Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e)
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Panel Mount
Produktpalette: C Series
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.28 грн
10+979.74 грн
25+876.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Features: Ground
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.90 грн
25+701.58 грн
100+636.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+105385.60 грн
5+99670.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+105385.60 грн
5+99670.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3158.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2675.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2594.88 грн
60+2257.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3768.09 грн
30+2468.32 грн
120+2458.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4165.30 грн
10+3685.26 грн
25+3503.69 грн
50+3267.43 грн
100+2759.65 грн
500+2622.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4046.75 грн
10+2811.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2497.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3384.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3768.09 грн
30+2468.32 грн
120+2458.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3002.10 грн
10+2972.25 грн
25+2744.25 грн
50+2619.86 грн
100+2401.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2206.18 грн
10+2184.63 грн
25+2087.62 грн
50+1993.08 грн
100+1826.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4296.72 грн
10+3483.62 грн
120+2673.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3216.53 грн
10+3184.56 грн
25+2940.27 грн
50+2807.00 грн
100+2572.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4899.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2677.70 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2723.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2723.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2363.77 грн
10+2340.67 грн
25+2236.74 грн
50+2135.44 грн
100+1957.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2314.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2897.63 грн
10+2868.62 грн
25+2839.60 грн
100+2711.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3882.30 грн
30+2550.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+4097.47 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3838.64 грн
5+3792.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2958.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3104.61 грн
10+3073.52 грн
25+2933.77 грн
100+2689.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7443.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7095.39 грн
30+6420.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6191.45 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5293.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3882.30 грн
30+2550.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4258.61 грн
5+4257.74 грн
10+4256.87 грн
50+3952.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7975.16 грн
10+7558.54 грн
25+6894.98 грн
50+6521.96 грн
100+5724.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3864.70 грн
10+3441.66 грн
120+2821.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3914.09 грн
10+3883.41 грн
25+3851.91 грн
50+3684.76 грн
100+3384.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22.08mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3882.30 грн
30+2550.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4193.66 грн
10+4160.80 грн
25+4127.04 грн
50+3947.95 грн
100+3626.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2514.78 грн
10+2365.54 грн
25+2323.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2279.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3796.18 грн
5+3441.73 грн
10+3088.15 грн
50+2538.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2164.67 грн
10+1402.56 грн
120+1146.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2347.13 грн
10+2207.84 грн
25+2168.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2053.26 грн
30+1275.61 грн
120+1153.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2153.24 грн
10+2137.25 грн
25+2120.37 грн
50+2029.23 грн
100+1863.84 грн
250+1775.58 грн
500+1761.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2132.06 грн
10+1756.10 грн
100+1336.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2009.69 грн
10+1994.77 грн
25+1979.01 грн
50+1893.94 грн
100+1739.59 грн
250+1657.21 грн
500+1643.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3279.84 грн
10+3138.07 грн
25+2740.11 грн
50+2576.69 грн
100+2234.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3406.02 грн
5+2932.26 грн
10+2457.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2935.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2548.20 грн
3+2227.10 грн
5+2144.61 грн
10+2020.07 грн
15+1942.44 грн
30+1804.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1867.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3057.84 грн
3+2775.30 грн
5+2573.53 грн
10+2424.09 грн
15+2330.93 грн
30+2165.96 грн
120+1929.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2735.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2112.05 грн
30+1558.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+2507.97 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2561.37 грн
10+1786.45 грн
120+1455.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3514.11 грн
10+3362.22 грн
25+2935.83 грн
50+2760.74 грн
100+2394.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 104A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.1A, 15V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2053.26 грн
30+1275.61 грн
120+1153.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2132.06 грн
10+1756.10 грн
120+1336.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2177.22 грн
10+2160.35 грн
25+2144.36 грн
50+2051.50 грн
100+1884.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2032.08 грн
