Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e)
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Panel Mount
Produktpalette: C Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.51 грн
10+ 879.75 грн
25+ 786.51 грн
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Packaging: Bulk
Features: Ground
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.95 грн
25+ 653.2 грн
100+ 592.25 грн
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+98119.06 грн
5+ 92797.73 грн
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+98119.06 грн
5+ 92797.73 грн
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
товар відсутній
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
товар відсутній
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3113.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3812.91 грн
10+ 3373.49 грн
25+ 3207.28 грн
50+ 2991.01 грн
100+ 2526.19 грн
500+ 2400.42 грн
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4106.22 грн
10+ 3632.99 грн
25+ 3453.99 грн
50+ 3221.09 грн
100+ 2720.51 грн
500+ 2585.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2415.96 грн
60+ 2101.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2513.73 грн
30+ 2380.47 грн
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0015065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mOhm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2871.32 грн
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2891.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 57220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2684.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2154.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2684.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3711.56 грн
30+ 2995.3 грн
120+ 2795.62 грн
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2640.35 грн
10+ 2480.22 грн
25+ 2476.42 грн
50+ 2351.39 грн
100+ 2042.36 грн
500+ 1948.96 грн
C3M0015065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3769.4 грн
10+ 3332.36 грн
30+ 2805.91 грн
60+ 2607.14 грн
120+ 2561.6 грн
270+ 2515.34 грн
510+ 2461.13 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2871.25 грн
10+ 2696.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2843.46 грн
10+ 2671 грн
25+ 2666.92 грн
50+ 2532.26 грн
100+ 2199.47 грн
500+ 2098.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2666.16 грн
10+ 2503.74 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4830.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2287.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+5260.97 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4614.36 грн
10+ 4565.78 грн
25+ 4508.86 грн
50+ 4318.56 грн
100+ 3974.27 грн
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5111.9 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4969.31 грн
10+ 4917 грн
25+ 4855.7 грн
50+ 4650.76 грн
100+ 4279.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+3814.94 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5665.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0016120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5936.6 грн
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6401.99 грн
30+ 5369.35 грн
120+ 5090.94 грн
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6872.62 грн
5+ 6429.1 грн
10+ 5985.57 грн
50+ 5300.53 грн
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5289.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0016120KWolfspeedMOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7147.53 грн
10+ 6431.98 грн
30+ 5335.71 грн
60+ 5217.89 грн
120+ 5088.51 грн
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2148.56 грн
10+ 2021.06 грн
25+ 1985.39 грн
C3M0021120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3085.51 грн
10+ 2723.91 грн
30+ 2299.23 грн
60+ 2156.11 грн
270+ 2113.47 грн
510+ 2040.46 грн
1020+ 1992.76 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2247.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2935.94 грн
10+ 2113.14 грн
100+ 1918.07 грн
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3230.36 грн
5+ 3073.87 грн
10+ 2918.19 грн
50+ 2564.43 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2313.83 грн
10+ 2176.52 грн
25+ 2138.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mOhm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2151.17 грн
10+ 1883.54 грн
25+ 1528.72 грн
50+ 1481.02 грн
100+ 1433.31 грн
250+ 1337.9 грн
500+ 1230.21 грн
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2880.43 грн
30+ 2324.71 грн
120+ 2169.72 грн
C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2674.94 грн
C3M0021120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2774.35 грн
10+ 2604.21 грн
30+ 2055.64 грн
60+ 2031.79 грн
120+ 1982.64 грн
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1738.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2090.12 грн
10+ 1912.53 грн
25+ 1810.07 грн
50+ 1727.13 грн
100+ 1399.97 грн
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2265.87 грн
30+ 1808.98 грн
120+ 1695.91 грн
C3M0025065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1313.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0025065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2195.87 грн
10+ 2004.07 грн
30+ 1498.36 грн
60+ 1421.02 грн
120+ 1402.23 грн
270+ 1393.56 грн
510+ 1387.78 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2111.37 грн
10+ 1880.65 грн
25+ 1861.68 грн
50+ 1544.9 грн
100+ 1374.9 грн
500+ 1208.67 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1443.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2256.49 грн
50+ 1801.71 грн
100+ 1689.12 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2021.82 грн
10+ 1816.9 грн
25+ 1798.69 грн
50+ 1509.04 грн
100+ 1345.76 грн
C3M0025065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 25 mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2426.08 грн
10+ 2126.26 грн
25+ 1723.88 грн
50+ 1670.39 грн
100+ 1616.9 грн
250+ 1509.21 грн
500+ 1387.78 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2177.34 грн
10+ 1956.66 грн
25+ 1937.05 грн
50+ 1625.12 грн
100+ 1449.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1410.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2426.08 грн
10+ 2126.26 грн
30+ 1723.88 грн
60+ 1670.39 грн
120+ 1616.9 грн
270+ 1509.21 грн
510+ 1387.78 грн
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1519.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1410.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1518.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1732.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1254.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2343.28 грн
10+ 2081.06 грн
25+ 1987.49 грн
100+ 1667.7 грн
250+ 1590.89 грн
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0025065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2510.4 грн
10+ 2198.58 грн
25+ 1783.87 грн
50+ 1728.21 грн
100+ 1672.56 грн
250+ 1560.53 грн
500+ 1434.76 грн
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0025075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1571.01 грн
10+ 1375.67 грн
30+ 1116.73 грн
60+ 1081.31 грн
120+ 1046.61 грн
270+ 976.5 грн
510+ 898.44 грн
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1146.83 грн
C3M0025075K1C3M0025075K1
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1235.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0025075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1407.38 грн
10+ 1249.84 грн
30+ 1193.65 грн
120+ 1001.6 грн
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3562.46 грн
10+ 3152.64 грн
25+ 2997.81 грн
50+ 2796.34 грн
100+ 2445.55 грн
500+ 2324.31 грн
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 149W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 87nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3433.21 грн
30+ 2770.46 грн
120+ 2585.76 грн
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3836.5 грн
10+ 3395.15 грн
25+ 3228.41 грн
50+ 3011.44 грн
100+ 2633.67 грн
500+ 2503.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2017.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0030090K
Код товару: 143865		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Reverse recovery time: 62ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 149W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 87nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3395.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3099.82 грн
5+ 2914.95 грн
10+ 2730.08 грн
50+ 2495.92 грн
100+ 2226.78 грн
C3M0030090KWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3457.39 грн
10+ 3186.07 грн
30+ 2533.41 грн
60+ 2472.7 грн
120+ 2417.04 грн
2520+ 2416.32 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2358.79 грн
10+ 2147.1 грн
25+ 2090.7 грн
50+ 1976.63 грн
100+ 1666.02 грн
500+ 1585.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1838.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1752.21 грн
5+ 1518.69 грн
10+ 1517.88 грн
50+ 1408.71 грн
100+ 1299.65 грн
200+ 1298.96 грн
C3M0032120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1893.13 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2190.3 грн
10+ 1993.74 грн
25+ 1941.37 грн
50+ 1835.44 грн
100+ 1547.02 грн
500+ 1472.13 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1838.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2613.81 грн
30+ 2086.36 грн
120+ 1955.97 грн
C3M0032120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2637.74 грн
10+ 2557.66 грн
25+ 2208.15 грн
50+ 1902.41 грн
100+ 1800.49 грн
2500+ 1775.2 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2176.52 грн
10+ 2006.52 грн
25+ 1969.74 грн
50+ 1867.08 грн
100+ 1579.18 грн
500+ 1478.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3308.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2541.88 грн
50+ 2029.43 грн
100+ 1902.59 грн
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2021.06 грн
10+ 1863.2 грн
25+ 1829.05 грн
50+ 1733.72 грн
100+ 1466.38 грн
500+ 1372.6 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2339.99 грн
10+ 2122.58 грн
25+ 2075.99 грн
50+ 1961.66 грн
100+ 1633.18 грн
500+ 1522.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2172.85 грн
10+ 1970.97 грн
25+ 1927.71 грн
50+ 1821.54 грн
100+ 1516.52 грн
500+ 1413.58 грн
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
товар відсутній
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0032120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1614.86 грн
10+ 1403.1 грн
25+ 1186.84 грн
50+ 1120.34 грн
100+ 1054.57 грн
250+ 1022.04 грн
500+ 955.54 грн
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2729.26 грн
5+ 2495.74 грн
10+ 2262.22 грн
50+ 2035.89 грн
100+ 1818.12 грн
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1419.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1977.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2541.88 грн
30+ 2029.41 грн
120+ 1902.59 грн
C3M0032120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2838.44 грн
10+ 2486.18 грн
30+ 2016.61 грн
60+ 1954.45 грн
120+ 1890.84 грн
270+ 1764.35 грн
510+ 1622.69 грн
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1838.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2129.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120D
Код товару: 198825		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2023.03 грн
5+ 1850.32 грн
10+ 1676.8 грн
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1897.61 грн
30+ 1514.69 грн
120+ 1420.03 грн
C3M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2118.29 грн
10+ 1855.28 грн
30+ 1504.87 грн
60+ 1457.89 грн
120+ 1410.91 грн
270+ 1316.94 грн
510+ 1211.41 грн
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+939.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2118.29 грн
10+ 1855.28 грн
25+ 1504.87 грн
50+ 1457.89 грн
100+ 1410.91 грн
250+ 1316.94 грн
500+ 1211.41 грн
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1950.78 грн
50+ 1557.2 грн
100+ 1459.87 грн
500+ 1169.09 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2118.29 грн
10+ 1855.28 грн
25+ 1504.87 грн
50+ 1457.89 грн
100+ 1410.91 грн
250+ 1316.94 грн
500+ 1211.41 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1999.25 грн
10+ 1710.93 грн
100+ 1496.38 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1326.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
товар відсутній
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1887.13 грн
10+ 1712.14 грн
25+ 1620.75 грн
50+ 1412.65 грн
C3M0040120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1152.75 грн
10+ 1000.79 грн
25+ 847.12 грн
50+ 800.14 грн
100+ 753.16 грн
250+ 729.31 грн
500+ 682.32 грн
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2118.29 грн
10+ 1855.28 грн
30+ 1504.87 грн
60+ 1457.89 грн
120+ 1410.91 грн
270+ 1316.94 грн
510+ 1211.41 грн
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2205.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+946.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1044.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1897.61 грн
30+ 1514.69 грн
120+ 1420.03 грн
510+ 1137.19 грн
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+746.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1434.74 грн
30+ 1118.68 грн
120+ 1052.9 грн
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1543.18 грн
10+ 1341.59 грн
30+ 1070.47 грн
120+ 1007.58 грн
270+ 975.78 грн
510+ 912.9 грн
1020+ 837.73 грн
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065J1MACOMMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
25+ 1133.35 грн
50+ 1070.47 грн
100+ 1007.58 грн
250+ 975.78 грн
500+ 912.9 грн
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0045065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
25+ 1133.35 грн
50+ 1070.47 грн
100+ 1007.58 грн
250+ 975.78 грн
500+ 912.9 грн
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.54 грн
100+ 794.76 грн
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.24 грн
50+ 806.31 грн
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
25+ 1133.35 грн
50+ 1070.47 грн
100+ 1007.58 грн
250+ 975.78 грн
500+ 912.9 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.22 грн
10+ 1134.92 грн
25+ 1123.61 грн
50+ 1069.65 грн
100+ 880.98 грн
500+ 776.92 грн
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+919.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0045065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1507.76 грн
10+ 1311.67 грн
30+ 1112.39 грн
60+ 1007.58 грн
120+ 973.61 грн
270+ 936.75 грн
510+ 888.32 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+845.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1369.01 грн
11+ 1222.22 грн
25+ 1210.04 грн
50+ 1151.93 грн
100+ 948.75 грн
500+ 836.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1420.67 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065KMACOMMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1494.27 грн
10+ 1300.03 грн
30+ 1109.5 грн
60+ 986.62 грн
120+ 949.76 грн
270+ 932.41 грн
1020+ 826.16 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
товар відсутній
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1339.95 грн
10+ 1163.71 грн
25+ 984.45 грн
50+ 929.52 грн
100+ 875.31 грн
250+ 847.84 грн
500+ 792.91 грн
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.78 грн
10+ 1061.69 грн
100+ 918.2 грн
500+ 780.91 грн
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.37 грн
10+ 756.83 грн
30+ 725.46 грн
120+ 599.85 грн
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0045075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920 грн
10+ 799.63 грн
30+ 676.54 грн
60+ 638.23 грн
120+ 599.92 грн
270+ 581.13 грн
510+ 543.55 грн
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.41 грн
C3M0045075K1C3M0045075K1
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+664.9 грн
Мінімальне замовлення: 19
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.52 грн
30+ 678.6 грн
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+750.54 грн
18+ 718.02 грн
25+ 710.82 грн
50+ 678.58 грн
100+ 604.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+675.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+581.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1298.63 грн
