Продукція > STB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
STB 3202EAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3202IAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB-10 WHTane Alarm ProductsDescription: .35" X .75" HARD-WIRE STUBBY REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+103.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-25CAS/FSensitecDescription: CURRENT SENSOR FLUX GATE/CL 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 25mV/A
Mounting Type: Through Hole
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 400kHz
Accuracy: ±0.8%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Response Time: 0.3µs
Sensor Type: Flux Gate, Closed Loop
Linearity: ±0.3%
For Measuring: AC/DC
Current - Sensing: 25A
Number of Channels: 1
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.04 грн
42+329.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB-25CAS/K/FSensitecDescription: CURRENT SENSOR FLUX GATE/CL 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 25mV/A
Mounting Type: Through Hole
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 400kHz
Accuracy: ±0.8%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Response Time: 0.3µs
Sensor Type: Flux Gate, Closed Loop
Linearity: ±0.3%
For Measuring: AC/DC
Current - Sensing: 25A
Number of Channels: 1
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.04 грн
42+329.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB-25CAS/R/FSensitecDescription: CURRENT SENSOR FLUX GATE/CL 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 25mV/A
Mounting Type: Through Hole
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 400kHz
Accuracy: ±0.8%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Response Time: 0.3µs
Sensor Type: Flux Gate, Closed Loop
Linearity: ±0.3%
For Measuring: AC/DC
Current - Sensing: 25A
Number of Channels: 1
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.04 грн
42+329.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB-3/8 TC WHTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+162.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-3/8TC BRTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+162.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-50Analog Devices Inc.Description: SCREW-TERMINATION PANEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-50AAnalog Devices Inc.Description: THERMOCOUPLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-TCIAnalog Devices Inc.Description: ANALOG SIGNAL CONDITIONING
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39612.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0025-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5290.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0050STSOP-28
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0050-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5866.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0075-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6809.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-1-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB01-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-1TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-2TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-3TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-5TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0100-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8276.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB01001PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-0-0TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-0-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-2-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-2-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-6-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-6-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE LABELS & MARKERS STB02-BLAN
Packaging: Tray
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3300+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3300
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0200-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14038.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB02100PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0250-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14352.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500LFA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500PBA05CAIBM
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02501ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-0TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-0-0
Packaging: Tray
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3300+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3300
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-0TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-0-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-8TE ConnectivityDescription: STB03-0-8
Packaging: Tray
Color: Gray
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4200+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4200
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-1-1TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-1-1TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-2-2TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-2-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-2-2TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-2-2
Packaging: Tray
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 2
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-3-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-3-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-3-3TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-3-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-3-3TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-3-3
Packaging: Tray
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 3
на замовлення 20700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3900+2.96 грн
15600+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3900
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2100+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 2100
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-5-5
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 5
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2587+5.00 грн
7200+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 2587
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-6-6TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-6-6
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 6
на замовлення 17100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3900+2.86 грн
11700+2.61 грн
15600+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3900
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-7-7TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-7-7
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-7-7TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-8-8TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-8-8
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-8-8TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
Packaging: Bulk
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Box
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: STB03-BLANK-6
Packaging: Tray
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4200+2.71 грн
12600+2.41 грн
16800+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 4200
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03N60
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB04500LFAO5CC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB04500PBB
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB05-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB05-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB05-BLANK-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB05-BLANK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-0-0RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-0-0 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 0, Weiß, Schwarz, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Weiß
Markierungsfarbe: Schwarz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 0
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STB Series
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.77 грн
10+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-1-1TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-3-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-3-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity
Packaging: Tray
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.102" ~ 0.138" (2.60mm ~ 3.50mm)
Legend: 5
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+4.81 грн
7200+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-5-5RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-5-5 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 5, Weiß, Grün, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Weiß
Markierungsfarbe: Grün
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 5
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STB Series
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.77 грн
10+131.43 грн
100+130.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-6-6TE ConnectivitySnap On Marker STB/STD
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-0TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: STB06-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-6TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-6
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0612Fairview MicrowaveDescription: TERM PLUG TYPE N 1.35 VSWR
Packaging: Bag
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Brass
Body Finish: Tri-Metal
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB070A1483ABB Power Electronics Inc.Description: BG STB070A1483 COPPER FLEX BRAID
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9518.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0899ST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB09-5-5
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: 5
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3600+3.14 грн
14400+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3600
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-8-8TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GRAY
Packaging: Box
Color: Gray
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB09-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-7TE ConnectivityDescription: STB09-BLANK-7
Packaging: Tray
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: Blank
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg.
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AB-BASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - Single Colour BLUE PUMP LED MID POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AD-BASeoul Semiconductor Inc.Description: LED BLUE 450NM 2.5MMX2.5MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1.00BK36TechflexDescription: 1" FIREFLEX SEAL TAPE BLK 36 FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+144.23 грн
100+100.50 грн
500+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.46 грн
10+173.65 грн
50+151.34 грн
200+119.08 грн
500+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.37 грн
10+153.11 грн
100+98.32 грн
500+80.57 грн
1000+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+292.35 грн
68+190.59 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.34 грн
200+119.08 грн
500+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.34 грн
10+103.64 грн
100+62.81 грн
500+49.77 грн
1000+49.70 грн
2000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.09 грн
10+117.09 грн
100+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.43 грн
10+118.34 грн
100+81.09 грн
500+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03-01L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03LSTIPAK
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-01STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1
Код товару: 158535
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4
Код товару: 99423
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STM09+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04STMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTSOT235
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.15 грн
10+156.25 грн
100+94.90 грн
500+82.61 грн
1000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.93 грн
10+180.82 грн
100+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.50 грн
10+146.75 грн
100+102.41 грн
500+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4
Код товару: 170858
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsSTB100NF04T4 SMD N channel transistors
на замовлення 892 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+304.81 грн
6+214.01 грн
16+202.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STTO263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB101-0.447-34Lyn-Tron Inc.STB101-0.447-34
на замовлення 9612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+89.28 грн
174+74.50 грн
250+55.73 грн
500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
STB101-0.499-34Lyn-Tron Inc.STB101-0.499-34
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+169.10 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
11+29.29 грн
20+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB1010T4
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081L3
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081SL3GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081TF4GonsemiDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
Packaging: Bulk
на замовлення 15286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.85 грн
10+163.61 грн
100+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.56 грн
10+172.74 грн
100+105.83 грн
500+96.27 грн
1000+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.48 грн
10+106.00 грн
100+62.81 грн
500+50.93 грн
1000+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.77 грн
10+98.97 грн
100+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.51 грн
500+130.92 грн
1000+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+178.04 грн
100+125.59 грн
500+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.27 грн
10+217.46 грн
100+158.51 грн
500+130.92 грн
1000+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 4628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.96 грн
10+175.09 грн
100+114.02 грн
500+103.10 грн
1000+99.00 грн
5000+97.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NA40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NA40STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20T4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50T4STTO-263
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50T4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50STTO-263
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.71 грн
10+194.83 грн
100+138.20 грн
500+120.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.61 грн
2000+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.47 грн
10+234.98 грн
100+166.48 грн
500+144.23 грн
1000+109.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.03 грн
10+207.29 грн
100+128.36 грн
500+119.48 грн
1000+109.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.80 грн
2000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-100
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-120
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-121
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-150
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-180
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-221
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-270
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-271
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-2R5
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-330
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-390
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-470
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-560
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-5R6
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-680
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-681
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-820
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-821
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB110N55F6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132-YAUKSOT-89
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132YAUKSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB116-0.447-0.250-34Lyn-Tron Inc.STB116-0.447-0.250-34
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1290.37 грн
14+992.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188-YAUKSOT89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188LDM
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188YAUK07+ SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11K50Z-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.09 грн
10+111.77 грн
50+90.40 грн
100+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.95 грн
10+118.34 грн
100+81.62 грн
500+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.06 грн
200+96.16 грн
500+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.09 грн
2000+77.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.93 грн
10+127.98 грн
100+77.15 грн
500+63.97 грн
1000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+220.91 грн
10+139.28 грн
50+108.48 грн
