Продукція > BCR
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCR 08PN E6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 08PN H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 17937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 08PN H6393 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 08PN H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 9840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 101L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 101T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 103F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 103L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 103T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108 E6327 Код товару: 196263 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR 108 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 43694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 108 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 39857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 108 E6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108S E6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 49573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 108S H6393 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 108W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 35990 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 10PN E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 10PN H6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR 10PN H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 22869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 10PN H6727 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 20160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 112 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 52557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 112F E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 112F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 112L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 112T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 112W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 21556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 112W H6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 140MHz 250mW BCR112WH6327XTSA1 BCR112WH6327 Infineon TBCR112w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 114F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 114L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 114T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 52086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 116 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 39830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 116F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116L3 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116S E6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116S H6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 116W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 35856 шт: термін постачання 195-204 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 119 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 8042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 119 E6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 150MHz 200mW BCR119E6327HTSA1 BCR119E6327 Infineon TBCR119 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 119 E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 119F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 119L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 119S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 5730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 119T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 20503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 129 E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 129 E6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 150MHz 200mW BCR129E6327HTSA1 BCR129E6327 Infineon TBCR129 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 129F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129L3 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129S E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129T E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129W E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129W E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 129W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 28091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 133 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 36537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 133F B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133S E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 82800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 133S H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133S H6444 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133W E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 133W H6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR133WH6327XTSA1 BCR133WH6327 Infineon TBCR133w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2730 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 135 B6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 135 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 135 E6327 | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 135 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 76256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 135 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 41795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 135F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 135L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 135S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 135T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 135W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 35966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 135W H6327 | Infineon | на замовлення 141000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR 139F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 139L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 139T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 31100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 141 E6327 Код товару: 174710 | Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 130 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A | у наявності 10 шт: 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BCR 141 E6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141S E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141S E6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141S H6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 141S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 141S H6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141S H6727 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 141W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 141W H6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR141WH6327XTSA1 BCR141WH6327 Infineon TBCR141w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 142 B6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 142 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 19032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 142F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 142L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 142T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 142W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 11921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 146 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 38913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 146F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 146L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 146T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148 B6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 14334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 148 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148 E6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148F B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 12663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 148S H6327 | Infineon | 2NPN 50V 100mA 100MHz 250mW BCR148SH6327XTSA1 BCR148SH6327 Infineon TBCR148s кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 148S H6827 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.07A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148W H6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 148W H6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 148W H6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 149F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 149L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 149T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 151F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 151L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 151T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 153F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 153L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 153T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 158 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 158 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 158F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 158L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 158T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 158W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 162 B6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 162 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 162 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 162 E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 162F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 162L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 162T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 164F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 164L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 164T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 166 B6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 166 E6327 | Infineon | PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 166 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 10812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 166 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 166F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 166L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 166T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 166W H6327 | Infineon | PNP 50V 100mA 160MHz 250mW BCR166WH6327XTSA1 BCR166WH6327 Infineon TBCR166w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 166W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 19709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 169 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 169F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 169L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 169T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 179F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 179L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 179T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183 B6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 21710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 183 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 6381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 183F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 17124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 183S H6393 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183S H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183U E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 183W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 33712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 185 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 101428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 185F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 185L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 185S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 14487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 185T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 185W E6327 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий smd; Тип стр. = PNP; Ic = 0,1; ft, МГц = 200; hFE = 70 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; R1, кОм = 10; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA; Uсe, B = 50; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; SOT-323-3 | на замовлення 8190 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 185W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 9714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 189F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 189L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 189T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 191 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 34691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 191F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 191L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 191T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 191W H6327 | Infineon | PNP 50V 100mA 200MHz 250mW BCR191WH6327XTSA1 BCR191WH6327 Infineon TBCR191w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 191W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 192 B6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 192 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 17629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 192 E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 192 E6327 | Infineon | PNP transistor bipolar 50V 100mA BCR192E6785 BCR192E6327 TBCR192e кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 192F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 192L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 192T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 192W H6327 | Infineon | Transistor PNP bipolar 50V 100mA BCR192WH6327XT BCR192WH6327 TBCR192wh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 192W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 196 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196F E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196L3 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196T E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196W E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196W H6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 70mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 196W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 198 B6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 198 E6327 | Infineon | PNP 50V 100mA 190MHz 200mW BCR198E6327HTSA1 BCR198E6327 Infineon TBCR198 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 198 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 198 E6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 198 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 8558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 198F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 190 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 198L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 190 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 198S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 198T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 190 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 198W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 35092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 199F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 199L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 199T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 205W H6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers Ultra lowdropout LED controllr up to 80mA | на замовлення 7485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 22PN E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 22PN H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 89517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 22PN H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 17918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 22PN H6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 320U E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED DRIVER | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 321U E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED DRIVER | на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 35PN E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 35PN H6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 35PN H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 9088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 35PN H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 400W | Infineon Technologies | Power Management Specialised - PMIC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 400W E6327 | Infineon Technologies | Active Bias Controller | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 400W E6327 | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR 400W E6327 | Infineon Technologies | Power Management Specialised - PMIC ACTIVE BIAS CNTRLR 18 V 3.0 mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 400W H6327 | Infineon Technologies | Active Bias Controller Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 400W H6327 | Infineon Technologies | Power Management Specialised - PMIC Active Bias Controller | на замовлення 292704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 400W H6327 | Infineon Technologies | Active Bias Controller Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 401R E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers AF SMALL INTEGRATION IC LED DRVR 18V | на замовлення 2987 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 401R E6433 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED Driver 18V 60mA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 401U E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED Driver | на замовлення 401598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 401U E6327 | Infineon | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR 401W H6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED Driver 18V 10MA | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 402R E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers AF SMALL INTEGRATION IC LED DRVR 18V | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 402R E6327 Код товару: 58041 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR 402R E6327 | Infineon | на замовлення 171000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR 402R E6433 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED Driver 18V 60mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 402U E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers AF SMALL INTEGRATION IC LED DRVR 40V | на замовлення 194763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 402U E6327 | Infineon Technologies | LED Driver 500uA Supply Current Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 402U E6433 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED DRIVER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 402W H6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED Driver 18V 20MA | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 405U E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED 40V 65MA | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 410W E6327 | Infineon Technologies | Power Management Specialised - PMIC Active Bias CNTRLR 1.8v 20mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 410W H6327 | Infineon Technologies | Power Management Specialised - PMIC Active Bias Controller | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 410W H6327 | Infineon Technologies | Active Bias Controller | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 420U E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED DRIVER | на замовлення 172873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 421U E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED DRIVER | на замовлення 210553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 430U | Infineon Technologies | Infineon LED DRIVER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 450 E6327 | Infineon Technologies | Світлодіодний драйвер; I = 85 мА; Uвих, В = 6; Uживл, В = 8...27; К-сть вих. = 1; F = 1 