0K | SICK | Description: SICK - IMB12-04BPSVC0K - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85365019 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-04BPSVC0S - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85365019 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0S | SICK | IMB12-04BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2K | SICK | IMB12-04BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2S | SICK | IMB12-04BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVC0S | SICK | IMB12-08NDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVU2K | SICK | IMB12-08NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVU2S | SICK | IMB12-08NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNPVC0K | SICK | IMB12-08NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNPVC0S | SICK | IMB12-08NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVC0K | SICK | IMB12-08NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVC0S | SICK | IMB12-08NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2K | SICK | IMB12-08NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2S | SICK | IMB12-08NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0K | SICK | IMB12-08NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0S | SICK | IMB12-08NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 8 productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30 usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0K | SICK | IMB12-08NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0S | SICK | IMB12-08NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2K | SICK | IMB12-08NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2K | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 8mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85365019 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M SHRT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2S | SICK | IMB12-08NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB12-140 | FUJI | на замовлення 303 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB12A188SPTC8M01TRH | Amphenol | Amphenol | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB14 | ROHM | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB16T110 | на замовлення 219000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVC0S | SICK | IMB18-08BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NO, 2-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVU2K | SICK | IMB18-08BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUC 8MM CYL 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVU2S | SICK | IMB18-08BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0K | SICK | IMB18-08BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0S | SICK | IMB18-08BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVC0K | SICK | IMB18-08BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVC0S | SICK | IMB18-08BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVU2K | SICK | IMB18-08BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVU2S | SICK | IMB18-08BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPPVC0K | SICK | IMB18-08BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPPVC0S | SICK | IMB18-08BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPPVC0S | SICK | Description: SICK - IMB18-08BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M18, Steckverbinder, 10 bis 30V DC tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0K | SICK | IMB18-08BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0S | SICK | IMB18-08BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2K | SICK | IMB18-08BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2S | SICK | IMB18-08BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NDSVU2K | SICK | IMB18-12NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NDSVU2S | SICK | IMB18-12NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNPVC0K | SICK | IMB18-12NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNPVC0S | SICK | IMB18-12NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVC0K | SICK | IMB18-12NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVC0S | SICK | IMB18-12NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVU2K | SICK | IMB18-12NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVU2S | SICK | IMB18-12NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPPVC0K | SICK | IMB18-12NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPPVC0S | SICK | IMB18-12NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0K | SICK | IMB18-12NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0S | SICK | IMB18-12NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVU2K | SICK | IMB18-12NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVU2S | SICK | IMB18-12NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB1805C5 | Crouzet Switches | Proximity Sensors M18 ANALOG PROXIMTY M12 QC0NN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB1805C5 | Crouzet Switches | Description: M18 ANALOG PROXIMITY M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB1805T | Crouzet | Proximity Sensors M18 ANALOG PROXIMITY 2 M | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB1805T | CROUZET | Description: CROUZET - IMB1805T - INDUCTIVE PROXIMITY DETECTOR, 5MM, 12V TO 24V tariffCode: 85339000 Erfassungsreichweite, max.: 5mm productTraceability: No rohsCompliant: NO Gewindemaß - Metrisch: M18 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 Sensorausgang: Voltage DC-Versorgungsspannung, max.: 24V usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB1805T | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB1A | ROHM | SOT-163 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB1A | ROHM | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB1AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB1AT110 | ROHM | 96+/00 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB1AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB1T110SOT163-B1 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB204 | Axiomtek | Single Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3/Celeron Intel B75 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE LPT 6 COM VGA/DVI-D HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI w/driver CD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB204VGGA | Axiomtek | Single Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET B75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB206DGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB206DGGA-RC LGA1155 Socket | Axiomtek | Axiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB207DGGA | Axiomtek | Single Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET Q77 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB207DGGA LGA1155 socket | Axiomtek | Axiomtek LGA1155 Socket Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q77 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB208DGGA | Axiomtek | Single Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET C216 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB208DGGA LGA1155 socket | Axiomtek | Axiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C216 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID TPM CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB210VGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1150 Socket 4th Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C226 PCH ECC DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA RAID TPM CFast 6 COM DisplayPort/DVI-I/HDMI HDAudio 1 PCIex16 (or 2 PCIex8) 1 PCIex4 1 PCIex1 3 PCI | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB211VGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1150 Socket 4th Gen Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q87 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA 6 COM DisplayPort/VGA/HDMI HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB226515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO 2M CB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB226515C | Crouzet Switches | Description: IPD SHLD 3W SPST 2.0MTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB226515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB226515M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB226515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB226515M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22651C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22651M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22651M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22653M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB22653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB236515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC 2M CB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB236515C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB236515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB236515M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB236515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB236515M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23651C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23651M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23651M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23653M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB23653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25652C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25652M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25652M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25654C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25654M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25654M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25656C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25656M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB25656M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26654C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26654M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26654M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26656C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26656M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26656M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB26656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB2A | ROHM | SOT-163 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB2A | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB2AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB2AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 300mW Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Current gain: 68 Case: SC74; SOT457 Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB2AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB2AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB2AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 300mW Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Current gain: 68 Case: SC74; SOT457 Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB2AT110 | ROHM | 96+ | на замовлення 2556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB3 | ROHM | на замовлення 2857 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVC0S | SICK | IMB30-15BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVU2K | SICK | IMB30-15BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVU2S | SICK | IMB30-15BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNPVC0K | SICK | IMB30-15BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNPVC0S | SICK | IMB30-15BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVC0K | SICK | IMB30-15BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVC0S | SICK | IMB30-15BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVU2K | SICK | IMB30-15BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVU2S | SICK | IMB30-15BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVC0K | SICK | IMB30-15BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVC0S | SICK | IMB30-15BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVU2S | SICK | IMB30-15BPPVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0K | SICK | IMB30-15BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0S | SICK | IMB30-15BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2K | SICK | IMB30-15BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2S | SICK | IMB30-15BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVC0S | SICK | IMB30-20NDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVU2K | SICK | IMB30-20NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVU2S | SICK | IMB30-20NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NO, 2-Wire Sensing Distance: 0.787" (20mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NNPVC0K | SICK | IMB30-20NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NNPVC0S | SICK | IMB30-20NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVC0K | SICK | IMB30-20NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVC0S | SICK | IMB30-20NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVU2K | SICK | IMB30-20NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVU2S | SICK | IMB30-20NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPPVC0K | SICK | IMB30-20NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPPVC0S | SICK | IMB30-20NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVC0K | SICK | IMB30-20NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVC0S | SICK | IMB30-20NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVU2K | SICK | IMB30-20NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVU2S | SICK | IMB30-20NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB3181-08-SD-G-06_3 | Amphenol | 84003814 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB3181-14-A-V1 | Amphenol PCD | Description: CONN BACKSHELL | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB3181-14-A-V1 | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26482 D/C RECP SZ 14 BLK ANOD | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB3181-14-SD-G-06-3 | Amphenol | IMB3181-14-SD-G-06-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB31T1101 | IMB | 98+ SOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB326515C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.591" (15mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB326515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO 2M CB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB326515M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.591" (15mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB326515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB326515M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.591" (15mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB326515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32651C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32651M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32651M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32653M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB32653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB336515C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB336515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC 2M CB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB336515M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB336515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB336515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB336515M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33651C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33651M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33651M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33653M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB33653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35652C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35652M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35652M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35654C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35654M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35654M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35656C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35656M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35656M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB35656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36654C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36654M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36654M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36656C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36656M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36656M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB36656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB3A | ROHM | 3 sot-23-6 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB3A T110 | ROHM | SOT163-B3 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB3A T110 SOT163-B3 | ROHM | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB3A T110 SOT163-B3 | ROHM | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB3AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 