10+2016.32 грн
25+2001.40 грн
50+1914.73 грн
100+1758.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1376.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.40 грн
10+1000.31 грн
25+991.17 грн
100+949.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2097.77 грн
30+1436.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+933.63 грн
25+925.09 грн
100+886.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.80 грн
10+893.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1397.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.45 грн
50+853.98 грн
100+798.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2301.43 грн
10+1658.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1583.04 грн
10+1556.12 грн
25+1327.39 грн
100+1272.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.45 грн
10+1028.07 грн
100+943.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.60 грн
30+913.91 грн
120+795.44 грн
510+733.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1265.34 грн
25+1242.79 грн
100+1188.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1369.40 грн
10+1355.72 грн
25+1331.56 грн
100+1272.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1177.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1228.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1347.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1972.65 грн
10+1666.82 грн
120+1442.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.60 грн
10+1041.82 грн
100+956.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1742.73 грн
10+1633.29 грн
25+1615.05 грн
100+1481.42 грн
250+1367.24 грн
500+1221.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1583.19 грн
10+1538.26 грн
1000+1074.44 грн
2000+923.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1867.21 грн
10+1749.95 грн
25+1730.41 грн
100+1587.23 грн
250+1464.90 грн
500+1308.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1590.95 грн
10+1578.51 грн
25+1566.07 грн
50+1499.01 грн
100+1376.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1484.88 грн
10+1473.28 грн
25+1461.67 грн
50+1399.07 грн
100+1285.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1674.52 грн
10+1290.41 грн
30+1196.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1437.37 грн
10+1182.04 грн
120+910.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeed(CREE)C3M0030090K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3078.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3782.37 грн
30+2560.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2167.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090K
Код товару: 143865
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3890.23 грн
5+3776.15 грн
10+3662.06 грн
50+2542.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.35 грн
10+973.49 грн
25+929.38 грн
50+851.90 грн
100+809.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1610.70 грн
30+979.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2434.57 грн
30+2047.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3136.05 грн
5+2638.77 грн
10+2141.50 грн
50+1948.91 грн
100+1762.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2051.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+908.59 грн
25+899.55 грн
50+858.71 грн
100+787.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2051.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2158.10 грн
10+2068.55 грн
25+2026.27 грн
50+1884.35 грн
100+1665.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3356.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2312.24 грн
10+2216.31 грн
25+2171.01 грн
50+2018.95 грн
100+1784.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1610.70 грн
50+928.44 грн
100+868.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2765.16 грн
10+2572.10 грн
50+1780.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2373.66 грн
10+2153.12 грн
25+2105.86 грн
50+1989.88 грн
100+1656.68 грн
500+1544.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs 1200V, 32 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1190.32 грн
10+1180.55 грн
25+1170.78 грн
50+1119.54 грн
100+1027.89 грн
250+978.40 грн
500+970.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1101.85 грн
25+1092.73 грн
50+1044.91 грн
100+959.36 грн
250+913.17 грн
500+905.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1771.58 грн
10+1539.15 грн
100+1157.51 грн
250+1121.80 грн
500+1121.02 грн
800+1120.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1865.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2739.36 грн
30+2142.75 грн
120+2022.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2880.22 грн
10+2636.47 грн
25+2423.40 грн
50+2284.89 грн
100+1929.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1657.46 грн
10+1393.63 грн
120+1047.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3085.95 грн
10+2824.79 грн
25+2596.50 грн
50+2448.09 грн
100+2066.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2159.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 103530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2051.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1607.65 грн
5+1527.53 грн
10+1484.85 грн
50+1339.17 грн
100+1199.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1524.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2159.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2314.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1657.46 грн
10+1393.63 грн
120+1047.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D
Код товару: 198825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1413.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2197.24 грн
5+2009.13 грн
10+1821.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2064.41 грн
8+1674.74 грн
10+1566.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1405.60 грн
10+1216.34 грн
30+1089.77 грн
120+1037.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2231.69 грн
10+1811.45 грн
30+1523.16 грн
60+1489.78 грн
120+1457.95 грн
270+1391.18 грн
510+1334.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1171.34 грн
10+976.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1237.83 грн
30+735.79 грн
120+635.80 грн
510+567.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1514.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2207.78 грн
50+1262.52 грн
100+1239.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1099.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2286.03 грн
10+1393.63 грн
100+1203.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2186.79 грн
10+1537.94 грн
100+1302.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1229.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2208.78 грн
10+2003.97 грн
25+1897.01 грн
50+1653.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2275.16 грн
10+1992.68 грн
25+1616.32 грн
50+1565.86 грн
100+1515.40 грн
250+1414.47 грн
500+1301.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1129.12 грн
10+1120.77 грн
25+1112.42 грн
50+1064.55 грн
100+978.16 грн
250+931.73 грн
500+924.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1046.05 грн
25+1038.26 грн
50+993.58 грн
100+912.95 грн
250+869.61 грн
500+862.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1265.29 грн
10+1098.12 грн
100+826.01 грн
250+800.40 грн
800+799.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1367.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2237.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1316.91 грн
10+1297.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed(CREE)C3M0040120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1928.13 грн
2+982.06 грн
4+928.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1462.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2050.20 грн
10+1872.54 грн
25+1740.18 грн
50+1646.34 грн
100+1269.79 грн
1000+1208.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1016.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1913.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1567.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1567.85 грн
1800+1557.19 грн
4500+1541.20 грн
9000+1471.60 грн
18000+1348.31 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1750.19 грн
10+1624.17 грн
25+1528.82 грн
50+1450.24 грн
100+1149.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1463.33 грн
1800+1453.38 грн
4500+1438.45 грн
9000+1373.49 грн
18000+1258.42 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2169.99 грн
30+1352.30 грн
120+1292.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1875.20 грн
10+1740.18 грн
25+1638.03 грн
50+1553.83 грн
100+1231.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1058.49 грн
25+1050.44 грн
50+1005.25 грн
100+923.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1304.23 грн
10+994.56 грн
120+746.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.62 грн
10+1134.09 грн
25+1125.48 грн
50+1077.06 грн
100+989.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1036.14 грн
10+647.26 грн
120+482.88 грн
510+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1616.58 грн
30+972.00 грн
120+894.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1009.41 грн
50+554.90 грн
100+514.77 грн
500+435.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.74 грн
100+930.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1036.14 грн
10+609.77 грн
100+492.19 грн
500+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1635.05 грн
10+1128.59 грн
100+894.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1747.13 грн
10+1241.86 грн
100+890.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1036.14 грн
10+647.26 грн
120+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+530.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+567.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1464.58 грн
10+1004.46 грн
100+776.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.70 грн
10+675.16 грн
100+564.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.44 грн
10+1105.26 грн
100+773.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+479.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.93 грн
10+905.09 грн
25+898.25 грн
50+859.57 грн
100+789.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1009.41 грн
30+589.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+927.45 грн
10+700.83 грн
120+539.55 грн
510+516.26 грн
1020+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+844.75 грн
25+838.37 грн
50+802.27 грн
100+737.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+624.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+444.22 грн
4500+443.31 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+563.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.76 грн
30+755.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1258.95 грн
10+797.25 грн
120+680.84 грн
510+678.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+710.60 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+661.61 грн
24+538.07 грн
50+533.93 грн
100+481.28 грн
200+430.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+761.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+475.95 грн
4500+474.97 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+917.49 грн
10+507.10 грн
100+407.57 грн
500+371.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+202.88 грн
100+200.89 грн
250+198.81 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+563.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+705.55 грн
100+640.02 грн
200+608.06 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+700.57 грн
19+675.70 грн
50+538.90 грн
100+518.86 грн
200+478.94 грн
1000+417.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+217.37 грн
100+215.24 грн
250+205.41 грн
500+188.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.06 грн
50+461.82 грн
100+427.09 грн
500+350.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1434.34 грн
10+982.62 грн
100+757.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+473.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+753.56 грн
10+587.45 грн
120+475.89 грн
510+436.30 грн
1020+371.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+790.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.67 грн
10+758.43 грн
25+615.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+642.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.14 грн
30+485.07 грн
120+413.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+442.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+624.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.81 грн
25+591.07 грн
100+511.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1295.18 грн
10+914.21 грн
100+666.09 грн
2000+565.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1110.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.18 грн
10+565.99 грн
100+454.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065UWolfspeedC3M0060065U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+428.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.55 грн
10+620.82 грн
30+533.83 грн
120+425.88 грн
270+410.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.38 грн
10+592.81 грн
120+465.80 грн
510+440.96 грн
1020+409.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1514.46 грн
5+1360.32 грн
10+1206.17 грн
50+976.88 грн
100+856.20 грн
250+810.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1518.32 грн
30+918.25 грн
120+799.34 грн
510+737.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1288.91 грн
5+1076.35 грн
10+1008.42 грн
30+965.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+807.52 грн
18+713.01 грн
50+711.35 грн
100+667.56 грн
200+615.89 грн
1800+589.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D
Код товару: 182273
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1560.39 грн
10+1447.57 грн
25+1036.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+784.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1546.69 грн
5+1341.30 грн
10+1210.10 грн
30+1158.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1456.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 113W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+980.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1373.97 грн
10+1310.60 грн
25+1137.32 грн
50+885.02 грн
100+873.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1015.59 грн
10+999.96 грн
25+868.22 грн
100+828.82 грн
500+764.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 113W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1176.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.34 грн
5+1139.98 грн
10+1135.63 грн
50+896.82 грн
100+811.41 грн
250+794.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+947.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1556.95 грн
50+894.51 грн
100+836.41 грн
500+761.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1376.27 грн
12+1077.80 грн
14+895.41 грн
50+749.90 грн
100+672.89 грн
200+605.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+986.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1326.53 грн
11+1144.13 грн
12+1052.93 грн
50+999.34 грн
100+747.65 грн
200+705.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.88 грн
10+923.39 грн
25+917.79 грн
100+807.41 грн
250+743.00 грн
500+708.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+987.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1600.40 грн
10+1397.20 грн
25+1197.88 грн
50+1165.27 грн
100+1067.45 грн
250+1051.15 грн
500+978.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1556.95 грн
10+1075.46 грн
100+993.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1848.88 грн
5+1800.11 грн
10+1750.47 грн
50+1081.20 грн
100+972.65 грн
250+953.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1479.94 грн
10+1389.16 грн
25+1174.59 грн
50+1026.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1479.00 грн
10+1331.67 грн
25+1301.08 грн
50+1224.15 грн
100+1008.44 грн
500+894.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1488.09 грн
50+1054.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1584.64 грн
10+1426.79 грн
25+1394.01 грн
50+1311.59 грн
100+1080.47 грн
500+958.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1820.64 грн
10+1266.47 грн
100+1032.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1703.00 грн
10+1542.12 грн
30+1381.25 грн
60+1206.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1796.04 грн
10+1572.18 грн
30+1275.51 грн
60+1235.92 грн
120+1196.32 грн
270+1116.36 грн
510+1026.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2080.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1844.11 грн
10+1672.67 грн
25+1500.34 грн
50+1313.13 грн
100+1056.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1860.11 грн
30+1140.45 грн
120+1054.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1721.17 грн
10+1561.16 грн
25+1400.32 грн
50+1225.59 грн
100+986.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1730.83 грн
10+1445.41 грн
30+1026.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1716.86 грн
10+1557.84 грн
25+1397.66 грн
50+1223.51 грн
100+984.16 грн
1000+935.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1839.49 грн
10+1669.12 грн
25+1497.50 грн
50+1310.90 грн
100+1054.46 грн
1000+1001.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1839.49 грн
10+1669.12 грн
25+1497.50 грн
50+1310.90 грн
100+1054.46 грн
1000+1001.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1169.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1785.31 грн
5+1713.03 грн
10+1640.74 грн
50+973.65 грн
100+898.00 грн
250+877.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100K
Код товару: 126113
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+504.99 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1656.56 грн
10+1439.16 грн
30+1217.28 грн
60+1149.74 грн
120+1082.20 грн
270+1048.04 грн