100+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.73 грн
10+145.77 грн
50+125.06 грн
200+96.16 грн
500+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40T4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.33 грн
2000+66.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.21 грн
2000+89.06 грн
3000+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.45 грн
100+79.42 грн
500+67.31 грн
1000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 245 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.19 грн
2000+76.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.34 грн
2000+78.87 грн
3000+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+97.58 грн
135+96.05 грн
137+94.52 грн
140+89.67 грн
250+81.67 грн
500+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.26 грн
10+140.55 грн
100+84.66 грн
500+71.69 грн
1000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.12 грн
2000+83.18 грн
3000+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+82.92 грн
100+80.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.55 грн
10+102.91 грн
25+101.27 грн
100+96.08 грн
250+87.50 грн
500+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.04 грн
500+68.05 грн
1000+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsSTB11NK40ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 442 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+161.43 грн
16+76.92 грн
42+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50Z
Код товару: 115514
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4
Код товару: 188607
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.08 грн
500+113.06 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronics NVMOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
на замовлення 654 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.62 грн
10+132.23 грн
100+130.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.69 грн
2000+122.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.74 грн
2000+131.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsSTB11NK50ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 651 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+212.41 грн
14+87.77 грн
37+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM50T4
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60ST
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60
Код товару: 39826
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60A-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60N
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.02 грн
10+238.69 грн
100+148.84 грн
500+142.70 грн
1000+121.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.56 грн
10+225.96 грн
100+161.59 грн
500+145.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80 (STB11NM80T4) транзистор N-канальний
Код товару: 46618
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+304.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+326.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+375.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.66 грн
10+359.18 грн
100+279.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+286.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.66 грн
10+380.02 грн
100+257.40 грн
1000+218.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+295.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+237.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-0-0TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+10.78 грн
4800+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-0-0TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2412+10.72 грн
6029+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 2412
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Box
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE ConnectivityTE Connectivity STB12-2-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2308+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-3-3TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
8100+5.07 грн
9000+4.83 грн
15000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-5-5TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2412+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 2412
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-6-6TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB12-7-7
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+10.99 грн
34+9.50 грн
100+6.35 грн
600+5.33 грн
1200+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE ConnectivitySTD AND STB MARKERS
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-BLANK-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB12-BLANK-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-BLANK-6TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1416+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB12-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N10F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.24 грн
10+83.58 грн
100+65.59 грн
500+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.37 грн
2000+66.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.21 грн
2000+81.93 грн
3000+78.73 грн
5000+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.46 грн
2000+87.72 грн
3000+84.31 грн
5000+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.14 грн
10+81.66 грн
100+56.53 грн
500+50.87 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.33 грн
10+137.80 грн
100+99.51 грн
500+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.17 грн
10+138.98 грн
100+83.98 грн
500+71.01 грн
1000+59.33 грн
2000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10ST09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.49 грн
10+183.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 120Amp
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.94 грн
10+252.83 грн
100+161.81 грн
500+157.03 грн
1000+127.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 15345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.84 грн
10+240.61 грн
100+172.88 грн
500+158.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12100TRSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277-Y
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277L-Y
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LY
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LY-AT
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.80 грн
10+148.40 грн
100+99.00 грн
500+82.61 грн
1000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK50ZT4 транзистор
Код товару: 92403
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-1
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.51 грн
10+305.01 грн
25+275.44 грн
100+232.82 грн
250+210.46 грн
500+182.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.31 грн
10+175.88 грн
100+152.26 грн
500+151.57 грн
1000+139.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.27 грн
10+253.78 грн
100+182.76 грн