300mW Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Current gain: 100...600 Case: SC74; SOT457 Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB3AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB3AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 300mW Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Current gain: 100...600 Case: SC74; SOT457 Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB3AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB3AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB3T110 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB3T110SOT163-B3 | ROHM | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB4 | ROHM | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB4A | SOT26/SOT363 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB4AT110 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB4AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB4AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB4AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB4AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB500VHGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 mSATA Dual GEs RAID 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 4 PCI 1 Mini-Card | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB501VHGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel H110 PCH DDR4 USB 3.0 3 SATA 3.0 mSATA Dual GEs 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 (x1 Signal) 4 PCI 1 Mini-Card | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB501VHGGA BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel H110 PCH DDR4 USB 3.0 3 SATA 3.0 mSATA Dual GEs 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 (x1 Signal) 4 PCI 1 Mini-Card | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB502VHGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB502VHGGA BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB520RVDHGGA-Q370 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB520RVDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB520VDHGGA-Q370 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB520VDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB521RVDHGGA-C246 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB521RVDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Axiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB521VDHGGA-C246 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB521VDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB523RVDHGGA-Q370 BULK | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB523RVDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Axiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB523VDHGGA-Q370 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB523VDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB524RVDHGGA-H310 BULK | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB524RVDHGGA-H310 GIFT BOX | Axiomtek | Axiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB524VDHGGA-H310 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB524VDHGGA-H310 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB525RVDHGGA-C246 BULK | Axiomtek | Single Board Computers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB525RVDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB525VDHGGA-C246 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB525VDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB5AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB5AT108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/PNP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB6 | ROHM | на замовлення 2863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB6/B6 | ROHM | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMB6T108 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB7 | ROHM | 09+ | на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB7/B7 | ROHM | 97+ SOT-153 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP single | Axiomtek | Single Board Computers IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP single | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC | Axiomtek | Axiomtek IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB760-C627A-IPMI SP | Axiomtek | Modules Accessories IMB760-C627A-IPMI SP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB7A | ROHM | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB7AT108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/PNP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB7AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-457 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB7T108 | на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB7T109 | на замовлення 696000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB7Z462 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMB8 | ROHM | SOT-163 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB8AT108 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB8T108 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB9948CA | на замовлення 79 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMB9AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMB9AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 6059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB9AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMB9T110 | на замовлення 12400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBA-8650GR-R22 | IEI Technology Corporation | ATX MOTHERBOARD, PENTIUM 4 PROCESSOR 533/800MHZ FSB WITH VGA, LCD, SATA, EIGHT USB 2.0 , SIX COM AND AUDIO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-9454G-R40 | IEI Technology Corporation | SBC, Intel CPU 4GB DDR2 1000Mbps | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-9654-R10 | IEI Technology Corporation | ATX FORM FACTOR MOTHER BOARD SUPPORTS LGA775 CORE2 DUO CORE2 QUAD, PENTIUM D, PROCESSOR AT FSB1066/800/533 FSB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-ADL-Q670-R10 | IEI Technology Corporation | ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR4, Triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, iAUDIO and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-BDE-D1518-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1518, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, M.2, HD Audio and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-BDE-D1548-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1548, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-C2260-i2-R11 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Xeon E3, Core i3, Pentium and Celeron per Intel C226, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio, iRIS-2400 and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-C2360-i2-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBA-C604EP-R10 | IEI | Single Board Computers 120W DC/DC 9~36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-G410-R20 | IEI | Single Board Computers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-H110-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron Pemtium processor,DDR4,Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, Dual Intel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s,HD Audio,ECO Packing, RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-H110-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pemtium processor , DDR4, Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, Dual Intel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBA-H112-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-H112-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-H420-R10 | iEi Technology | Description: ATX MOTHERBOARD SUPPORTS 14NM LG Packaging: Retail Package Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm) Speed: 2.9GHz Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron Cooling Type: Fan Form Factor: ATX Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI Video Outputs: DP++, HDMI, VGA Ethernet: GbE, RJ45 USB: USB 2.0 (2), USB 3.1 (4) RS-232 (422, 485): 6 Digital I/O Lines: 8 Watchdog Timer: Yes Storage Interface: SATA 3.0 (4) Number of Cores: 4 RAM Capacity/Installed: 64GB/0GB Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-H610-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE,USB 2.0,SATA 3Gb/s,HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBA-H810-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers LGA1150 4th generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU with Intel H81, DDR3, VGA/DVI-D/ iDP, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-H810-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA 1150 Intel 4th generation Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron H81, DDR3, VGA/DVI-D/iDP, Dual Intel PCIe GbE , USB3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBA-Q170-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q170-i2-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q370-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 3 шт: термін постачання 142-151 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBA-Q470-R10 | iEi Technology | Description: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM Packaging: Retail Package Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm) Speed: 2.9GHz Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron Cooling Type: Fan Form Factor: ATX Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI Video Outputs: DP++, HDMI, VGA Ethernet: GbE, RJ45 USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4) RS-232 (422, 485): 6 Digital I/O Lines: 8 Watchdog Timer: Yes Storage Interface: SATA 3.0 (4) Number of Cores: 4 RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q470-R10 | IEI Technology Corporation | ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q471-R10 | iEi Technology | Description: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM Packaging: Retail Package Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm) Speed: 2.9GHz Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron Cooling Type: Fan Form Factor: ATX Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCIe, SMBus, SPI Video Outputs: DP, HDMI, VGA Ethernet: GbE, RJ45 USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4) RS-232 (422, 485): 4 Digital I/O Lines: 12 Watchdog Timer: Yes Storage Interface: SATA 3.0 (4) Number of Cores: 4 RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q471-R10 | IEI Technology Corporation | ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slotsM.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q471-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slots,M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBA-Q670-R30 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67,DDR3,VGA/DVI/HDMI,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,HD Audio,RoHS | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q770-R10 | IEI | Single Board Computers F260 3.75G module kit for embedded system, with BT V2.1, 2 x RF cable, 1 x Antenna, RoHs, For IEI ATO only | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q870-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel Q87, DDR3, Triple Independent Display VGA/DVI-D/HDMI/iDP, USB 3.0, SATA 6Gb/s, ECO packing and RoHS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-Q870-i2-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,Three Independent Displays VGA/DVI-D/HDMI/iDP,Dual Intel GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s, Audio, iRIS-2400 and RoHS | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBA-R680-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBA-X9654-R10 | IEI Technology Corporation | ATX FORM FACTOR WITH CORE2 QUAD CPU FSB 533/800/1066 MHZ, VGA, DUAL-CHANNEL DDR2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBC327-25 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBD4148 E9 | GS | SOT23-A2 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBD4148 E9 SOT23-A2 | GS | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | VISHAY | IMBD4148-E3-08 SMD universal diodes | на замовлення 2960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 33504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/150mA | на замовлення 441006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 8066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-EP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns | на замовлення 14865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-GS08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 11984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | VISHAY | IMBD4148-HE3-08 SMD universal diodes | на замовлення 8940 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 14940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 5627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4148-V-GS08 | VISHAY | SOT23 | на замовлення 157000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-V-GS08 | VISHAY | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBD4148-V-GS08 | VIS | 07+; | на замовлення 207000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBD4148E9 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBD4148NED | DIODES | 03+ | на замовлення 15010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBD4148NEO(A2) | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBD4148NEO/A2 | ITT | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBD4448 | ITT | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 16190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 6254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBD4448-V-GS08 | VISHAY | SOT-23 | на замовлення 16400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 5819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.2A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | 1200 V SiC Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Sic Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP004463788 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Sic Trench MOSFET | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Sic Trench MOSFET | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V | на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V | на замовлення 1646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP004463796 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539143 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539165 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539169 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V | на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 294-303 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539172 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 161W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539175 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Power Dissipation (Max): 161W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 161W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Power Dissipation (Max): 161W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 294-303 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539178 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V Power Dissipation (Max): 126W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539181 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V Power Dissipation (Max): 126W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539184 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539187 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005539192 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBG65R260M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IMBH10D-060 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBH25-120 | MODULE | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBH50D-060 | N/A | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBH50D-060A | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBH60-100 | MODULE | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBH60-120 | MODULE | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBH75D-060S | на замовлення 962 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBI200F-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI200L-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI200S-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300F-060 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300F-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300JN-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300JP-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300L-060 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300L-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300MN-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI300NP-120 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBI600NN-060-03 | FUJI | . | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
| IMBT2222 | MICRONAS | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBT2907 | на замовлення 8267 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
| IMBT2907A | National | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
| IMBT3903 | ITT | 05+ SOT-23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |