Продукція > STB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
STB 3202EAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB 3202IAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB-10 WHTane Alarm ProductsDescription: .35" X .75" HARD-WIRE STUBBY REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-25CAS/FSensitecDescription: CURRENT SENSOR FLUX GATE/CL 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 25mV/A
Mounting Type: Through Hole
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 400kHz
Accuracy: ±0.8%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Response Time: 0.3µs
Sensor Type: Flux Gate, Closed Loop
Linearity: ±0.3%
For Measuring: AC/DC
Current - Sensing: 25A
Number of Channels: 1
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.46 грн
42+331.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB-25CAS/K/FSensitecDescription: CURRENT SENSOR FLUX GATE/CL 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 25mV/A
Mounting Type: Through Hole
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 400kHz
Accuracy: ±0.8%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Response Time: 0.3µs
Sensor Type: Flux Gate, Closed Loop
Linearity: ±0.3%
For Measuring: AC/DC
Current - Sensing: 25A
Number of Channels: 1
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.46 грн
42+331.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB-25CAS/R/FSensitecDescription: CURRENT SENSOR FLUX GATE/CL 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 25mV/A
Mounting Type: Through Hole
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: DC ~ 400kHz
Accuracy: ±0.8%
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Response Time: 0.3µs
Sensor Type: Flux Gate, Closed Loop
Linearity: ±0.3%
For Measuring: AC/DC
Current - Sensing: 25A
Number of Channels: 1
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.46 грн
42+331.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB-3/8 TC WHTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-3/8TC BRTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB-50Analog Devices Inc.Description: SCREW-TERMINATION PANEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-50AAnalog Devices Inc.Description: THERMOCOUPLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-REEL2310-30VELECTRO-PJPCategory: Single Test Leads
Description: Test lead; 2A; banana socket 4mm,banana plug 4mm; insulated
Contact plating: nickel plated
Conform to the norm: CAT II 1000V; CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Connector variant: insulated
Wire insulation material: PVC
Type of test accessories: test lead
Operating temperature: -20...80°C
Wire cross-section: 0.75mm2
Cable length: 30m
Current rating: 2A
Rated voltage: 1kV
Test lead configuration: banana plug 4mm; banana socket 4mm
Colour: green
Contact material: brass
Standard equipment: cable reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-REEL2310-50NELECTRO-PJPCategory: Single Test Leads
Description: Test lead; 2A; banana socket 4mm,banana plug 4mm; insulated
Contact plating: nickel plated
Conform to the norm: CAT II 1000V; CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Connector variant: insulated
Wire insulation material: PVC
Type of test accessories: test lead
Operating temperature: -20...80°C
Wire cross-section: 0.75mm2
Cable length: 50m
Current rating: 2A
Rated voltage: 1kV
Test lead configuration: banana plug 4mm; banana socket 4mm
Colour: black
Contact material: brass
Standard equipment: cable reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB-TCIAnalog Devices Inc.Description: ANALOG SIGNAL CONDITIONING
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40452.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0025-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5402.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0050STSOP-28
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0050-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5991.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0075-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6953.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-1-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB01-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-1TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-2TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-3TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-5TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB01-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0100-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8451.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB01001PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-0-0TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-0-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-2-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-2-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-6-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-6-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-7-7TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: CROSS REFERENCED TO TE CNTY RAYC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE LABELS & MARKERS STB02-BLAN
Packaging: Tray
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3300+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3300
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB02-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0200-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14336.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB02100PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0250-NADESTACODescription: Spidergrip Boom
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14657.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500LFA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02500PBA05CAIBM
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB02501ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-0TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-0-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-0TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-0-0
Packaging: Tray
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3300+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3300
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-0-8TE ConnectivityDescription: STB03-0-8
Packaging: Tray
Color: Gray
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4200+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4200
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-1-1TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-1-1TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-2-2TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-2-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-2-2TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-2-2
Packaging: Tray
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 2
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-3-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-3-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-3-3TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-3-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-5-5
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 5
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2100+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 2100
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-5-5TE ConnectivityCable Markers Wire Marker Snap On Zero Halogen Polyoxymethylene Green
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2587+4.99 грн
7200+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 2587
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-6-6TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB03-6-6
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: 6
на замовлення 17100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3900+2.92 грн
11700+2.67 грн
15600+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3900
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-7-7TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-7-7
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-7-7TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-8-8TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-8-8TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-8-8
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
Packaging: Bulk
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: STB03-BLANK-6
Packaging: Tray
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4200+2.77 грн
12600+2.46 грн
16800+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 4200
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-6TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers; -40÷106°C; STB
Type of cable accessories: markers
Operating temperature: -40...106°C
Manufacturer series: STB
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1250+4.90 грн
11387+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Box
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB03N60
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB04500LFAO5CC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB04500PBB
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB05-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB05-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB05-BLANK-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB05-BLANK-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB05-BLANK-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-0-0RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-0-0 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 0, Weiß, Schwarz, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Weiß
Markierungsfarbe: Schwarz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 0
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STB Series
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.86 грн
10+134.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-1-1TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-1-1
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-3-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-3-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity
Packaging: Tray
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.102" ~ 0.138" (2.60mm ~ 3.50mm)
Legend: 5
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+4.91 грн
7200+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-5-5RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-5-5 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 5, Weiß, Grün, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Weiß
Markierungsfarbe: Grün
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 5
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STB Series
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.86 грн
10+134.22 грн
100+133.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-6-6TE ConnectivitySnap On Marker STB/STD
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-0TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: STB06-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB06-BLANK-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB06-BLANK-6TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-6
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0612Fairview MicrowaveDescription: TERM PLUG TYPE N 1.35 VSWR
Packaging: Bag
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Brass
Body Finish: Tri-Metal
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB070A1483ABB Power Electronics Inc.Description: BG STB070A1483 COPPER FLEX BRAID
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9720.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB0899ST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-5-5TE ConnectivityDescription: TE Connectivity STB09-5-5
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: 5
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3600+3.21 грн
14400+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3600
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-8-8TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GRAY
Packaging: Box
Color: Gray
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB09-BLANK-2
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB09-BLANK-7TE ConnectivityDescription: STB09-BLANK-7
Packaging: Tray
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.128" ~ 0.177" (3.25mm ~ 4.50mm)
Legend: Blank
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12DSeoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди PLCC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12DSeoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди та світлодіодні модулі Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB1Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 450,0-452,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди PLCC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB1Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 450,0-452,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди та світлодіодні модулі Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди та світлодіодні модулі Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y2)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,8-2,9V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди PLCC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди та світлодіодні модулі Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB2Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 452,5-455,0nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди PLCC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB3Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди PLCC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (BB3Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 455,0-457,5nm(=blue) / 3,0-4,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди та світлодіодні модулі Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (CB4Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 457,5-460,0nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди PLCC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0A12D (CB4Y3)Seoul Semiconductor CO., LTD.3528 / 457,5-460,0nm(=blue) / 4,0-5,0lmx60mAx2,9-3,0V (at Tj=25C) / Max=70mAx220mW / 120deg. Група товару: Світлодіоди та світлодіодні модулі Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AB-BASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - Single Colour BLUE PUMP LED MID POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB0FS12A-AD-BASeoul Semiconductor Inc.Description: LED BLUE 450NM 2.5MMX2.5MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1.00BK36TechflexDescription: 1" FIREFLEX SEAL TAPE BLK 36 FT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.55 грн
200+121.61 грн
500+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.53 грн
10+147.29 грн
100+102.64 грн
500+83.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.06 грн
10+177.33 грн
50+154.55 грн
200+121.61 грн
500+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.12 грн
10+136.31 грн
100+82.27 грн
500+68.96 грн
1000+65.96 грн
2000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+291.69 грн
68+190.16 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.55 грн
10+105.84 грн
100+64.15 грн
500+50.83 грн
1000+50.76 грн
2000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.57 грн
10+119.58 грн
100+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.19 грн
10+120.85 грн
100+82.81 грн
500+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03-01L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03LSTIPAK
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-01STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1
Код товару: 158535
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STM09+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF03L-03T4
Код товару: 99423
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04STMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTMГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04LSTSOT235
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4
Код товару: 170858
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.36 грн
10+159.15 грн
100+111.06 грн
500+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.86 грн
10+165.98 грн
100+104.59 грн
500+85.06 грн
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NF04T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.17 грн
10+184.65 грн
100+169.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STTO263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB100NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB101-0.447-34Lyn-Tron Inc.STB101-0.447-34
на замовлення 9612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+89.08 грн
174+74.33 грн
250+55.60 грн
500+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
STB101-0.499-34Lyn-Tron Inc.STB101-0.499-34
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+168.72 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
11+29.91 грн
20+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB1010T4
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081L3
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081SL3GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1081TF4GonsemiDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
Packaging: Bulk
на замовлення 15286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.34 грн
10+167.08 грн
100+117.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.66 грн
10+176.40 грн
100+108.07 грн
500+98.31 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.01 грн
10+108.25 грн
100+64.15 грн
500+52.01 грн
1000+44.20 грн
2000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.35 грн
10+107.33 грн
100+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.80 грн
10+222.07 грн
100+161.87 грн
500+133.69 грн
1000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 4628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.03 грн
10+178.81 грн
100+116.44 грн
500+105.28 грн
1000+101.10 грн
5000+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.87 грн
500+133.69 грн
1000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.30 грн
10+181.81 грн
100+128.25 грн
500+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NA40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB20T4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50T4STTO-263
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NB50T4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50STTO-263
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NC50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.80 грн
10+211.27 грн
100+149.88 грн
500+122.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.61 грн
2000+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 10 А, Ptot, Вт = 115, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 750 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. в
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.41 грн
2000+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.91 грн
10+236.71 грн
100+170.01 грн
500+147.29 грн
1000+124.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.15 грн
10+226.92 грн
100+140.14 грн
500+122.02 грн
1000+105.28 грн
2000+101.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 10A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-100
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-120
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-121
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-150
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-180
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-221
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-270
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-271
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-2R5
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-330
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-390
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-470
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-560
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-5R6
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-680
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-681
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-820
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1109-821
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB110N55F6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132-YAUKSOT-89
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1132YAUKSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB116-0.447-0.250-34Lyn-Tron Inc.STB116-0.447-0.250-34
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1287.44 грн
14+990.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188-YAUKSOT89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188LDM
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1188YAUK07+ SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11K50Z-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.17 грн
10+130.70 грн
100+78.79 грн
500+65.33 грн
1000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.99 грн
10+148.86 грн
50+127.71 грн
200+98.19 грн
500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.96 грн
10+120.85 грн
100+83.35 грн
500+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.71 грн
200+98.19 грн
500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.90 грн
2000+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NB40T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.86 грн
2000+68.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMN-кан. MOSFET 400V, 9A, 0.49Ом, 110Вт, D2PAK (SMD) (Zener-Protected SuperMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.00 грн
2000+88.86 грн
3000+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
100+81.10 грн
500+68.74 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.01 грн
2000+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 9 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+123.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.16 грн
2000+78.69 грн
3000+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.40 грн
10+84.67 грн
100+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.88 грн
10+143.53 грн
100+86.46 грн
500+73.21 грн
1000+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+97.36 грн
135+95.83 грн
137+94.30 грн
140+89.47 грн
250+81.48 грн
500+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.92 грн
2000+82.99 грн
3000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.31 грн
10+102.67 грн
25+101.04 грн
100+95.86 грн
250+87.30 грн
500+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.78 грн
500+69.49 грн
1000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50Z
Код товару: 115514
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.40 грн
2000+122.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.43 грн
2000+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.64 грн
500+115.46 грн
1000+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.47 грн
10+135.03 грн
100+133.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4
Код товару: 188607
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK50ZT4STMMOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 654 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM50T4
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60
Код товару: 39826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60A-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60N
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.00 грн
10+244.65 грн
100+174.94 грн
500+147.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.12 грн
10+242.95 грн
100+151.30 грн
500+145.02 грн
1000+135.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80 (STB11NM80T4) транзистор N-канальний
Код товару: 46618
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+242.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.34 грн
10+381.67 грн
100+257.28 грн
1000+240.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+222.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMMOSFET N-CH 800V 11A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+320.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.27 грн
10+366.79 грн
100+285.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+299.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-0-0TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2412+10.70 грн
6029+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 2412
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-0-0TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+10.76 грн
4800+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2308+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Box
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-2-2TE ConnectivityTE Connectivity STB12-2-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-3-3TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
8100+5.06 грн
9000+4.82 грн
15000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-5-5TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2412+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2412
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-6-6TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB12-7-7
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.23 грн
34+9.70 грн
100+6.48 грн
600+5.44 грн
1200+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-7-7TE ConnectivitySTD AND STB MARKERS
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-BLANK-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB12-BLANK-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-BLANK-6TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1416+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
STB12-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB12-BLANK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N10F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.21 грн
2000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.39 грн
10+85.35 грн
100+66.98 грн
500+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.37 грн
10+83.39 грн
100+57.73 грн
500+51.94 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.01 грн
2000+81.74 грн
3000+78.55 грн
5000+75.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.25 грн
2000+87.53 грн
3000+84.11 грн
5000+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.45 грн
10+140.72 грн
100+101.62 грн
500+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB120N4LF6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.23 грн
10+141.92 грн
100+85.76 грн
500+72.51 грн
1000+60.59 грн
2000+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+180.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK; ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 77A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.60 грн
10+220.73 грн
25+198.91 грн
100+171.21 грн
200+160.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 120Amp
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.33 грн
10+180.41 грн
100+119.92 грн
500+100.40 грн
1000+85.76 грн
2000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 8195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.84 грн
10+250.17 грн
100+179.25 грн
500+152.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.05 грн
10+182.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.64 грн
2000+132.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB120NH03LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12100TRSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277-Y
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277L-Y
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LY
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB1277LY-AT
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.71 грн
10+151.54 грн
100+101.10 грн
500+84.37 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK50ZT4 транзистор
Код товару: 92403
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-1
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.70 грн
10+304.32 грн
25+274.82 грн
100+232.29 грн
250+209.98 грн
500+181.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4
Код товару: 131646
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.27 грн
10+314.80 грн
100+255.42 грн
500+209.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+189.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+203.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.61 грн
10+259.16 грн
100+186.64 грн
500+172.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.68 грн
10+179.61 грн
100+155.48 грн
500+154.79 грн
1000+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+210.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+156.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+196.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-T4ST
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FD-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50FDT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50N
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.96 грн
10+197.75 грн
100+176.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50ND
Код товару: 129325
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50NT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+235.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.06 грн
10+245.36 грн
100+155.48 грн
500+149.91 грн
1000+126.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.19 грн
10+251.83 грн
100+180.51 грн
500+153.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 550V; 12A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.00 грн
10+291.21 грн
100+235.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; 160W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1STMTO-262 (I2Pak) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13005-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.99 грн
10+80.22 грн
100+53.92 грн
500+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN power transistor
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.27 грн
10+80.02 грн
100+46.71 грн
500+36.81 грн
1000+33.96 грн
2000+29.77 грн
5000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.56 грн
2000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13007DT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13007DT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 18hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.03 грн
10+87.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.29 грн
500+67.23 грн
1000+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.20 грн
10+122.83 грн
100+90.29 грн
500+67.23 грн
1000+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.49 грн
10+109.22 грн
100+74.83 грн
500+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.74 грн
10+110.65 грн
100+68.96 грн
500+55.29 грн
1000+49.29 грн
2000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NH02LT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB130NS04ZBT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB135N10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.72 грн
2000+60.65 грн
3000+58.33 грн
5000+52.29 грн
7000+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.19 грн
10+114.98 грн
25+101.55 грн
50+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 8049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.94 грн
10+126.97 грн
100+87.52 грн
500+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMMOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.07 грн
10+143.98 грн
50+122.02 грн
200+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.11 грн
10+127.49 грн
100+76.70 грн
500+62.96 грн
1000+56.41 грн
2000+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.66 грн
10+274.13 грн
50+244.85 грн
200+200.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.68 грн
10+241.35 грн
100+149.91 грн
1000+134.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.54 грн
10+226.90 грн
100+162.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+244.85 грн
200+200.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.14 грн
10+213.88 грн
100+200.97 грн
500+171.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.26 грн
10+214.89 грн
100+133.87 грн
500+110.16 грн
1000+105.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+155.57 грн
85+153.07 грн
86+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+188.33 грн
2000+183.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+211.07 грн
65+199.62 грн
100+187.58 грн
500+160.30 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+248.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.28 грн
10+276.30 грн
100+198.98 грн
500+172.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.80 грн
5000+195.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB13NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.27 грн
10+149.94 грн
100+96.22 грн
500+80.18 грн
1000+68.96 грн
2000+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.90 грн
10+141.70 грн
100+98.64 грн
500+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+136.38 грн
97+134.23 грн
98+132.08 грн
100+125.29 грн
250+114.09 грн
500+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 300W
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Drain-source voltage: 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.12 грн
10+143.82 грн
25+141.51 грн
100+134.24 грн
250+122.23 грн
500+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75 Volt 120 Amp
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.95 грн
10+218.10 грн
100+135.26 грн
500+116.44 грн
1000+114.35 грн
2000+97.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.36 грн
10+160.69 грн
25+158.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK; ESD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 310W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.13 грн
10+151.91 грн
50+135.96 грн
100+129.25 грн
200+123.37 грн
500+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.03 грн
10+203.34 грн
100+143.91 грн
500+116.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4STMМОП-транзистор N-Ch 75 V 120 A D2PAK-2 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB140NF75T4 D2PAK
Код товару: 218913
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55-1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB141NF55-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.89 грн
10+175.24 грн
100+123.48 грн
500+105.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.55 грн
10+201.26 грн
100+135.96 грн
500+105.28 грн
1000+94.82 грн
2000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
On-state resistance: 0.38Ω
Power dissipation: 150W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+167.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMMOSFET N-CH 500V 14A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.51 грн
10+167.58 грн
100+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.03 грн
10+230.76 грн
100+165.01 грн
500+148.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.53 грн
2000+214.53 грн
3000+206.41 грн
4000+193.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.68 грн
10+246.96 грн
100+153.39 грн
500+144.33 грн
1000+135.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+218.90 грн
2000+200.22 грн
3000+192.65 грн
4000+180.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK; ESD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 160W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; Idm: 48A; 90W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 90W
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 550V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.98 грн
10+130.09 грн
25+118.34 грн
100+103.23 грн
500+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.60 грн
10+119.75 грн
25+117.82 грн
100+111.74 грн
250+101.82 грн
500+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.86 грн
10+239.74 грн
100+148.51 грн
500+130.38 грн
1000+122.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.80 грн
10+237.40 грн
100+169.10 грн
500+131.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-0-0
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-0TE ConnectivityWire Labels & Markers STB15-0-0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-0-2TE ConnectivitySTB15-0-2
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-1-1TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-3-3TE ConnectivitySnap-On Marker STB/STD Size 15 with Applicator
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 653
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-3-3TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-5-5TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+30.98 грн
1100+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-6-6TE ConnectivityWire Labels & Markers STB15-6-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-6-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB15-6-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-8-8TE ConnectivitySTB15-8-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-3TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-7TE ConnectivityDescription: STB15-BLANK-7
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.228" ~ 0.335" (5.80mm ~ 8.50mm)
Legend: Blank
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-7TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+24.33 грн
1500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STB15-BLANK-7TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+39.46 грн
500+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
STB150N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.79 грн
2000+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.63 грн
2000+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.20 грн
10+165.27 грн
100+115.93 грн
500+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB151-78Carling TechnologiesToggle Switches STB151-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.05 грн
10+59.60 грн
100+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151508Hoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE STEEL 5.91"L X 5.91"W
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 3.150" (80.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4982.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB151512Hoffman Enclosures, Inc.Description: ENCLOSURE STEEL 5.91"L X 5.91"W
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 4.724" (120.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6763.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.83 грн
10+60.05 грн
100+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+102.89 грн
2000+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.41 грн
10+156.36 грн
100+105.98 грн
500+77.39 грн
1000+59.33 грн
2000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.45 грн
2000+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.05 грн
10+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.63V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.65 грн
10+35.12 грн
20+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STB1560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 60V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 170A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15810STMicroelectronicsMOSFETs D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15810STMicroelectronicsDescription: N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+225.32 грн
500+202.43 грн
1000+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.56 грн
10+265.40 грн
100+165.94 грн
500+162.46 грн
1000+152.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.84 грн
10+306.67 грн
100+225.32 грн
500+202.43 грн
1000+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.03 грн
10+254.70 грн
100+183.37 грн
500+169.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK50ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTD2PAK 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.92 грн
10+297.28 грн
25+286.04 грн
50+262.33 грн
100+235.98 грн
250+226.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 650V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.83 грн
10+284.08 грн
100+204.47 грн
500+160.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB160N75F3STMicroelectronicsMOSFETs 75V 3.5mOhm N-Channel
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.32 грн
10+259.79 грн
100+162.46 грн
500+156.18 грн
1000+136.66 грн
2000+132.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB160NF3LLT4STTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.14 грн
10+301.23 грн
100+218.16 грн
500+192.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+486.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMMOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+225.32 грн
500+185.06 грн
1000+164.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+210.38 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+398.59 грн
10+291.21 грн
100+225.32 грн
500+185.06 грн
1000+164.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.23 грн
10+289.46 грн
100+191.74 грн
500+184.07 грн
1000+170.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.58 грн
10+259.24 грн
25+256.66 грн
50+246.42 грн
100+217.14 грн
500+197.87 грн
1000+193.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NB25T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.44 грн
5000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+90.19 грн
100+61.13 грн
500+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.81 грн
2000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 16 Amp
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.59 грн
10+83.39 грн
100+48.67 грн
500+38.63 грн
1000+35.35 грн
2000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.52 грн
2000+41.07 грн
3000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C; STB16NF06LT4 STB16NF06L TSTB16NF06L
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.07 грн
5000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK60Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NK65Z-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16NS25T4STMD2Pak (TO-263) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-0-0TE ConnectivitySnap on Marker STB/STD
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+39.75 грн
900+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB17-5-5
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-5-5TE ConnectivityWire Labels & Markers STB17-5-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-BLANK-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB17-BLANK-6
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17-MINUS-6TE ConnectivitySTB17-MINUS-6
на замовлення 20600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+20.84 грн
1700+20.36 грн
2500+19.27 грн
5000+16.26 грн
15000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.68 грн
10+202.66 грн
100+143.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 40V STripFET 80A
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.29 грн
10+199.65 грн
100+124.81 грн
500+101.10 грн
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.09 грн
10+235.29 грн
100+167.94 грн
500+140.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm MDmesh M5 13A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N55M5
Код товару: 89166
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.29 грн
10+130.15 грн
100+91.11 грн
500+73.19 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.27 грн
10+150.74 грн
100+92.04 грн
500+79.48 грн
1000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.02 грн
10+150.61 грн
100+104.76 грн
500+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.11 грн
500+73.19 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.49 грн
10+135.36 грн
100+93.56 грн
500+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 110W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.31 грн
10+135.51 грн
100+82.27 грн
500+68.33 грн
1000+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.34 грн
500+95.93 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.12 грн
10+129.89 грн
100+84.37 грн
500+71.12 грн
1000+62.33 грн
2000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.70 грн
10+171.64 грн
100+129.34 грн
500+95.93 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.198ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.54 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+266.39 грн
54+240.67 грн
57+228.19 грн
100+191.00 грн
250+175.08 грн
500+145.29 грн
1000+126.41 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.61 грн
10+165.18 грн
100+100.40 грн
500+87.85 грн
1000+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMMOSFET N-CH 650V 15A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.47 грн
10+188.72 грн
100+141.54 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+173.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.38 грн
10+152.73 грн
100+106.74 грн
500+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+209.09 грн
97+134.23 грн
105+123.90 грн
200+88.78 грн
500+80.67 грн
1000+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.78 грн
10+108.39 грн
100+75.19 грн
500+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.63 грн
200+83.84 грн
500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.85 грн
2000+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.58 грн
2000+72.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.92 грн
10+130.96 грн
50+110.63 грн
200+83.84 грн
500+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.45 грн
10+109.85 грн
100+65.33 грн
500+52.01 грн
1000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.78 грн
2000+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.10 грн
2000+61.32 грн
5000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 250V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.98 грн
10+97.35 грн
50+76.37 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.76 грн
10+145.93 грн
100+88.55 грн
500+75.30 грн
1000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.14 грн
10+146.23 грн
100+101.77 грн
500+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 8811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.29 грн
10+242.61 грн
100+174.01 грн
500+158.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMN-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+239.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.20 грн
10+256.58 грн
100+160.36 грн
500+156.18 грн
1000+132.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+181.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.04 грн
10+287.14 грн
100+206.61 грн
500+186.57 грн
1000+139.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04/-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 190 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB190NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 19 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20T4STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NB20T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.05 грн
10+84.22 грн
100+56.77 грн
500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+161.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+87.44 грн
3000+86.61 грн
4000+85.75 грн
5000+81.86 грн
10000+75.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsMOSFETs 200V 0.15Ohm 15A N-Channel
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.59 грн
10+84.19 грн
100+49.02 грн
500+38.77 грн
2000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.78 грн
2000+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+189.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E1-53Carling TechnologiesToggle Switches STB1E1-53
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2179.21 грн
10+1085.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E1-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E1-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E4-53Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24V (ON)OFF 1P Scrw Cage Clmps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E4-58Carling TechnologiesToggle Switches STB1E4-58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB1E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N4F3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.20 грн
10+373.74 грн
100+306.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N6F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200N75F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+202.63 грн
2000+179.49 грн
3000+168.30 грн
4000+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.65 грн
10+178.18 грн
100+127.40 грн
500+108.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+217.11 грн
2000+192.31 грн
3000+180.32 грн
4000+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+100.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF03T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04L-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04LT4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB200NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.30 грн
10+65.03 грн
100+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20150CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB202008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X200X80MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20200CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 200V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB202012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X200X120MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 7.874" L x 7.874" W (200.00mm x 200.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 4.724" (120.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 62.0in² (400cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9233.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB203008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X300X80MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 7.874" L x 11.811" W (200.00mm x 300.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 3.150" (80.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 93.0in² (600cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9899.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB204008Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X400X80MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.83 грн
10+60.43 грн
100+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSTMDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB2045CTRSMC Diode SolutionsДіод Шотткі smd, Io, A = 10, Uзвор, В = 45, Uf (max), В = 0,58, If, А = 10, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 2000 @ 45,... Група товару: Діоди Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+64.89 грн
1600+60.83 грн
5600+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
STB206012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 200X600X120MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.81 грн
10+54.99 грн
100+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB2060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMMOSFET N-CH 650V 18A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.72 грн
10+194.04 грн
100+119.23 грн
500+108.77 грн
1000+101.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+401.03 грн
50+325.55 грн
100+256.58 грн
250+251.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+294.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+199.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.95 грн
5+477.49 грн
10+401.03 грн
50+325.55 грн
100+256.58 грн
250+251.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+275.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.77 грн
10+338.37 грн
100+221.02 грн
1000+199.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.05 грн
10+312.71 грн
100+234.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+412.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMD2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.33 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+654.01 грн
10+449.83 грн
50+395.33 грн
200+317.24 грн
500+286.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+337.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.95 грн
10+463.45 грн
25+391.15 грн
100+316.54 грн
250+312.36 грн
500+282.38 грн
1000+272.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5
Код товару: 179124
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.41 грн
10+369.28 грн
100+289.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.33 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+449.83 грн
50+395.33 грн
200+317.24 грн
500+286.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+797.39 грн
25+760.57 грн
50+729.96 грн
100+679.08 грн
250+609.27 грн
500+568.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+385.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+361.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NE06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NE06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NE06LT4STMicroelectronicsSTMicroelectronics POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NK50Z
Код товару: 40517
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NK50Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FD ST транзистор
Код товару: 60356
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+370.05 грн
10+321.37 грн
25+315.57 грн
100+294.61 грн
250+263.81 грн
500+244.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.67 грн
10+254.98 грн
500+216.14 грн
1000+195.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.60 грн
10+320.64 грн
100+240.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+277.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+259.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.98 грн
10+279.93 грн
100+202.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.31 грн
10+284.65 грн
100+178.49 грн
1000+150.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.55 грн
5+387.20 грн
10+353.85 грн
50+302.14 грн
100+225.90 грн
250+221.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50T4STMГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60-1STMГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60A-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A
на замовлення 986 шт:
термін постачання 1001-1010 дні (днів)
1+462.03 грн
10+390.49 грн
100+283.08 грн
500+249.61 грн
1000+225.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60DSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.