500+169.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+190.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4
Код товару: 131646
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+204.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+152.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.88 грн
10+308.27 грн
100+250.12 грн
500+205.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-T4ST
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FD-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50N
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50ND
Код товару: 129325
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.44 грн
10+198.20 грн
100+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+230.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.31 грн
10+248.11 грн
100+174.10 грн
500+154.99 грн
1000+129.72 грн
5000+129.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.95 грн
10+285.17 грн
100+230.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4ST09+ SPQ 1K P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.75 грн
2000+33.52 грн
3000+32.08 грн
5000+28.59 грн
7000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13007DT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 18hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.23 грн
10+86.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN power transistor
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.67 грн
10+78.36 грн
100+45.74 грн
500+36.05 грн
1000+33.25 грн
2000+29.15 грн
5000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.36 грн
10+74.63 грн
100+50.19 грн
500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+231.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.68 грн
10+120.28 грн
100+88.42 грн
500+65.83 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.55 грн
10+108.35 грн
100+67.52 грн
500+54.14 грн
1000+48.27 грн
2000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+106.95 грн
100+73.28 грн
500+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.42 грн
500+65.83 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB135N10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB135N10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.67 грн
200+95.42 грн
500+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 8049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.11 грн
10+115.46 грн
100+79.55 грн
500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.32 грн
10+142.58 грн
50+122.67 грн
200+95.42 грн
500+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.14 грн
10+127.20 грн
100+78.52 грн
500+65.75 грн
1000+56.60 грн
2000+53.80 грн
5000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.67 грн
10+111.77 грн
25+94.51 грн
50+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+215.60 грн
10+139.28 грн
25+113.41 грн
50+112.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.55 грн
2000+55.13 грн
3000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+239.76 грн
200+196.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.43 грн
10+237.91 грн
100+167.28 грн
500+148.84 грн
1000+126.31 грн
2000+125.63 грн
5000+124.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.81 грн
10+219.01 грн
100+156.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.30 грн
10+268.44 грн
50+239.76 грн
200+196.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.75 грн
2000+183.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+211.55 грн
65+200.08 грн
100+188.00 грн
500+160.67 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.66 грн
10+214.37 грн
100+201.43 грн
500+172.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+155.92 грн
85+153.42 грн
86+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.40 грн
10+210.43 грн
100+131.09 грн
500+107.88 грн
1000+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.25 грн
5000+195.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+249.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.20 грн
10+251.63 грн
100+181.19 грн
500+167.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+136.69 грн
97+134.53 грн
98+132.38 грн
100+125.57 грн
250+114.34 грн
500+108.00 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.26 грн
10+140.55 грн
100+90.12 грн
500+77.83 грн
1000+63.97 грн
2000+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.45 грн
10+144.14 грн
25+141.83 грн
100+134.54 грн
250+122.51 грн
500+115.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.21 грн
10+138.76 грн
100+96.59 грн
500+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.61 грн
10+166.93 грн
50+139.06 грн
100+129.19 грн
200+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.65 грн
10+185.73 грн
100+131.52 грн
500+114.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.51 грн
10+133.96 грн
50+115.88 грн
100+107.66 грн
200+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.73 грн
10+161.05 грн
25+158.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.14 грн
10+151.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75 Volt 120 Amp
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.88 грн
10+200.22 грн
100+123.58 грн
500+114.70 грн
1000+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55-1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.14 грн
10+171.60 грн
100+120.92 грн
500+102.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.96 грн
10+186.09 грн
100+114.02 грн
500+103.10 грн
1000+96.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 6147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.19 грн
10+161.75 грн
100+124.26 грн
500+122.90 грн
1000+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.56 грн
10+225.96 грн
100+161.59 грн
500+145.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+235.07 грн
2000+215.01 грн
3000+206.88 грн
4000+193.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.39 грн
2000+200.68 грн
3000+193.09 грн
4000+180.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.04 грн
10+237.12 грн
100+147.48 грн
1000+132.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.88 грн
10+120.03 грн
25+118.09 грн
100+112.00 грн
250+102.05 грн
500+96.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.13 грн
10+222.99 грн
100+137.92 грн
500+131.09 грн
1000+111.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.08 грн
10+232.47 грн
100+165.59 грн
500+128.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-0-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE ConnectivityWire Labels & Markers STB15-0-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-2TE ConnectivitySTB15-0-2
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-1-1TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-3-3TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-3-3TE ConnectivitySnap-On Marker STB/STD Size 15 with Applicator
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 653
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+31.05 грн
1100+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers STB15-6-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-6-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-6-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-8-8TE ConnectivitySTB15-8-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-3TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-7TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+39.55 грн
500+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-7TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+24.39 грн
1500+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-7TE ConnectivityDescription: STB15-BLANK-7
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STB150N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.04 грн
2000+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.90 грн
2000+117.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.78 грн
10+161.84 грн
100+113.52 грн
500+94.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151-78Carling TechnologiesToggle Switches STB151-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+58.36 грн
100+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151508Hoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE STEEL 5.91"L X 5.91"W
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 3.150" (80.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4878.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 150V; 15A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 130A
Max. off-state voltage: 150V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 150V; 15A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.79V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 150V
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151512Hoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE STEEL 5.91"L X 5.91"W
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 4.724" (120.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6623.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.78 грн
10+58.80 грн
100+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.37 грн
10+153.11 грн
100+103.78 грн
500+75.79 грн
1000+58.10 грн
2000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.68 грн
2000+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.13 грн
2000+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
10+34.39 грн
20+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STB15810STMicroelectronicsDescription: N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB15810STMicroelectronicsMOSFETs D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.50 грн
10+300.30 грн
100+220.64 грн
500+198.23 грн
1000+174.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.82 грн
10+259.89 грн
100+162.50 грн
500+159.08 грн
1000+148.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.64 грн
500+198.23 грн
1000+174.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.56 грн
10+249.41 грн
100+179.56 грн
500+165.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.62 грн
10+297.95 грн
25+286.69 грн
50+262.93 грн
100+236.52 грн
250+226.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTD2PAK 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsMOSFETs 75V 3.5mOhm N-Channel
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.38 грн
10+254.40 грн
100+159.08 грн
500+152.94 грн
1000+133.82 грн
2000+129.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.67 грн
10+278.18 грн
100+200.22 грн
500+156.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4ST00+
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.46 грн
10+273.75 грн
100+199.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.46 грн
10+223.03 грн
100+203.12 грн
500+183.43 грн
1000+163.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+210.86 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.22 грн
10+259.83 грн
25+257.24 грн
50+246.99 грн
100+217.64 грн
500+198.32 грн
1000+193.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.09 грн
10+285.02 грн
100+187.76 грн
500+184.34 грн
1000+166.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.12 грн
500+183.43 грн
1000+163.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+487.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.87 грн
2000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.20 грн
10+88.31 грн
100+59.86 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 16 Amp
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.84 грн
10+81.66 грн
100+47.66 грн
500+37.82 грн
1000+34.62 грн
2000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C; STB16NF06LT4 STB16NF06L TSTB16NF06L
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.18 грн
5000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.55 грн
5000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.55 грн
2000+40.22 грн
3000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsSTB16NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+162.18 грн
30+39.05 грн
83+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-0-0TE ConnectivitySnap on Marker STB/STD
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+39.84 грн
900+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB17-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers STB17-5-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-BLANK-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB17-BLANK-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-MINUS-6TE ConnectivitySTB17-MINUS-6
на замовлення 20600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+20.89 грн
1700+20.40 грн
2500+19.32 грн
5000+16.30 грн
15000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 40V STripFET 80A
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.71 грн
10+166.46 грн
100+114.02 грн
500+98.32 грн
1000+77.15 грн
2000+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.08 грн
10+198.45 грн
100+140.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.12 грн
10+213.83 грн
100+152.65 грн
500+136.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm MDmesh M5 13A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5
Код товару: 89166
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.41 грн
10+147.61 грн
100+90.12 грн
500+77.83 грн
1000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.51 грн
10+152.14 грн
100+105.94 грн
500+78.40 грн
1000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.21 грн
10+138.83 грн
100+96.59 грн
500+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.94 грн
500+78.40 грн
1000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.71 грн
10+124.78 грн
100+86.27 грн
500+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.90 грн
10+132.69 грн
100+80.57 грн
500+66.91 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 110W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.05 грн
10+168.07 грн
100+126.65 грн
500+93.94 грн
1000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.70 грн
10+127.20 грн
100+82.61 грн
