Продукція > NTD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTDApex Tool Group B.V.Soldering Tips For micro soldering pencil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTDWellerAntennas +3dB GSM Patch antenna RG174 SMA Male
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTDWELLERDescription: WELLER - NTD - Lötspitze, meißelförmig, 4mm
Breite der Spitze/Düse: 4
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD-PEN3-BLUEF3MDescription: NOTED BY POST-IT BRAND, 3PK PENS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD-PEN3-GRNEF3MDescription: NOTED BY POST-IT, 3PK PENS - GRE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD-PEN3-GRYEF3MDescription: NOTED BY POST-IT, 3PK PENS - GRE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD-PEN3-PK-EF3MDescription: NOTED BY POST-IT, 3PK PENS - PIN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-008MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,8mm, 8ohm 3A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-008MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,8mm, 8ohm 3A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-010LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,8mm, 10ohm 3A +/-15% box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.52 грн
17+22.37 грн
25+17.13 грн
100+13.69 грн
500+11.29 грн
1000+10.57 грн
5000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-010LYageoNTD03-010L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-010LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,8mm, 10ohm 3A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-010MYAGEODescription: YAGEO - NTD03-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 8mm, 3A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 3A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 8mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+21.37 грн
100+15.53 грн
500+10.69 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-010MYageoNTD03-010M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD03-010MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,8mm, 10ohm 3A +/-20% box
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.09 грн
19+20.25 грн
25+15.53 грн
100+12.49 грн
500+10.25 грн
1000+8.64 грн
10000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTD036JRC00+
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD036JRC
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-003LYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-003LFYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-003MYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-003MFYAGEODescription: NTC 8MM 3OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 3 Ohms
R @ Current: 150 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-004LYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-004LFYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-004MYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-004MFYAGEODescription: NTC 8MM 4OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 4 Ohms
R @ Current: 166 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005LYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 8mm, 5ohm 4A, +/-15% box
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.52 грн
17+22.37 грн
25+17.13 грн
100+13.69 грн
500+9.37 грн
10000+9.20 грн
25000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005LFYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005MYageoInrush Current Limiter Thermistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005MYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005MYAGEODescription: YAGEO - NTD04-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 8mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 5ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 8mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+21.37 грн
100+15.53 грн
500+10.69 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005MFYAGEODescription: NTC 8MM 5OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 5 Ohms
R @ Current: 182 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC, 8mm, 5ohm 4A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-006LYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-006LFYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-006MYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.315" (8.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-006MFYAGEODescription: NTC 8MM 6OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 6 Ohms
R @ Current: 191 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-007LYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-007LFYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-007MYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD04-007MFYAGEODescription: NTC 8MM 7OHM 4A 20% BOX
Tolerance: ±20%
Packaging: Box
Diameter: 0.433" (11.00mm)
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 4 A
R @ 25°C: 7 Ohms
R @ Current: 195 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B105M32A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B155M32A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B225M32A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B334M32A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B335M43A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B474M32A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B475M43A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B684M32A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD101B685M55A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD10N10ELT4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RONSOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RON SemiconductorMOSFET 24V 110A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RON07+ SOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-001Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-001
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02R-001 - NTD110N02R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-001G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-001GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
на замовлення 17861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-001GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-1
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-1(ON)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-1(ON).
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-1.
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02R-1G
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 680
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RGONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RST4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 24V 100A 4.6OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RST4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02RT4 - NTD110N02RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 13330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4GON SemiconductorMOSFET 24V 110A N-Channel
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD110N02RT4G - MOSFET, N CHANNEL, 24V, 110A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD110N02RT4G**********
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10ONSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10ON07+ SOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10-001
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10-1ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10-1G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4Gon10+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4GON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.69 грн
2501+25.25 грн
5001+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD12N10T4G2500ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RONSOT-252
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RON07+ SOT-252
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03R-001
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03R-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GONSEMINTD14N03RT4G SMD N channel transistors
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+42.35 грн
42+28.52 грн
115+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GonsemiMOSFETs 25V 14A N-Channel
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.96 грн
13+29.36 грн
25+25.21 грн
100+23.37 грн
250+23.29 грн
500+21.37 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
на замовлення 7565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.46 грн
11+85.12 грн
100+67.61 грн
500+48.36 грн
2500+42.72 грн
7500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.12 грн
10+87.70 грн
25+86.83 грн
100+69.86 грн
250+60.63 грн
500+53.41 грн
1000+44.43 грн
3000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 89500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 2,5 А; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20; Qg, нКл = 1,8 @ 5 В; Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; DPAK-3
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+81.85 грн
157+81.04 грн
188+67.61 грн
250+61.12 грн
500+51.93 грн
1000+41.47 грн
3000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.32 грн
10+53.45 грн
100+35.12 грн
500+25.58 грн
1000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
на замовлення 7565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.61 грн
500+48.36 грн
2500+42.72 грн
7500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G******
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03T4G
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06AV1onsemiDescription: 15A, 60V, 0.09OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06AVT4onsemiDescription: NFET DPAK 60V 0.120R TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LONSOT-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-001ON0414
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06L-1G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06L-1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LGonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4 - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD15N06LT4G - 15A, 60V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2061+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 2061
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06T4G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N06VT4
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD15N40
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06ON07+ SOT-252
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06ONSOT-252
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06onsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 1397
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06-1G - NTD18N06-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2475+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2475
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LONSOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06L-1GONDPAK-3 10+
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGonsemiMOSFET 60V 18A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.43 грн
10+83.15 грн
25+80.30 грн
100+60.86 грн
250+55.75 грн
500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+77.61 грн
170+74.95 грн
216+58.91 грн
250+56.20 грн
500+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.50 грн
10+77.32 грн
100+51.81 грн
500+38.36 грн
1000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.57 грн
50+69.77 грн
100+53.70 грн
500+43.11 грн
1000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GonsemiMOSFETs 60V 18A N-Channel
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.87 грн
10+81.56 грн
100+49.23 грн
250+49.15 грн
500+39.06 грн
1000+36.42 грн
2500+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.84 грн
5000+31.19 грн
7500+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03
на замовлення 15300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27ONSOT-252
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27ON07+ SOT-252
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-001 - MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 1950
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 649
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27-1G - NTD20N03L27-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27GONTO-252/D-PAK
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27T4 - NTD20N03L27T4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.22 грн
10+74.12 грн
100+49.48 грн
500+36.54 грн
1000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GonsemiMOSFETs 30V 20A N-Channel
на замовлення 19386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.33 грн
10+77.78 грн
100+46.99 грн
500+37.14 грн
1000+34.02 грн
2500+29.54 грн
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N03L27T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.55 грн
12+75.42 грн
100+58.72 грн
500+43.19 грн
1000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.86 грн
100+29.26 грн
500+21.16 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03LT4
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03LT4G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03RT4G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06ON09+ QFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06ON07+ SOT-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06ONSOT-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06onsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06-001 - MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06-1ON05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06-1GON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06GonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LonsemiMOSFETs 60V 20A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LON07+ SOT-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LONSOT-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06L-001 - NTD20N06L-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
825+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 825
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06L-001ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+51.47 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 616
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06L-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06L-1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LG
Код товару: 27874
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0375 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LGonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4on04+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4GonsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
4+116.73 грн
10+103.10 грн
100+69.88 грн
500+57.71 грн
1000+46.10 грн
2500+42.42 грн
5000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4GON-SemiconductorN-MOSFET 20A 60V 60W 0.048Ω NTD20N06LT4G, NTD20N06T4G NTD20N06L smd ONS TNTD20n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+84.85 грн
10+50.94 грн
100+33.40 грн
500+24.28 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+68.92 грн
511+62.01 грн
1000+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4onsemiMOSFET 60V 20A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.33 грн
500+63.12 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+169.71 грн
10+104.81 грн
100+71.28 грн
500+53.43 грн
1000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GonsemiMOSFETs 60V 20A N-Channel
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.60 грн
10+101.25 грн
100+66.68 грн
500+50.91 грн
1000+49.55 грн
2500+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON09+
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.28 грн
50+106.85 грн
100+83.33 грн
500+63.12 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GONSEMINTD20N06T4G SMD N channel transistors
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+186.41 грн
17+73.04 грн
45+69.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.14 грн
10+106.28 грн
25+105.21 грн
50+101.36 грн
100+75.54 грн
250+71.79 грн
500+60.19 грн
1000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G**********
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06VLT4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06VLT4G
на замовлення 56200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N3L27T
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N3L27T4G
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N3L27T4G**********
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N3L27T4G************
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P03HDLT4
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06ON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06HDLT4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06HL
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LonsemiMOSFETs -60V -15.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LONSOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LON07+ SOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06L-001onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06L-1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06L-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06L-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LG
Код товару: 35247
Додати до обраних Обраний товар

ON SemiconductorТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 60 V
Id,A: 15,5 A
Rds(on),Om: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGON09+ MSOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGonsemiMOSFETs -60V -15.5A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LGON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4onsemiMOSFET -60V -15.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.20 грн
5000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+42.31 грн
1000+41.15 грн
2500+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.23 грн
5000+29.73 грн
7500+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.36 грн
9+48.86 грн
10+44.36 грн
20+39.94 грн
50+35.02 грн
100+32.27 грн
200+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.72 грн
5000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.06 грн
500+40.52 грн
1000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.50 грн
6+58.63 грн
10+53.23 грн
20+47.93 грн
50+42.02 грн
100+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.12 грн
5000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.22 грн
10+74.21 грн
100+49.59 грн
500+36.65 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GonsemiMOSFETs -60V -15.5A P-Channel
на замовлення 109212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.72 грн
10+58.54 грн
100+38.90 грн
500+35.62 грн
1000+34.18 грн
2500+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.22 грн
5000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.61 грн
50+60.97 грн
100+46.06 грн
500+40.52 грн
1000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD22OTAX ElectronicsNTD22
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RON07+ SOT-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RONSOT-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD23N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3372+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3372
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-1GON Semiconductor
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
на замовлення 13611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 2404
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RGONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
на замовлення 15804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 2885
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
на замовлення 29908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 2885
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
на замовлення 1084941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 2885
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2405Crydom Co.Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 5A PNL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2410Crydom Co.Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 10A PNL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2410FSensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 10A 24-280V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2425CrydomSolid State Relays - Industrial Mount 25A TRIAC OUTPUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2425Sensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V
Packaging: Bulk
Package / Case: Hockey Puck
Output Type: AC, Zero Cross
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 3 ~ 32VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Termination Style: Screw Terminal
Load Current: 25 A
Approval Agency: CE, CSA, UL
Voltage - Load: 24 V ~ 280 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2425-10Sensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V
Packaging: Bulk
Package / Case: Hockey Puck
Output Type: AC
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 3 ~ 32VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Termination Style: Screw Terminal
Load Current: 25 A
Approval Agency: CE, CSA, UL
Voltage - Load: 24 V ~ 280 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2425-10
Код товару: 125552
Додати до обраних Обраний товар

Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06ON07+ SOT-252
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06onsemiMOSFETs 24V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06ONSOT-252
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06-1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 1611
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 1069
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LONSOT-252
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LonsemiMOSFETs 24V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LON07+ SOT-252
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06L-001onsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD24N06L-001 - MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06L-1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LGonsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4onsemiMOSFET 24V 60A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GONSEMINTD24N06LT4G SMD N channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+60.34 грн
28+43.02 грн
77+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.39 грн
5000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.16 грн
13+57.83 грн
25+57.25 грн
100+45.75 грн
250+42.29 грн
500+40.52 грн
1000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.61 грн
5000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.68 грн
5000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.90 грн
10+107.97 грн
100+73.54 грн
500+55.20 грн
1000+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON-SemiconductorN-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.07 грн
10+38.52 грн
100+24.96 грн
500+17.94 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.72 грн
5000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GonsemiMOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.12 грн
10+71.98 грн
100+51.71 грн
500+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+53.97 грн
238+53.43 грн
287+42.63 грн
500+39.39 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.84 грн
5000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06LT4G(транзистор)
Код товару: 81607
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GON Semiconductor
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GON SemiconductorMOSFET 24A 60V N-Channel
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N60
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD24N6LG
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250B106M43A0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, DPAK
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.08 грн
10+175.81 грн
100+118.46 грн
500+107.26 грн
1000+97.65 грн
2500+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+274.76 грн
10+201.13 грн
100+151.75 грн
500+124.23 грн
1000+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 13A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
на замовлення 12363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.53 грн
10+177.09 грн
100+124.10 грн
500+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 106W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.201ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.75 грн
500+124.23 грн
1000+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 13A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LonsemiMOSFETs -30V -25A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LONSOT-252
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03L1ON09+ QFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03L1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03L1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03L1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03L1GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03L1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LGUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LGONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.25 грн
25+113.14 грн
100+94.13 грн
500+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LG0N08+ TO252
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LGUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LG 20P03.HXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 58mOhm; 20A; 29W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NTD25P03LT4G; NTD25P03LG HXY MOSFET TNTD25P03 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LRLGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LRLGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.17 грн
500+41.11 грн
1000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.84 грн
15+48.31 грн
25+48.08 грн
100+39.91 грн
250+36.66 грн
500+31.96 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GONSEMINTD25P03LT4G SMD P channel transistors
на замовлення 681 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+99.13 грн
18+68.04 грн
49+64.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GonsemiMOSFETs -30V -25A P-Channel
на замовлення 15759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.18 грн
10+62.04 грн
100+40.10 грн
500+33.94 грн
1000+29.30 грн
2500+26.25 грн
5000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON-SemiconductorP-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.38 грн
50+74.80 грн
100+52.17 грн
500+41.11 грн
1000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 4189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.78 грн
10+99.80 грн
100+67.34 грн
500+50.15 грн
1000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON-SemiconductorP-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+45.08 грн
283+44.87 грн
329+38.63 грн
331+36.95 грн
500+31.07 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GON-SemiconductorP-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4GOSonsemiMOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5ZonsemiDescription: SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.64 грн
10+147.00 грн
100+101.83 грн
500+80.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5ZonsemiMOSFETs SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH DPAK
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.14 грн
10+162.01 грн
100+97.65 грн
500+82.44 грн
1000+79.88 грн
2500+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5ZonsemiDescription: SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5ZON SemiconductorPower, SingleN-Channel, SUPERFET,with Zener Diode, DPAK600 V, 280 mOhm, 13 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955onsemiMOSFETs -60V -12A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-001onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-001ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD2955-1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-1GON SemiconductorMOSFET -60V -12A P-Channel
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955-1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955DONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955GONTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955GonsemiMOSFETs -60V -12A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955GON07+ TSSOP
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955PT4GON Semiconductor
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955PT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955PT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955PT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 14075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.80 грн
5000+32.07 грн
7500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+146.36 грн
10+93.38 грн
100+65.91 грн
500+46.19 грн
1000+40.02 грн
5000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+85.72 грн
10+51.94 грн
100+34.12 грн
500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 14075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.88 грн
10+79.54 грн
100+53.37 грн
500+39.56 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 277500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+106.67 грн
10+70.34 грн
25+60.13 грн
100+50.63 грн
250+45.42 грн
500+41.82 грн
1000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+88.89 грн
10+56.45 грн
25+50.11 грн
100+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+47.10 грн
1000+44.29 грн
2500+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 277500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GonsemiMOSFETs -60V -12A P-Channel
на замовлення 26495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.27 грн
10+85.51 грн
100+51.95 грн
500+38.50 грн
1000+36.82 грн
2500+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.31 грн
13+59.21 грн
25+41.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055ON09+
на замовлення 55018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055−094T4GON09+ 8-SSOP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094onsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094-1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094-1ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094GonsemiMOSFET 60V 12A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+62.53 грн
217+58.45 грн
291+42.03 грн
500+31.26 грн
1000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.30 грн
10+61.87 грн
100+40.94 грн
500+30.00 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GONSEMINTD3055-094T4G SMD N channel transistors
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+98.81 грн
41+29.22 грн
113+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.55 грн
11+67.00 грн
25+62.62 грн
100+45.14 грн
250+41.70 грн
500+32.16 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
на замовлення 11565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.93 грн
10+57.44 грн
100+37.70 грн
500+30.26 грн
1000+26.33 грн
2500+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.08 грн
50+62.41 грн
100+47.14 грн
500+35.10 грн
1000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.90 грн
5000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-103
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-120
на замовлення 43500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-120T4G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150onsemiMOSFETs 60V 9A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 2885
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150ONSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150ON07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150-1 - 9A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1onsemiDescription: MOSFET N-CHAN 9A 60V DPAK STR
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 1010
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150-1G - NTD3055-150-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4 - 9A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3570
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+63.66 грн
50+47.23 грн
100+38.07 грн
500+33.85 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+28.49 грн
450+28.21 грн
452+28.05 грн
455+26.90 грн
500+24.77 грн
1000+23.64 грн
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 445
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON Semiconductor
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 30652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.90 грн
10+62.95 грн
100+41.72 грн
500+30.60 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055-150T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.07 грн
500+33.85 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GonsemiMOSFETs 60V 9A N-Channel
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+45.47 грн
100+31.46 грн
500+30.58 грн
1000+27.61 грн
2500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.51 грн
5000+24.53 грн
7500+23.53 грн
12500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.35 грн
24+30.53 грн
25+30.22 грн
100+28.98 грн
250+26.68 грн
500+25.48 грн
1000+25.33 грн
3000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4GON09+ SOP8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G**********
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-170ONSOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-170ON07+ SOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-170T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30550941GON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055150T4GON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055AV1onsemiDescription: NFET DPAK 60V 0.15R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055AVL
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055AVT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055AVT4 - NFET DPAK 60V 0.15R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055AVT4onsemiDescription: RF MOSFET 60V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1150+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 1150
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055AVT4ON SemiconductorNTD3055AVT4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1153+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 1153
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055EL
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104ON07+ SOT-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104onsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104ONSOT-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104ON09+ TSOP-48
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104-1ON0104
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104-1GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104-1GON10+
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4onsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.12 грн
10+56.53 грн
20+51.53 грн
100+41.27 грн
200+37.60 грн
250+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
5000+28.36 грн
7500+27.24 грн
12500+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.81 грн
5000+38.94 грн
10000+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+49.78 грн
100+32.64 грн
500+23.73 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 16546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.89 грн
10+71.12 грн
100+47.49 грн
500+35.05 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4G
Код товару: 208676
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 523 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+93.74 грн
10+70.45 грн
20+61.83 грн
100+49.53 грн
200+45.12 грн
250+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GonsemiMOSFETs 60V 12A N-Channel
на замовлення 70561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.94 грн
10+79.99 грн
100+46.50 грн
500+30.26 грн
1000+28.42 грн
2500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.20 грн
18+41.65 грн
25+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L104T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.95 грн
12+75.25 грн
100+58.72 грн
500+43.36 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4ON07+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.82 грн
16+46.75 грн
25+46.29 грн
100+30.95 грн
250+27.82 грн
500+22.41 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4GON SemiconductorMOSFET 60V 9A N-Channel
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055LT4
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055LT4G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055VL
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02ONSOT-252
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02ON07+ SOT-252
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02G
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 1567
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02T4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD30N02T4G - NTD30N02T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 1188
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N02T4G
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30N06
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30X7R1H335M
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30X7R1H475M
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30X7R2A155M
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD30X7R2A225M
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3150
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3151PT1G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD31X7R1E156M
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD31X7R1E226M
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD31X7R1H106M
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD31X7R1H685M
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD31X7R2A335M
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD31X7R2A475M
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06ONSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06ON07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06-1ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06GONTO-252/D-PAK
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LONSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LON07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06L-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD32N06L-001 - MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06L-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06L-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06L-1ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06L-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LG
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LT4ON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LT4G
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06T4G
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD32N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, DPAK
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.85 грн
10+116.90 грн
100+88.05 грн
500+84.85 грн
1000+76.44 грн
2500+71.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.29 грн
10+110.42 грн
25+109.32 грн
50+104.36 грн
100+82.02 грн
250+73.85 грн
500+67.21 грн
1000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.97 грн
10+154.44 грн
100+113.14 грн
500+98.39 грн
1000+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 296mΩ
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 17.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 916 pF @ 400 V
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.64 грн
10+146.83 грн
100+101.82 грн
500+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.296 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.296ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.14 грн
500+98.39 грн
1000+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.65 грн
500+96.72 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZonsemiMOSFETs MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, 800 V, 13 A, 360 mohm, DPAK
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.67 грн
10+177.66 грн
100+112.86 грн
500+108.06 грн
1000+97.65 грн
2500+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.04 грн
10+162.75 грн
100+118.29 грн
500+92.65 грн
1000+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+213.70 грн
10+148.16 грн
100+108.65 грн
500+96.72 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3ZON Semiconductor
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808N-35G - NTD3808N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1275+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 1275
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
на замовлення 59025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD3808NT4G - NTD3808NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 59025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 963 pF @ 12 V
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 963 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3813NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
на замовлення 15525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 1567
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3817NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RONSOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RON07+ SOT-252
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R (Транзисторы полевые N-канал)
Код товару: 45586
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 45A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 1514
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 350178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 956
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03R-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RGONTO-252/D-PAK
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4onsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 1514
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD40N03RT4 - NTD40N03RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GONTO252
на замовлення 16377 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GonsemiMOSFET 25V 45A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302ONSOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302ON07+ SOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-001 - NTD4302-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1575+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 1575
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-001onsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
Packaging: Bulk
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302-1G - NTD4302-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 1530
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
на замовлення 34404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 1268
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
на замовлення 35125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GONTO-252/D-PAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4ON07+;
на замовлення 14570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiMOSFET 30V 68A N-Channel
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.69 грн
10+138.99 грн
100+96.85 грн
250+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.10 грн
10+123.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4302T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+147.26 грн
10+121.22 грн
100+90.69 грн
500+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4G**********
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4404N1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4404NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4404NT4G - NTD4404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD452AP
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD452AP
Код товару: 94294
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804Nonsemi NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-1onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+56.51 грн
1000+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 561
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
на замовлення 43879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GON Semiconductor
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+56.51 грн
1000+52.10 грн
10000+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 561
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4804N-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804N-35GonsemiMOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4804NA-35G - MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 1285
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+89.17 грн
500+80.26 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+89.17 грн
500+80.26 грн
1000+74.01 грн
10000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
на замовлення 130950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GonsemiMOSFETs NFET 30V 117A 4MOHM
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.63 грн
10+110.46 грн
100+66.04 грн
500+55.95 грн
1000+48.43 грн
2500+41.06 грн
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 109650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+89.17 грн
500+80.26 грн
1000+74.01 грн
10000+63.63 грн
100000+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 124A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.78 грн
10+55.78 грн
100+36.74 грн
500+26.78 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4804NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-1GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-1GON Semiconductor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-1GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-35GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805N-35GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NG
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 11.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 88A 5MOHM
на замовлення 6521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
на замовлення 588024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.68 грн
19+40.04 грн
25+39.41 грн
100+37.38 грн
250+34.05 грн
500+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 11.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4805NT4GON Semiconductor
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806N
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806N-35G - NTD4806N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1350+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1350
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
на замовлення 46050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 1110
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NA-1G - NTD4806NA-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3225+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3225
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NA-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NA-35GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NAT4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NAT4GON Semiconductor
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NAT4G - NTD4806NAT4G - MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NAT4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4806NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 15.6A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
на замовлення 43597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4GON Semiconductor
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4GONTO-252 10+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4806NT4HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808nON SemiconductorON Semiconductor NFET DPAK 30V 63A 8MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808n
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-1GonsemiMOSFET NFET 30V 63A 8MOHM
на замовлення 16703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.93 грн
18+52.35 грн
100+47.77 грн
500+40.10 грн
1000+28.32 грн
5000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 2664
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
на замовлення 22486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808NT4GON0710+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.62 грн
2501+9.50 грн
5001+9.14 грн
20001+8.47 грн
40001+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809Nonsemi NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809N-1G - NTD4809N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3600+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3600
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1G
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 58725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+22.00 грн
10000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GON09+ TO252
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 61875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 956
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809N-35G - NTD4809N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1725+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1725
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35HonsemiDescription: RF MOSFET 30V DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 108300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 1010
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35HON SemiconductorNTD4809N-35H
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-35HON SemiconductorNTD4809N-35H
на замовлення 100425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.83 грн
10000+18.58 грн
100000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
на замовлення 48500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+10.42 грн
10000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-1G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3040+10.42 грн
10000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-1GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-35GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 1010
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NA-35G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NAT4G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 193200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 188500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+22.00 грн
10000+19.61 грн
100000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 193200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 956
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NAT4G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NGonsemiArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1069
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-1GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 1611
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+19.67 грн
10000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 1611
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NH-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1950
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
на замовлення 63872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1069
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+19.67 грн
10000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 1611
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35HonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+25.47 грн
10000+22.71 грн
100000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 1244
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
на замовлення 142167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 826
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4G
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+25.47 грн
10000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 1244
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NHT4G - NTD4809NHT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 142167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+25.47 грн
10000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 1244
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4HonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GonsemiMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.78 грн
10+71.25 грн
100+48.27 грн
500+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+42.40 грн
1000+39.10 грн
10000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 748
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GONSOT-252 10+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4809NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.1A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+42.40 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 748
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+42.40 грн
1000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 748
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NT4GonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 59246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
538+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 538
В кошику  од. на суму  грн.