510+980.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+762.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1334.82 грн
12+1036.35 грн
13+986.61 грн
50+815.46 грн
100+730.63 грн
200+604.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1663.39 грн
5+1609.39 грн
10+1555.40 грн
50+993.05 грн
100+871.88 грн
250+826.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed(CREE)C3M0075120D THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1865.43 грн
2+984.00 грн
4+930.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+541.06 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1656.56 грн
10+1439.16 грн
30+1217.28 грн
60+1149.74 грн
120+1082.20 грн
270+1048.04 грн
510+980.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+782.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.83 грн
30+541.71 грн
120+463.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1500.63 грн
11+1169.00 грн
50+1007.33 грн
100+866.09 грн
200+803.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+838.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+625.13 грн
25+574.64 грн
100+549.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1525.04 грн
30+951.68 грн
120+898.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1656.56 грн
10+1439.16 грн
30+1217.28 грн
60+1149.74 грн
120+1082.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+672.89 грн
10+669.78 грн
25+615.68 грн
100+588.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+749.49 грн
18+731.25 грн
50+704.33 грн
100+650.68 грн
200+558.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1599.50 грн
10+1475.76 грн
30+1148.97 грн
60+1114.81 грн
120+1047.27 грн
270+1030.97 грн
510+960.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.74 грн
5+1279.33 грн
10+1207.91 грн
50+1054.51 грн
100+912.19 грн
250+850.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.83 грн
50+509.56 грн
100+472.03 грн
500+394.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1222.72 грн
10+1204.36 грн
50+926.16 грн
100+895.88 грн
500+871.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+992.99 грн
100+947.31 грн
250+937.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1371.12 грн
5+1170.99 грн
10+1046.10 грн
50+972.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1142.60 грн
5+939.68 грн
10+871.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1409.44 грн
11+1177.29 грн
12+1119.26 грн
50+636.38 грн
100+587.76 грн
200+562.83 грн
1000+504.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+541.06 грн
2000+535.64 грн
3000+530.23 грн
5000+506.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1431.94 грн
10+1270.42 грн
25+1098.51 грн
50+1080.65 грн
100+975.85 грн
250+970.41 грн
500+892.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+504.99 грн
2000+499.94 грн
3000+494.88 грн
5000+472.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+778.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1063.92 грн
100+1014.97 грн
250+1004.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.83 грн
10+626.40 грн
100+514.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.66 грн
10+564.78 грн
25+555.99 грн
50+527.56 грн
100+480.63 грн
250+453.79 грн
500+446.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.94 грн
10+764.20 грн
25+676.57 грн
100+541.92 грн
250+532.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+527.13 грн
25+518.92 грн
50+492.39 грн
100+448.59 грн
250+423.54 грн
500+416.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1074.18 грн
10+928.49 грн
100+698.70 грн
250+676.96 грн
800+676.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+549.50 грн
4500+543.99 грн
9000+538.58 грн
18000+514.12 грн
45000+471.27 грн
99000+447.93 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+657.87 грн
20+652.90 грн
25+600.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+994.30 грн
30+579.74 грн
120+496.90 грн
510+427.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1690.97 грн
10+1468.62 грн
60+1104.72 грн
270+981.28 грн
510+947.12 грн
1020+919.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+703.06 грн
50+676.35 грн
100+624.77 грн
200+529.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+762.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+634.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+445.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+883.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.90 грн
2+704.87 грн
10+699.54 грн
25+620.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.19 грн
10+480.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1620.93 грн
10+1554.31 грн
25+1460.87 грн
60+1306.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+416.20 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.26 грн
5+878.72 грн
10+835.18 грн
50+734.28 грн
100+640.47 грн
250+603.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+824.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+512.87 грн
4500+507.73 грн
9000+502.67 грн
18000+479.84 грн
45000+439.86 грн
99000+418.07 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+634.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+713.01 грн
50+686.74 грн
100+634.39 грн
200+552.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1656.56 грн
10+1439.16 грн
30+1217.28 грн
60+1149.74 грн
120+1082.20 грн
270+1048.04 грн
510+980.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.51 грн
10+860.05 грн
25+732.05 грн
100+685.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1641.77 грн
30+994.94 грн
120+898.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1657.46 грн
10+1525.76 грн
30+1150.52 грн
60+1149.74 грн
120+1082.20 грн
270+1063.57 грн
510+1001.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+802.72 грн
25+683.24 грн
100+640.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.10 грн
30+777.43 грн
120+699.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+480.87 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+948.29 грн
10+759.75 грн
120+551.19 грн
510+490.64 грн
1020+417.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.40 грн
10+601.82 грн
25+542.31 грн
50+518.48 грн
100+387.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+292.50 грн
45+280.31 грн
47+268.87 грн
50+258.31 грн
100+217.71 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.36 грн
10+587.45 грн
30+454.93 грн
120+421.55 грн
270+410.68 грн
510+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065D
Код товару: 178862
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.39 грн
10+300.33 грн
25+288.08 грн
50+276.76 грн
100+233.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+629.44 грн
23+561.70 грн
25+506.15 грн
50+483.92 грн
100+362.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.42 грн
10+512.30 грн
30+469.44 грн
120+404.59 грн
270+389.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+393.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+654.83 грн
10+424.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.40 грн
10+472.13 грн
25+469.56 грн
50+447.47 грн
100+374.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.42 грн
10+512.30 грн
50+453.55 грн
100+408.56 грн
250+390.53 грн
500+379.66 грн
1000+364.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+355.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.47 грн
10+530.90 грн
100+418.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.42 грн
10+512.30 грн
30+469.44 грн
120+404.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.73 грн
10+610.66 грн
30+482.10 грн
120+426.98 грн
270+393.60 грн
510+373.41 грн
1020+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.55 грн
10+668.89 грн
25+632.03 грн
50+603.37 грн
100+460.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+484.92 грн
900+416.44 грн
1800+408.00 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.85 грн
10+474.69 грн
100+364.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+690.16 грн
10+582.98 грн
25+459.59 грн
100+422.32 грн
250+397.48 грн
500+372.64 грн
1000+335.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D
Код товару: 165992
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1090.34 грн
5+1055.51 грн
10+1020.67 грн
50+665.54 грн
100+571.05 грн
250+527.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+574.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+530.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+950.10 грн
10+829.39 грн
30+640.47 грн
120+619.51 грн
270+565.17 грн
510+542.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+374.83 грн
35+362.89 грн
36+349.37 грн
50+333.54 грн
100+290.18 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.60 грн
10+388.81 грн
25+374.33 грн
50+357.36 грн
100+310.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 97W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+782.75 грн
30+724.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Power dissipation: 97W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.29 грн
30+581.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+810.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.20 грн
30+626.97 грн
120+538.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1025.27 грн
10+887.42 грн
50+747.61 грн
100+649.01 грн
250+639.70 грн
500+571.38 грн
1000+558.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+640.73 грн
10+619.59 грн
25+613.37 грн
50+498.01 грн
100+458.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+583.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.82 грн
3+655.03 грн
10+617.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+539.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1092.55 грн
50+605.67 грн
100+562.77 грн
500+483.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J
Код товару: 126112
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+598.02 грн
22+578.28 грн
25+572.48 грн
50+464.81 грн
100+428.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+964.59 грн
3+816.27 грн
10+740.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+556.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.22 грн
10+649.05 грн
25+563.62 грн
50+562.84 грн
100+558.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.27 грн
10+664.49 грн
100+536.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+796.86 грн
10+667.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+607.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+956.23 грн
10+831.38 грн
30+772.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1405.67 грн
10+1224.89 грн
25+1036.40 грн
50+975.07 грн
100+917.62 грн
250+888.90 грн
500+831.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1435.18 грн
50+813.53 грн
100+758.93 грн
500+710.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1276.16 грн
10+1108.83 грн
25+956.44 грн
50+940.91 грн
100+832.23 грн
250+825.24 грн
500+754.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1389.00 грн
10+942.11 грн
25+839.15 грн
100+693.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.11 грн
30+709.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100K
Код товару: 178240
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.14 грн
30+849.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1193.98 грн
5+1068.57 грн
10+943.17 грн
50+759.35 грн
100+700.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1220.91 грн
10+1068.66 грн
30+906.75 грн
60+807.38 грн
120+777.11 грн
270+739.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+511.71 грн
8550+469.84 грн
17100+439.46 грн
25650+401.81 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.05 грн
10+564.34 грн
25+481.01 грн
50+459.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+466.85 грн
4500+462.13 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+481.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.10 грн
5+802.95 грн
10+701.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+588.98 грн
24+526.71 грн
28+448.95 грн
50+428.60 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.25 грн
10+408.89 грн