500+69.64 грн
1000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.65 грн
500+93.94 грн
1000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+173.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.198ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.60 грн
500+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.34 грн
10+149.56 грн
100+104.52 грн
500+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+267.00 грн
54+241.21 грн
57+228.71 грн
100+191.43 грн
250+175.48 грн
500+145.62 грн
1000+126.70 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.36 грн
10+184.80 грн
100+138.60 грн
500+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.32 грн
10+161.75 грн
100+98.32 грн
500+86.03 грн
1000+73.74 грн
5000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.69 грн
2000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.74 грн
2000+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsSTB18NF25 SMD N channel transistors
на замовлення 991 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.29 грн
13+93.69 грн
35+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.96 грн
2000+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.24 грн
2000+61.46 грн
5000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.67 грн
10+108.35 грн
100+64.59 грн
500+51.34 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+209.56 грн
97+134.53 грн
105+124.19 грн
200+88.98 грн
500+80.85 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.33 грн
200+82.10 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.21 грн
10+106.14 грн
100+73.63 грн
500+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.75 грн
10+128.24 грн
50+108.33 грн
200+82.10 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.81 грн
10+149.18 грн
100+90.12 грн
500+79.20 грн
1000+67.52 грн
2000+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.69 грн
10+143.20 грн
100+99.65 грн
500+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.44 грн
10+281.18 грн
100+202.32 грн
500+182.69 грн
1000+136.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.16 грн
10+251.26 грн
100+157.03 грн
500+152.94 грн
1000+129.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 8811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.46 грн
10+237.58 грн
100+170.40 грн
500+155.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+240.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04/-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04/-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 190 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 19 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20T4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.90 грн
10+75.67 грн
100+50.96 грн
500+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+162.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+87.64 грн
3000+86.81 грн
4000+85.95 грн
5000+82.05 грн
10000+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+190.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsMOSFETs 200V 0.15Ohm 15A N-Channel
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.40 грн
10+87.15 грн
100+50.52 грн
500+41.38 грн
1000+35.37 грн
2000+33.66 грн
5000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E1-53Carling TechnologiesToggle Switches STB1E1-53
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2133.96 грн
10+1063.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E1-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E4-53Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24V (ON)OFF 1P Scrw Cage Clmps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E4-58Carling TechnologiesToggle Switches STB1E4-58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N4F3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.22 грн
10+365.98 грн
100+299.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N75F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+203.10 грн
2000+179.90 грн
3000+168.69 грн
4000+154.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 120 Amp
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.07 грн
10+175.88 грн
100+107.19 грн
500+96.27 грн
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.49 грн
10+174.48 грн
100+124.76 грн
500+106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+217.60 грн
2000+192.75 грн
3000+180.73 грн
4000+165.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04L-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LT4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.74 грн
10+63.68 грн
100+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB202008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X200X80MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 200V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.76V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB202012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X200X120MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 7.874" L x 7.874" W (200.00mm x 200.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 4.724" (120.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 62.0in² (400cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9042.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB203008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X300X80MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 7.874" L x 11.811" W (200.00mm x 300.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 3.150" (80.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 93.0in² (600cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9693.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB204008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X400X80MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.78 грн
10+59.17 грн
100+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.52V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSMC Diode SolutionsДіод Шотткі smd; Io, A = 10; Uзвор, В = 45; Uf (max), В = 0,58; If, А = 10; Тексп, °C = -55...+150; I, мкА @ Ur, В = 2000 @ 45; D2PAK
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB206012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X600X120MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+53.85 грн
100+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.54 грн
10+190.01 грн
100+116.75 грн
500+106.51 грн
1000+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+275.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+392.70 грн
50+318.79 грн
100+251.26 грн
250+246.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.25 грн
10+331.34 грн
100+216.43 грн
1000+195.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.08 грн
10+306.22 грн
100+229.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.45 грн
5+467.58 грн
10+392.70 грн
50+318.79 грн
100+251.26 грн
250+246.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+295.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.