Продукція > IMB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMB-9454G-R20IEI Technology CorporationMICRO-ATX MOTHERBOARD, CORE2 DUO CPU 800/1066/1333 MHZ FSB WITH VGA, DUAL PCIE GBE, SATA II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-9454G-R40IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 4GB DDR2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-AM5-R10IEIIndustrial Motherboards micro-ATX motherboard supports AMD 7000 series processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-ARL-Q870-R10IEIIndustrial Motherboards micro-ATX motherboard supports LGA1851 Intel 15th Generation Ultra processor, DDR5, Quadruple independent displays, triple LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-C2060-R10IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 32GB DDR3 1000Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-G41A-R10IEI Technology CorporationSBC, 2.66GHz Intel CPU 4GB DDR3 1000Mbps 2048x1536Pixels
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-G41A-R10-EKAIEI Technology CorporationM-ATX MB LGA775 CORE 2 QUAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H110-ECO-R10IEISingle Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per Intel H110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO Packing and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H110-R10IEI Technology CorporationMotherboard, Intel CPU 64GB DDR4 1000Mbps 3480x2160Pixels
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H110-R10IEISingle Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation IntelCore i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per IntelH110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+27404.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H420-R10IEISingle Board Computers Micro-ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Gen. Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR4, triple displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, 6 USB 3.2,8 USB 2.0,10 COM, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H610A-R10IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3/Pentium/Celeron CPU with Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE, USB 2.0, 6xCOM,SATA 3Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H610A-R10AaeonMICRO/ATX MB WITH LGA1155
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H810-ECO-R11IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual PCIe GbE, USB 2.0, COM, LPT, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-H810-i2-R11IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, USB 2.0, PCI, COM, LPT, SATA 3Gb/s, HD Audio, iRIS and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M40HADLINK TechnologySingle Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 3rd Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 2x PCIe x1 and 4x PCI slots BIOS Rev. A1.16
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M42HADLINK TechnologySingle Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 4th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 1x PCIe x4 and 4x PCI slots
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M43ADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+46899.69 грн
10+44801.09 грн
25+38022.90 грн
50+36900.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M43 (Rev. B1)ADLINK TechnologyIndustrial Motherboards IIMB-M43 ATX Embedded Motherboards, Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44985.78 грн
10+42971.88 грн
25+36470.65 грн
50+35630.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M43-C236ADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43-C236 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation E3Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+47737.59 грн
10+45601.43 грн
25+38701.96 грн
50+37559.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M43HADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43HIMB-M43H ATX Embedded Motherboard supports Intel 6th/7 th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIex16, 1x PCIex4 and 5x PCI slots, BIOS REV:1.08.10,HS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M43H/WO AUDIOADLINK Technology IMB-M43H/WO AudioIMB-M43H ATX Embedded Motherboard supports Intel 6th/7 th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIex16, 1x PCIex4 and 5x PCI slots, BIOS REV:1.08.10,WOAHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M45/WO AUDIOADLINK Technology IMB-M45 ATX Embedded Motherboard supports Intel 8th/9th Xeon E/Core i, 2xPCIe x8, 3xPCIe x4 and 2xPCI slots, 2xLAN/WO TPM/WO BMC, BIOS REV:1.03.10,WOAHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M45H (Rev. B1)ADLINK TechnologyIndustrial Motherboards IMB-M45H ATX Embedded Motherboard w/ MPS, w/ I225-V Rev. B1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M45H/WO AUDIOADLINK Technology IMB-M45H ATX Embedded Motherboard supports Intel 8th/9th Core i, 1xPCIe x16, 1xPCIe x4 and 5xPCI slots, WO TPM/WO BMC/WO DP, BIOS REV:1.03.10,WOAHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M46ADLINK Technology IMB-M46 ATX Embedded Motherboard, Intel 10th Core-I, Q470E, DDR4, PCIe Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M47ADLINK TechnologyIndustrial Motherboards IMB-M47 ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Core-I, Q670, DDR5, PCIe Gen 5
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+50966.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M47-R680EADLINK TechnologyIndustrial Motherboards IMB-M47-R680E, ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Gen Core I, R680E, DDR5, PCIe Gen 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-M47HADLINK Technology IMB-M47H ATX Embedded Motherboard, Intel 12th Core-I, H610E, DDR5, PCIe Gen 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-MTL-U5E-R10IEI Micro-ATX motherboard supports 14th Gen. Intel Meteor Lake-H 125H on-board processor, DDR5, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-MTL-U7E-R10IEI Micro-ATX motherboard supports 14th Gen. Intel Meteor Lake-H 155H on-board processor, DDR5, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-Q470-R10IEISingle Board Computers Micro-ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Gen. Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR4, triple displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, 8 USB 3.2,6 USB 2.0,10 COM, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-Q670-R30IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67, DDR3, VGA/DVI/HDMI, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, 10 COM, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-Q770-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,HDMI/ DVI-D/ VGA / DP,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,Six Serial Ports, Audio, iRIS-2400 and RoHS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+32753.07 грн
5+31897.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-S90ADLINK TechnologySingle Board Computers ExtendATX Server Board support Dual Xeon-E5 Processors,4x PCIe x16, 1x PCIe x8 and 1xPCIe x4slots
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-T10ADLINK TechnologySingle Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset, BIOS Rev P1.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB-T10BADLINK TechnologySingle Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset w/CPU Fan, BIOS Rev P1.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0105S05XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0105S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1323.98 грн
5+1266.24 грн
10+1066.55 грн
30+1021.28 грн
100+952.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0105S05XP POWERDescription: XP POWER - IMB0105S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & medizinische Anwendungen, SIP, 1:1, 1 W, 1 Ausgang
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 4.5V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 12.5mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 5V
Tiefe: 22mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 7.5mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 4kV
DC-Eingangsspannung, max.: 5.5V
DC/DC-Wandlermontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: IMB01 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 200mA
Eingangsverhältnis: 1:1
Anwendungen für das Netzteil: ITE & medizinische Anwendungen
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+853.01 грн
5+827.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0105S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1323.98 грн
5+1266.24 грн
10+1066.55 грн
30+1021.28 грн
100+952.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0105S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.25 грн
5+1148.24 грн
10+1112.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0112S05XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 13.2V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.25 грн
5+1148.24 грн
10+1112.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0112S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1350.84 грн
5+1291.83 грн
10+1088.03 грн
30+1042.00 грн
100+972.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0112S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1350.84 грн
5+1291.83 грн
10+1088.03 грн
30+1042.00 грн
100+972.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0112S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 13.2V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.25 грн
5+1148.24 грн
10+1112.67 грн
25+999.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0124S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA
Case: SIP7
Type of converter: DC/DC
Manufacturer series: IMB01
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Output current: 0.2A
Number of outputs: 1
Power: 1W
Output voltage: 5V DC
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Efficiency: 76%
Insulation voltage: 4kV DC
Switching frequency: 60kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0124S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1323.98 грн
5+1266.24 грн
10+1066.55 грн
30+1021.28 грн
100+952.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0124S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 24VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT
Manufacturer series: IMB01
Mounting: THT
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Case: SIP7
Output current: 84mA
Number of outputs: 1
Power: 1W
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 24V DC
Efficiency: 79%
Insulation voltage: 4kV DC
Switching frequency: 60kHz
Type of converter: DC/DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1273.57 грн
50+1139.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0124S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1350.84 грн
5+1291.83 грн
10+1088.03 грн
30+1042.00 грн
100+972.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0124S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 26.4V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 21.6V
Voltage - Output 1: 12V
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.25 грн
5+1148.24 грн
10+1112.67 грн
25+999.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB0124S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 24VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; THT
Manufacturer series: IMB01
Mounting: THT
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Case: SIP7
Output current: 84mA
Number of outputs: 1
Power: 1W
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 24V DC
Efficiency: 79%
Insulation voltage: 4kV DC
Switching frequency: 60kHz
Type of converter: DC/DC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1061.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB01CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays 140MW 3V DIELEC .2500VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB01CTSTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays IM RELAY 140MW 3V DIEL. 2500VAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB02CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays 140MW 4.5V dielectic 2500Vac
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB02CTSTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays THT standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB02IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Approval Agency: UR
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 500VA, 440W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+343.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMB02IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB02IGR =IM Relay 140 mW 4,5V
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.66 грн
10+539.14 грн
25+417.41 грн
100+374.44 грн
250+333.01 грн
500+313.06 грн
1000+291.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB02IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Approval Agency: UR
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 500VA, 440W
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.14 грн
10+532.32 грн
25+473.14 грн
50+421.83 грн
100+399.63 грн
250+355.23 грн
500+327.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB02ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB02ITS =IM Relay 140 mW 4,5V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.26 грн
10+454.43 грн
25+359.86 грн
100+345.29 грн
250+316.90 грн
500+300.02 грн
1000+273.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB02ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.49 грн
10+491.55 грн
25+436.85 грн
50+389.51 грн
100+368.99 грн
250+328.00 грн
500+302.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+245.98 грн
300+235.04 грн
500+228.71 грн
1000+214.67 грн
3000+193.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 178ohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spulenspannung: 5VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+278.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+273.60 грн
2000+267.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO SMD
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.19 грн
10+420.90 грн
25+332.24 грн
100+251.68 грн
250+234.03 грн
500+226.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM Series, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
isCanonical: Y
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 178ohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spulenspannung: 5VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+426.07 грн
10+381.31 грн
25+358.94 грн
100+290.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CGR
Код товару: 200311
Додати до обраних Обраний товар

Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CTSTE Connectivity / P&BHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO T/H
на замовлення 3737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.09 грн
50+178.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CTSAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CTS - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM Series, Durchsteckmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
isCanonical: Y
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 178ohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IM Series
productTraceability: No
Spulenspannung: 5VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.90 грн
10+173.87 грн
25+166.99 грн
100+149.46 грн
1000+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CTS
Код товару: 191933
Додати до обраних Обраний товар

Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03CTSTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(254x152.4x137.16)mm THT Automotive
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+402.10 грн
100+260.33 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.54 грн
10+420.50 грн
25+401.55 грн
50+363.94 грн
100+351.45 грн
250+335.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB03IGR =IM Relay 140 mW 5V
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.55 грн
10+524.14 грн
25+405.14 грн
100+365.24 грн
250+339.91 грн
1000+288.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Approval Agency: UR
Load - Max Switching: 500VA, 440W
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.56 грн
10+513.61 грн
25+456.54 грн
50+407.01 грн
100+385.60 грн
250+342.75 грн
500+316.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB03ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB03ITS =IM Relay 140 mW 5V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.79 грн
10+459.73 грн
25+369.07 грн
100+356.03 грн
250+347.59 грн
500+335.31 грн
1000+303.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM Series, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM Series
productTraceability: No
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+298.93 грн
1000+251.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CGRTE Connectivity / P&BHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.09 грн
10+449.14 грн
25+346.82 грн
100+312.29 грн
250+277.76 грн
500+260.12 грн
1000+242.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM Series, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM Series
productTraceability: No
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+408.86 грн
10+326.23 грн
25+311.59 грн
100+270.15 грн
1000+227.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CGRTE Connectivity / AxicomHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CTSAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CTS - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM-B, Durchsteckmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IM-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06CTSTE Connectivity / AxicomHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO T/H
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.90 грн
10+369.72 грн
25+292.34 грн
100+274.69 грн
250+244.77 грн
500+229.42 грн
1000+219.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Approval Agency: UR
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 500VA, 440W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Approval Agency: UR
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 500VA, 440W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB06IGR =IM Relay 140 mW 12V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.87 грн
10+537.38 грн
25+415.88 грн
50+394.39 грн
100+374.44 грн
250+351.42 грн
500+338.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB06ITS =IM Relay 140 mW 12V
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.25 грн
10+434.14 грн
25+360.63 грн
50+348.36 грн
100+336.08 грн
250+320.73 грн
500+309.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB06ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Approval Agency: UR
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 500VA, 440W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BDSVU2KSICKIMB08-02BDSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4425.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 2MM CYL 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BDSVU5KSICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNOVT0KSICK, Inc.Description: SEN PROX SHLD NPN NC M8 SHRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNOVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: M12 male
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 60mm
Number of pins: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Body material: stainless steel
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP68
Switch housing: M8
Connection: M8 male
Output configuration: NPN / NO
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...2mm
Overall length: 50mm
Max. operating current: 200mA
Number of pins: 3
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 4kHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5097.40 грн
5+4883.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Body material: stainless steel
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP68
Switch housing: M8
Connection: M8 male
Output configuration: NPN / NO
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...2mm
Overall length: 50mm
Max. operating current: 200mA
Number of pins: 3
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 4kHz
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4247.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BNSVU2SSICKIMB08-02BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4917.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPOVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPOVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-02BPOVU2K - Induktiver Näherungssensor, 2mm, PNP / SPST-NC, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NC
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
5+3769.25 грн
10+3691.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7704.19 грн
10+6182.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVR8KSICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVT0KSICKIMB08-02BPSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4854.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVT0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5094.63 грн
10+4131.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVT0SSICKIMB08-02BPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4413.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7017.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVT0SSICKDescription: SICK - IMB08-02BPSVT0S - Induktiver Näherungssensor, 2mm, PNP / SPST-NO, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M8-Steckverbinder, 3-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7045.99 грн
10+5714.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-02BPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 2mm, PNP, M8 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3770.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVU2SSICKDescription: SICK - IMB08-02BPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 2mm, PNP / SPST-NO, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-02BPSVU5KSICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: M8 male
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NNSVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-04NNSVU2K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
5+3769.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPOVT0SSICKDescription: SICK - IMB08-04NPOVT0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NC, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M8-Steckverbinder, 3-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NC
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPSVT0KSICKIMB08-04NPSVT0K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4922.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPSVT0SSICKDescription: SICK - IMB08-04NPSVT0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NO, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M8-Steckverbinder, 3-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; 2m; IP68
Body material: stainless steel
Kind of forehead: non-embedded
Output configuration: PNP / NO