120+299.66 грн
510+263.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+471.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.59 грн
10+468.22 грн
30+402.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.91 грн
30+371.91 грн
120+313.85 грн
510+254.63 грн
1020+250.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+675.11 грн
10+583.48 грн
30+483.27 грн
510+426.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+489.16 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D
Код товару: 167206
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+372.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+787.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+471.42 грн
1800+466.71 грн
9000+450.04 грн
18000+416.71 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+517.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.37 грн
10+381.22 грн
100+305.10 грн
500+263.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.39 грн
50+346.94 грн
100+319.26 грн
500+254.15 грн
1000+249.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+755.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+362.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+705.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+554.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+705.22 грн
100+591.47 грн
250+589.48 грн
500+504.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.80 грн
10+621.31 грн
100+467.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+723.29 грн
25+718.31 грн
50+687.86 грн
100+632.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.15 грн
10+731.19 грн
120+529.46 грн
510+471.23 грн
1020+400.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.19 грн
10+774.95 грн
25+769.62 грн
50+737.00 грн
100+677.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.97 грн
5+560.85 грн
10+534.72 грн
50+318.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.16 грн
30+281.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+274.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+256.52 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D
Код товару: 123313
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+271.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+256.52 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.19 грн
10+532.99 грн
30+419.99 грн
120+386.61 грн
270+364.10 грн
510+340.81 грн
1020+306.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J
Код товару: 118894
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.70 грн
10+562.45 грн
50+443.28 грн
100+407.57 грн
250+383.51 грн
500+359.44 грн
1000+323.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+545.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+288.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+651.07 грн
50+375.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.70 грн
10+562.45 грн
50+443.28 грн
100+407.57 грн
250+383.51 грн
500+359.44 грн
1000+323.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.97 грн
5+485.95 грн
10+357.06 грн
50+318.62 грн
100+281.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.33 грн
50+379.75 грн
100+349.87 грн
500+290.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+509.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+298.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+242.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+329.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+260.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.26 грн
10+396.39 грн
25+343.91 грн
100+308.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.81 грн
10+484.96 грн
100+358.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.23 грн
10+527.63 грн
30+335.37 грн
120+288.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+323.67 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.14 грн
30+298.24 грн
120+249.73 грн
510+200.99 грн
1020+190.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+251.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+346.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.13 грн
10+526.74 грн
30+381.18 грн
270+336.15 грн
510+302.77 грн
1020+288.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.14 грн
50+278.39 грн
100+255.19 грн
500+201.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+283.63 грн
46+272.77 грн
50+251.91 грн
100+208.08 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.89 грн
10+295.18 грн
25+292.25 грн
50+269.91 грн
100+222.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.00 грн
10+526.74 грн
50+315.97 грн
100+293.45 грн
500+288.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+427.56 грн
100+389.67 грн
250+385.77 грн
500+322.03 грн
1000+271.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+458.10 грн
100+417.50 грн
250+413.33 грн
500+345.03 грн
1000+290.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.06 грн
10+448.41 грн
100+330.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+409.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+243.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170DWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170J-TRWolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.92 грн
10+301.76 грн
100+222.81 грн
500+197.96 грн
800+169.24 грн
2400+159.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+223.93 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-3PF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.96 грн
30+246.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+239.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.67 грн
10+316.94 грн
30+194.86 грн
120+161.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M3000000000000NBAdvanced Energy / ExcelsysModular Power Supplies 3000W Fan cooled Standard CoolPac, Screw terminal, Normal leakage, 6 slots, 5V Aux , must be used with CoolX Mod
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M580000L002ABRACONAbracon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.