Продукція > SQ4

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A21-P

Description: SENSOR LEVEL PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: Polypropylene (PP)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-N

Panasonic Industrial Automation

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19179.81 грн
10+	16790.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-P

Liquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	20833.41 грн
10+	18482.46 грн
25+	15357.36 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-A22-P

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19884.10 грн
10+	17406.69 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-C11

Panasonic Industrial Automation

Description: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Packaging: Box
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	47209.02 грн
10+	41328.00 грн

В кошику од. на суму грн.

SQ4-C11

Liquid Level Sensors Control category 4, PLe SIL3.Safety liquid leak sensors can be connected up to 4 units.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.42 грн
10+	62.35 грн
100+	42.15 грн
500+	35.75 грн
1000+	29.13 грн
2500+	25.97 грн
5000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.24 грн
10+	54.49 грн
100+	42.39 грн
500+	33.73 грн
1000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.24 грн
10+	54.49 грн
100+	42.39 грн
500+	33.73 грн
1000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 9730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.42 грн
10+	62.35 грн
100+	42.15 грн
500+	35.75 грн
1000+	29.13 грн
2500+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ400M2R20B5S-1012

Yageo

Cap Aluminum Lytic 2.2uF 400V 20% (10 x 12mm) Radial 5mm Bulk

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.53 грн
5000+	28.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 6715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.66 грн
10+	56.77 грн
100+	39.65 грн
500+	34.65 грн
1000+	30.46 грн
2500+	28.62 грн
5000+	27.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.40 грн
10+	60.08 грн
100+	46.71 грн
500+	37.15 грн
1000+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.59 грн
10+	65.14 грн
100+	40.39 грн
500+	32.52 грн
1000+	29.94 грн
2500+	29.28 грн
5000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4050EY-T1_GE3

SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.52 грн
10+	59.24 грн
100+	41.35 грн
500+	31.25 грн
1000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

на замовлення 48513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.13 грн
10+	64.21 грн
100+	39.21 грн
500+	35.09 грн
1000+	30.31 грн
2500+	28.25 грн
5000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.59 грн
10+	65.14 грн
100+	40.46 грн
500+	32.59 грн
1000+	29.94 грн
2500+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 8608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.52 грн
10+	59.24 грн
100+	41.35 грн
500+	31.25 грн
1000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	87.21 грн
100+	68.03 грн
500+	52.74 грн
1000+	41.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.64 грн
5000+	35.44 грн
12500+	33.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 18A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.19 грн
10+	85.00 грн
100+	60.66 грн
500+	46.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	73.57 грн
100+	57.24 грн
500+	45.53 грн
1000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4080EY-T1_GE3

MOSFET N-Channel 150V SO-8

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ40T

на замовлення 14936 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R62MHF

Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	146.81 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R82MHF

Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	145.49 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4120-R90MHF

Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	145.11 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-1R0MHF

Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-2R2MHF

Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	62.62 грн

Мінімальне замовлення: 700

В кошику од. на суму грн.

SQ4126-R42MHF

Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 45A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Part Status: Active
Inductance: 420 nH
Current Rating (Amps): 26 A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	62.68 грн

Мінімальне замовлення: 700

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.39 грн
10+	90.89 грн
100+	70.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 12V

на замовлення 9554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.04 грн
10+	93.06 грн
100+	64.08 грн
500+	53.34 грн
1000+	46.20 грн
2500+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 35602 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.04 грн
10+	93.06 грн
100+	64.08 грн
500+	52.97 грн
1000+	46.20 грн
2500+	43.99 грн
5000+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	169.35 грн
11+	103.00 грн
29+	97.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.39 грн
10+	90.89 грн
100+	70.66 грн
500+	56.21 грн
1000+	45.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4153EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.63 грн
10+	131.14 грн
100+	89.02 грн
500+	73.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.63 грн
10+	70.51 грн
25+	70.08 грн
100+	56.74 грн
250+	52.18 грн
500+	44.77 грн
1000+	37.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.78 грн
10+	103.22 грн
100+	65.25 грн
500+	52.97 грн
1000+	47.53 грн
2500+	47.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 6901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.52 грн
10+	91.61 грн
100+	72.21 грн
500+	55.41 грн
1000+	44.64 грн
5000+	41.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4184EY-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.04 грн
10+	93.06 грн
100+	64.08 грн
500+	52.97 грн
1000+	46.20 грн
2500+	43.92 грн
5000+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ41P00001

на замовлення 1843 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.96 грн
10+	104.53 грн
100+	81.46 грн
500+	63.15 грн
1000+	49.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V

на замовлення 21028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.87 грн
10+	93.91 грн
100+	63.20 грн
500+	53.63 грн
1000+	43.63 грн
2500+	41.05 грн
5000+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.07 грн
500+	56.25 грн
1000+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.87 грн
10+	93.91 грн
100+	63.12 грн
500+	53.48 грн
1000+	43.55 грн
2500+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.79 грн
10+	94.08 грн
100+	70.07 грн
500+	56.25 грн
1000+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.96 грн
10+	104.53 грн
100+	81.46 грн
500+	63.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	164.23 грн
10+	111.41 грн
25+	102.34 грн
50+	85.83 грн
100+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.78 грн
10+	93.80 грн
100+	74.64 грн
500+	59.27 грн
1000+	50.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	62.27 грн
25+	61.64 грн
100+	53.97 грн
250+	49.47 грн
500+	44.17 грн
1000+	40.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.45 грн
10+	102.37 грн
100+	70.48 грн
250+	65.03 грн
500+	59.08 грн
1000+	50.54 грн
2500+	46.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.45 грн
10+	102.37 грн
100+	70.48 грн
250+	65.03 грн
500+	59.08 грн
1000+	50.54 грн
2500+	47.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.47 грн
10+	109.82 грн
100+	74.80 грн
500+	56.15 грн
1000+	51.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	47.13 грн
25+	43.81 грн
50+	40.70 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.01 грн
500+	46.44 грн
1000+	38.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 40V 175C MOSFET 14mO 10V23mO 4.5V

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.41 грн
10+	76.23 грн
100+	51.57 грн
500+	43.70 грн
1000+	37.37 грн
2500+	31.71 грн
10000+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.74 грн
10+	68.59 грн
100+	53.33 грн
500+	42.42 грн
1000+	34.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

на замовлення 4882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.64 грн
11+	81.21 грн
100+	59.01 грн
500+	46.44 грн
1000+	38.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 15.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.33 грн
10+	198.89 грн
25+	185.69 грн
50+	159.40 грн
100+	135.82 грн
250+	124.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	93.38 грн
5000+	86.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	122.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V

на замовлення 26913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.87 грн
10+	175.13 грн
100+	128.01 грн
250+	117.71 грн
500+	107.41 грн
1000+	91.96 грн
2500+	83.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.91 грн
10+	165.68 грн
100+	131.84 грн
500+	104.69 грн
1000+	88.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 17252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.91 грн
10+	165.68 грн
100+	131.84 грн
500+	104.69 грн
1000+	88.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

MOSFETs 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 39503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.87 грн
10+	163.28 грн
100+	103.00 грн
500+	85.34 грн
1000+	83.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	93.38 грн
5000+	86.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.84 грн
500+	96.56 грн
1000+	79.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	185.63 грн
79+	155.56 грн
100+	147.27 грн
200+	141.00 грн
500+	118.52 грн
1000+	106.67 грн
2500+	104.00 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4401EY-T1_GE3

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.50 грн
50+	136.17 грн
100+	118.84 грн
500+	96.56 грн
1000+	79.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 30 V

на замовлення 5705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	86.30 грн
100+	59.37 грн
500+	49.44 грн
1000+	42.74 грн
2500+	39.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.77 грн
10+	96.40 грн
100+	65.23 грн
500+	48.69 грн
1000+	44.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.58 грн
10+	86.52 грн
100+	63.21 грн
500+	47.18 грн
1000+	43.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFETs 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	86.30 грн
100+	59.37 грн
500+	49.44 грн
1000+	42.74 грн
2500+	39.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.62 грн
10+	84.18 грн
100+	66.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4425EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	111.46 грн
10+	97.51 грн
25+	96.81 грн
50+	92.66 грн
100+	71.71 грн
250+	64.38 грн
500+	58.93 грн
1000+	51.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.13 грн
10+	94.26 грн
100+	78.67 грн
500+	63.03 грн
1000+	58.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	120.03 грн
117+	105.01 грн
118+	99.79 грн
142+	77.22 грн
250+	69.34 грн
500+	63.47 грн
1000+	55.76 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 17374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.92 грн
10+	107.45 грн
100+	73.42 грн
250+	69.23 грн
500+	63.12 грн
1000+	59.08 грн
2500+	56.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.23 грн
10+	120.98 грн
100+	80.19 грн
250+	69.23 грн
500+	66.43 грн
1000+	59.08 грн
2500+	56.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

на замовлення 34198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.53 грн
10+	115.10 грн
100+	83.48 грн
500+	63.03 грн
1000+	58.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4425EY-T1_GE3

TE Connectivity / First Sensor

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ443-13110

Optical Sensor Development Tools LDE Evaluation Board

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.81 грн
10+	58.85 грн
100+	45.79 грн
500+	36.42 грн
1000+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 41338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	66.75 грн
100+	40.46 грн
500+	35.17 грн
1000+	30.02 грн
2500+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

MOSFETs 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	66.75 грн
100+	40.46 грн
500+	35.17 грн
1000+	30.02 грн
2500+	27.66 грн
5000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.81 грн
10+	64.30 грн
100+	50.15 грн
500+	38.88 грн
1000+	30.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 124840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.88 грн
500+	42.15 грн
1000+	30.70 грн
2500+	27.73 грн
5000+	26.53 грн
10000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 124840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.96 грн
12+	72.62 грн
100+	54.88 грн
500+	42.15 грн
1000+	30.70 грн
2500+	27.73 грн
5000+	26.53 грн
10000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ4435BEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.00 грн
10+	92.88 грн
100+	62.73 грн
500+	46.74 грн
1000+	42.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30 V

