Продукція > STB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
STB 3/3-5.08Phoenix ContactConn PC Terminal Block 3 POS 5.08mm Solder Thru-Hole 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3/3-ST-5,08Phoenix ContactConn Terminal Block 3 POS 5.08mm Screw 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3/3-ST-5.08Phoenix ContactConn Terminal Block 3 POS 5.08mm Screw 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3/4-5.08Phoenix ContactConn PC Terminal Block 4 POS 5.08mm Solder Thru-Hole 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3/4-G-5.08Phoenix ContactConn Wire to Board HDR 4 POS 5.08mm Solder
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3/4-ST-5.08Phoenix ContactConn Terminal Block 4 POS 5.08mm Screw 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3/4-ST-5.08 BD:1-4Phoenix ContactConn 4 POS 5.08mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3202EAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3202IAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB-01T-001J.S.T. Deutschland GmbHApplicator Crimping Tool
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-10 WHTane Alarm ProductsDescription: .35" X .75" HARD-WIRE STUBBY REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+107.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-3/8 TC WHTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+168.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-3/8TC BRTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+168.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-50Analog Devices Inc.Description: SCREW-TERMINATION PANEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-50AAnalog Devices Inc.Description: THERMOCOUPLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-REEL2310-30VELECTRO-PJPCategory: Single Test Leads
Description: Test lead; 2A; banana socket 4mm,banana plug 4mm; insulated
Type of test accessories: test lead
Current rating: 2A
Test lead configuration: banana plug 4mm; banana socket 4mm
Connector variant: insulated
Rated voltage: 1kV
Cable length: 30m
Colour: green
Wire cross-section: 0.75mm2
Conform to the norm: CAT II 1000V; CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Operating temperature: -20...80°C
Contact material: brass
Contact plating: nickel plated
Wire insulation material: PVC
Standard equipment: cable reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-REEL2310-30VELECTRO-PJPCategory: Single Test Leads
Description: Test lead; 2A; banana socket 4mm,banana plug 4mm; insulated
Type of test accessories: test lead
Current rating: 2A
Test lead configuration: banana plug 4mm; banana socket 4mm
Connector variant: insulated
Rated voltage: 1kV
Cable length: 30m
Colour: green
Wire cross-section: 0.75mm2
Conform to the norm: CAT II 1000V; CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Operating temperature: -20...80°C
Contact material: brass
Contact plating: nickel plated
Wire insulation material: PVC
Standard equipment: cable reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-REEL2310-50NELECTRO-PJPCategory: Single Test Leads
Description: Test lead; 2A; banana socket 4mm,banana plug 4mm; insulated
Type of test accessories: test lead
Current rating: 2A
Test lead configuration: banana plug 4mm; banana socket 4mm
Connector variant: insulated
Rated voltage: 1kV
Cable length: 50m
Colour: black
Wire cross-section: 0.75mm2
Conform to the norm: CAT II 1000V; CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Operating temperature: -20...80°C
Contact material: brass
Contact plating: nickel plated
Wire insulation material: PVC
Standard equipment: cable reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-REEL2310-50NELECTRO-PJPCategory: Single Test Leads
Description: Test lead; 2A; banana socket 4mm,banana plug 4mm; insulated
Type of test accessories: test lead
Current rating: 2A
Test lead configuration: banana plug 4mm; banana socket 4mm
Connector variant: insulated
Rated voltage: 1kV
Cable length: 50m
Colour: black
Wire cross-section: 0.75mm2
Conform to the norm: CAT II 1000V; CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Operating temperature: -20...80°C
Contact material: brass
Contact plating: nickel plated
Wire insulation material: PVC
Standard equipment: cable reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-TCIAnalog Devices Inc.Description: ANALOG SIGNAL CONDITIONING
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40942.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0025-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5468.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0050STSOP-28
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0050-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6063.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0075-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7037.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-1-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB01-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-1TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-2TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-3TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-5TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0100-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8554.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB01001PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-0-0TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-0-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-2-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-2-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-6-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-6-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE LABELS & MARKERS STB02-BLAN
Packaging: Tray
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3300+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3300
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-6TE ConnectivitySTB02BLANK6-TEC Wire Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0200-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14509.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB02100PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0250-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14834.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500LFA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500PBA05CAIBM
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02501ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-0TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-0-0
Packaging: Tray
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3300+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3300
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-0TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-0-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-8TE ConnectivityDescription: STB03-0-8
Packaging: Tray
Color: Gray
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4200+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4200