Connection: cables
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...4mm
Overall length: 32mm
Max. operating current: 200mA
Lead length: 2m
Supply voltage: 10...30V DC
Type of sensor: inductive
Switching frequency max: 4kHz
IP rating: IP68
Switch housing: M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-04NPSVU2K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NO, M8 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M8-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
5+3769.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-04NPSVU2SSICKIMB08-04NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4922.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB08-1B5PSVU3SS09SICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.059" (1.5mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1ROHM
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1 T110ROHMSOT163-B1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1 T110 SOT163-B1ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1 T110 SOT163-B1ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1/B1ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB10ROHMSOT-163
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB10AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.88 грн
15+22.06 грн
100+13.24 грн
500+11.50 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMB10AT110
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB10AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMB10AT110ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.01 грн
17+21.97 грн
100+12.89 грн
500+10.05 грн
1000+9.21 грн
3000+7.75 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMB10T110
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB11ROHMSOT-163
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB11A T110ROHMSOT23
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB11A/B11ROHM09+
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB11AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.88 грн
16+20.38 грн
100+10.28 грн
500+8.55 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMB11AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 50MA SOT-457
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.50 грн
15+24.27 грн
100+8.98 грн
1000+6.91 грн
3000+5.14 грн
9000+4.68 грн
45000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMB11AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BDSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BDSVU2KSICKDescription: SICK - IMB12-04BDSVU2K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 2-Draht, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 4MM CYL 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BDSVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-04BDSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 2-Draht, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BNPVC0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, komplementärer NPN, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: NPN, komplementär
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 4-Draht, NPN
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4065.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-04BNSVC0K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: M12 male
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BNSVC0S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3434.60 грн
10+3065.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; 2m; IP68
IP rating: IP68
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Connection: cables
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M12
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Overall length: 34mm
Max. operating current: 200mA
Lead length: 2m
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BNSVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-04BNSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, NPN / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPOVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NC
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPPVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPPVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-04BPPVC0K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, komplementärer PNP, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP, komplementär
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 4-Draht, PNP
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4065.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 4mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Sensorausgang: 4-Draht, PNP
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6487.39 грн
10+5260.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVC0KSICKIMB12-04BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4495.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-04BPSVC0K - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPSVC0S - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5228.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; 2m; IP68
IP rating: IP68
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Connection: cables
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M12
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...4mm
Overall length: 34mm
Max. operating current: 200mA
Lead length: 2m
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB12-04BPSVU2K - Induktiver Näherungssensor, 4mm, PNP / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 4mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; 2m; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP68
Output configuration: PNP / NO
Switch housing: M12
Body material: stainless steel
Range: 0...4mm
Max. operating current: 200mA
Lead length: 2m
Overall length: 50mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 2kHz
Connection: cables
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3793.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; 2m; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP68
Output configuration: PNP / NO
Switch housing: M12
Body material: stainless steel
Range: 0...4mm
Max. operating current: 200mA
Lead length: 2m
Overall length: 50mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 2kHz
Connection: cables
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4552.02 грн
5+4360.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-04BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5044.83 грн
10+4090.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NDSVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-08NDSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 2-Draht, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NNSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NNSVC0SSICKIMB12-08NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4491.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPOVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-08NPOVC0K - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPOVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-08NPOVC0S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NC
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-08NPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
isCanonical: Y
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4065.35 грн
5+3984.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6461.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-08NPSVC0K - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
IP rating: IP68
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Connection: M12 male
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M12
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...8mm
Overall length: 45mm
Max. operating current: 200mA
Number of pins: 4
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6487.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB12-08NPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 8mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3451.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVU2KSICK, Inc.Description: SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M SHRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; 2m; IP68
IP rating: IP68
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Connection: cables
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M12
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...8mm
Overall length: 34mm
Max. operating current: 200mA
Lead length: 2m
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 2kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVU2SSICKDescription: SICK - IMB12-08NPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M12 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M12-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-08NPSVU2SSICKIMB12-08NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4502.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12-140FUJI
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB12A188SPTC8M01TRHAmphenolArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB14ROHM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB16T110
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BDSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; 2m; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Range: 0...8mm
Overall length: 40mm
Max. operating current: 200mA
Lead length: 2m
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 1kHz
Output configuration: 2-wire NO
Connection: cables
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP68
Switch housing: M18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 8MM CYL 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 1kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNPVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNSVC0SSICKIMB18-08BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4909.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNSVC0SSICKDescription: SICK - IMB18-08BNSVC0S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, NPN / SPST-NO, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNSVU2KSICKDescription: SICK - IMB18-08BNSVU2K - Induktiver Näherungssensor, 8mm, NPN / SPST-NO, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3857.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 1kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPOVU2SSICKDescription: SICK - IMB18-08BPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NC, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NC
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3857.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NC/NO, 4-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB18-08BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M18, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5115.38 грн
10+4148.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7525.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPSVU2KSICKIMB18-08BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4910.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPSVU2SSICKDescription: SICK - IMB18-08BPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, 8mm, PNP / SPST-NO, M18 x 1, 10-30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3770.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-08BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5463.16 грн
10+4430.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NNOVU2SSICKDescription: SICK - IMB18-12NNOVU2S - Induktiver Näherungssensor, NPN/SPST-NC, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NC
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 12mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 12mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7921.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NNSVC0SSICKIMB18-12NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4455.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NNSVU2KSICKDescription: SICK - IMB18-12NNSVU2K - Induktiver Näherungssensor, NPN/SPST-NO, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 12mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 12mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
5+3769.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPOVC0KSICKDescription: SICK - IMB18-12NPOVC0K - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NC, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NC
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 12mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 12mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3857.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...12mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: M12 male
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5002.37 грн
5+4790.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...12mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: M12 male
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4168.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPSVC0SSICKDescription: SICK - IMB18-12NPSVC0S - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NO, 12mm, M18 x 1, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M18-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: M12-Steckverbinder, 4-polig
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NO
Gewindemaß - Metrisch: M18 x 1
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 12mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 12mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3845.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5463.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB18-12NPSVU2SSICKIMB18-12NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4758.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1805C5Crouzet SwitchesDescription: M18 ANALOG PROXIMITY M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1805C5Crouzet SwitchesProximity Sensors M18 ANALOG PROXIMTY M12 QC0NN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1805TCROUZETDescription: CROUZET - IMB1805T - INDUCTIVE PROXIMITY DETECTOR, 5MM, 12V TO 24V
tariffCode: 85339000
rohsCompliant: NO
Sensortyp: Inductive Proximity Sensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Sensorgehäuse/-bauform: Cylindrical M18 Thread
Sensorausgang: Voltage
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, max.: 24V
Gewindemaß - Metrisch: M18
DC-Versorgungsspannung, min.: 12V
Produktpalette: -
Erfassungsreichweite, max.: 5mm
productTraceability: No
directShipCharge: 25
Erfassungsreichweite, nom.: -
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24874.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1805TCrouzetProximity Sensors - Industrial M18 ANALOG PROXIMITY 2 M
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+21893.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1805TCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 12V ~ 24V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Indicator: LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1AROHM09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1AROHMSOT-163
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1AT110ROHM96+/00
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB1T110SOT163-B1ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB204AxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3/Celeron Intel B75 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE LPT 6 COM VGA/DVI-D HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI w/driver CD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB204VGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET B75
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB206DGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB206DGGA-RC LGA1155 SocketAxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB207DGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET Q77
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB207DGGA LGA1155 socketAxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q77 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB208DGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET C216
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB208DGGA LGA1155 socketAxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C216 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID TPM CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB210VGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1150 Socket 4th Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C226 PCH ECC DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA RAID TPM CFast 6 COM DisplayPort/DVI-I/HDMI HDAudio 1 PCIex16 (or 2 PCIex8) 1 PCIex4 1 PCIex1 3 PCI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42318.13 грн
5+41104.73 грн
10+35213.81 грн
25+34949.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB211VGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1150 Socket 4th Gen Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q87 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA 6 COM DisplayPort/VGA/HDMI HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB226515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO 2M CB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB226515CCrouzet SwitchesDescription: IPD SHLD 3W SPST 2.0MTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB226515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB226515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB226515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB226515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22651CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22651M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB22653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB236515CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB236515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC 2M CB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB236515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB236515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB236515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB236515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23651CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23651M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23653M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 3MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB23653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25652M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25654CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25654M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25654M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25656CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25656M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB25656M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26654CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26654M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26654M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26656CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26656M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26656M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB26656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB2AROHMSOT-163
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB2AROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB2AT110ROHM96+
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB2AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.81 грн
13+28.41 грн
100+16.80 грн
1000+9.51 грн
3000+7.83 грн
9000+7.06 грн
24000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMB2AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB2AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3ROHM
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BNSVC0SSICKIMB30-15BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6166.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8256.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; 2m; IP68
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Connection: cables
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M30
Output configuration: NPN / NO
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...15mm
Lead length: 2m
Overall length: 60.2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: PNP / NO + NC
Range: 0...15mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: M12 male
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 50.2mm
Number of pins: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPPVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPPVU2SSICKDescription: SICK - IMB30-15BPPVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP-CO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 15mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP-CO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5250.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVC0KSICKDescription: SICK - IMB30-15BPSVC0K - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 15mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4734.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8940.92 грн
10+7174.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8940.92 грн
10+7174.60 грн
25+6935.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68; 200mA
Body material: stainless steel
Switch housing: M30
Output configuration: PNP / NO
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...15mm
Overall length: 70.2mm
Max. operating current: 200mA
Number of pins: 4
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
IP rating: IP68
Connection: M12 male
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; 2m; IP68
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Connection: cables
Kind of forehead: embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M30
Output configuration: PNP / NO
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...15mm
Lead length: 2m
Overall length: 60.2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-15BPSVU2SSICKDescription: SICK - IMB30-15BPSVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NO, 15mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
Erfassungsreichweite, max.: 15mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4734.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NNSVC0SSICKIMB30-20NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6166.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; 2m; IP68
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Connection: cables
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M30
Output configuration: NPN / NO
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...20mm
Lead length: 2m
Overall length: 60.2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPOVU2SSICKDescription: SICK - IMB30-20NPOVU2S - Induktiver Näherungssensor, PNP/SPST-NC, 20mm, M30 x 1.5, 10V bis 30V, Produktreihe IMB
tariffCode: 85439000
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
IP-Schutzart: IP68, IP69K
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Zylindrisch, M30-Gewinde
Sensorausgang: PNP / SPST-NC
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, PNP, NC
Gewindemaß - Metrisch: M30 x 1.5
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IMB Series
Erfassungsreichweite, max.: 20mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Erfassungsreichweite, nom.: 20mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4828.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPSVC0KSICKIMB30-20NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5881.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPSVC0SSICKIMB30-20NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6157.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; 2m; IP68
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Connection: cables
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M30
Output configuration: PNP / NO
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...20mm
Lead length: 2m
Overall length: 60.2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4828.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB30-20NPSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; 2m; IP68
IP rating: IP68
Max. operating current: 200mA
Connection: cables
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Switch housing: M30
Output configuration: PNP / NO
Body material: stainless steel
Operating temperature: -40...100°C
Range: 0...20mm
Lead length: 2m
Overall length: 60.2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switching frequency max: 500Hz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5794.61 грн
5+5550.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-08-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-08-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-10-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-10-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-12-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-12-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-14-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-14-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-18-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-18-FB-B-0-4.5AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-22-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3180-22-FB-B-0-4.5 100AmphenolArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3181-08-SD-G-06_3Amphenol84003814
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3181-14-A-V1Amphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26482 D/C RECP SZ 14 BLK ANOD
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3181-14-A-V1Amphenol PCDDescription: CONN BACKSHELL
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3181-14-SD-G-06-3AmphenolIMB3181-14-SD-G-06-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB318114-SD-G-107-5AmphenolArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB31T1101IMB98+ SOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB326515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO 2M CB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB326515CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB326515M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB326515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB326515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB326515M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32651CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32651M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32651M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB32653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB336515CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB336515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC 2M CB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB336515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB336515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB336515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB336515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33651CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33651M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33653M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 3MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB33653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35652M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35654CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35654M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35654M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35656CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35656M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35656M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB35656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36654CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36654M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36654M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36656CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36656M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36656M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB36656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3AROHM3 sot-23-6
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3A T110ROHMSOT163-B3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3A T110 SOT163-B3ROHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3A T110 SOT163-B3ROHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.37 грн
11+32.30 грн
100+19.11 грн
500+14.35 грн
1000+10.74 грн
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.37 грн
13+25.34 грн
100+17.26 грн
500+12.15 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3T110
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB3T110SOT163-B3ROHM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB4ROHM
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB4ASOT26/SOT363
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB4AT110
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB4AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB500VHGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 mSATA Dual GEs RAID 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 4 PCI 1 Mini-Card
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB501VHGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX Motherboard with LGA1151 Socket 7th/6th Gen Intel Core Processor, Intel H110, USB 3.0, SATA 3.0, Dual LAN, VGA, DisplayPort, HDMI and mSATA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB501VHGGA BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel H110 PCH DDR4 USB 3.0 3 SATA 3.0 mSATA Dual GEs 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 (x1 Signal) 4 PCI 1 Mini-Card
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB502VHGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB502VHGGA BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB520RVDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB520RVDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB520VDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB520VDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB521RVDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB521RVDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB521VDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB521VDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB523RVDHGGA-Q370 BULKAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB523RVDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB523VDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB523VDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB524RVDHGGA-H310 BULKAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB524RVDHGGA-H310 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB524VDHGGA-H310 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB524VDHGGA-H310 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB525RVDHGGA-C246 BULKAxiomtekSingle Board Computers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB525RVDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42326.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMB525VDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB525VDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB530-S ATX board,10/11th Gen,W480EAxiomtekSingle Board Computers ATX Motherboard with LGA1200 Socket 11th/10th Gen Intel Core i9/i7/i5/i3, Xeon W Processor, Intel W480E, ECC DDR4, USB 3.2 Gen1/Gen2, NVMe, Dual LAN, VGA, DisplayPort++, DVI-D, and HDMI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB540-ADL-R680E BPAxiomtekIndustrial Motherboards ATX Motherboard with LGA1700 Socket 14th/13th/12th Gen Intel Core i9/i7/i5/i3, Pentium or Celeron Processor, Intel R680E, USB 3.2 Gen2, SATA 3.0, GbE and 2.5GbE LAN, VGA, DisplayPort++, DVI-D, and HDMI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB541-Q670E-BPAxiomtekIndustrial Motherboards ATX Motherboard with LGA1700 Socket 14th/13th/12th Gen Intel Core i9/i7/i5/i3, Pentium or Celeron Processor, Intel Q670E, USB 3.2 Gen1x1, SATA 3.0, GbE and 2.5GbE LAN, VGA, DVI-D, and HDMI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB541-Q670E-SPAxiomtekIndustrial Motherboards ATX Motherboard with LGA1700 Socket 14th/13th/12th Gen Intel Core i9/i7/i5/i3, Pentium or Celeron Processor, Intel Q670E, USB 3.2 Gen1x1, SATA 3.0, GbE and 2.5GbE LAN, VGA, DVI-D, and HDMI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB5AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB5AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB6ROHM
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB6/B6ROHM
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB6T108
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7ROHM09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7/B7ROHM97+ SOT-153
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP singleAxiomtekSingle Board Computers ATX Motherboard with LGA4189 socket 3rd gen Intel Xeon scalable processors, Intel C621A, 3 PCIe x16, 3 PCIe x8, VGA, and NVMe, single packing
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTCAxiomtekAxiomtek IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC-0AxiomtekModules Accessories For LGA 4189 up to 270W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB760-C621A-IP SPAxiomtekAxiomtek IMB760-C621A-IP SP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB760-C627A-IPMI SPAxiomtekModules Accessories IMB760-C627A-IPMI SP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7AROHM08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-457
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7T108
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7T109
на замовлення 696000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB7Z462ApemPushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMB8ROHMSOT-163
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB8AT108
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB8T108
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB9948CA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB9AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.94 грн
6000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMB9AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMB9AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.86 грн
12+27.26 грн
100+18.56 грн
500+13.06 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMB9T110
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-8650GR-R22IEI Technology CorporationATX MOTHERBOARD, PENTIUM 4 PROCESSOR 533/800MHZ FSB WITH VGA, LCD, SATA, EIGHT USB 2.0 , SIX COM AND AUDIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-9454G-R40IEISingle Board Computers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-9454G-R40IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 4GB DDR2 1000Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-9654-R10IEI Technology CorporationATX FORM FACTOR MOTHER BOARD SUPPORTS LGA775 CORE2 DUO CORE2 QUAD, PENTIUM D, PROCESSOR AT FSB1066/800/533 FSB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-ADL-Q670-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR4, Triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, iAUDIO and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-AM5-R10IEIIndustrial Motherboards ATX motherboard supports AMD 7000 series processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-ARL-H810-R10IEIIndustrial Motherboards ATX motherboard supports LGA1851 Intel 15th Generation Ultra processor, DDR5, Triple independent displays, dual LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-BDE-D1518-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1518, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, M.2, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-BDE-D1548-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1548, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-C2060 (IEI)AaeonATX MB WITH INTEL LGA 1155
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-C2260-i2-R11IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Xeon E3, Core i3, Pentium and Celeron per Intel C226, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio, iRIS-2400 and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-C2360-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-C604EP-R10IEISingle Board Computers 120W DC/DC 9~36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-G410-R20IEISingle Board Computers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H110-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron Pemtium processor,DDR4,Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, Dual Intel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s,HD Audio,ECO Packing, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H110-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pemtium processor , DDR4, Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, DualIntel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H112-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H112-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H310-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel H310 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays, dual GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H420-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Triple independent displays, dual GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H420-R10iEi TechnologyDescription: ATX MOTHERBOARD SUPPORTS 14NM LG
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP++, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.1 (4)
RS-232 (422, 485): 6
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 64GB/0GB
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H420-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Triple independent displays, 2.5GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+24737.57 грн
10+24063.87 грн
20+20674.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H610-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE,USB 2.0,SATA 3Gb/s,HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H810-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 4th generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU with Intel H81, DDR3, VGA/DVI-D/ iDP, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-H810-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA 1150 Intel 4th generation Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron H81, DDR3, VGA/DVI-D/iDP, Dual Intel PCIe GbE , USB3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q170-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q170-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q370-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+37261.22 грн
5+36289.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q470-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q470-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q470-R10iEi TechnologyDescription: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP++, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4)
RS-232 (422, 485): 6
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q471-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slotsM.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q471-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slots,M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+32917.78 грн
10+30883.04 грн
25+25880.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q471-R10iEi TechnologyDescription: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4)
RS-232 (422, 485): 4
Digital I/O Lines: 12
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q670-R30IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67,DDR3,VGA/DVI/HDMI,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,HD Audio,RoHS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q770-R10IEISingle Board Computers F260 3.75G module kit for embedded system, with BT V2.1, 2 x RF cable, 1 x Antenna, RoHs, For IEI ATO only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q870-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel Q87, DDR3, Triple Independent Display VGA/DVI-D/HDMI/iDP, USB 3.0, SATA 6Gb/s, ECO packing and RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,Three Independent Displays VGA/DVI-D/HDMI/iDP,Dual Intel GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s, Audio, iRIS-2400 and RoHS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+33300.92 грн
5+32431.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-R680-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-R680-R11IEIIndustrial Motherboards ATX motherboard supports LGA1700 12th/13th/14th Generation Intel Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+36819.00 грн
2+35024.13 грн
5+29829.65 грн
10+29386.91 грн
20+28957.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-R680E-R11IEI ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th/14th Generation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-X9654-R10IEI Technology CorporationATX FORM FACTOR WITH CORE2 QUAD CPU FSB 533/800/1066 MHZ, VGA, DUAL-CHANNEL DDR2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBC327-25
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148 E9GSSOT23-A2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148 E9 SOT23-A2GS
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+15.86 грн
61+11.65 грн
62+11.55 грн
137+5.01 грн
264+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
6000+2.13 грн
9000+2.00 грн
15000+1.23 грн
30000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V Io/150mA
на замовлення 161460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+9.22 грн
59+6.00 грн
109+2.84 грн
500+2.23 грн
1000+2.07 грн
2500+1.69 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VISHAYIMBD4148-E3-08 SMD universal diodes
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
31+10.13 грн
612+1.85 грн
1684+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 71268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.30 грн
59+5.44 грн
100+4.56 грн
500+2.92 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+13.88 грн
46+7.68 грн
100+4.37 грн
500+3.07 грн
1000+2.46 грн
2500+2.38 грн
5000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 5333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.11 грн
40+8.15 грн
100+5.05 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
2000+2.67 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+10.68 грн
83+8.65 грн
84+8.48 грн
140+4.91 грн
250+4.50 грн
500+3.84 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+16.92 грн
32+11.38 грн
100+6.29 грн
500+3.91 грн
1000+3.30 грн
2500+2.92 грн
5000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-GS08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+2.56 грн
417+1.71 грн
422+1.69 грн
450+1.52 грн
482+1.32 грн
517+1.18 грн
1000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.77 грн
29+11.03 грн
100+5.97 грн
500+4.40 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VISHAYIMBD4148-HE3-08 SMD universal diodes
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
59+5.32 грн
335+3.39 грн
920+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 11849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.40 грн
35+10.15 грн
100+5.60 грн
500+3.53 грн
1000+3.07 грн
2500+2.69 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
6000+2.55 грн
9000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+15.40 грн
35+10.15 грн
100+5.60 грн
500+3.53 грн
1000+3.07 грн
2500+2.69 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-A-08VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-A-18VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
на замовлення 14725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.72 грн
31+11.47 грн
100+6.52 грн
500+4.83 грн
1000+4.22 грн
2500+2.38 грн
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.26 грн
28+11.51 грн
100+6.68 грн
500+5.16 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
6000+2.51 грн
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-18VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-V-GS08VIS07+;
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-V-GS08VISHAYSOT23
на замовлення 157000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-V-GS08VISHAY09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148E9
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148NEDDIODES03+
на замовлення 15010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148NEO(A2)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148NEO/A2ITT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448ITT
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.10 грн
32+11.21 грн
100+6.14 грн
500+4.45 грн
1000+3.99 грн
2500+3.30 грн
5000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.10 грн
24+14.82 грн
100+7.29 грн
500+5.22 грн
1000+3.99 грн
2500+3.68 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-18Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.42 грн
23+15.53 грн
100+6.83 грн
500+5.22 грн
1000+4.22 грн
2500+3.53 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-V-GS08VISHAYSOT-23
на замовлення 16400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.2A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+534.88 грн
28+452.43 грн
50+344.61 грн
200+311.91 грн
500+253.88 грн
1000+237.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.17 грн
10+373.25 грн
25+315.36 грн
100+262.42 грн
250+254.74 грн
500+234.03 грн
1000+204.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.93 грн
10+224.60 грн
100+159.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.63 грн
500+180.64 грн
1000+141.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+414.88 грн
10+274.58 грн
100+218.63 грн
500+180.64 грн
1000+141.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.11 грн
10+412.30 грн
100+333.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.68 грн
10+521.50 грн
25+431.22 грн
100+378.28 грн
250+366.00 грн
500+333.78 грн
1000+293.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.41 грн
10+312.60 грн
100+229.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+911.20 грн
19+675.47 грн
50+630.02 грн
100+539.22 грн
200+466.25 грн
500+435.81 грн
1000+418.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+412.30 грн
100+333.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+372.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.99 грн
10+323.64 грн
100+234.13 грн
500+213.41 грн
1000+160.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.60 грн
10+384.73 грн
25+316.13 грн
100+270.86 грн
250+255.51 грн
500+240.17 грн
1000+204.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.88 грн
10+261.04 грн
100+187.43 грн
500+171.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+662.79 грн
26+483.08 грн
50+429.17 грн
100+388.37 грн
200+338.83 грн
500+303.54 грн
1000+284.50 грн
2000+283.60 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 88W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+234.13 грн
500+213.41 грн
1000+160.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1999.56 грн
10+1998.68 грн
25+1997.79 грн
100+1925.58 грн
250+1782.15 грн
500+1710.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2493.99 грн
10+1932.45 грн
100+1671.18 грн
500+1670.42 грн
1000+1427.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2823.28 грн
5+2490.17 грн
10+2156.19 грн
50+2001.38 грн
100+1727.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1491.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1866.26 грн
10+1865.43 грн
25+1864.60 грн
100+1797.21 грн
250+1663.34 грн
500+1596.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2156.19 грн
50+2001.38 грн
100+1727.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2322.38 грн
10+1757.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1424.36 грн
10+1270.15 грн
25+1251.91 грн
100+1204.00 грн
250+1111.86 грн
500+1063.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1513.21 грн
50+1404.32 грн
100+1182.68 грн
250+1159.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1017.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1930.92 грн
10+1432.13 грн
100+1209.27 грн
500+1208.50 грн
1000+1001.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2044.30 грн
5+1779.18 грн
10+1513.21 грн
50+1404.32 грн
100+1182.68 грн
250+1159.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1526.10 грн
10+1360.88 грн
25+1341.33 грн
100+1290.00 грн
250+1191.27 грн
500+1139.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1715.64 грн
10+1199.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1069.51 грн
14+927.74 грн
25+918.54 грн
100+867.82 грн
250+768.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1287.35 грн
10+882.32 грн
100+831.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1518.37 грн
5+1384.10 грн
10+1249.82 грн
50+1122.98 грн
100+1001.92 грн
250+982.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+705.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.91 грн
10+994.01 грн
25+984.15 грн
100+929.81 грн
250+823.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1249.82 грн
50+1122.98 грн
100+1001.92 грн
250+982.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1238.63 грн
5+1084.55 грн
10+929.62 грн
50+822.45 грн
100+610.15 грн
250+598.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.36 грн
10+730.62 грн
100+661.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.75 грн
10+777.08 грн
25+770.42 грн
100+736.57 грн
250+676.06 грн
500+643.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+929.62 грн
50+822.45 грн
100+610.15 грн
250+598.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+725.28 грн
25+719.06 грн
100+687.46 грн
250+630.99 грн
500+600.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1204.03 грн
10+837.40 грн
100+666.02 грн
1000+565.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+741.97 грн
50+688.17 грн
100+588.76 грн
250+576.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.65 грн
10+710.33 грн
100+553.99 грн
500+524.83 грн
1000+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.15 грн
10+619.52 грн
100+539.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+698.58 грн
21+609.21 грн
25+606.55 грн
100+576.58 грн
250+526.17 грн
500+497.73 грн
1000+490.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.48 грн
10+652.72 грн
25+649.88 грн
100+617.76 грн
250+563.75 грн
500+533.28 грн
1000+525.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.44 грн
5+883.14 грн
10+741.97 грн
50+688.17 грн
100+588.76 грн
250+576.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+885.72 грн
50+725.74 грн
100+580.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.31 грн
10+785.33 грн
100+615.38 грн
500+614.61 грн
1000+522.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1227.04 грн
15+853.95 грн
50+837.37 грн
100+666.76 грн
1000+541.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+874.68 грн
100+831.15 грн
500+787.63 грн
1000+716.52 грн
10000+624.59 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1070.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1230.88 грн
5+1057.01 грн
10+883.14 грн
50+758.51 грн
100+628.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1054.95 грн
10+714.87 грн
100+643.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+933.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Transistors - Unclassified
Description: IMBG120R030M1HXTMA1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+834.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+706.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+686.02 грн
50+628.23 грн
100+529.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+629.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+695.27 грн
25+690.87 грн
100+661.80 грн
250+608.78 грн
500+580.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+778.12 грн
5+732.50 грн
10+686.02 грн
50+628.23 грн
100+529.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+807.46 грн
10+622.97 грн
100+451.17 грн
500+417.41 грн
1000+354.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.73 грн
10+744.93 грн
25+740.22 грн
100+709.07 грн
250+652.27 грн
500+621.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.44 грн
10+611.68 грн
100+558.24 грн
500+374.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.79 грн
10+476.37 грн
100+390.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.56 грн
10+461.03 грн
25+456.50 грн
100+435.83 грн
250+399.50 грн
500+379.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.66 грн
10+608.85 грн
100+440.43 грн
500+407.44 грн
1000+346.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+768.65 грн
5+714.43 грн
10+659.34 грн
50+561.09 грн
100+470.71 грн
250+461.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+331.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+659.34 грн
50+561.09 грн
100+470.71 грн
250+461.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+430.29 грн
30+426.06 грн
100+406.77 грн
250+372.86 грн
500+354.33 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+614.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.76 грн
5+782.43 грн
10+703.24 грн
50+649.01 грн
100+517.19 грн
250+510.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+456.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+681.92 грн
100+647.72 грн
500+613.52 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.63 грн
10+619.44 грн
100+566.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.26 грн
10+608.57 грн
25+598.89 грн
100+568.17 грн
250+517.43 грн
500+488.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+845.66 грн
100+837.37 грн
200+728.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+703.24 грн
50+649.01 грн
100+517.19 грн
250+510.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+916.42 грн
25+874.11 грн
50+838.93 грн
100+780.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+480.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+421.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+826.26 грн
10+632.68 грн
100+497.98 грн
500+488.00 грн
1000+428.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+568.00 грн
25+558.97 грн
100+530.29 грн
250+482.94 грн
500+455.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+504.40 грн
50+421.22 грн
100+344.55 грн
250+337.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+480.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+367.70 грн
35+356.59 грн
100+338.50 грн
250+308.46 грн
500+291.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.19 грн
10+407.39 грн
100+320.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.98 грн
10+466.79 грн
100+323.03 грн
1000+274.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.96 грн
10+388.01 грн
25+382.06 грн
100+362.67 грн
250+330.50 грн
500+312.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+737.67 грн
5+621.47 грн
10+504.40 грн
50+421.22 грн
100+344.55 грн
250+337.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+558.63 грн
50+477.17 грн
100+327.58 грн
250+320.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+848.07 грн
25+808.91 грн
50+776.36 грн
100+722.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+734.05 грн
10+495.91 грн
100+349.12 грн
500+348.36 грн
1000+296.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+546.03 грн
22000+501.36 грн
33000+468.94 грн
44000+428.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+771.24 грн
5+665.36 грн
10+558.63 грн
50+477.17 грн
100+327.58 грн
250+320.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon Technologies1200 V SiC Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+496.41 грн
100+471.54 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.12 грн
10+448.23 грн
100+362.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.92 грн
10+422.63 грн
100+309.01 грн
500+244.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+294.57 грн
46+273.10 грн
100+262.63 грн
250+242.51 грн
500+232.17 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.61 грн
10+293.41 грн
25+292.61 грн
100+281.38 грн
250+259.83 грн
500+248.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+422.63 грн
100+309.01 грн
500+244.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.29 грн
10+391.78 грн
100+259.35 грн
500+257.81 грн
1000+218.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+386.35 грн
50+375.57 грн
100+374.74 грн
200+360.56 грн
500+294.62 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.08 грн
10+340.09 грн
100+255.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+675.63 грн
10+443.84 грн
100+326.96 грн
500+267.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.20 грн
10+372.37 грн
100+278.53 грн
500+266.25 грн
1000+237.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+437.56 грн
6000+401.76 грн
9000+375.79 грн
12000+343.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+443.29 грн
50+364.47 грн
100+292.90 грн
250+292.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+295.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+396.92 грн
100+377.23 грн
500+357.54 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP004463788
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.76 грн
5+516.45 грн
10+443.29 грн
50+364.47 грн
100+292.90 грн
250+292.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+570.41 грн
50+554.65 грн
100+553.00 грн
200+531.65 грн
500+434.53 грн
1000+416.44 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+314.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.87 грн
10+290.94 грн
100+210.24 грн
500+196.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+359.80 грн
100+260.81 грн
500+203.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+244.66 грн
55+226.59 грн