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.74 грн
10+	81.98 грн
100+	56.06 грн
500+	46.72 грн
1000+	40.39 грн
2500+	39.14 грн
5000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.74 грн
10+	91.37 грн
100+	59.81 грн
500+	47.45 грн
1000+	42.60 грн
2500+	39.58 грн
5000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4435EY-T1_GE3

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.00 грн
10+	92.88 грн
100+	62.73 грн
500+	46.74 грн
1000+	42.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.17 грн
10+	102.37 грн
100+	69.08 грн
500+	58.49 грн
1000+	47.60 грн
2500+	43.70 грн
5000+	42.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.38 грн
10+	100.68 грн
100+	94.08 грн
500+	80.47 грн
1000+	68.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.03 грн
10+	112.52 грн
100+	76.51 грн
500+	62.75 грн
1000+	49.58 грн
2500+	46.20 грн
5000+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 7.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 7.1
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1-GE3

Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Automotive P-Channel 30 V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.08 грн
10+	111.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.58 грн
5000+	51.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.89 грн
10+	109.98 грн
100+	76.51 грн
250+	70.48 грн
500+	63.78 грн
1000+	54.59 грн
2500+	51.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.55 грн
10+	105.60 грн
100+	79.97 грн
500+	60.18 грн
1000+	55.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 22A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.74 грн
10+	91.73 грн
100+	65.08 грн
500+	48.56 грн
1000+	44.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V

на замовлення 3553 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.87 грн
10+	88.83 грн
100+	54.07 грн
500+	43.99 грн
1000+	40.68 грн
2500+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.94 грн
10+	91.73 грн
100+	65.08 грн
500+	48.56 грн
1000+	44.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 53407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.89 грн
10+	95.60 грн
100+	62.02 грн
500+	49.36 грн
1000+	44.58 грн
2500+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQ44PL210

Souriau

Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532470JMB

4532(1812)

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532470JMB

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532560JMB

4532(1812)

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532560JMB

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532561JSB

на замовлення 378 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532680J9C

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532681KAB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

MOSFETs N/P CHANNEL 30V

на замовлення 23952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.52 грн
10+	41.29 грн
100+	29.50 грн
500+	22.66 грн
1000+	22.44 грн
2500+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.07 грн
10+	48.43 грн
100+	37.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.87 грн
15+	40.90 грн
25+	40.67 грн
100+	33.88 грн
250+	31.01 грн
500+	25.54 грн
1000+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	60.66 грн
22+	39.04 грн
100+	31.94 грн
500+	28.35 грн
1000+	25.82 грн
5000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.03 грн
10+	56.77 грн
100+	35.83 грн
500+	31.78 грн
1000+	27.59 грн
2500+	26.93 грн
5000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.09 грн
10+	40.23 грн
25+	36.17 грн
100+	29.75 грн
250+	27.76 грн
500+	26.55 грн
1000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ48-5D-500

ASIA

K1-2

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ48-5D500

ASIA

1999

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V

на замовлення 4506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.56 грн
10+	81.05 грн
100+	54.73 грн
500+	46.42 грн
1000+	39.58 грн
2500+	33.62 грн
10000+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 12488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.06 грн
10+	209.82 грн
25+	172.15 грн
100+	147.87 грн
250+	139.78 грн
500+	130.95 грн
1000+	112.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET 40V 10A 1.56W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.06 грн
10+	209.82 грн
25+	172.15 грн
100+	147.87 грн
250+	139.78 грн
500+	131.69 грн
1000+	112.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.64 грн
10+	223.62 грн
100+	183.22 грн
500+	146.37 грн
1000+	123.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V

на замовлення 3902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.82 грн
10+	64.64 грн
100+	43.77 грн
500+	37.15 грн
1000+	31.71 грн
2500+	26.85 грн
10000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	91.61 грн
13+	64.95 грн
100+	45.39 грн
500+	33.87 грн
1000+	30.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ4850CEY-T1_GE3

на замовлення 4870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.39 грн
500+	33.87 грн
1000+	30.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 57843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.57 грн
10+	84.60 грн
100+	57.46 грн
500+	48.70 грн
1000+	39.65 грн
2500+	37.30 грн
5000+	35.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	75.71 грн
100+	58.88 грн
500+	46.84 грн
1000+	38.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	75.71 грн
100+	58.88 грн
500+	46.84 грн
1000+	38.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	37.47 грн
1000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	41.45 грн
297+	41.21 грн
298+	41.08 грн
316+	37.23 грн
320+	34.13 грн
500+	31.44 грн
1000+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 295

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.75 грн
5000+	36.45 грн
12500+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

MOSFET 60V 12A 6.8W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.26 грн
10+	73.77 грн
100+	51.50 грн
500+	44.73 грн
1000+	36.78 грн
2500+	35.24 грн
5000+	35.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.08 грн
50+	74.19 грн
100+	53.73 грн
500+	37.47 грн
1000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ4850EY-T1_GE3