Продукція > SQ4

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A21-P

Description: SENSOR LEVEL LIQ PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: Polypropylene (PP)

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	15844.44 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-N

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18512.06 грн
10+	16205.77 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-P

Panasonic Industrial Automation

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19191.83 грн
10+	16800.68 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-P

Liquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	19334.70 грн
10+	17152.88 грн
25+	14252.59 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-C11

Panasonic Industrial Automation

Liquid Level Sensors Control category 4, PLe SIL3.Safety liquid leak sensors can be connected up to 4 units.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4-C11

Description: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Packaging: Box
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	45565.43 грн
10+	39889.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 12V

на замовлення 3275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.74 грн
10+	66.35 грн
100+	38.37 грн
500+	30.25 грн
1000+	27.24 грн
2500+	22.74 грн
5000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.82 грн
10+	52.59 грн
100+	40.92 грн
500+	32.55 грн
1000+	26.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	55.55 грн
100+	41.93 грн
500+	30.88 грн
1000+	27.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.81 грн
10+	59.75 грн
100+	37.89 грн
500+	29.77 грн
1000+	26.63 грн
2500+	24.24 грн
5000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 6715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.72 грн
10+	52.69 грн
100+	36.80 грн
500+	32.16 грн
1000+	28.27 грн
2500+	26.56 грн
5000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.74 грн
10+	57.99 грн
100+	45.08 грн
500+	35.86 грн
1000+	29.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.43 грн
5000+	27.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	67.37 грн
100+	39.05 грн
500+	30.86 грн
1000+	27.99 грн
2500+	25.81 грн
5000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

на замовлення 41689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	58.18 грн
100+	39.12 грн
500+	30.79 грн
1000+	28.06 грн
2500+	24.31 грн
5000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.33 грн
10+	57.18 грн
100+	39.91 грн
500+	30.16 грн
1000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 8608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.33 грн
10+	57.18 грн
100+	39.91 грн
500+	30.16 грн
1000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.80 грн
10+	60.46 грн
100+	37.55 грн
500+	30.25 грн
1000+	27.79 грн
2500+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.55 грн
10+	84.17 грн
100+	65.66 грн
500+	50.90 грн
1000+	40.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.11 грн
10+	82.04 грн
100+	58.55 грн
500+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	71.01 грн
100+	55.24 грн
500+	43.95 грн
1000+	35.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 150V SO-8

на замовлення 24531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	74.98 грн
100+	47.04 грн
500+	40.49 грн
1000+	35.44 грн
2500+	32.50 грн
5000+	29.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.29 грн
5000+	34.20 грн
12500+	32.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ40T

на замовлення 14936 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R62MHF

Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	141.70 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R82MHF

Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	140.42 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R90MHF

Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	140.06 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-1R0MHF

Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-2R2MHF

Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	60.44 грн

Мінімальне замовлення: 700

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-R42MHF

Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 45A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Part Status: Active
Inductance: 420 nH
Current Rating (Amps): 26 A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	60.50 грн

Мінімальне замовлення: 700

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 12V

на замовлення 9480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.84 грн
10+	94.22 грн
100+	55.85 грн
500+	47.38 грн
1000+	41.92 грн
2500+	37.14 грн
10000+	36.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	87.72 грн
100+	68.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	87.72 грн
100+	68.20 грн
500+	54.25 грн
1000+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.47 грн
10+	92.65 грн
100+	55.85 грн
500+	44.52 грн
1000+	41.92 грн
2500+	36.94 грн
5000+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	189.05 грн
12+	101.58 грн
32+	95.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	121.70 грн
100+	82.61 грн
500+	67.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	96.19 грн
10+	86.26 грн
25+	85.73 грн
100+	69.42 грн
250+	63.83 грн
500+	54.77 грн
1000+	46.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	95.79 грн
100+	60.56 грн
500+	49.16 грн
1000+	44.11 грн
2500+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	94.22 грн
100+	58.44 грн
500+	46.56 грн
1000+	43.63 грн
2500+	38.64 грн
5000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.01 грн
10+	105.14 грн
100+	72.49 грн
500+	53.62 грн
1000+	46.63 грн
5000+	40.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ41P00001

на замовлення 1843 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V

на замовлення 21028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	87.15 грн
100+	58.65 грн
500+	49.77 грн
1000+	40.49 грн
2500+	38.10 грн
5000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	100.89 грн
100+	78.63 грн
500+	60.95 грн
1000+	48.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.69 грн
10+	90.01 грн
100+	67.23 грн
500+	45.64 грн
1000+	41.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12534 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.19 грн
10+	89.51 грн
100+	52.16 грн
500+	41.44 грн
1000+	38.44 грн
2500+	35.44 грн
5000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	100.89 грн
100+	78.63 грн
500+	60.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.23 грн
500+	45.64 грн
1000+	41.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.51 грн
10+	107.53 грн
25+	98.77 грн
50+	82.84 грн
100+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.17 грн
25+	75.41 грн
100+	66.02 грн
250+	60.51 грн
500+	54.04 грн
1000+	49.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.68 грн
10+	90.53 грн
100+	72.04 грн
500+	57.21 грн
1000+	48.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.50 грн
10+	95.01 грн
100+	65.41 грн
250+	60.36 грн
500+	54.83 грн
1000+	46.91 грн
2500+	43.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.26 грн
5000+	40.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.50 грн
10+	95.01 грн
100+	65.41 грн
250+	60.36 грн
500+	54.83 грн
1000+	46.91 грн
2500+	44.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.08 грн
10+	93.94 грн
100+	64.00 грн
500+	48.04 грн
1000+	46.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.66 грн
25+	53.60 грн
50+	49.79 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.23 грн
500+	42.68 грн
1000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.82 грн
10+	86.82 грн
100+	58.23 грн
500+	42.68 грн
1000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 40V 175C MOSFET 14mO 10V23mO 4.5V

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.62 грн
10+	70.74 грн
100+	47.86 грн
500+	40.56 грн
1000+	34.68 грн
2500+	29.43 грн
10000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.72 грн
10+	66.20 грн
100+	51.47 грн
500+	40.94 грн
1000+	33.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.00 грн
10+	191.97 грн
25+	179.22 грн
50+	153.85 грн
100+	131.09 грн
250+	120.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.71 грн
10+	159.91 грн
100+	127.25 грн
500+	101.05 грн
1000+	85.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	90.13 грн
5000+	83.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	129.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V

на замовлення 26913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.70 грн
10+	162.53 грн
100+	118.80 грн
250+	109.24 грн
500+	99.68 грн
1000+	85.34 грн
2500+	77.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	196.82 грн
79+	164.93 грн
100+	156.14 грн
200+	149.50 грн
500+	125.66 грн
1000+	113.10 грн
2500+	110.27 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	114.70 грн
500+	93.20 грн
1000+	77.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 17252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.71 грн
10+	159.91 грн
100+	127.25 грн
500+	101.05 грн
1000+	85.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

MOSFETs 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 39503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.70 грн
10+	151.54 грн
100+	95.59 грн
500+	79.20 грн
1000+	77.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.16 грн
50+	131.43 грн
100+	114.70 грн
500+	93.20 грн
1000+	77.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	90.13 грн
5000+	83.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 30 V

на замовлення 5648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	89.51 грн
100+	57.97 грн
250+	57.83 грн
500+	46.09 грн
1000+	41.85 грн
2500+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.19 грн
10+	82.92 грн
100+	56.10 грн
500+	41.87 грн
1000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.34 грн
500+	50.44 грн
1000+	43.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.19 грн
10+	82.92 грн
100+	56.10 грн
500+	41.87 грн
1000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.04 грн
10+	99.57 грн
100+	68.34 грн
500+	50.44 грн
1000+	43.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFETs 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.48 грн
10+	80.09 грн
100+	55.10 грн
500+	45.88 грн
1000+	39.67 грн
2500+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4425EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	127.26 грн
117+	111.34 грн
118+	105.80 грн
142+	81.87 грн
250+	73.51 грн
500+	67.29 грн
1000+	59.12 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.35 грн
10+	119.29 грн
25+	118.43 грн
50+	113.36 грн
100+	87.72 грн
250+	78.76 грн
500+	72.10 грн
1000+	63.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.59 грн
10+	107.99 грн
100+	74.08 грн
500+	56.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 17374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.99 грн
10+	99.72 грн
100+	68.14 грн
250+	64.25 грн
500+	58.58 грн
1000+	54.83 грн
2500+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.24 грн
10+	116.21 грн
100+	69.64 грн
500+	56.05 грн
1000+	54.62 грн
2500+	47.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

TE Connectivity / First Sensor

на замовлення 33795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.59 грн
10+	107.99 грн
100+	74.08 грн
500+	56.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ443-13110

Optical Sensor Development Tools LDE Evaluation Board

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.20 грн
10+	56.81 грн
100+	44.19 грн
500+	35.15 грн
1000+	28.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 38855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.90 грн
2500+	28.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

MOSFETs 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.59 грн
10+	62.89 грн
100+	38.58 грн
500+	30.31 грн
1000+	27.65 грн
2500+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 171800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.71 грн
500+	34.47 грн
1000+	25.94 грн
5000+	23.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

на замовлення 171800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.20 грн
13+	62.93 грн
100+	47.71 грн
500+	34.47 грн
1000+	25.94 грн
5000+	23.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.20 грн
10+	62.06 грн
100+	48.40 грн
500+	37.52 грн
1000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.91 грн
10+	76.95 грн
100+	50.18 грн
500+	39.87 грн
1000+	36.73 грн
2500+	32.91 грн
5000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.81 грн
10+	79.44 грн
100+	53.64 грн
500+	39.97 грн
1000+	37.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

на замовлення 2134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.81 грн
10+	79.44 грн
100+	53.64 грн
500+	39.97 грн
1000+	37.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