100+217.14 грн
250+199.79 грн
500+190.59 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.45 грн
10+333.55 грн
100+211.01 грн
1000+191.06 грн
2000+179.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.14 грн
10+243.39 грн
25+242.77 грн
100+232.65 грн
250+214.06 грн
500+204.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.81 грн
10+359.80 грн
100+260.81 грн
500+203.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+283.79 грн
45+279.40 грн
50+265.10 грн
100+241.47 грн
250+228.04 грн
500+224.21 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.43 грн
10+352.91 грн
100+288.35 грн
500+234.99 грн
1000+216.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+335.78 грн
100+319.20 грн
500+302.61 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.41 грн
10+367.91 грн
100+268.53 грн
500+212.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.06 грн
10+364.43 грн
100+236.33 грн
1000+200.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.86 грн
10+304.07 грн
25+299.36 грн
50+284.04 грн
100+258.72 грн
250+244.33 грн
500+240.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+407.08 грн
50+400.45 грн
100+399.62 грн
500+354.17 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+288.35 грн
500+234.99 грн
1000+216.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.52 грн
10+277.96 грн
100+173.41 грн
500+167.27 грн
1000+142.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+247.90 грн
500+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+193.34 грн
69+181.49 грн
100+173.41 грн
250+159.01 грн
500+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.49 грн
10+242.74 грн
100+173.51 грн
500+156.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.15 грн
10+195.25 грн
25+194.45 грн
100+185.79 грн
250+170.36 грн
500+162.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+249.20 грн
4000+228.82 грн
6000+214.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+413.16 грн
10+300.40 грн
100+247.90 грн
500+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+545.76 грн
25+522.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+247.90 грн
500+228.59 грн
1000+171.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+193.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+388.59 грн
42+301.54 грн
43+290.68 грн
100+220.57 грн
250+201.94 грн
500+177.94 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+252.87 грн
500+239.40 грн
1000+225.92 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.49 грн
10+340.86 грн
100+243.59 грн
500+191.03 грн
1000+171.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.34 грн
10+300.02 грн
100+190.29 грн
500+187.22 грн
1000+159.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+375.57 грн
50+365.62 грн
100+364.80 грн
200+350.97 грн
500+286.48 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.54 грн
10+316.75 грн
100+228.74 грн
500+179.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.35 грн
10+323.07 грн
25+311.44 грн
100+236.33 грн
250+216.36 грн
500+190.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+293.17 грн
10000+269.19 грн
15000+251.78 грн
20000+230.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP004463796
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.62 грн
10+254.13 грн
100+158.06 грн
500+149.62 грн
1000+126.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+231.73 грн
65+193.51 грн
100+160.77 грн
250+147.98 грн
500+138.57 грн
1000+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.25 грн
500+151.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+222.45 грн
4000+204.26 грн
6000+191.05 грн
8000+174.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.73 грн
10+274.58 грн
100+196.25 грн
500+151.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+248.28 грн
10+208.13 грн
25+207.33 грн
100+172.26 грн
250+158.55 грн
500+148.47 грн
1000+144.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.96 грн
10+246.90 грн
100+176.02 грн
500+136.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.34 грн
10+239.78 грн
100+171.36 грн
500+154.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+247.17 грн
14000+226.95 грн
21000+212.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+215.19 грн
500+166.25 грн
1000+145.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+333.29 грн
50+325.00 грн
200+324.17 грн
500+311.79 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.62 грн
10+265.60 грн
100+164.97 грн
500+158.06 грн
1000+144.25 грн
2000+133.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.56 грн
10+299.54 грн
100+215.19 грн
500+166.25 грн
1000+145.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1022.58 грн
50+885.59 грн
100+757.71 грн
250+742.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.73 грн
10+785.13 грн
100+765.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+971.68 грн
42000+905.40 грн
63000+855.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1241.62 грн
10+946.81 грн
100+781.88 грн
1000+678.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.26 грн
5+1172.35 грн
10+1022.58 грн
50+885.59 грн
100+757.71 грн
250+742.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+966.80 грн
10+712.09 грн
100+534.81 грн
500+506.42 грн
1000+431.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesCool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+833.21 грн
50+709.75 грн
100+595.40 грн
250+583.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+439.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+980.72 грн
25+971.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.44 грн
5+928.76 грн
10+833.21 грн
50+709.75 грн
100+595.40 грн
250+583.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.27 грн
10+598.58 грн
100+517.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.16 грн
10+1050.77 грн
25+1040.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+604.25 грн
50+514.73 грн
100+431.61 грн
250+422.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+797.06 грн
5+700.66 грн
10+604.25 грн
50+514.73 грн
100+431.61 грн
250+422.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+500.52 грн
26+497.03 грн
100+475.84 грн
250+437.49 грн
500+416.93 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.79 грн
10+556.79 грн
100+403.60 грн
500+373.68 грн
1000+316.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.00 грн
10+536.27 грн
25+532.54 грн
100+509.83 грн
250+468.74 грн
500+446.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesCool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.15 грн
10+420.90 грн
100+304.62 грн
500+271.63 грн
1000+242.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+457.06 грн
100+380.45 грн
500+314.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+401.86 грн
32+400.11 грн
100+384.15 грн
250+354.06 грн
500+338.41 грн
1000+336.84 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesCool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.34 грн
10+430.56 грн
25+428.69 грн
100+411.58 грн
250+379.35 грн
500+362.58 грн
1000+360.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.29 грн
10+457.06 грн
100+380.45 грн
500+314.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.50 грн
10+369.50 грн
25+341.64 грн
100+291.82 грн
250+278.08 грн
500+269.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+291.01 грн
100+279.17 грн
250+257.16 грн
500+245.53 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+420.91 грн
100+340.86 грн
500+282.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+341.15 грн
60000+313.24 грн
90000+292.99 грн
120000+267.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.11 грн
10+387.37 грн
100+273.16 грн
500+244.00 грн
1000+206.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.98 грн
10+420.91 грн
100+340.86 грн
500+282.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.99 грн
10+313.39 грн
25+311.79 грн
100+299.12 грн
250+275.53 грн
500+263.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesCool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1777.46 грн
50+1649.70 грн
100+1363.44 грн
250+1326.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2168.14 грн
10+1620.08 грн
100+1401.86 грн
500+1401.09 грн
1000+1196.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG65R007M2HXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2045.16 грн
5+1911.74 грн
10+1777.46 грн
50+1649.70 грн
100+1363.44 грн
250+1326.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2018.60 грн
10+1473.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R009M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 97.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6054 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R009M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 97.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6054 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R009M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HInfineon TechnologiesDescription: IMBG65R010M2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1752.16 грн
10+1351.09 грн
25+1267.07 грн
100+1102.45 грн
250+1061.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HInfineon TechnologiesDescription: IMBG65R010M2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1458.12 грн
50+1221.29 грн
100+1041.02 грн
250+1031.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1620.29 грн
10+1362.42 грн
100+1024.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1817.92 грн
5+1638.02 грн
10+1458.12 грн
50+1221.29 грн
100+1041.02 грн
250+1031.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+933.92 грн
50+849.63 грн
100+767.30 грн
250+751.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1127.93 грн
10+860.34 грн
100+717.43 грн
1000+613.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.92 грн
5+1069.92 грн
10+933.92 грн
50+849.63 грн
100+767.30 грн
250+751.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.70 грн
10+789.04 грн
100+726.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1046.28 грн
6000+974.91 грн
9000+920.83 грн
12000+847.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.14 грн
5+821.16 грн
10+691.19 грн
50+603.45 грн
100+520.88 грн
250+510.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+583.92 грн
24+525.64 грн
25+514.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.63 грн
10+563.18 грн
25+551.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+691.19 грн
50+603.45 грн
100+520.88 грн
250+510.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.59 грн
10+660.04 грн
100+583.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.21 грн
10+652.09 грн
100+488.77 грн
1000+418.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HInfineon TechnologiesIMBG65R022M1H
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2091.93 грн
10+2028.09 грн
20+1903.12 грн
50+1720.36 грн
100+1616.86 грн
250+1586.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539143
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+556.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1154.79 грн
10+802.10 грн
100+630.72 грн
1000+535.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+840.96 грн
50+700.16 грн
100+571.05 грн
250+559.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+899.39 грн
17+733.32 грн
25+712.18 грн
100+663.48 грн
250+592.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.63 грн
10+785.70 грн
25+763.05 грн
100+710.87 грн
250+635.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1193.87 грн
5+1017.41 грн
10+840.96 грн
50+700.16 грн
100+571.05 грн
250+559.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.89 грн
10+725.58 грн
100+656.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.