Продукція > SQ4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ4-A21-NPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4-A21-PPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR LEVEL LIQ PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: Polypropylene (PP)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16176.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4-A22-NPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Material - Housing & Prism: PFA
Output Configuration: NPN
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Type: Liquid
Mounting Type: Bracket Mount
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Packaging: Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18890.72 грн
10+16537.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4-A22-PPanasonic Industrial Automation SalesDescription: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19584.39 грн
10+17144.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4-A22-PPanasonic Industrial AutomationLiquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4-C11Panasonic Industrial Automation SalesDescription: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Packaging: Box
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46497.45 грн
10+40705.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4-C11Panasonic Industrial AutomationLiquid Level Sensors Control category 4, PLe SIL3.Safety liquid leak sensors can be connected up to 4 units.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 12V
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+53.67 грн
100+41.75 грн
500+33.22 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+56.68 грн
100+42.79 грн
500+31.52 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 12008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4005EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 40V
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V
на замовлення 7768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+59.18 грн
100+46.00 грн
500+36.59 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.05 грн
5000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4050EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 31640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+58.34 грн
100+40.73 грн
500+30.78 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4064EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+58.34 грн
100+40.73 грн
500+30.78 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+85.89 грн
100+67.00 грн
500+51.95 грн
1000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+72.46 грн
100+56.37 грн
500+44.85 грн
1000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150V SO-8
на замовлення 24125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.06 грн
5000+34.90 грн
12500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ40T
на замовлення 14936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4120-R62MHFITG Electronics, Inc.Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+144.60 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4120-R82MHFITG Electronics, Inc.Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4120-R90MHFITG Electronics, Inc.Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+142.92 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4126-1R0MHFITG Electronics, Inc.Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4126-2R2MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4126-R42MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Current Rating (Amps): 26 A
Inductance: 420 nH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Material - Core: Ferrite
Current - Saturation (Isat): 45A
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+89.52 грн
100+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 12V
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+89.52 грн
100+69.59 грн
500+55.36 грн
1000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4153EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 25 A, 0.00832 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 7.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00832ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.16 грн
10+88.02 грн
25+87.48 грн
100+70.84 грн
250+65.14 грн
500+55.89 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 30V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4182EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4184EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 7.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 6619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4184EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 7.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 6619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4184EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4184EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ41P00001
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET DUAL N-CHANNEL 30V
на замовлення 21028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+102.95 грн
100+80.23 грн
500+62.20 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+102.95 грн
100+80.23 грн
500+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFET DUAL N-CHANNEL 40V
на замовлення 11460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+92.39 грн
100+73.52 грн
500+58.38 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.73 грн
25+76.95 грн
100+67.37 грн
250+61.75 грн
500+55.14 грн
1000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.16 грн
5000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.86 грн
100+65.31 грн
500+49.03 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEYVishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEYVishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEYVishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEY-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+77.82 грн
100+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401CEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40V
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
10+163.18 грн
100+129.85 грн
500+103.12 грн
1000+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.97 грн
5000+85.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 12276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]