МГц; Тип = ШІМ; SC74-6 | на замовлення 45 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 450 E6327 | Infineon Technologies | LED Lighting Drivers LED DRIVER | на замовлення 173780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 48PN E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP Silicn Digtl TRANSISTOR ARRAY | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 48PN E6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 70mA/100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 48PN H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 48PN H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 48PN H6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 48PN H6727 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP Silicon Digi Transistor Array | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 503 E6327 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,5; ft, МГц = 100; hFE = 40 @ 50 мA, 5 В; Ptot, Вт = 0,33; R1, кОм = 2,2; R2, кОм = 2,2; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3 | на замовлення 3449 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 503 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA | на замовлення 20152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 505 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 17029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 512 B6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 512 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 512 E6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR 512 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 179884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 519 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 519 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 521 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 35925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 521 E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 521 E6874 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 523 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 55736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 523 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 523U E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 17994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 533 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 74460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 553 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 555 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 555 E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 555 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 562 E6327 | ON Semiconductor | Транзистор цифровий smd; Структура = PNP; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,5; ft, МГц = 150; hFE = 60 @ 50 мA, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; Ptot, Вт = 0,3; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 4,7; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3 | на замовлення 2880 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 562 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 36101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 569 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR 573 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 55843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR 573 E6327 Код товару: 147701 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR 573 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 7611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 583 E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 24580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR 583 E6327 Код товару: 183979 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR-122JLC | Coilcraft | Description: FIXED IND 1.2UH 270MA 1.05OHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: Nonstandard Size / Dimension: 0.120" L x 0.105" W (3.05mm x 2.67mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 1.05Ohm Max Inductance Frequency - Test: 10 MHz Height - Seated (Max): 0.120" (3.05mm) Inductance: 1.2 µH Current Rating (Amps): 270 mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR-8P | BCM | Description: BALL CHAIN, #10 NPS 6", C/C END Packaging: Box Part Status: Active | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR010A | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR020A | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU Packaging: Bag Color: Natural Mounting Type: Screw Mount Material: Nylon Shape: Cylindrical, Recessed Center Type: Bumper | на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR040A | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR040B | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR0435000AJWS | Vishay | BCR0435000AJWS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR050A | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 1.000" Dia (25.40mm) Mounting Type: Screw Mount Material: Nylon Shape: Cylindrical, Recessed Center Type: Bumper | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR050A | Essentra | Mounting Fixings COVED RECESSED BUMPER:NYL NATURAL, 1.000 ROUND TUBE: | на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR050B | Essentra | Mounting Fixings COVED RECESSED BUMPER:NYL BLACK, 1.000 ROUND TUBE: | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR050B | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU Packaging: Bag Color: Black Size / Dimension: 1.000" Dia (25.40mm) Mounting Type: Screw Mount Material: Nylon Shape: Cylindrical, Recessed Center Type: Bumper Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR050C | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU Packaging: Bag Color: Black Size / Dimension: 1.000" Dia (25.40mm) Mounting Type: Screw Mount Material: Polyethylene Shape: Cylindrical, Recessed Center Type: Bumper Part Status: Active | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR050C | Essentra | Mounting Fixings COVED RECESSED BUMPER:LDPE BLACK, 1.000 ROUND TUBE: | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR060A | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 1.000" Dia (25.40mm) Mounting Type: Screw Mount Material: Nylon Shape: Cylindrical, Recessed Center Type: Bumper Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR060B | Essentra | Mounting Fixings COVED RECESSED BUMPER:NYL BLACK, 1.000 ROUND TUBE: | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR060B | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU Packaging: Bag Color: Black Size / Dimension: 1.000" Dia (25.40mm) Mounting Type: Screw Mount Material: Nylon Shape: Cylindrical, Recessed Center Type: Bumper Part Status: Active | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR060C | Essentra Components | Description: ROUND COVED SCREW ON BUMPER & RU Packaging: Bag Color: Black Size / Dimension: 1.000" Dia (25.40mm) Mounting Type: Screw Mount Material: Polyethylene Shape: Cylindrical, Recessed Center Type: Bumper Part Status: Active | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR0741250AFWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD 125 OHM 1% REV AE SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08715000FWS | Vishay | Res Thin Film 0202 Back-Contact 1.5K Ohm 1% Custom 087 tantalum nitride SMD waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08715001FWS | Vishay | Res Thin Film 0202 Back-Contact 15K Ohm 1% Custom 087 tantalum nitride SMD waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08751000FWS | Vishay | Res Thin Film 0202 Back-Contact 5.1K Ohm 1% Custom 087 tantalum nitride SMD waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-12A#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Pb Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-12A#B00 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 Packaging: Tube Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-12A#BD0 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-12A-TB#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Pb Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-12A-TB#B00 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-12A-TB#BD0 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A#B00 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A TO92 Packaging: Tube Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Pb Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A#BD0 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A#C05 | Renesas | Description: T60.8A Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A#FD0 | Renesas Electronics | Triacs Triac - 700V/0.8A, TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A#FD0 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A TO92-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A-A6#B00 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A-A6#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Pb Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AM-14A-A6#BD0 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: TO-92 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AS-12A-T13 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR08AS-12A-T13303 | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR08AS-12AT14#B11 | Renesas Electronics | Triacs Triac | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AS-12AT14#B11 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 600V 0.8A UPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: UPAK Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08AS-8P | MITSUBISHI | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR08DS-14AT13#B10 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: SOT-223 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08DS-14AT13#B10 | Renesas | TRIAC 700V 8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08DS-14AT13#B10 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: SOT-223 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08DS-14AT13#BD0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC - 700V 0.8A SOT-223 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08DS-14AT13#BD0 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 7 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Supplier Device Package: SOT-223 Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08ES-14A#B10 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC SENS GATE 700V 0.8A TO92 Packaging: Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PN | Diotec Semiconductor AG | Description: Biased BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PN | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PN | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 170MHz | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PN | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 170MHz кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1690 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PN | Diotec Semiconductor | Description: DIGITAL TR,SOT-363,50V,100MA Packaging: Strip Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PN | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PN | Diotec Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PN | Diotec Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW 6-Pin SOT-363 T/RAutomotive | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor AG | Description: Biased BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PN-H6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR08PNB6327XT | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNE6327 | INFINEON | 07+ | на замовлення 18010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR08PNE6327 | INF | 07+; | на замовлення 7562 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR08PNE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 170MHz | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 170MHz кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2924 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 125717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon | NPN/PNP 50V 170MHz 250mW BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6327 Infineon TBCR08pn кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6727XTSA1 | Infineon | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR08PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR08PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR08PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1-751JE | на замовлення 7144 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR1/2-391JE | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR1/2223JTE | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR1/2680JE | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR1/2820J | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR1/4-271JE | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR10000FKGKWS | Vishay | Res Thin Film 0202 100 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/°C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10000GMAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 100 Ohm 2% 0.25W(1/4W) ±250ppm/°C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10000KMAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 1K Ohm 10% 0.25W(1/4W) ±250ppm/°C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10001FKAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 100 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10001FMAHWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD 10K OHM 1% 250PPM SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10001FMAHWS | Vishay Electro-Films | Description: RES SMD 10K OHM 1% 1/4W 0202 Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±1% Features: Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.31mm) Part Status: Active Resistance: 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10001FMAHWT | Vishay Electro-Films | Description: RES SMD 10K OHM 1% 1/4W 0202 Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±1% Features: Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.31mm) Part Status: Active Resistance: 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10002FKAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 100 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10002GMAHWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD 100K OHM 2% 250PPM SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10002GMAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 100 Ohm 2% 0.25W(1/4W) ±250ppm/°C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10002JMAHWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD 100K OHM 5% 250PPM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1000AFKGKWS | Vishay | BCR1000AFKGKWS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1000AFKGKWS | Vishay | BCR1000AFKGKWS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1000BFMAHWS | Vishay Electro-Films | Description: RES SMD 10 OHM 1% 1/4W 0202 Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±1% Features: Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.31mm) Part Status: Obsolete Resistance: 10 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1000BFMAHWT | Vishay Electro-Films | Description: RES SMD 10 OHM 1% 1/4W 0202 Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±1% Features: Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.31mm) Part Status: Active Resistance: 10 Ohms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR103T E6327 | INFINEON | SOT423-WA PB-FRE | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR103TE6327SOT416-WAPB-FREE | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR103TE6327SOT423-WAPB-FREE | INFINEON | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR108 | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR108 | INFINEON | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR108 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108E6327 Код товару: 118884 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR108 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 55855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 36892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 2.2kΩ Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 170MHz Collector current: 0.1A | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 84407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR108 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 55855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6327XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 34443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108F/DTC123JM | INFINEON | 09+ | на замовлення 42018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR108S | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108S | Infineon | 2NPN 0.1A 50V 0.25W BCR108S TBCR108s кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108S E6327 | INFINEON | SOT363-WH PB-FRE | на замовлення 1022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR108SE6327 | INF | 07+; | на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR108SE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108SE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108SE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 170MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar | на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 170MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1676 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108SH6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR108SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108T | INF | SOT323 07+ | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR108W E6327 | Infineon | NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k BCR108W TBCR108w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 88407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR108WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR108WH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10AM | N/A | 09+ | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LA#B00 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRIAC, 600V , 10A | на замовлення 11499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LA-1#B00 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC, 600V , 10A | на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10CM-12LA-1A5X2 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC, 600V , 10A | на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10CM-12LA-1AAX2 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRIAC, 600V , 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LA-A8#X2 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRIAC, 600V , 10A | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LB#B01 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRIAC, 600V , 10A | на замовлення 27411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LB#BB0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO220-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LB#BB0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LB#BH0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-12LBA8#BB0 | Renesas Electronics America Inc | Description: BCR10CM-12 - 10A, 600V TRIAC | на замовлення 3193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10CM-16LH#BB0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-16LH#BB0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 10A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-16LH#BH0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 10A TO220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-16LH#BH0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC - 800V/10A, TO-220ABA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM-16LH-1#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 10A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CM8L | MITSUBISHI | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10CS-12LA#B00 | Rochester Electronics, LLC | Description: NON-INSULATED TYPE TRIAC | на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10CS-12LA-T11X3 | Renesas Electronics America Inc | Description: NON-INSULATED TYPE TRIAC Packaging: Bulk | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10CS-12LBT1#BH0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10CS-8LA | MUI | на замовлення 21003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR10CS12LBT11#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10FM-12LB#BB0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO220FP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10FM-12LB#BG0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO-220FPA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10FM-12LB#BH0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10FM-12LB#FA0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO-220FP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10FM-14LJ#BB0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10FM-14LJ#BB0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 10A TO220FP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10FM-14LJ#BH0 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10KM | MITSUBIS | TO220/ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10KM-12LA#C03 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 10A Packaging: Bulk | на замовлення 4311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10KM-12LA-1#B00 | Renesas | Description: TRIAC 600V 10A TO220FN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FN Current - On State (It (RMS)) (Max): 10 A Voltage - Off State: 600 V | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10KM-12LA-1A8X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 10A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 10439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10KM-12LA-A6#X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 10A Packaging: Bulk | на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10KM-12LA-AS#X2 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRIAC, 600V, 10A | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR10KM-12LB#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 10A Packaging: Bulk | на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10KM-12LC-A8#X5 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 10A Packaging: Bulk | на замовлення 145264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10LM-12LB#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10LM-12LD#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10LM-14LJ#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 10A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10LM-16LH#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 10A TO-220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10LM-16LH-1#B00 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC 800V 10A TO-220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10LM-16LH-1#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Pb Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR10PM-12LA#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM-12LB#B01 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM-12LD#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM-12LD#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM-12LG#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM-12LG#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 10A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM-14LJ#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PM-14LJ#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 10A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PN | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNB6327XT | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SOT363 Frequency: 130MHz Collector-emitter voltage: 50V кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SOT363 Frequency: 130MHz Collector-emitter voltage: 50V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6327 | Infineon | NPN/PNP 100mA 50V 130MHz 250mW BCR10PN Infineon Tech TBCR10pn кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327 Код товару: 164698 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR10PN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 34615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 37016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR10PN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 34615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 15584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6727XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6730 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6730XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6730XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR10PNH6730XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1100AFKAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 110 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1100AFKAHWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD BCR 1% +/-100ppm WS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112 | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR112 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 38373 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR112-E6327 | Infineon | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR112E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112E6327 Код товару: 112172 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 759314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 61250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 35029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4800 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112 кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 759000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 61250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112 кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 1750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112F | INFINEON | SOT23 | на замовлення 1897 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR112F | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112F/DTC143EM | INFINEON | 09+ | на замовлення 84018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR112R6327 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR112T | 10+ SOT-523 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR112T/DTC143EE | INFINEON | 09+ | на замовлення 33018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR112WE6327 | INFINEON | 00+ | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR112WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112WE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112WF | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR112WH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR112WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR112ЎЎE6327 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR114/DTC143XK | INFINEON | 09+ | на замовлення 147018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR114F | INFINEON | SOD323 | на замовлення 4690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116 | INF | 10+ SOT-23 | на замовлення 132000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116 | INFINEON | 05+ DIP16 | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116 Код товару: 94439 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR116 | INFIN | 09+ | на замовлення 150018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116 | SM | на замовлення 539 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR116/WG | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCR116E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6327 Код товару: 198302 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 59835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR116E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: BCR116 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 37135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 92966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116E6393 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6393HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116L3 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116L3 E6327 | INFINEON | BGA-WG PB-FREE | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116L3E6327BGA-WGPB-FREE | INFINEON | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR116S | INFINEON | 05+NOP | на замовлення 1443 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116S | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116S H6327 | Infineon Technologies | BCR116SH6327XTSA1 SOT-363 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116SE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SE6327 | INFINEON | 07+ | на замовлення 15010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116SE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SE6727 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SE6727XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2890 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116SH6327 WGs | Infineon | 2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116SH6327XTSA1 BCR116SH6327 Infineon TBCR116s кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116T | INF | 10+ SOT-523 | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116W | INF | 10+ SOT-323 | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR116WE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116WE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 576000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119 E6433 | INFINEON | SOT23-WK PB-FREE | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR119-E6327 | Infineon | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR119E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR119E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR119E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119F/DTC143TM | INFINEON | 09+ | на замовлення 90018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR119S | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SE6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 14800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR119SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119W | INFINEON | 09+ | на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR119W E6327 | INFINEON | SOT323-WK PB-FRE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR119WE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119WE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR119WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119WE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119WH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR119WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR119WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR119WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12000FKAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 120 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12000JRGHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 120 Ohm 5% 0.25W(1/4W) -250ppm/°C to 0ppm/°C Pad SMD Waffle | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR1200AGMGHWS | Vishay | Thin Film Resistors - SMD 120 OHM 2% 250PPM SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129E6327 | Infineon Technologies | Description: BCR129 - DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Mounting: SMD Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Mounting: SMD Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Case: SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR129E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 214700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR129E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129F | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129F/DTC114TM | INFINEON | 09+ | на замовлення 180018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR129FE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR129L3 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129S | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129S E6327 | INFINEON | SOT363-WV | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR129SE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129SE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129SE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129SE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129SE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129SH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR129SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR129SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129T | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129T E6327 | INFINEON | SOT423-WV PB-FRE | на замовлення 348000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR129T/DTC114TE | INFINEON | 09+ | на замовлення 120018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR129TE6327SOT423-WVPB-FREE | INFINEON | на замовлення 348000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR129W | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129W | INFINEON | 09+ | на замовлення 2618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR129W E6327 | INFINEON | SOT323-WV PB-FRE | на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR129WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129WE6327SOT323-WVPB-FREE | INFINEON | на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR129WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR129WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 812 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR129WH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129WH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR129WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR129WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 432000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12AM-12 | MIT | 2002 TO-220 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR12CM-12LA-1#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12CM-12LA-AM#X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12CM-12LA-AN#X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 3027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12CM-12LB#B01 | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC, 600V, 12A Packaging: Tube Triac Type: Standard Configuration: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-12LB#BB0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-12LB#BB0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-12LB#BH0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220ABA Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220ABA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-12LBA8#BB0 | Renesas | Description: BCR12 - 600V - 10A - Triac Mediu Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220ABS Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-14LK#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 700V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-16LB#BB0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220AB Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-16LB#BB0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-16LB#BH0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220ABA Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220ABA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-16LH#BB0 | Renesas Electronics | Triacs TRIAC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-16LH#BB0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-16LH#BH0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220ABA Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220ABA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CM-16LH-1#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CS-12LB#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A LDPAK Packaging: Tube Package / Case: SC-83 Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: LDPAK Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12CS-12LBT1#BH0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-12LB#BB0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 50Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FP Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-12LB#BG0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220FPA Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 50Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FPA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-12LB#BG0 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Lead Free | на замовлення 10 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12FM-12LB#BH0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220FPA Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 50Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FPA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-12LB#FA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 50Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FP Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-14LB#BG0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220FPA Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 50Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FPA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-14LB#FA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 700V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 50Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FP Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 700 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-14LBAS#GA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 700V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 8013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12FM-14LJ#BB0 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Pb Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-14LJ#BB0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FP Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12FM-14LJ#BH0 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220FPA Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FPA Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12KM-12LA-1A6X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-12LA-1A8X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 86481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-12LA-1AR#B | Renesas Electronics America Inc | Description: TRIAC, 600V, 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12KM-12LA-A5#X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-12LA-A8#X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-12LA-AS#X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-12LB#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-12LB-1#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-12LBA8#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 7525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-14LA#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 700V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-14LA#C05 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 700V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 28556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12KM-14LA-A8#X2 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 700V 12A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR12LM-12LB#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 12A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-12LB#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-12LB-1#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-12LBA8#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-12LD#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 12A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-12LD#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LB#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LB#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LBA8#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LBAS#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LD#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LD#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LJ#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LJ#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LK#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-14LK#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 700V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-16LB#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-16LB#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-16LH#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-16LH#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-16LH-1#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Pb Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12LM-16LH-1#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 800V 12A TO220FL Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220FL Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LA#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LA#B00 Код товару: 109503 | Тиристори > Тиристори, діністори | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR12PM-12LA#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Lead Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LA-1AQX3 | Renesas | Description: TRI61 MEDIPOWUSE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LAA8 Код товару: 114986 | Тиристори > Тиристори, діністори | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR12PM-12LAA8#B00 | Renesas Electronics | Triacs Power Module - Lead Free | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LAA8#B00 | Renesas Electronics Corporation | Description: TRIAC 600V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Triac Type: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Obsolete Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LB#B01 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LC#B00 | Renesas | Description: BCR12PM-1TRIACS Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LC#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LD#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LD#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LD#C0G | Renesas | Description: TRI61 MEDIPOWUSE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LDA6#B00 | Renesas | Description: TRI61 MEDIPOWUSE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LDAS#C03 | Renesas | Description: TRI61 MEDIPOWUSE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LG#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 600V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LG#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LGAN#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-12LGAS#B00 | Renesas | Description: TMEDIPOWUSE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LA#B00 | Renesas | Description: BCR12PM-1TRIACS Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LA#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LG#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LG#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LG#C0G | Renesas | Description: TMEDIPOWUSE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LGAS#B00 | Renesas | Description: TMEDIPOWUSE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LJ#B00 | Renesas Electronics | Triacs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR12PM-14LJ#B00 | Renesas Electronics America | Description: TRIAC 800V 12A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133 | INF | SOT23 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133 | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 32100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133 E6327 : BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | BCR133E6327 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | на замовлення 300 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133/WC | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 130MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 2163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 130MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2163 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327 Код товару: 52142 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 44385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 12850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий smd; Тип стр. = NPN; Ic = 100 мА; ft, МГц = 130; hFE = 30 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; R1, кОм = 10; R2, кОм = 10; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА; Uсe, B = 50; Р, Вт = 0,2; Тексп, °C = -65...+150; SOT-23-3 | на замовлення 1008 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 44385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 60618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 BCR133 TBCR133 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 295 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 429000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6327XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 5036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133E6393 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6393HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133F | INFINEON | 09+ | на замовлення 35968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133F-E6327 | INFINEON | SOT23 | на замовлення 2661 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133S | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133S | INFINEON | SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133S-H6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR133SB6327XT | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SE6327 | INF | 07+; | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SE6433 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SE6433BTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SE6433XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 130MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2985 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6327 Код товару: 162847 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR133SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 130MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 5147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR133 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR133 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133T | INFINEON | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133T | INFINEON | 02+ SOT-523 | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133T E6327 | INFINEON | SOT423-WC | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133T-E6327 | INFINEON | SOT23 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133TE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133U | INFINEON | 09+ | на замовлення 174018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133U E6327 | INFINEON | SOT163-WC PB-FRE | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133UE6327SOT163-WCPB-FREE | INFINEON | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR133W | infineon | SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR133WE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 32687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 6828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135 | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135-E6327 | Infineon | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135E6327 Код товару: 119637 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR135E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 29251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k BCR135 TBCR135 кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 5065 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 37607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 39279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 29251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135F | infinen | SOT523 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135F | infinen | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135F/DTC114YM | INFINEON | 09+ | на замовлення 51018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135S | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135S | infinen | на замовлення 5456 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135S | INFINEON | 04+ SOT-363 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135S-E6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135SE6327 | INFINEON | 2000 TO23-6 | на замовлення 1683 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135SE6327 | INF | 07+; | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135SE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135SE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135SH6327 | Infineon | 2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR135SH6327XTSA1 BCR135SH6327 Infineon TBCR135s кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135SH6327XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 23180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 10561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR135 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 13800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR135 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 13800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135SH6827XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135T | 1NF | 10+ SOT-523 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135TE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135TE6327 | INFINEON | 07+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135W | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135WE6327 | Infineon | Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k,47k) ММ NPN SOT323 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,25W; hfemin=70 | на замовлення 4975 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135WE6327 | INFINEON | 2000 TO23-3 | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135WE6327 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WE6327XT | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WH6327 Код товару: 167649 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCR135WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon | NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | BCR135WH6327XTSA1 Микросхемы | на замовлення 4920 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon | NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR135WJ | Infineon | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR139 E6327 | INFINEON | SOT23 | на замовлення 1296 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR139F | INFINEON | SOT23 | на замовлення 1258 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR139F 6327 | INFINEON | SOT523-WY PB-FRE | на замовлення 135000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR139F E6327 | INFINEON | SOT523-WY PB-FRE | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR139F/DTC124TM | INFINEON | 09+ | на замовлення 72018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCR139F6327SOT523-WYPB-FREE | INFINEON | на замовлення 135000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR139FE6327SOT523-WYPB-FREE | INFINEON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCR139T | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCR141 | Infineon | NPN 100mA 50V 250mW 130MHz w/ res. 22k+22k BCR141 TBCR141 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCR141 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній |