Продукція > SQ4

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A21-P

Description: SENSOR LEVEL PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: Polypropylene (PP)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-N

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19947.88 грн
10+	17462.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-P

Panasonic Industrial Automation

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20680.38 грн
10+	18103.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-P

Liquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	21667.70 грн
10+	19222.61 грн
25+	15972.36 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-C11

Panasonic Industrial Automation

Description: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Packaging: Box
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	49099.55 грн
10+	42983.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-C11

Liquid Level Sensors Control category 4, PLe SIL3.Safety liquid leak sensors can be connected up to 4 units.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 12V

на замовлення 3423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.62 грн
10+	74.35 грн
100+	43.00 грн
500+	33.90 грн
1000+	30.53 грн
2500+	28.39 грн
5000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.01 грн
10+	56.67 грн
100+	44.09 грн
500+	35.08 грн
1000+	28.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	59.86 грн
100+	45.18 грн
500+	33.28 грн
1000+	29.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	66.96 грн
100+	42.47 грн
500+	33.36 грн
1000+	29.84 грн
2500+	27.16 грн
5000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ400M2R20B5S-1012

Yageo

Cap Aluminum Lytic 2.2uF 400V 20% (10 x 12mm) Radial 5mm Bulk

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.46 грн
10+	62.49 грн
100+	48.58 грн
500+	38.64 грн
1000+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 6715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.41 грн
10+	59.04 грн
100+	41.24 грн
500+	36.04 грн
1000+	31.68 грн
2500+	29.76 грн
5000+	28.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.79 грн
5000+	30.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_GE3

SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.82 грн
10+	67.75 грн
100+	42.01 грн
500+	33.82 грн
1000+	31.14 грн
2500+	30.45 грн
5000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.18 грн
10+	61.61 грн
100+	43.01 грн
500+	32.50 грн
1000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

на замовлення 41689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	65.20 грн
100+	43.84 грн
500+	34.51 грн
1000+	31.45 грн
2500+	27.24 грн
5000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.82 грн
10+	67.75 грн
100+	42.08 грн
500+	33.90 грн
1000+	31.14 грн
2500+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 8608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.18 грн
10+	61.61 грн
100+	43.01 грн
500+	32.50 грн
1000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	90.70 грн
100+	70.75 грн
500+	54.85 грн
1000+	43.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.67 грн
10+	76.51 грн
100+	59.53 грн
500+	47.36 грн
1000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.19 грн
5000+	36.86 грн
12500+	35.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 18A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	121.88 грн
10+	88.41 грн
100+	63.09 грн
500+	48.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 150V SO-8

на замовлення 24531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.72 грн
10+	84.03 грн
100+	52.72 грн
500+	41.78 грн
1000+	38.56 грн
2500+	36.42 грн
5000+	33.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ40T

на замовлення 14936 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R62MHF

Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	152.69 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R82MHF

Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	151.32 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R90MHF

Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-1R0MHF

Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-2R2MHF

Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	65.12 грн

Мінімальне замовлення: 700

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-R42MHF

Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 45A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Part Status: Active
Inductance: 420 nH
Current Rating (Amps): 26 A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	65.19 грн

Мінімальне замовлення: 700

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 12V

на замовлення 9480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.50 грн
10+	105.59 грн
100+	62.59 грн
500+	53.10 грн
1000+	46.98 грн
2500+	41.62 грн
10000+	40.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.01 грн
10+	94.53 грн
100+	73.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.01 грн
10+	94.53 грн
100+	73.49 грн
500+	58.46 грн
1000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.36 грн
10+	103.83 грн
100+	62.59 грн
500+	49.89 грн
1000+	46.98 грн
2500+	41.39 грн
5000+	41.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	176.13 грн
11+	107.12 грн
29+	101.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	90.07 грн
10+	80.77 грн
25+	80.27 грн
100+	65.00 грн
250+	59.77 грн
500+	51.28 грн
1000+	43.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.54 грн
10+	136.39 грн
100+	92.58 грн
500+	76.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.14 грн
10+	107.35 грн
100+	67.87 грн
500+	55.09 грн
1000+	49.43 грн
2500+	49.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.91 грн
10+	95.28 грн
100+	75.10 грн
500+	57.62 грн
1000+	46.42 грн
5000+	43.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.15 грн
10+	105.59 грн
100+	65.50 грн
500+	52.18 грн
1000+	48.89 грн
2500+	43.31 грн
5000+	43.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ41P00001

на замовлення 1843 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

SQ4282EY-T1-BE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V

на замовлення 21028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.51 грн
10+	97.67 грн
100+	65.73 грн
500+	55.78 грн
1000+	45.37 грн
2500+	42.69 грн
5000+	40.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.81 грн
10+	108.71 грн
100+	84.72 грн
500+	65.68 грн
1000+	51.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.89 грн
10+	96.99 грн
100+	72.44 грн
500+	49.18 грн
1000+	44.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12534 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.11 грн
10+	100.31 грн
100+	58.46 грн
500+	46.44 грн
1000+	43.08 грн
2500+	39.71 грн
5000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.44 грн
500+	49.18 грн
1000+	44.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.81 грн
10+	108.71 грн
100+	84.72 грн
500+	65.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	170.81 грн
10+	115.88 грн
25+	106.43 грн
50+	89.27 грн
100+	74.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	71.33 грн
25+	70.61 грн
100+	61.82 грн
250+	56.66 грн
500+	50.60 грн
1000+	45.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.50 грн
10+	97.56 грн
100+	77.63 грн
500+	61.65 грн
1000+	52.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.44 грн
10+	106.47 грн
100+	73.30 грн
250+	67.64 грн
500+	61.44 грн
1000+	52.57 грн
2500+	48.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.44 грн
10+	106.47 грн
100+	73.30 грн
250+	67.64 грн
500+	61.44 грн
1000+	52.57 грн
2500+	49.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.57 грн
10+	114.21 грн
100+	77.80 грн
500+	58.40 грн
1000+	53.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	53.99 грн
25+	50.19 грн
50+	46.62 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.89 грн
10+	93.56 грн
100+	63.00 грн
500+	44.55 грн
1000+	35.90 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 40V 175C MOSFET 14mO 10V23mO 4.5V

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.19 грн
10+	79.28 грн
100+	53.64 грн
500+	45.45 грн
1000+	38.87 грн
2500+	32.98 грн
10000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

на замовлення 4218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.00 грн
500+	44.55 грн
1000+	35.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.22 грн
10+	71.33 грн
100+	55.46 грн
500+	44.12 грн
1000+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 15.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.92 грн
10+	206.86 грн
25+	193.12 грн
50+	165.78 грн
100+	141.26 грн
250+	129.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	121.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.20 грн
10+	172.32 грн
100+	137.12 грн
500+	108.89 грн
1000+	92.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V

на замовлення 26913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.88 грн
10+	182.14 грн
100+	133.13 грн
250+	122.42 грн
500+	111.71 грн
1000+	95.64 грн
2500+	87.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	97.12 грн
5000+	90.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.60 грн
500+	100.42 грн
1000+	83.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	184.29 грн
79+	154.44 грн
100+	146.20 грн
200+	139.98 грн
500+	117.67 грн
1000+	105.90 грн
2500+	103.25 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

MOSFETs 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 39503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.88 грн
10+	169.82 грн
100+	107.12 грн
500+	88.76 грн
1000+	87.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 17252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.20 грн
10+	172.32 грн
100+	137.12 грн
500+	108.89 грн
1000+	92.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.65 грн
50+	141.62 грн
100+	123.60 грн
500+	100.42 грн
1000+	83.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	97.12 грн
5000+	90.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	163.05 грн
10+	100.27 грн
100+	67.84 грн
500+	50.64 грн
1000+	46.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 30 V

на замовлення 5648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.90 грн
10+	100.31 грн
100+	64.96 грн
250+	64.81 грн
500+	51.65 грн
1000+	46.90 грн
2500+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.32 грн
10+	99.57 грн
100+	72.96 грн
500+	53.88 грн
1000+	45.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.32 грн
10+	89.98 грн
100+	65.75 грн
500+	49.07 грн
1000+	45.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFETs 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.90 грн
10+	89.75 грн
100+	61.75 грн
500+	51.42 грн
1000+	44.45 грн
2500+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.22 грн
500+	54.04 грн
1000+	47.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4425EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	119.17 грн
117+	104.25 грн
118+	99.07 грн
142+	76.66 грн
250+	68.84 грн
500+	63.01 грн
1000+	55.36 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	127.68 грн
10+	111.70 грн
25+	110.89 грн
50+	106.15 грн
100+	82.14 грн
250+	73.75 грн
500+	67.51 грн
1000+	59.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.26 грн
10+	98.03 грн
100+	81.82 грн
500+	65.56 грн
1000+	60.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 17374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.00 грн
10+	111.75 грн
100+	76.36 грн
250+	72.00 грн
500+	65.65 грн
1000+	61.44 грн
2500+	58.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.21 грн
10+	130.23 грн
100+	78.04 грн
500+	62.82 грн
1000+	58.07 грн
2500+	53.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

TE Connectivity / First Sensor

на замовлення 34198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.16 грн
10+	119.71 грн
100+	86.83 грн
500+	65.56 грн
1000+	60.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ443-13110

Optical Sensor Development Tools LDE Evaluation Board

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 39782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.33 грн
10+	69.43 грн
100+	43.15 грн
500+	33.90 грн
1000+	30.91 грн
2500+	25.63 грн
5000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.80 грн
10+	61.21 грн
100+	47.62 грн
500+	37.88 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

MOSFETs 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.12 грн
10+	70.48 грн
100+	43.23 грн
500+	33.97 грн
1000+	30.99 грн
2500+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 171800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.41 грн
500+	37.14 грн
1000+	27.96 грн
5000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

на замовлення 171800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.42 грн
13+	67.81 грн
100+	51.41 грн
500+	37.14 грн
1000+	27.96 грн
5000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.80 грн
10+	66.87 грн
100+	52.16 грн
500+	40.43 грн
1000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4435BEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.40 грн
10+	81.74 грн
100+	55.40 грн
500+	44.68 грн
1000+	41.16 грн
2500+	36.88 грн
5000+	35.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.09 грн
10+	96.60 грн
100+	65.24 грн
500+	48.61 грн
1000+	44.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.09 грн
10+	96.60 грн
100+	65.24 грн
500+	48.61 грн
1000+	44.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.76 грн
10+	95.03 грн
100+	56.31 грн
500+	44.68 грн
1000+	41.16 грн
2500+	37.95 грн
5000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

TE Connectivity Measurement Specialties

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ444-21007

Description: LMIM012BC3S WITH BARBED PORTS
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.22 грн
10+	106.47 грн
100+	71.85 грн
500+	60.83 грн
1000+	49.50 грн
2500+	45.45 грн
5000+	44.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.94 грн
500+	71.49 грн
1000+	65.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.11 грн
10+	117.03 грн
100+	79.57 грн
500+	65.27 грн
1000+	51.57 грн
2500+	48.05 грн
5000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.91 грн
10+	106.43 грн
100+	77.94 грн
500+	71.49 грн
1000+	65.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1-GE3

Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.81 грн
5000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Automotive P-Channel 30 V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.47 грн
10+	110.87 грн
100+	72.38 грн
500+	57.62 грн
1000+	56.01 грн
2500+	48.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.92 грн
10+	115.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.02 грн
10+	109.83 грн
100+	83.18 грн
500+	62.59 грн
1000+	57.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 22A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.77 грн
10+	95.40 грн
100+	67.69 грн
500+	50.51 грн
1000+	46.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 3413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.01 грн
10+	100.31 грн
100+	58.46 грн
500+	46.44 грн
1000+	43.08 грн
2500+	38.18 грн
5000+	37.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.95 грн
10+	95.40 грн
100+	67.69 грн
500+	50.51 грн
1000+	46.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 53317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.76 грн
10+	95.03 грн
100+	58.46 грн
500+	46.44 грн
1000+	43.08 грн
2500+	39.71 грн
5000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ44PL210

Souriau

Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532470JMB

4532(1812)

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532470JMB

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532560JMB

4532(1812)

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532560JMB

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532561JSB

на замовлення 378 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532680J9C

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532681KAB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

MOSFETs N/P CHANNEL 30V

на замовлення 23952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.51 грн
10+	42.94 грн
100+	30.68 грн
500+	23.57 грн
1000+	23.34 грн
2500+	23.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.56 грн
10+	50.37 грн
100+	39.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	51.40 грн
15+	46.85 грн
25+	46.58 грн
100+	38.81 грн
250+	35.53 грн
500+	29.26 грн
1000+	25.10 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.09 грн
20+	45.15 грн
100+	35.62 грн
500+	29.49 грн
1000+	26.78 грн
5000+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.42 грн
10+	41.84 грн
25+	37.62 грн
100+	30.94 грн
250+	28.87 грн
500+	27.62 грн
1000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.72 грн
10+	59.04 грн
100+	37.26 грн
500+	33.05 грн
1000+	28.69 грн
2500+	28.00 грн
5000+	25.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ48-5D-500

ASIA

K1-2

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ48-5D500

ASIA

1999

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V

на замовлення 4506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.55 грн
10+	84.30 грн
100+	56.93 грн
500+	48.28 грн
1000+	41.16 грн
2500+	34.97 грн
10000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4840CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.14 грн
11+	84.20 грн
100+	65.40 грн
500+	47.26 грн
1000+	37.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 12488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.23 грн
10+	218.22 грн
25+	179.04 грн
100+	153.79 грн
250+	145.38 грн
500+	136.20 грн
1000+	117.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET 40V 10A 1.56W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.23 грн
10+	218.22 грн
25+	179.04 грн
100+	153.79 грн
250+	145.38 грн
500+	136.96 грн
1000+	117.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.00 грн
10+	232.57 грн
100+	190.55 грн
500+	152.23 грн
1000+	128.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V

на замовлення 3902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.02 грн
10+	67.23 грн
100+	45.53 грн
500+	38.64 грн
1000+	32.98 грн
2500+	27.93 грн
10000+	27.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.71 грн
13+	69.18 грн
100+	53.22 грн
500+	36.42 грн
1000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

на замовлення 4856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.22 грн
500+	36.42 грн
1000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 57843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.80 грн
10+	87.99 грн
100+	59.76 грн
500+	50.65 грн
1000+	41.24 грн
2500+	38.79 грн
5000+	36.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.15 грн
10+	78.75 грн
100+	61.24 грн
500+	48.71 грн
1000+	39.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.15 грн
10+	78.75 грн
100+	61.24 грн
500+	48.71 грн
1000+	39.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.85 грн
50+	77.16 грн
100+	55.88 грн
500+	38.97 грн
1000+	34.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	41.15 грн
297+	40.91 грн
298+	40.78 грн
316+	36.96 грн
320+	33.89 грн
500+	31.22 грн
1000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.34 грн
5000+	37.91 грн
12500+	36.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	38.97 грн
1000+	34.73 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	46.34 грн
16+	44.09 грн
25+	43.83 грн
50+	42.13 грн
100+	36.67 грн
250+	34.86 грн
500+	33.45 грн
1000+	28.53 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3