Продукція > SQ4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQ4-A21-N | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4-A21-P | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: SENSOR LEVEL PNP Packaging: Box Voltage Rating: 12 ~ 24V Mounting Type: Bracket Mount Type: Liquid Operating Temperature: -10°C ~ 55°C Output Configuration: PNP Material - Housing & Prism: Polypropylene (PP) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4-A22-N | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN Packaging: Box Voltage Rating: 12 ~ 24V Mounting Type: Bracket Mount Type: Liquid Operating Temperature: -10°C ~ 55°C Output Configuration: NPN Material - Housing & Prism: PFA | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4-A22-P | Panasonic Industrial Automation | Liquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4-A22-P | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP Packaging: Box Voltage Rating: 12 ~ 24V Mounting Type: Bracket Mount Type: Liquid Operating Temperature: -10°C ~ 55°C Output Configuration: PNP Material - Housing & Prism: PFA | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4-C11 | Panasonic Industrial Automation | Liquid Level Sensors Control category 4, PLe SIL3.Safety liquid leak sensors can be connected up to 4 units. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4-C11 | Panasonic Industrial Automation Sales | Description: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage Packaging: Box Output Type: Solid State Mounting Type: DIN Rail Type: Leak Detection Operating Temperature: -10°C ~ 55°C Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 12V | на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 12008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4005EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ400M2R20B5S-1012 | Yageo | Cap Aluminum Lytic 2.2uF 400V 20% (10 x 12mm) Radial 5mm Bulk | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4050EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4050EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V | на замовлення 7768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4050EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 40V | на замовлення 6715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4050EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 4677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 60V | на замовлення 41689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4064EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 14550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4080EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE | на замовлення 2388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4080EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4080EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4080EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150V SO-8 | на замовлення 24531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4080EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4080EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 18A Automotive 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4080EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ40T | на замовлення 14936 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4120-R62MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 130°C DC Resistance (DCR): 0.95mOhm Current - Saturation (Isat): 23A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 3-SMD Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm) Inductance: 650 nH Current Rating (Amps): 23 A | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4120-R82MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4120-R90MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 130°C DC Resistance (DCR): 0.95mOhm Current - Saturation (Isat): 14.5A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 3-SMD Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm) Inductance: 900 nH Current Rating (Amps): 23 A | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4126-1R0MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4126-2R2MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4126-R42MHF | ITG Electronics, Inc. | Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Operating Temperature: -55°C ~ 130°C DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max Current - Saturation (Isat): 45A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm) Part Status: Active Inductance: 420 nH Current Rating (Amps): 26 A | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 12V | на замовлення 9480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_GE3 | VISHAY | SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors | на замовлення 2326 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 30558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4153EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 30V | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 3647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4182EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4184EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 30081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4184EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4184EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ41P00001 | на замовлення 1843 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | на замовлення 2608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V | на замовлення 21028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchFET Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 12534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchFET Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1"BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V | на замовлення 11460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 6727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4284EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401CEY | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401CEY | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401CEY-T1/GE3 | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401CEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Automotive P-Channel 40V 175C MOSFET 14mO 10V23mO 4.5V | на замовлення 3759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 15.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1"BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-CHANNEL 40V | на замовлення 26913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm | на замовлення 25895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 39503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm | на замовлення 25895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4401EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V | на замовлення 17252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4410EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 5 Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 30 V | на замовлення 5648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 18136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4425EY-T1_GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 30 V | на замовлення 17374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 25345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4425EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ443-13110 | TE Connectivity / First Sensor | Optical Sensor Development Tools LDE Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 30V | на замовлення 39577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 59082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V | на замовлення 7383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 171800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 171800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4435BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1/BE3 | Vishay | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 30 V | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 10896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4435EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ444-21007 | TE Connectivity Measurement Specialties | Description: LMIM012BC3S WITH BARBED PORTS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60V | на замовлення 14503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 12955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4470EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1-GE3 | Vishay | Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | Vishay | Automotive P-Channel 30 V MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483BEEY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 2374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483EEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 22A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 30V | на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 52607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4483EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ44PL210 | Souriau | Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4532470JMB | 4532(1812) | на замовлення 6700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ4532470JMB | на замовлення 3350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4532560JMB | 4532(1812) | на замовлення 8400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ4532560JMB | на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4532561JSB | на замовлення 378 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4532680J9C | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4532681KAB | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N/P CHANNEL 30V | на замовлення 23952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.3W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4532AEY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 15666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48-5D-500 | ASIA | K1-2 | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48-5D500 | ASIA | 1999 | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4840CEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V | на замовлення 4506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4840CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4840EY | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 40V | на замовлення 12488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO | на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4840EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 10A 1.56W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4850CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850CEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V | на замовлення 3902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4850CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 60V | на замовлення 57843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 12A 6.8W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 59216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.9A; 6.8W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.9A Power dissipation: 6.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S03150-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S03150-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 15V 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S04120-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S04120-NS00 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S04120-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S04120-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S04120-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S04120-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S08060-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 6V 48W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S08060-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 6V 48W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S08060-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S08060-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 6V 48W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S10050-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S10050-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S10050-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S10050-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S10050-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15012-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 1.2V 18W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.26" H (58.4mm x 22.9mm x 6.6mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 82% Current - Output (Max): 15A Voltage - Input (Min): 36V Voltage - Output 1: 1.2V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Obsolete Power (Watts): 18 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 2 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15012-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 1.2V 18W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.26" H (58.4mm x 22.9mm x 6.6mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 82% Current - Output (Max): 15A Voltage - Input (Min): 36V Voltage - Output 1: 1.2V Control Features: Enable, Active High Part Status: Obsolete Power (Watts): 18 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 2 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15012-PS00G | Bel Power Solutions | DC/DC Converters - SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15015-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15018-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.8V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15018-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 1.8V 27W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15018-NS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 1.8V 15A 27W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15020-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 2V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15020-NS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48S15020-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 2V 30W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15020-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15020-NS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48S15025-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 2.5V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15025-PS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-NS00 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-NS00 | Power-One | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-NS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.26" H (58.4mm x 22.9mm x 6.6mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 89.5% Current - Output (Max): 15A Voltage - Input (Min): 36V Voltage - Output 1: 3.3V Control Features: Enable, Active Low Power (Watts): 50 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 2 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48S15033-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-PS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48S15033-PS0V | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T03150-PBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 15V 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T03150-PCA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBA0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBB0G | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T04120-NBB0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: SemiQ SQ48 Series SVHC: To Be Advised | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NCC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NDB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NDC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NDC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NDC0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 12V 48W Packaging: Bulk Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.26" H (58.4mm x 22.9mm x 6.6mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 75V Efficiency: 87% Current - Output (Max): 4A Voltage - Input (Min): 36V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active Low Power (Watts): 48 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 2 kV | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NDC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-NEC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PBA0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T04120-PBA0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: SemiQ SQ48 Series SVHC: To Be Advised | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PDA0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T04120-PDA0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PDA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PDA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PDC0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T04120-PDC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NAA0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NAC0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 8V 5.3A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NAC0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T05080-NAC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: SemiQ SQ48 Series SVHC: To Be Advised | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NAC0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NAC0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NAC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ48T05080-NAC0G;DC-DC;;36-75v;8.0 V;5A;TH ;;NEGATIVE LOGIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NAC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 8V 5.3A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDA0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDA0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 8V 5.3A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDA0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 8V 5.3A 50W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDA0G | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T05080-PDA0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: SemiQ SQ48 Series SVHC: To Be Advised | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDA0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 8V 5.3A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDA0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 8V 5.3A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T05080-PDC0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-NAC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-NCA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-NCC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 6V 8A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-NCC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;DC-DC;IN 36to75V;OUT 6V;8A;THT;58.42x22.76x12.7mm;;RoHS COMPLIANT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-NDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 6V 8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-PBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 6V 8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T08060-PBA0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T08060-PBA0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T08060-PCA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAA0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAA0G-S100 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NAC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 48V IN 5V OUT 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBB0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 48VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 36-75Vin 10A 5.0Vout 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBC0G | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T10050-NBC0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NBC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;DC-DC;IN 36to75V;OUT 5V;10A;50W;THT;58.4x22.9x8.6mm;;RoHS COMPLIANT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NCAJ | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NCC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NCC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-NDB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-PBA0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T10050-PBA0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T10050-PBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-PBA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-PBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-PDA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T10050-PDA0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T10050-PDA0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T10050-PDA0G | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T10050-PDA0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T15012-NBA0 | Power-One | Description: DC/DC CONVERT 1.2V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15012-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 1.2V 18W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15012-NBA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15012-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 48V IN 1.2V OUT 18W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15012-NBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ48T15012-NBB0G;DC-DC;;36Vdc-75Vdc;1.2Vdc;15Amps;PTH;; | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15012-NBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 1.2V 18W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15012-NDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.2V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NAB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NAB0G-S100 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.5V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NAC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.5V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 48V IN 1.5V OUT 22.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.5V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NBC0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T15015-NBC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NBC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.5V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15015-NDB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15018-NAC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.8V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15018-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 1.8V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15018-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 48V IN 1.8V OUT 27W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15018-PCA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 1.8V 27W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15025-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 2.5V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15025-NBB0 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 48Vin 2.5V OUT 37.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15025-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 48V IN 2.5V OUT 37.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15025-PBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 2.5V 38W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NAB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NAB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NAC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NAC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NAC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: CONV DC-DC 48V IN 3.3V OUT 49.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBB0 | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBB0 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 48Vin 3.3V OUT 49.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 36-75Vin 15A 3.3Vout 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBBO | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NBC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-NCB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PBB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PBC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PDA0 | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T15033-PDA0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 Produktpalette: SemiQ SQ48 Series SVHC: To Be Advised | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PDA0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PDA0(G) | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ48T15033-PDA0G | BEL / PARTNER STOCK | Description: BEL / PARTNER STOCK - SQ48T15033-PDA0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS tariffCode: 85044095 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917CEY | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4917CEY | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4917CEY | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs SO8 P CHAN 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1/GE3 | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE | на замовлення 9578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1"BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: 0 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 0 Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V | на замовлення 41589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 62467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4920CEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual N-CHANNEL 30 V | на замовлення 2613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 20318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 5949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4920EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4936EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4936EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1/BE3 | Vishay | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V | на замовлення 10853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5A Automotive 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified | на замовлення 8307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual N-CHANNEL 40 V | на замовлення 6952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | VISHAY | SQ4940AEY-T1-GE3 Multi channel transistors | на замовлення 376 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 6249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940CEY-T1/GE3 | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4940CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940CEY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 3741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4940EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4942EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4942EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_BE3 | Vishay | SQ4946AEY-T1_BE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) | на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 7A 4W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 14784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 14784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946CEY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE | на замовлення 100025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4946EY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4946EY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4949DY-T1-E3 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V | на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified | на замовлення 31573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.4A; 3.3W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SO8 Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -18A Drain current: -4.4A Gate charge: 40nC On-state resistance: 176mΩ Power dissipation: 3.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 28231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ4D01200B2 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4D01200B2HCA1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4D01200B2HCA12MHZ8PF10PPM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4D01200B2HCA8PF10PPM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ4D02600B2HNA | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |