Продукція > BCR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR 08PN H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 14907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 08PN H6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 9824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 08PN H6727 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 101L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 101T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.05A SC75 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistor - Base (R1): 100 kOhms Frequency - Transition: 100 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: PG-SC75-3D DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 103F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 103L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 103T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108 B6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 170 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 14485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 108 E6327 Код товару: 196263
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCR 108 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 13958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 108F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108S E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108S E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 27564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 108S H6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 108W H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 28159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 10PN H6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR 10PN H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 9303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 10PN H6727 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 20160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 112 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 112F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 112F E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 112L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 112T E6327 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR 112T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 112W H6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 140MHz 250mW BCR112WH6327XTSA1 BCR112WH6327 Infineon TBCR112w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 112W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 21556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 114F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 114L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 114T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 116 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 7553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 116 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 38648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 116F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 116L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 116L3 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 116S E6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 116S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 2094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 116S H6727 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 116T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 116W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 35856 шт: термін постачання 195-204 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 119 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 35850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 119 E6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 150MHz 200mW BCR119E6327HTSA1 BCR119E6327 Infineon TBCR119 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 119 E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 119F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 119L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 119S E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 119S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 119T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 20489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 129 E6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 150MHz 200mW BCR129E6327HTSA1 BCR129E6327 Infineon TBCR129 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 129 E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 129F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129L3 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129S E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129S H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129T E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129W E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 129W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Resistors Included: R1 and R2 Frequency - Transition: 130 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-SOT23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133 E6327 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 133F B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 130 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSFP-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 133S H6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133S H6444 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133W E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 133W H6327 | Infineon | NPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR133WH6327XTSA1 BCR133WH6327 Infineon TBCR133w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2730 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 135 B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135 B6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135 E6327 | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 34924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 135 E6327 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135 E6433 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 25928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 135F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 150 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135S H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 135W H6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 33405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR 135W H6327 | Infineon | на замовлення 141000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR 139F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 139L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 139T E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SC75-3D Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 141 E6327 Код товару: 174710
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 130 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A Монтаж: SMD | у наявності: 7 шт
|
| ||||||||||||||
| BCR 141 E6327 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 141 E6433 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 141F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 130 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-TSFP-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 141L3 E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 130 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-TSLP-3-4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR 141S E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

