Продукція > IMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMB-9454G-R20 | IEI Technology Corporation | MICRO-ATX MOTHERBOARD, CORE2 DUO CPU 800/1066/1333 MHZ FSB WITH VGA, DUAL PCIE GBE, SATA II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-9454G-R40 | IEI Technology Corporation | SBC, Intel CPU 4GB DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-AM5-R10 | IEI | Industrial Motherboards micro-ATX motherboard supports AMD 7000 series processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-C2060-R10 | IEI Technology Corporation | SBC, Intel CPU 32GB DDR3 1000Mbps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-G41A-R10 | IEI Technology Corporation | SBC, 2.66GHz Intel CPU 4GB DDR3 1000Mbps 2048x1536Pixels | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-G41A-R10-EKA | IEI Technology Corporation | M-ATX MB LGA775 CORE 2 QUAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-H110-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per Intel H110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO Packing and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-H110-R10 | IEI | Single Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation IntelCore i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per IntelH110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB-H110-R10 | IEI Technology Corporation | Motherboard, Intel CPU 64GB DDR4 1000Mbps 3480x2160Pixels | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-H610A-R10 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3/Pentium/Celeron CPU with Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE, USB 2.0, 6xCOM,SATA 3Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-H610A-R10 | Aaeon | MICRO/ATX MB WITH LGA1155 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-H810-ECO-R11 | IEI | Single Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual PCIe GbE, USB 2.0, COM, LPT, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-H810-i2-R11 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, USB 2.0, PCI, COM, LPT, SATA 3Gb/s, HD Audio, iRIS and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-M40H | ADLINK Technology | Single Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 3rd Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 2x PCIe x1 and 4x PCI slots BIOS Rev. A1.16 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-M42H | ADLINK Technology | Single Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 4th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 1x PCIe x4 and 4x PCI slots | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-M43 | ADLINK Technology | Single Board Computers IMB-M43 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB-M43 (Rev. B1) | ADLINK Technology | Industrial Motherboards IIMB-M43 ATX Embedded Motherboards, Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB-M43-C236 | ADLINK Technology | Single Board Computers IMB-M43-C236 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation E3Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB-M43H | ADLINK Technology | Single Board Computers IMB-M43HIMB-M43H ATX Embedded Motherboard supports Intel 6th/7 th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIex16, 1x PCIex4 and 5x PCI slots, BIOS REV:1.08.10,HS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-M46 | ADLINK Technology | IMB-M46 ATX Embedded Motherboard, Intel 10th Core-I, Q470E, DDR4, PCIe Gen 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-M47 | ADLINK Technology | Industrial Motherboards IMB-M47 ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Core-I, Q670, DDR5, PCIe Gen 5 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB-M47-R680E | ADLINK Technology | IMB-M47-R680E, ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Gen Core I, R680E, DDR5, PCIe Gen 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-M47H | ADLINK Technology | IMB-M47H ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Core-I, H610E, DDR5, PCIe Gen 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-Q670-R30 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67, DDR3, VGA/DVI/HDMI, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, 10 COM, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-Q770-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-Q870-i2-R10 | IEI | Single Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,HDMI/ DVI-D/ VGA / DP,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,Six Serial Ports, Audio, iRIS-2400 and RoHS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB-S90 | ADLINK Technology | Single Board Computers ExtendATX Server Board support Dual Xeon-E5 Processors,4x PCIe x16, 1x PCIe x8 and 1xPCIe x4slots | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-T10 | ADLINK Technology | Single Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset, BIOS Rev P1.1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB-T10B | ADLINK Technology | Single Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset w/CPU Fan, BIOS Rev P1.0 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0105S05 | XP POWER | IMB0105S05 DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0105S05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 5.5V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 79% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 4.5V Voltage - Output 1: 5V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0105S05 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0105S05 | XP POWER | Description: XP POWER - IMB0105S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & medizinische Anwendungen, SIP, 1:1, 1 W, 1 Ausgang tariffCode: 85044095 DC-Eingangsspannung, min.: 4.5V Ausgangsstrom - Ausgang 2: - rohsCompliant: YES Höhe: 12.5mm Nominelle DC-Eingangsspannung: 5V Tiefe: 22mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang Breite: 7.5mm usEccn: EAR99 DC/DC-Wandlerausgang: Fest Isolationsspannung: 4kV DC-Eingangsspannung, max.: 5.5V DC/DC-Wandlermontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR DC/DC-Wandler: SIP Ausgangsregelung: Ungeregelt Produktpalette: IMB01 Series Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V productTraceability: No Ausgangsspannung - Ausgang 2: - Ausgangsstrom - Ausgang 1: 200mA Eingangsverhältnis: 1:1 Anwendungen für das Netzteil: ITE & medizinische Anwendungen Ausgangsleistung, max.: 1W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0105S12 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0105S12 | XP POWER | IMB0105S12 DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0105S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 5.5V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 80% Current - Output (Max): 84mA Voltage - Input (Min): 4.5V Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA Manufacturer series: IMB01 Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Output voltage: 5V DC Output current: 0.2A Insulation voltage: 4kV DC Input voltage: 10.8...13.2V DC Type of converter: DC/DC Efficiency: 79% Switching frequency: 60kHz Case: SIP7 Power: 1W Number of outputs: 1 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA Manufacturer series: IMB01 Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Output voltage: 5V DC Output current: 0.2A Insulation voltage: 4kV DC Input voltage: 10.8...13.2V DC Type of converter: DC/DC Efficiency: 79% Switching frequency: 60kHz Case: SIP7 Power: 1W Number of outputs: 1 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 5V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 13.2V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 79% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 5V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0112S05 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0112S12 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0112S12 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 12VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT Manufacturer series: IMB01 Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Output voltage: 12V DC Output current: 84mA Insulation voltage: 4kV DC Input voltage: 12V DC Type of converter: DC/DC Efficiency: 81% Switching frequency: 60kHz Case: SIP7 Power: 1W Number of outputs: 1 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0112S12 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 12VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT Manufacturer series: IMB01 Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Output voltage: 12V DC Output current: 84mA Insulation voltage: 4kV DC Input voltage: 12V DC Type of converter: DC/DC Efficiency: 81% Switching frequency: 60kHz Case: SIP7 Power: 1W Number of outputs: 1 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0112S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 13.2V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 81% Current - Output (Max): 84mA Voltage - Input (Min): 10.8V Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0124S05 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA Case: SIP7 Operating temperature: -40...105°C Power: 1W Number of outputs: 1 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm Output voltage: 5V DC Output current: 0.2A Insulation voltage: 4kV DC Input voltage: 21.6...26.4V DC Type of converter: DC/DC Efficiency: 76% Switching frequency: 60kHz Manufacturer series: IMB01 Mounting: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0124S05 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA Case: SIP7 Operating temperature: -40...105°C Power: 1W Number of outputs: 1 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm Output voltage: 5V DC Output current: 0.2A Insulation voltage: 4kV DC Input voltage: 21.6...26.4V DC Type of converter: DC/DC Efficiency: 76% Switching frequency: 60kHz Manufacturer series: IMB01 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB0124S05 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0124S12 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 24VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT Type of converter: DC/DC Power: 1W Input voltage: 24V DC Output voltage: 12V DC Output current: 84mA Case: SIP7 Mounting: THT Manufacturer series: IMB01 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm Efficiency: 79% Operating temperature: -40...105°C Switching frequency: 60kHz Insulation voltage: 4kV DC Number of outputs: 1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0124S12 | XP Power | Non-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0124S12 | XP Power | Description: DC DC CONVERTER 12V 1W Packaging: Tube Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating) Applications: Medical Voltage - Input (Max): 26.4V Approval Agency: CB, TUV, UL Efficiency: 79% Current - Output (Max): 84mA Voltage - Input (Min): 21.6V Voltage - Output 1: 12V Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4 kV | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB0124S12 | XP POWER | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 24VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT Type of converter: DC/DC Power: 1W Input voltage: 24V DC Output voltage: 12V DC Output current: 84mA Case: SIP7 Mounting: THT Manufacturer series: IMB01 Body dimensions: 22x12.5x7.5mm Efficiency: 79% Operating temperature: -40...105°C Switching frequency: 60kHz Insulation voltage: 4kV DC Number of outputs: 1 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB01CGR | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays 140MW 3V DIELEC .2500VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB01CTS | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays IM RELAY 140MW 3V DIEL. 2500VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB02CGR | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays 140MW 4.5V dielectic 2500Vac | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB02CTS | TE Connectivity | IMB02CTS-TEC-0 Miniature Electromagnetic Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB02CTS | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays THT standard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB02IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 4.5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 31 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.45 VDC Must Operate Voltage: 3.38 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active Approval Agency: UR Load - Max Switching: 500VA, 440W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB02IGR | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB02IGR =IM Relay 140 mW 4,5V | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB02IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 4.5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 31 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.45 VDC Must Operate Voltage: 3.38 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active Approval Agency: UR Load - Max Switching: 500VA, 440W | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB02ITS | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Coil Voltage: 4.5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Relay Type: Telecom Coil Current: 31 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.45 VDC Must Operate Voltage: 3.38 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Approval Agency: UR Load - Max Switching: 500VA, 440W | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB02ITS | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB02ITS =IM Relay 140 mW 4,5V | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CGR | AXICOM - TE CONNECTIVITY | Description: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Spulentyp: Monostabil Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium Kontaktstrom: 2A usEccn: EAR99 Spulenwiderstand: 178ohm euEccn: NLR Kontaktspannung V DC: 220V Relaismontage: Oberflächenmontage Produktpalette: IM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Spulenspannung: 5VDC Kontaktkonfiguration: SPST-NO Kontaktspannung V AC: 250V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO SMD | на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB03CGR | AXICOM - TE CONNECTIVITY | Description: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Spulentyp: Monostabil Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium Kontaktstrom: 2A usEccn: EAR99 Spulenwiderstand: 178ohm euEccn: NLR Kontaktspannung V DC: 220V Relaismontage: Oberflächenmontage Produktpalette: IM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Spulenspannung: 5VDC Kontaktkonfiguration: SPST-NO Kontaktspannung V AC: 250V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CGR Код товару: 200311
Додати до обраних
Обраний товар
| Реле | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB03CGR | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CTS | TE Connectivity / P&B | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO T/H | на замовлення 4811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CTS | TE Connectivity | Signal Relay 5VDC 2A SPST-NO(254x152.4x137.16)mm THT Automotive | на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CTS | AXICOM - TE CONNECTIVITY | Description: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CTS - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Durchsteckmontage, Monostabil tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Spulentyp: Monostabil Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium Kontaktstrom: 2A usEccn: EAR99 Spulenwiderstand: 178ohm euEccn: NLR Kontaktspannung V DC: 220V Relaismontage: Durchsteckmontage Produktpalette: IM productTraceability: No Spulenspannung: 5VDC Kontaktkonfiguration: SPST-NO Kontaktspannung V AC: 250V SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03CTS Код товару: 191933
Додати до обраних
Обраний товар
| Реле | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB03IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 5V Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Approval Agency: UR Relay Type: Telecom Coil Current: 28.1 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.5 VDC Must Operate Voltage: 3.75 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active Load - Max Switching: 500VA, 440W | на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03IGR | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB03IGR =IM Relay 140 mW 5V | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 5V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Approval Agency: UR Relay Type: Telecom Coil Current: 28.1 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.5 VDC Must Operate Voltage: 3.75 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active Load - Max Switching: 500VA, 440W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03ITS | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 5V Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Coil Voltage: 5VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Relay Type: Telecom Coil Current: 28.1 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 0.5 VDC Must Operate Voltage: 3.75 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Approval Agency: UR Load - Max Switching: 500VA, 440W | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB03ITS | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB03ITS =IM Relay 140 mW 5V | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB06CGR | AXICOM - TE CONNECTIVITY | Description: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Spulentyp: Monostabil Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium Kontaktstrom: 2A usEccn: EAR99 Spulenwiderstand: 1.029kohm euEccn: NLR Kontaktspannung V DC: 220V Relaismontage: Oberflächenmontage Produktpalette: IM productTraceability: No Spulenspannung: 12VDC Kontaktkonfiguration: SPST-NO Kontaktspannung V AC: 250V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity | Signal Relay 12VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity | Signal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity / P&B | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD | на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB06CGR | AXICOM - TE CONNECTIVITY | Description: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Spulentyp: Monostabil Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium Kontaktstrom: 2A usEccn: EAR99 Spulenwiderstand: 1.029kohm euEccn: NLR Kontaktspannung V DC: 220V Relaismontage: Oberflächenmontage Produktpalette: IM productTraceability: No Spulenspannung: 12VDC Kontaktkonfiguration: SPST-NO Kontaktspannung V AC: 250V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity | Signal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB06CGR | TE Connectivity / Axicom | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB06CTS | TE Connectivity / Axicom | High Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO T/H | на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB06CTS | AXICOM - TE CONNECTIVITY | Description: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CTS - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM-B, Durchsteckmontage, Monostabil tariffCode: 85364110 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: PC-Pin hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Spulentyp: Monostabil Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium Kontaktstrom: 2A usEccn: EAR99 Spulenwiderstand: 1.029kohm euEccn: NLR Kontaktspannung V DC: 220V Relaismontage: Durchsteckmontage Produktpalette: IM-B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Spulenspannung: 12VDC Kontaktkonfiguration: SPST-NO Kontaktspannung V AC: 250V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB06IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 12V Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 12VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 11.7 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 1.2 VDC Must Operate Voltage: 9 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active Approval Agency: UR Load - Max Switching: 500VA, 440W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB06IGR | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 12V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Coil Voltage: 12VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Relay Type: Telecom Coil Current: 11.7 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 1.2 VDC Must Operate Voltage: 9 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active Approval Agency: UR Load - Max Switching: 500VA, 440W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB06IGR | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB06IGR =IM Relay 140 mW 12V | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB06ITS | TE Connectivity / Axicom | Low Signal Relays - PCB IMB06ITS =IM Relay 140 mW 12V | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB06ITS | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TELECOM SPST 2A 12V Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Coil Voltage: 12VDC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Relay Type: Telecom Coil Current: 11.7 mA Coil Type: Non Latching Seal Rating: Sealed - Hermetically Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au) Contact Form: SPST-NO (1 Form A) Contact Rating (Current): 2 A Switching Voltage: 400VDC - Max Must Release Voltage: 1.2 VDC Must Operate Voltage: 9 VDC Operate Time: 3 ms Release Time: 3 ms Part Status: Active Approval Agency: UR Load - Max Switching: 500VA, 440W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVT0K | SICK | IMB08-02BDSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVT0S | SICK | IMB08-02BDSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2K | SICK | IMB08-02BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2S | SICK | IMB08-02BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUC 2MM CYL 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BDSVU5K | SICK, Inc. | Description: INDUCT PROXIM SENS Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: NO, 2-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVT0K | SICK, Inc. | Description: SEN PROX SHLD NPN NC M8 SHRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVT0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: NPN-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 4kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNPVC0S | SICK | IMB08-02BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVC0S | SICK | IMB08-02BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVT0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...2mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 40mm Number of pins: 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVT0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...2mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 40mm Number of pins: 3 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVT0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...2mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 50mm Number of pins: 3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVT0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...2mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 50mm Number of pins: 3 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVU2K | SICK | IMB08-02BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVU2S | SICK | IMB08-02BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPOVT0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 4kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPOVU2K | SICK | Description: SICK - IMB08-02BPOVU2K - Induktiver Näherungssensor, 2mm, PNP / SPST-NC, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 2mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BPPVC0S | SICK | IMB08-02BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVC0S | SICK | IMB08-02BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVR8K | SICK, Inc. | Description: INDUCT PROXIM SENS Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0K | SICK | IMB08-02BPSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVT0S | SICK | IMB08-02BPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2K | SICK | Description: SICK - IMB08-02BPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 2mm, PNP, M8 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 2mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2K | SICK | IMB08-02BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 4kHz Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU2S | SICK | IMB08-02BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-02BPSVU5K | SICK, Inc. | Description: INDUCT PROXIM SENS Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVT0S | SICK | IMB08-04NDSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVU2K | SICK | IMB08-04NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVU2S | SICK | IMB08-04NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNPVC0S | SICK | IMB08-04NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVC0S | SICK | IMB08-04NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVT0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...4mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: non-embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 40mm Number of pins: 3 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVT0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...4mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: non-embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 40mm Number of pins: 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVT0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...4mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: non-embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 50mm Number of pins: 3 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVT0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA Type of sensor: inductive Output configuration: NPN / NO Range: 0...4mm Supply voltage: 10...30V DC Switch housing: M8 Connection: connector M8 IP rating: IP68 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C Kind of forehead: non-embedded Body material: stainless steel Switching frequency max: 4kHz Overall length: 50mm Number of pins: 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVU2K | SICK | Description: SICK - IMB08-04NNSVU2K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 rohsCompliant: YES Sensortyp: Induktive Näherungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Erfassungsabstand, min.: - Sensorgehäusematerial: Edelstahl IP-Schutzart: IP68, IP69K usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10VDC Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde Sensorausgang: NPN / SPST-NO euEccn: NLR Sensoranschlüsse: Kabel Erfassungsabstand, max.: - DC-Versorgungsspannung, max.: 30V Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1 DC-Versorgungsspannung, min.: 10V Produktpalette: IMB Series Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 100°C Erfassungsreichweite, nom.: 4mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVU2K | SICK | IMB08-04NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NNSVU2S | SICK | IMB08-04NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPOVT0S | SICK | Description: SICK - IMB08-04NPOVT0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NC, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-04NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 4kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 60mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 4kHz Switch housing: M8 Range: 0...4mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 60mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 4kHz Switch housing: M8 Range: 0...4mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVC0S | SICK | IMB08-04NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVT0K | SICK | IMB08-04NPSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVT0S | SICK | IMB08-04NPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVU2K | SICK | IMB08-04NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB08-04NPSVU2S | SICK | IMB08-04NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB08-1B5PSVU3SS09 | SICK, Inc. | Description: INDUCT PROXIM SENS Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M8 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.059" (1.5mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1 | ROHM | на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB1 T110 | ROHM | SOT163-B1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1 T110 SOT163-B1 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB1 T110 SOT163-B1 | ROHM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB1/B1 | ROHM | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB10 | ROHM | SOT-163 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB10AT110 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB10AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB10AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB10AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | IMB10AT110 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB10AT110 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP 50V 100MA SOT-457 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 155-164 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB10T110 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB11 | ROHM | SOT-163 | на замовлення 1130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB11A T110 | ROHM | SOT23 | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB11A/B11 | ROHM | 09+ | на замовлення 1868 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB11AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 4150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB11AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 50MA SOT-457 | на замовлення 5437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB11AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | IMB11AT110 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB11AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVC0S | SICK | IMB12-04BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVU2K | SICK | IMB12-04BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVU2S | SICK | IMB12-04BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUC 4MM CYL 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: NPN-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: NPN-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNPVC0K | SICK | IMB12-04BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNPVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-04BNPVC0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, komplementärer NPN, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: NPN, komplementär DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNPVC0S | SICK | IMB12-04BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0K | SICK | IMB12-04BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0K | SICK | Description: SICK - IMB12-04BNSVC0K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: NPN / SPST-NO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-04BNSVC0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 rohsCompliant: YES Sensortyp: Induktive Näherungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Erfassungsabstand, min.: - Sensorgehäusematerial: Edelstahl IP-Schutzart: IP68, IP69K usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10VDC Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde Sensorausgang: NPN / SPST-NO euEccn: NLR Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig Erfassungsabstand, max.: - DC-Versorgungsspannung, max.: 30V Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 DC-Versorgungsspannung, min.: 10V Produktpalette: IMB Series Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 100°C Erfassungsreichweite, nom.: 4mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVC0S | SICK | IMB12-04BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2K | SICK | IMB12-04BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BNSVU2S | SICK | IMB12-04BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPOVU2S | SICK | Description: SICK - IMB12-04BPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0K | SICK | IMB12-04BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0S | SICK | IMB12-04BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPPVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-04BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 4mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0K | SICK | Description: SICK - IMB12-04BPSVC0K - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85365019 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA Number of pins: 4 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 Kind of forehead: embedded Type of sensor: inductive Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Overall length: 45mm Switching frequency max: 2kHz Switch housing: M12 Range: 0...4mm Output configuration: PNP / NO Connection: connector M12 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA Number of pins: 4 Max. operating current: 200mA Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 Kind of forehead: embedded Type of sensor: inductive Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Overall length: 45mm Switching frequency max: 2kHz Switch housing: M12 Range: 0...4mm Output configuration: PNP / NO Connection: connector M12 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0S | SICK | IMB12-04BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-04BPSVC0S - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85365019 Erfassungsreichweite, max.: 4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2K | SICK | IMB12-04BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-04BPSVU2S | SICK | IMB12-04BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVC0S | SICK | IMB12-08NDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVU2K | SICK | IMB12-08NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVU2S | SICK | Description: SICK - IMB12-08NDSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: SPST-NO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NDSVU2S | SICK | IMB12-08NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNPVC0K | SICK | IMB12-08NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNPVC0S | SICK | IMB12-08NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVC0K | SICK | IMB12-08NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVC0S | SICK | IMB12-08NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2K | SICK | IMB12-08NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2S | SICK | IMB12-08NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPOVC0K | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPOVC0K - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPOVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPOVC0S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 2kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 45mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 2kHz Switch housing: M12 Range: 0...8mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 45mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 2kHz Switch housing: M12 Range: 0...8mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0S | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 65mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 2kHz Switch housing: M12 Range: 0...8mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 65mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 2kHz Switch housing: M12 Range: 0...8mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0K | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPSVC0K - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0K | SICK | IMB12-08NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 2kHz Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVC0S | SICK | IMB12-08NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2K | SICK | IMB12-08NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2K | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 8mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85365019 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M SHRT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2S | SICK | IMB12-08NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-08NPSVU2S | SICK | Description: SICK - IMB12-08NPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB12-140 | FUJI | на замовлення 303 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB12A188SPTC8M01TRH | Amphenol | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB14 | ROHM | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB16T110 | на замовлення 219000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NO, 2-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVC0S | SICK | IMB18-08BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVU2K | SICK | IMB18-08BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVU2S | SICK | IMB18-08BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUC 8MM CYL 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 1kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0K | SICK | IMB18-08BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0S | SICK | IMB18-08BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVC0K | SICK | IMB18-08BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVC0S | SICK | Description: SICK - IMB18-08BNSVC0S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, NPN / SPST-NO, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 rohsCompliant: YES Sensortyp: Induktive Näherungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Erfassungsabstand, min.: - Sensorgehäusematerial: Edelstahl IP-Schutzart: IP68, IP69K usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10VDC Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde Sensorausgang: NPN / SPST-NO euEccn: NLR Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig Erfassungsabstand, max.: - DC-Versorgungsspannung, max.: 30V Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1 DC-Versorgungsspannung, min.: 10V Produktpalette: IMB Series Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 100°C Erfassungsreichweite, nom.: 8mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVC0S | SICK | IMB18-08BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVU2K | SICK | IMB18-08BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BNSVU2S | SICK | IMB18-08BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 1kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPOVU2S | SICK | Description: SICK - IMB18-08BPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-08BPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPPVC0K | SICK | IMB18-08BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPPVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NC/NO, 4-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPPVC0S | SICK | Description: SICK - IMB18-08BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M18, Steckverbinder, 10 bis 30V DC tariffCode: 90318080 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPPVC0S | SICK | IMB18-08BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0K | SICK | IMB18-08BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0S | SICK | IMB18-08BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2K | SICK | IMB18-08BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2S | SICK | IMB18-08BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2S | SICK | Description: SICK - IMB18-08BPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-08BPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NDSVU2K | SICK | IMB18-12NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NDSVU2S | SICK | IMB18-12NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNOVU2S | SICK | Description: SICK - IMB18-12NNOVU2S - Induktiver Näherungssensor, NPN/SPST-NC, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 rohsCompliant: YES Sensortyp: Induktive Näherungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Erfassungsabstand, min.: - Sensorgehäusematerial: Edelstahl IP-Schutzart: IP68, IP69K usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10VDC Sensorgehäuse/-bauform: Cylindrical M18 Thread Sensorausgang: NPN / SPST-NC euEccn: NLR Sensoranschlüsse: Kabel Erfassungsabstand, max.: - DC-Versorgungsspannung, max.: 30V Sensorausgang: 3-Wire, NPN, NC Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1 DC-Versorgungsspannung, min.: 10V Produktpalette: IMB Series Erfassungsreichweite, max.: 12mm productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 100°C Erfassungsreichweite, nom.: 12mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NNPVC0K | SICK | IMB18-12NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNPVC0S | SICK | IMB18-12NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVC0K | SICK | IMB18-12NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVC0S | SICK | IMB18-12NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVU2K | SICK | IMB18-12NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVU2K | SICK | Description: SICK - IMB18-12NNSVU2K - Induktiver Näherungssensor, NPN/SPST-NO, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 rohsCompliant: YES Sensortyp: Induktive Näherungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Erfassungsabstand, min.: - Sensorgehäusematerial: Edelstahl IP-Schutzart: IP68, IP69K usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10VDC Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde Sensorausgang: NPN / SPST-NO euEccn: NLR Sensoranschlüsse: Kabel Erfassungsabstand, max.: - DC-Versorgungsspannung, max.: 30V Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1 DC-Versorgungsspannung, min.: 10V Produktpalette: IMB Series Erfassungsreichweite, max.: 12mm productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 30VDC Betriebstemperatur, max.: 100°C Erfassungsreichweite, nom.: 12mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVU2S | SICK | IMB18-12NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPOVC0K | SICK | Description: SICK - IMB18-12NPOVC0K - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NC, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 12mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NPOVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPPVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 45mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 1kHz Switch housing: M18 Range: 0...12mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPPVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 45mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 1kHz Switch housing: M18 Range: 0...12mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 65mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 1kHz Switch housing: M18 Range: 0...12mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 65mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 1kHz Switch housing: M18 Range: 0...12mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0K | SICK | IMB18-12NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 1kHz Part Status: Active | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVC0S | SICK | IMB18-12NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVU2K | SICK | IMB18-12NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVU2S | SICK | IMB18-12NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB18-12NPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1805C5 | Crouzet Switches | Description: M18 ANALOG PROXIMITY M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1805C5 | Crouzet Switches | Proximity Sensors M18 ANALOG PROXIMTY M12 QC0NN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1805T | CROUZET | IMB1805T-CRO DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1805T | Crouzet | Proximity Sensors M18 ANALOG PROXIMITY 2 M | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1805T | CROUZET | Description: CROUZET - IMB1805T - INDUCTIVE PROXIMITY DETECTOR, 5MM, 12V TO 24V tariffCode: 85339000 Erfassungsreichweite, max.: 5mm productTraceability: No rohsCompliant: NO Gewindemaß - Metrisch: M18 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 Sensorausgang: Voltage DC-Versorgungsspannung, max.: 24V usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB1805T | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 12V ~ 24V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1A | ROHM | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1A | ROHM | SOT-163 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1AT110 | ROHM | 96+/00 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB1T110SOT163-B1 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB204 | Axiomtek | Single Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3/Celeron Intel B75 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE LPT 6 COM VGA/DVI-D HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI w/driver CD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB204VGGA | Axiomtek | Single Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET B75 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB206DGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB206DGGA-RC LGA1155 Socket | Axiomtek | Axiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB207DGGA | Axiomtek | Single Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET Q77 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB207DGGA LGA1155 socket | Axiomtek | Axiomtek LGA1155 Socket Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q77 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB208DGGA | Axiomtek | Single Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET C216 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB208DGGA LGA1155 socket | Axiomtek | Axiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C216 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID TPM CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB210VGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1150 Socket 4th Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C226 PCH ECC DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA RAID TPM CFast 6 COM DisplayPort/DVI-I/HDMI HDAudio 1 PCIex16 (or 2 PCIex8) 1 PCIex4 1 PCIex1 3 PCI | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB211VGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1150 Socket 4th Gen Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q87 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA 6 COM DisplayPort/VGA/HDMI HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB226515C | Crouzet Switches | Description: IPD SHLD 3W SPST 2.0MTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB226515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO 2M CB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB226515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB226515M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB226515M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB226515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22651C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22651M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22651M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22653M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB22653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB236515C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB236515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC 2M CB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB236515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB236515M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB236515M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB236515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23651C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23651M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23651M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23652C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23652M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23653M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 3MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.118" (3mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB23653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25652C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25652M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25652M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25654C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25654M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25654M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25656C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25656M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25656M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB25656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26654C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26654M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26654M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26656C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26656M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26656M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB26656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB2A | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB2A | ROHM | SOT-163 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB2AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB2AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB2AT110 | ROHM | 96+ | на замовлення 2556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB2AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB2AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | IMB2AT110 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3 | ROHM | на замовлення 2857 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVC0S | SICK | IMB30-15BDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVU2K | SICK | IMB30-15BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BDSVU2S | SICK | IMB30-15BDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNPVC0K | SICK | IMB30-15BNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNPVC0S | SICK | IMB30-15BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVC0K | SICK | IMB30-15BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVC0S | SICK | IMB30-15BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVU2K | SICK | IMB30-15BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BNSVU2S | SICK | IMB30-15BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVC0K | SICK | IMB30-15BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVC0S | SICK | IMB30-15BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVU2S | SICK | Description: SICK - IMB30-15BPPVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP-CO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 15mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP-CO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPPVU2S | SICK | IMB30-15BPPVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0K | SICK | IMB30-15BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0K | SICK | Description: SICK - IMB30-15BPSVC0K - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 15mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP69K Indicator: LED Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVC0S | SICK | IMB30-15BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2K | SICK | IMB30-15BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2S | SICK | IMB30-15BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2S | SICK | Description: SICK - IMB30-15BPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 15mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NO DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-15BPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVC0S | SICK | IMB30-20NDSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVU2K | SICK | IMB30-20NDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NO, 2-Wire Sensing Distance: 0.787" (20mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NDSVU2S | SICK | IMB30-20NDSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NNOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NNPVC0K | SICK | IMB30-20NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NNPVC0S | SICK | IMB30-20NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVC0K | SICK | IMB30-20NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVC0S | SICK | IMB30-20NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.787" (20mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVU2K | SICK | IMB30-20NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NNSVU2S | SICK | IMB30-20NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPOVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NC, 3-Wire Sensing Distance: 0.787" (20mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPOVU2K | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPOVU2S | SICK | Description: SICK - IMB30-20NPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NC, 20mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB tariffCode: 85439000 Erfassungsreichweite, max.: 20mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5 euEccn: NLR DC-Versorgungsspannung, min.: 10V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Sensorausgang: PNP / SPST-NC DC-Versorgungsspannung, max.: 30V usEccn: EAR99 Produktpalette: IMB Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-20NPOVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPPVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 50.2mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 500Hz Switch housing: M30 Range: 0...20mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPPVC0K | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 50.2mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 500Hz Switch housing: M30 Range: 0...20mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 70.2mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 500Hz Switch housing: M30 Range: 0...20mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPPVC0S | SICK | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68 Supply voltage: 10...30V DC Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 70.2mm Max. operating current: 200mA Switching frequency max: 500Hz Switch housing: M30 Range: 0...20mm Output configuration: PNP / NO + NC Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Operating temperature: -40...100°C IP rating: IP68 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVC0K | SICK | IMB30-20NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVC0S | SICK | IMB30-20NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVC0S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.787" (20mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Plastic Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: No Indicator Response Frequency: 500Hz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVU2K | SICK | IMB30-20NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVU2S | SICK, Inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB30-20NPSVU2S | SICK | IMB30-20NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB3180-08-FB-B-0-4. | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-08-FB-B-0-4.5 | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-10-FB-B-0-4. | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-10-FB-B-0-4.5 | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-12-FB-B-0-4. | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-12-FB-B-0-4.5 | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-14-FB-B-0-4. | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-14-FB-B-0-4.5 | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-18-FB-B-0-4. | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-18-FB-B-0-4.5 | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-22-FB-B-0-4. | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3180-22-FB-B-0-4.5 100 | Amphenol | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3181-08-SD-G-06_3 | Amphenol | 84003814 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3181-14-A-V1 | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26482 D/C RECP SZ 14 BLK ANOD | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3181-14-A-V1 | Amphenol PCD | Description: CONN BACKSHELL | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3181-14-SD-G-06-3 | Amphenol | IMB3181-14-SD-G-06-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB318114-SD-G-107-5 | Amphenol | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB31T1101 | IMB | 98+ SOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB326515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO 2M CB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB326515C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.591" (15mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB326515M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.591" (15mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB326515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB326515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB326515M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.591" (15mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32651C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32651M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32651M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32653M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB32653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB336515C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC 2M CB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB336515C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB336515M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB336515M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB336515M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB336515M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33651C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33651C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33651M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33651M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33651M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33651M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.039" (1mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33652C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33652M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33653C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33653C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33653M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33653M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 3MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.118" (3mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33653M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB33653M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35652C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35652M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35652M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.079" (2mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35654C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35654M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35654M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.157" (4mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35656C | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Cable Leads Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35656M12 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB35656M8 | Crouzet | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM Packaging: Box Sensing Distance: 0.236" (6mm) Termination Style: Connector Sensor Type: Inductive Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36652C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36652C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36652M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36652M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36652M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36652M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36654C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36654C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36654M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36654M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36654M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36654M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36656C | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36656C | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36656M12 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36656M12 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36656M8 | Crouzet Switches | Description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB36656M8 | Crouzet Switches | Proximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3A | ROHM | 3 sot-23-6 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3A T110 | ROHM | SOT163-B3 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3A T110 SOT163-B3 | ROHM | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB3A T110 SOT163-B3 | ROHM | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB3AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB3AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB3AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | IMB3AT110 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB3T110 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB3T110SOT163-B3 | ROHM | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB4 | ROHM | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB4A | SOT26/SOT363 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB4AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB4AT110 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB4AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB4AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB4AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB500VHGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 mSATA Dual GEs RAID 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 4 PCI 1 Mini-Card | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB501VHGGA | Axiomtek | Single Board Computers IMB501VHGGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB501VHGGA BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel H110 PCH DDR4 USB 3.0 3 SATA 3.0 mSATA Dual GEs 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 (x1 Signal) 4 PCI 1 Mini-Card | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB502VHGGA | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB502VHGGA BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB520RVDHGGA-Q370 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB520RVDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB520VDHGGA-Q370 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB520VDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB521RVDHGGA-C246 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB521RVDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Axiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB521VDHGGA-C246 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB521VDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB523RVDHGGA-Q370 BULK | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB523RVDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Axiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB523VDHGGA-Q370 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB523VDHGGA-Q370 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB524RVDHGGA-H310 BULK | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB524RVDHGGA-H310 GIFT BOX | Axiomtek | Axiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB524VDHGGA-H310 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB524VDHGGA-H310 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB525RVDHGGA-C246 BULK | Axiomtek | Single Board Computers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB525RVDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB525VDHGGA-C246 BULK PACKING | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB525VDHGGA-C246 GIFT BOX | Axiomtek | Single Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB541-Q670E-SP | Axiomtek | Axiomtek IMB541-Q670E-SP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB5AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB5AT108 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB6 | ROHM | на замовлення 2863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB6/B6 | ROHM | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMB6T108 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB7 | ROHM | 09+ | на замовлення 2918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB7/B7 | ROHM | 97+ SOT-153 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP single | Axiomtek | Single Board Computers IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC | Axiomtek | Axiomtek IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB760-C621A-IP SP | Axiomtek | Axiomtek IMB760-C621A-IP SP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB760-C627A-IPMI SP | Axiomtek | Modules Accessories IMB760-C627A-IPMI SP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB7A | ROHM | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB7AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-457 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB7AT108 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB7T108 | на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB7T109 | на замовлення 696000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB7Z462 | Apem | Pushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB8 | ROHM | SOT-163 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB8AT108 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB8T108 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB9948CA | на замовлення 79 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMB9AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 6059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB9AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMB9AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMB9T110 | на замовлення 12400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMBA-8650GR-R22 | IEI Technology Corporation | ATX MOTHERBOARD, PENTIUM 4 PROCESSOR 533/800MHZ FSB WITH VGA, LCD, SATA, EIGHT USB 2.0 , SIX COM AND AUDIO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-9454G-R40 | IEI | Single Board Computers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-9454G-R40 | IEI Technology Corporation | SBC, Intel CPU 4GB DDR2 1000Mbps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-9654-R10 | IEI Technology Corporation | ATX FORM FACTOR MOTHER BOARD SUPPORTS LGA775 CORE2 DUO CORE2 QUAD, PENTIUM D, PROCESSOR AT FSB1066/800/533 FSB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-ADL-Q670-R10 | IEI Technology Corporation | ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR4, Triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, iAUDIO and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-AM5-R10 | IEI | Industrial Motherboards ATX motherboard supports AMD 7000 series processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-BDE-D1518-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1518, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, M.2, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-BDE-D1548-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1548, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-C2060 (IEI) | Aaeon | ATX MB WITH INTEL LGA 1155 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-C2260-i2-R11 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Xeon E3, Core i3, Pentium and Celeron per Intel C226, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio, iRIS-2400 and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-C2360-i2-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-C604EP-R10 | IEI | Single Board Computers 120W DC/DC 9~36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-G410-R20 | IEI | Single Board Computers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H110-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron Pemtium processor,DDR4,Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, Dual Intel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s,HD Audio,ECO Packing, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H110-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pemtium processor , DDR4, Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, DualIntel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H112-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H112-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H310-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel H310 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays, dual GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H420-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Triple independent displays, dual GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H420-R10 | iEi Technology | Description: ATX MOTHERBOARD SUPPORTS 14NM LG Packaging: Retail Package Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm) Speed: 2.9GHz Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron Cooling Type: Fan Form Factor: ATX Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI Video Outputs: DP++, HDMI, VGA Ethernet: GbE, RJ45 USB: USB 2.0 (2), USB 3.1 (4) RS-232 (422, 485): 6 Digital I/O Lines: 8 Watchdog Timer: Yes Storage Interface: SATA 3.0 (4) Number of Cores: 4 RAM Capacity/Installed: 64GB/0GB Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H420-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Triple independent displays, 2.5GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBA-H610-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE,USB 2.0,SATA 3Gb/s,HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H810-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers LGA1150 4th generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU with Intel H81, DDR3, VGA/DVI-D/ iDP, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-H810-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA 1150 Intel 4th generation Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron H81, DDR3, VGA/DVI-D/iDP, Dual Intel PCIe GbE , USB3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q170-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q170-i2-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q370-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBA-Q470-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q470-R10 | IEI Technology Corporation | ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q470-R10 | iEi Technology | Description: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM Packaging: Retail Package Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm) Speed: 2.9GHz Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron Cooling Type: Fan Form Factor: ATX Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI Video Outputs: DP++, HDMI, VGA Ethernet: GbE, RJ45 USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4) RS-232 (422, 485): 6 Digital I/O Lines: 8 Watchdog Timer: Yes Storage Interface: SATA 3.0 (4) Number of Cores: 4 RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q471-R10 | iEi Technology | Description: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM Packaging: Retail Package Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm) Speed: 2.9GHz Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron Cooling Type: Fan Form Factor: ATX Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCIe, SMBus, SPI Video Outputs: DP, HDMI, VGA Ethernet: GbE, RJ45 USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4) RS-232 (422, 485): 4 Digital I/O Lines: 12 Watchdog Timer: Yes Storage Interface: SATA 3.0 (4) Number of Cores: 4 RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q471-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slots,M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBA-Q471-R10 | IEI Technology Corporation | ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slotsM.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q670-R30 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67,DDR3,VGA/DVI/HDMI,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,HD Audio,RoHS | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q770-R10 | IEI | Single Board Computers F260 3.75G module kit for embedded system, with BT V2.1, 2 x RF cable, 1 x Antenna, RoHs, For IEI ATO only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q870-ECO-R10 | IEI | Single Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel Q87, DDR3, Triple Independent Display VGA/DVI-D/HDMI/iDP, USB 3.0, SATA 6Gb/s, ECO packing and RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-Q870-i2-R10 | IEI | Single Board Computers ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,Three Independent Displays VGA/DVI-D/HDMI/iDP,Dual Intel GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s, Audio, iRIS-2400 and RoHS | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBA-R680-R10 | IEI | Single Board Computers ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBA-X9654-R10 | IEI Technology Corporation | ATX FORM FACTOR WITH CORE2 QUAD CPU FSB 533/800/1066 MHZ, VGA, DUAL-CHANNEL DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBC327-25 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMBD4148 E9 | GS | SOT23-A2 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148 E9 SOT23-A2 | GS | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 100V Io/150mA | на замовлення 187874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 29176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Case: SOT23 Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1V Load current: 0.15A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W Kind of package: 7 inch reel Type of diode: switching Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Case: SOT23 Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1V Load current: 0.15A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W Kind of package: 7 inch reel Type of diode: switching Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Mounting: SMD | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | на замовлення 5333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-E3-18 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 10000 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-EP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-08 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns | на замовлення 14865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-G3-18 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-GS08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Case: SOT23 Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1V Load current: 0.15A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W Kind of package: 7 inch reel Type of diode: switching Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Mounting: SMD | на замовлення 8440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 11974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Case: SOT23 Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1V Load current: 0.15A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W Kind of package: 7 inch reel Type of diode: switching Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 8440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-18 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-A-08 | Vishay | Vishay SWITCHING DIODE SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-A-18 | Vishay | Vishay SWITCHING DIODE SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3_A-08 | Vishay | Description: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3_A-08 | Vishay | Description: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3_A-08 | Vishay | Small Signal Switching Diodes | на замовлення 14905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3_A-18 | Vishay | Description: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3_A-18 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-V-GS08 | VIS | 07+; | на замовлення 207000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-V-GS08 | VISHAY | SOT23 | на замовлення 157000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148-V-GS08 | VISHAY | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148E9 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMBD4148NED | DIODES | 03+ | на замовлення 15010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4148NEO(A2) | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMBD4148NEO/A2 | ITT | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMBD4448 | ITT | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-08 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 15188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-18 | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4448-E3-18 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-G3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBD4448-HE3_A-08 | Vishay | Small Signal Switching Diodes | на замовлення 14780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBD4448-V-GS08 | VISHAY | SOT-23 | на замовлення 16400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.2A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R1K0M1XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R450M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V | на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V | на замовлення 1512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBF170R650M1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 88W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 189A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 189A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R008M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R022M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs Y | на замовлення 993 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V Power Dissipation (Max): 335W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 335W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R026M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 335W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. | на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R034M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V | на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 181W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | 1200 V SiC Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R060M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V | на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V | на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP004463788 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 123W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 123W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP004463796 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V | на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tray Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|