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-1-1TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-1-1TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-2-2TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-2-2
Packaging: Tray
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 2
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-2-2TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-2-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-3-3TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-3-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-3-3TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-3-3
Packaging: Tray
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 3
на замовлення 20700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3900+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3900
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-5-5
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 5
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2100+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 2100
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2587+4.71 грн
7200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 2587
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-6-6TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-6-6
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 6
на замовлення 17100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3900+2.95 грн
11700+2.70 грн
15600+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3900
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-7-7TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-7-7
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-7-7TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-8-8TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-8-8
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-8-8TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
Packaging: Bulk
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: STB03-BLANK-6
Packaging: Tray
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4200+2.80 грн
12600+2.49 грн
16800+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4200
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Box
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0399ESTMicroelectronicsN-CHANNEL 30V - 0.0026 OHM - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STRIPFET III POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03N60
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB04500LFAO5CC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB04500PBB
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB05-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB05-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB05-BLANK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB05-BLANK-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-0-0RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-0-0 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 0, Weiß, Schwarz, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Weiß
Markierungsfarbe: Schwarz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 0
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STB Series
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.02 грн
10+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-1-1TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-3-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-3-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity
Packaging: Tray
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.102" ~ 0.138" (2.60mm ~ 3.50mm)
Legend: 5
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+4.92 грн
7200+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-5-5RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-5-5 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 5, Weiß, Grün, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Weiß
Markierungsfarbe: Grün
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 5
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STB
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.70 грн
10+194.30 грн
100+185.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-6-6TE ConnectivitySnap On Marker STB/STD
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-0TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-6TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-6
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0612Fairview MicrowaveDescription: TERM PLUG TYPE N 1.35 VSWR
Packaging: Bag
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Brass
Body Finish: Tri-Metal
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB070A1483ABB Power Electronics Inc.Description: BG STB070A1483 COPPER FLEX BRAID
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9837.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0899ST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0899STMicroelectronicsDmod 100-Pin LQFP EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0899TSTMicroelectronicsDmod 208-Pin PQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB09-5-5
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: 5
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3600+3.25 грн
14400+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3600
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-8-8TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GRAY
Packaging: Box
Color: Gray
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB09-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-7TE ConnectivityDescription: STB09-BLANK-7
Packaging: Tray
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: Blank
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg.
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AB-BASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - Single Colour BLUE PUMP LED MID POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AD-BASeoul Semiconductor Inc.Description: LED BLUE 450NM 2.5MMX2.5MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1.00BK36TechflexDescription: 1" FIREFLEX SEAL TAPE BLK 36 FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.75 грн
10+181.46 грн
100+125.50 грн
500+104.95 грн
1000+90.27 грн
2000+85.13 грн
5000+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.23 грн
10+177.83 грн
50+159.72 грн
200+131.49 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+280.76 грн
67+183.39 грн
100+148.49 грн
500+135.37 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.30 грн
2000+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.71 грн
2000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.72 грн
200+131.49 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMТранзистор польовий потужний MOSFET, N-Ch, D2PAK (TO-263-3); 60 В; 100 A; 0.0056 Ohm; Pd=125W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+139.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.24 грн
10+129.26 грн
100+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.13 грн
10+113.94 грн
100+70.31 грн
500+57.61 грн
1000+54.02 грн
2000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.39 грн
10+122.32 грн
100+83.81 грн
500+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03-01L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03LSTIPAK
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-01STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1
Код товару: 158535
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4
Код товару: 99423
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STM09+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04STMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTSOT235
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.58 грн
5+240.07 грн
6+199.07 грн
15+188.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.08 грн
10+157.10 грн
100+116.63 грн
500+96.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.17 грн
2000+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4
Код товару: 170858
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.70 грн
10+177.83 грн
100+165.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.82 грн
5+192.65 грн
6+165.89 грн
15+156.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.58 грн
10+186.52 грн
25+161.46 грн
100+121.83 грн
500+107.88 грн
1000+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STTO263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC DIODE SOLUTIONSSTB10100CTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
11+30.27 грн
20+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100TRSMC DIODE SOLUTIONSSTB10100TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1010T4
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150CTRSMC DIODE SOLUTIONSSTB10150CTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150TRSMC DIODE SOLUTIONSSTB10150TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.73V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.73V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.76V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.76V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1045CTRSMC DIODE SOLUTIONSSTB1045CTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1045TRSMC DIODE SOLUTIONSSTB1045TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060CTRSMC DIODE SOLUTIONSSTB1060CTR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC DIODE SOLUTIONSSTB1060TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081L3
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081SL3GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081TF4GonsemiDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
Packaging: Bulk
на замовлення 15286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.94 грн
10+165.21 грн
100+120.66 грн
500+106.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.61 грн
10+194.12 грн
25+159.26 грн
100+136.51 грн
250+129.17 грн
500+121.83 грн
1000+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.66 грн
10+102.82 грн
100+78.38 грн
500+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.10 грн
10+122.38 грн
100+81.46 грн
500+66.05 грн
1000+59.81 грн
2000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.13 грн
500+146.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.72 грн
10+201.71 грн
100+129.90 грн
500+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.27 грн
10+206.65 грн
100+167.13 грн
500+146.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NA40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NA40STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20T4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50T4STTO-263
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50T4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50STTO-263
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.60 грн
10+246.45 грн
100+152.65 грн
500+137.24 грн
1000+120.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.20 грн
10+242.87 грн
100+175.36 грн
500+134.55 грн
1000+114.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.70 грн
10+206.72 грн
100+146.66 грн
500+128.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+141.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-100
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-120
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-121
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-150
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-180
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-221
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-270
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-271
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-2R5
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-330
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-390
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-470
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-560
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-5R6
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-680
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-681
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-820
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-821
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB110N55F6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132-YAUKSOT-89
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132YAUKSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188-YAUKSOT89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188LDM
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188YAUK07+ SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11K50Z-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.06 грн
10+135.02 грн
50+116.08 грн
200+90.21 грн
500+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.39 грн
10+131.57 грн
100+92.18 грн
500+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.78 грн
10+153.61 грн
100+96.14 грн
500+77.79 грн
1000+69.72 грн
2000+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: MDmesh™ M5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.83 грн
10+123.85 грн
11+88.68 грн
29+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: MDmesh™ M5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 36A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.40 грн
10+154.33 грн
11+106.42 грн
29+100.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.19 грн
2000+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.73 грн
200+100.15 грн
500+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40T4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.51 грн
2000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.43 грн
10+124.32 грн
100+102.09 грн
500+84.09 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+88.89 грн
141+86.83 грн
142+85.96 грн
143+82.46 грн
250+75.96 грн
500+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.62 грн
10+85.70 грн
100+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.54 грн
10+80.63 грн
25+79.82 грн
100+76.57 грн
250+70.53 грн
500+67.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.33 грн
10+145.76 грн
15+74.31 грн
40+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.75 грн
2000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.09 грн
500+84.09 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.22 грн
2000+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 245 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.17 грн
10+97.06 грн
25+83.67 грн
100+80.00 грн
500+78.53 грн
1000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+182.77 грн
10+116.97 грн
15+61.92 грн
40+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50Z
Код товару: 115514
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.90 грн
10+121.85 грн
100+119.38 грн
500+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+122.41 грн
10+116.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronics NVMOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
на замовлення 654 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.44 грн
1000+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.25 грн
10+117.73 грн
13+72.63 грн
35+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4
Код товару: 188607
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.90 грн
10+146.71 грн
13+87.15 грн
35+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM50T4
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60ST
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60
Код товару: 39826
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60A-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60N
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60N-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.75 грн
10+237.76 грн
100+170.01 грн
500+153.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.83 грн
10+282.74 грн
25+245.13 грн
100+176.14 грн
500+157.06 грн
1000+143.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80 (STB11NM80T4) транзистор N-канальний
Код товару: 46618
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+353.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.62 грн
10+451.54 грн
100+296.50 грн
500+274.48 грн
1000+259.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.43 грн
10+376.43 грн
100+292.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+232.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+330.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-0-0TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+10.14 грн
4800+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE ConnectivityTE Connectivity STB12-2-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Box
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-3-3TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.04 грн
15000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-6-6TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB12-7-7
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.01 грн
30+11.31 грн
100+7.56 грн
600+6.31 грн
1200+5.21 грн
2700+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB12-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N10F4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N10F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.50 грн
10+113.68 грн
100+82.00 грн
500+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.91 грн
10+129.13 грн
100+79.26 грн
500+63.63 грн
1000+62.09 грн
2000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsSTB120N4F6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.06 грн
10+155.30 грн
100+97.61 грн
500+81.46 грн
1000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.85 грн
10+142.42 грн
100+102.85 грн
500+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10ST09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsSTB120NF10T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+367.34 грн
40+307.05 грн
43+287.74 грн
100+235.83 грн
250+204.24 грн
500+182.99 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 120Amp
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.54 грн
10+282.74 грн
100+184.21 грн
500+155.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 18429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.61 грн
10+252.51 грн
100+181.26 грн
500+165.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+341.10 грн
10+285.12 грн
25+282.25 грн
100+218.99 грн
250+201.02 грн
500+145.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12100TRSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12100TRSMC DIODE SOLUTIONSSTB12100TR-SMC SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277-Y
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277L-Y
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LY
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LY-AT
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.47 грн
10+173.02 грн
100+119.63 грн
500+100.55 грн
1000+90.27 грн
2000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK50ZT4 транзистор
Код товару: 92403
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-1
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4
Код товару: 131646
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.45 грн
10+248.72 грн
25+224.61 грн
100+189.85 грн
250+171.62 грн
500+148.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.59 грн
10+257.56 грн
100+199.23 грн
500+157.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.25 грн
10+216.91 грн
100+179.81 грн
500+173.20 грн
1000+167.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.37 грн
10+249.46 грн
100+208.29 грн
500+174.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-T4ST
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FD-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50N
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+174.05 грн
10+161.62 грн
100+144.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50ND
Код товару: 129325
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+223.94 грн
500+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+125.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.29 грн
10+294.74 грн
100+237.93 грн
500+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.37 грн
10+300.46 грн
100+211.37 грн
500+183.48 грн
1000+150.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4ST09+ SPQ 1K P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.40 грн
10+79.20 грн
100+53.26 грн
500+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN power transistor
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.28 грн
10+88.62 грн
100+53.58 грн
250+53.21 грн
500+42.93 грн
1000+38.46 грн
2000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+89.17 грн
138+88.28 грн
208+58.69 грн
250+56.03 грн
500+43.65 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.06 грн
2000+35.58 грн
3000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13007DT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 18hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.26 грн
10+86.45 грн
100+61.83 грн
500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+120.35 грн
10+82.80 грн
25+81.97 грн
100+52.55 грн
250+48.18 грн
500+38.91 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.65 грн
10+129.26 грн
100+89.74 грн
500+61.77 грн
1000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.45 грн
10+112.53 грн
100+77.09 грн
500+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.74 грн
500+61.77 грн
1000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.53 грн
10+139.26 грн
100+96.14 грн
500+81.46 грн
1000+68.25 грн
2000+65.46 грн
5000+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 33V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB135N10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB135N10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.14 грн
2000+62.73 грн
3000+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.79 грн
200+98.62 грн
500+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.48 грн
10+151.08 грн
100+93.94 грн
500+76.33 грн
1000+69.72 грн
2000+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 8297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.74 грн
10+128.89 грн
100+90.33 грн
500+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.36 грн
10+147.37 грн
50+126.79 грн
200+98.62 грн
500+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.53 грн
10+94.03 грн
27+88.68 грн
200+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.24 грн
10+117.18 грн
27+106.42 грн
200+102.75 грн
1000+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+245.34 грн
200+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.70 грн
10+230.19 грн
100+170.47 грн
500+139.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.90 грн
10+268.39 грн
50+245.34 грн
200+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.89 грн
10+284.43 грн
100+198.16 грн
500+171.73 грн
1000+153.39 грн
5000+143.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.93 грн
10+244.76 грн
100+157.06 грн
500+139.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+199.05 грн
65+188.25 грн
100+176.89 грн
500+151.17 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+184.83 грн
10+174.81 грн
100+164.26 грн
500+140.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+146.71 грн
85+144.36 грн
86+141.92 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+149.10 грн
2000+149.08 грн
3000+149.05 грн
4000+143.70 грн
5000+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.62 грн
10+267.04 грн
100+192.28 грн
500+177.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB140N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140N4F6STMicroelectronicsMOSFET 40V 0.0036 OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsSTB140NF55T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.82 грн
10+112.46 грн
100+107.64 грн
500+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.85 грн
10+130.82 грн
100+108.62 грн
250+107.88 грн
500+94.67 грн
1000+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.47 грн
9+102.44 грн
25+97.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75 Volt 120 Amp
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+156.98 грн
25+135.04 грн
100+129.90 грн
500+127.70 грн
1000+118.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.76 грн
9+127.66 грн
25+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.75 грн
10+138.45 грн
100+135.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.10 грн
10+236.29 грн
50+233.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.67 грн
10+169.99 грн
25+137.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55-1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.12 грн
10+192.19 грн
100+135.75 грн
500+116.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.63 грн
10+227.88 грн
100+140.91 грн
500+121.83 грн
1000+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.68 грн
1000+165.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.01 грн
10+257.10 грн
100+184.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.11 грн
10+292.87 грн
100+182.74 грн
1000+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsSTB14NM50N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.30 грн
10+240.28 грн
100+171.15 грн
500+132.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.38 грн
10+97.88 грн
25+96.29 грн
100+91.33 грн
250+83.22 грн
500+78.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.22 грн
10+228.72 грн
100+146.78 грн
500+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE ConnectivityWire Labels & Markers STB15-0-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-0-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-3-3TE ConnectivitySnap-On Marker STB/STD Size 15 with Applicator
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 653
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-3-3TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+29.21 грн
1100+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-6-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-6-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers STB15-6-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-3TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-7TE ConnectivityDescription: STB15-BLANK-7
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STB150N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 120 Amp
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.19 грн
10+153.61 грн
25+132.84 грн
100+103.48 грн
500+98.34 грн
1000+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.53 грн
10+131.11 грн
100+105.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151-78Carling TechnologiesToggle Switches STB151-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+64.91 грн
100+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.68V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.68V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151508Hoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE STEEL 5.91"L X 5.91"W
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 3.150" (80.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5042.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 150V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 150V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 150V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.79V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 150V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.79V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB151512Hoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE STEEL 5.91"L X 5.91"W
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 4.724" (120.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6845.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+52.14 грн
100+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 15A; reel,tape
Max. off-state voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.73V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 15A; reel,tape
Max. off-state voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.73V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 15A; reel,tape
Max. off-state voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 15A; reel,tape
Max. off-state voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.72V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
2+247.45 грн
10+220.28 грн
25+180.54 грн
100+154.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.62 грн
10+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.63V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.63V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 170A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.65V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
10+36.16 грн
20+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 170A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15810STMicroelectronicsDescription: N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB15810STMicroelectronicsMOSFETs D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.53 грн
10+265.28 грн
100+198.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+406.71 грн
10+310.38 грн
100+228.05 грн
500+204.88 грн
1000+180.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.51 грн
10+310.59 грн
25+269.34 грн
100+198.16 грн
500+174.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+228.05 грн
500+204.88 грн
1000+180.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+250.85 грн
10+242.97 грн
25+233.78 грн
50+214.40 грн
100+192.87 грн
250+185.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTD2PAK 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.17 грн
10+287.52 грн
100+206.95 грн
500+162.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.41 грн
2000+192.47 грн
3000+190.53 грн
5000+181.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsSTB160N75F3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.84 грн
2000+177.05 грн
3000+175.27 грн
5000+167.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsMOSFETs 75V 3.5mOhm N-Channel
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.44 грн
10+275.14 грн
100+178.34 грн
250+177.61 грн
500+162.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4ST00+
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.64 грн
10+275.14 грн
25+237.79 грн
100+206.96 грн
250+205.49 грн
500+198.89 грн
1000+188.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.70 грн
10+307.09 грн
100+240.40 грн
500+188.06 грн
1000+170.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+182.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsCategory: Transistors - Unclassified
Description: STB16N90K5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+274.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+240.40 грн
500+188.06 грн
1000+170.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.55 грн
10+255.72 грн
100+214.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+90.06 грн
30+29.89 грн
83+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.85 грн
10+90.44 грн
100+67.85 грн
500+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.83 грн
10+112.22 грн
30+35.87 грн
83+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.57 грн
2000+44.18 грн
3000+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 16 Amp
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.25 грн
10+109.72 грн
100+65.39 грн
500+52.55 грн
1000+47.56 грн
2000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C; STB16NF06LT4 STB16NF06L TSTB16NF06L
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE ConnectivitySTB1755-TEC Wire Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-BLANK-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB17-BLANK-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 40V STripFET 80A
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.02 грн
10+248.98 грн
100+153.39 грн
500+126.97 грн
1000+101.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+177.59 грн
100+143.97 грн
500+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.40 грн
10+251.36 грн
100+179.88 грн
500+162.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB185N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5
Код товару: 89166
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm MDmesh M5 13A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.08 грн
500+90.21 грн
1000+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.88 грн
10+166.31 грн
100+116.08 грн
500+90.21 грн
1000+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.85 грн
10+146.71 грн
100+102.75 грн
500+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.32 грн
10+175.55 грн
25+151.92 грн
100+106.42 грн
500+91.00 грн
1000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.20 грн
10+156.14 грн
100+99.81 грн
500+81.46 грн
1000+71.85 грн
2000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.80 грн
10+130.27 грн
100+96.83 грн
500+73.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.89 грн
10+177.24 грн
100+116.69 грн
500+96.14 грн
1000+78.53 грн
2000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.18 грн
10+155.60 грн
100+113.61 грн
500+87.92 грн
1000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.61 грн
500+87.92 грн
1000+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+251.22 грн
54+226.96 грн
57+215.19 грн
100+180.12 грн
250+165.11 грн
500+137.02 грн
1000+119.21 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.53 грн
10+162.76 грн
100+125.81 грн
500+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+233.28 грн
10+210.75 грн
25+199.82 грн
100+167.26 грн
250+153.32 грн
500+127.23 грн
1000+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.44 грн
10+194.12 грн
100+129.17 грн
500+104.95 грн
1000+91.00 грн
2000+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.93 грн
2000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.78 грн
10+132.51 грн
25+114.49 грн
100+79.26 грн
500+63.48 грн
1000+53.87 грн
2000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.86 грн
10+109.70 грн
100+76.10 грн
500+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsSTB18NF25 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.45 грн
500+64.45 грн
1000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.62 грн
2000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.72 грн
2000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.43 грн
2000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.53 грн
2000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.31 грн
10+115.26 грн
50+103.74 грн
200+85.62 грн
500+65.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+124.96 грн
105+116.04 грн
125+97.37 грн
200+88.42 грн
500+59.63 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.73 грн
10+148.00 грн
100+103.00 грн
500+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.57 грн
10+174.71 грн
100+106.42 грн
500+87.34 грн
1000+80.00 грн
2000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.94 грн
10+292.27 грн
100+209.94 грн
500+162.07 грн
1000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.23 грн
10+297.93 грн
100+186.41 грн
500+178.34 грн
1000+153.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+147.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.89 грн
10+249.99 грн
100+179.29 грн
500+163.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.