TE Connectivity Measurement Specialties

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.21 грн
10+	85.58 грн
100+	50.25 грн
500+	39.87 грн
1000+	36.73 грн
2500+	33.86 грн
5000+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ444-21007

Description: LMIM012BC3S WITH BARBED PORTS
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.09 грн
10+	95.01 грн
100+	64.11 грн
500+	54.28 грн
1000+	44.17 грн
2500+	40.56 грн
5000+	39.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.33 грн
500+	66.35 грн
1000+	60.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.89 грн
10+	104.43 грн
100+	71.01 грн
500+	58.24 грн
1000+	46.02 грн
2500+	42.88 грн
5000+	40.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.21 грн
10+	104.35 грн
100+	76.95 грн
500+	68.20 грн
1000+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1-GE3

Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.99 грн
10+	107.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.65 грн
5000+	49.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.92 грн
10+	101.92 грн
100+	77.19 грн
500+	58.09 грн
1000+	53.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.29 грн
10+	108.35 грн
100+	64.59 грн
500+	51.41 грн
1000+	49.43 грн
2500+	43.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.36 грн
10+	88.54 грн
100+	62.82 грн
500+	46.87 грн
1000+	42.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 3413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	89.51 грн
100+	52.09 грн
500+	41.38 грн
1000+	38.44 грн
2500+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 50106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.31 грн
10+	48.45 грн
2500+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.95 грн
10+	83.80 грн
100+	56.68 грн
500+	42.29 грн
1000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ44PL210

Souriau

Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532470JMB

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532470JMB

4532(1812)

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532560JMB

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532560JMB

4532(1812)

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532561JSB

на замовлення 378 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532680J9C

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532681KAB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.89 грн
15+	50.03 грн
25+	49.75 грн
100+	41.45 грн
250+	37.94 грн
500+	31.24 грн
1000+	26.80 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

MOSFETs N/P CHANNEL 30V

на замовлення 8183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.20 грн
10+	58.57 грн
100+	33.39 грн
500+	31.20 грн
2500+	26.49 грн
5000+	25.88 грн
10000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.10 грн
10+	54.22 грн
100+	35.90 грн
500+	26.33 грн
1000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.71 грн
22+	37.76 грн
100+	30.91 грн
500+	27.44 грн
1000+	24.44 грн
5000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.93 грн
10+	34.39 грн
25+	30.95 грн
100+	25.46 грн
250+	23.75 грн
500+	22.72 грн
1000+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.73 грн
10+	33.53 грн
100+	23.83 грн
500+	22.80 грн
1000+	21.98 грн
2500+	21.92 грн
10000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ48-5D-500

ASIA

K1-2

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ48-5D500

ASIA

1999

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V

на замовлення 4506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.40 грн
10+	75.22 грн
100+	50.80 грн
500+	43.08 грн
1000+	36.73 грн
2500+	31.20 грн
10000+	31.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4840CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.79 грн
11+	78.14 грн
100+	60.70 грн
500+	43.86 грн
1000+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 12488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.78 грн
10+	194.72 грн
25+	159.77 грн
100+	137.23 грн
250+	129.72 грн
500+	121.53 грн
1000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.63 грн
10+	215.83 грн
100+	176.84 грн
500+	141.27 грн
1000+	119.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET 40V 10A 1.56W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.78 грн
10+	194.72 грн
25+	159.77 грн
100+	137.23 грн
250+	129.72 грн
500+	122.21 грн
1000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.39 грн
500+	33.80 грн
1000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.79 грн
5000+	24.84 грн
7500+	23.86 грн
12500+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V

на замовлення 3902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.08 грн
10+	59.99 грн
100+	40.62 грн
500+	34.48 грн
1000+	29.43 грн
2500+	24.92 грн
10000+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

на замовлення 4856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.60 грн
13+	64.20 грн
100+	49.39 грн
500+	33.80 грн
1000+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	62.50 грн
100+	41.66 грн
500+	30.72 грн
1000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 57843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.98 грн
10+	78.52 грн
100+	53.32 грн
500+	45.20 грн
1000+	36.80 грн
2500+	34.62 грн
5000+	32.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

MOSFET 60V 12A 6.8W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	68.47 грн
100+	47.79 грн
500+	41.51 грн
1000+	34.14 грн
2500+	32.70 грн
5000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.43 грн
10+	76.26 грн
100+	51.37 грн
500+	38.21 грн
1000+	35.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.57 грн
50+	93.99 грн
100+	62.69 грн
500+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	49.49 грн
16+	47.09 грн
25+	46.81 грн
50+	45.00 грн
100+	39.16 грн
250+	37.22 грн
500+	35.72 грн
1000+	30.47 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.88 грн
5000+	31.29 грн
7500+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	43.95 грн
297+	43.69 грн
298+	43.55 грн
316+	39.48 грн
320+	36.19 грн
500+	33.34 грн
1000+	28.44 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3