10+ 1127.97 грн
30+ 954.1 грн
60+ 900.61 грн
120+ 847.84 грн
270+ 821.1 грн
510+ 768.34 грн
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+783.38 грн
900+ 719.48 грн
4500+ 719.32 грн
9000+ 693.49 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+743.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+636.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.93 грн
10+ 666.73 грн
25+ 660.05 грн
50+ 630.11 грн
100+ 561.28 грн
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+727.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+590.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+833.61 грн
2700+ 776.74 грн
5400+ 733.64 грн
8100+ 675.19 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+533.51 грн
Мінімальне замовлення: 642
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+906.1 грн
100+ 852.21 грн
250+ 834.15 грн
500+ 730.66 грн
1000+ 615.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+975.8 грн
100+ 917.77 грн
250+ 898.32 грн
500+ 786.87 грн
1000+ 663.34 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.52 грн
50+ 678.57 грн
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+656.9 грн
100+ 595.89 грн
200+ 566.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+913.26 грн
50+ 784.67 грн
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+743.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
товар відсутній
C3M0060065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208 грн
30+ 941.5 грн
120+ 886.11 грн
510+ 753.62 грн
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.96 грн
10+ 902.99 грн
25+ 848.72 грн
50+ 772.96 грн
100+ 663.67 грн
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+859.5 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+581.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1298.63 грн
10+ 1127.97 грн
30+ 954.1 грн
60+ 900.61 грн
120+ 847.84 грн
270+ 821.1 грн
510+ 768.34 грн
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
товар відсутній
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1083.6 грн
10+ 941.77 грн
25+ 796.53 грн
50+ 752.43 грн
100+ 707.62 грн
250+ 685.94 грн
500+ 641.12 грн
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+994.54 грн
10+ 843.87 грн
100+ 729.83 грн
500+ 620.71 грн
1000+ 569.34 грн
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+586.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.82 грн
10+ 689.07 грн
30+ 657.07 грн
120+ 535.42 грн
270+ 511.35 грн
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+542.52 грн
Мінімальне замовлення: 23
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mOhm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.54 грн
10+ 720.67 грн
30+ 568.12 грн
120+ 521.14 грн
270+ 490.78 грн
510+ 459.7 грн
1020+ 414.16 грн
C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1106.79 грн
3+ 971.26 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1413.28 грн
5+ 1300.58 грн
10+ 1187.06 грн
50+ 1051.07 грн
100+ 919.48 грн
250+ 905.58 грн
C3M0065090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1469.81 грн
10+ 1344.91 грн
30+ 1058.18 грн
60+ 1009.03 грн
120+ 956.26 грн
270+ 941.81 грн
510+ 893.38 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+948.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.52 грн
30+ 1085.73 грн
120+ 1021.87 грн
510+ 869.08 грн
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 30.4nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1328.14 грн
3+ 1210.34 грн
120+ 1122.15 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090D
Код товару: 182273		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+730.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1329.78 грн
11+ 1223.94 грн
25+ 1211.68 грн
50+ 1145.23 грн
100+ 925.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1419.1 грн
50+ 1106.08 грн
100+ 1041.02 грн
500+ 885.37 грн
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 16ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 113W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1193.87 грн
3+ 1088.37 грн
C3M0065090J
Код товару: 148769		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1312.49 грн
100+ 1299.22 грн
250+ 1285.96 грн
500+ 1227.24 грн
1000+ 1124.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 16ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 113W
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+994.89 грн
3+ 873.38 грн
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+920.87 грн
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1287.6 грн
5+ 1248.68 грн
10+ 1209.76 грн
50+ 1010.41 грн
100+ 863.19 грн
250+ 862.5 грн
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 15218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1271.65 грн
10+ 1216.91 грн
25+ 1056.01 грн
50+ 937.47 грн
100+ 859.41 грн
500+ 817.49 грн
1000+ 816.76 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1234.8 грн
10+ 1136.51 грн
25+ 1125.13 грн
50+ 1063.43 грн
100+ 859.5 грн
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1419.1 грн
10+ 1203.69 грн
100+ 1041.02 грн
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1491.74 грн
10+ 1301.69 грн
25+ 1117.45 грн
50+ 1102.99 грн
100+ 984.45 грн
250+ 972.17 грн
500+ 957.71 грн
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+979.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1370.31 грн
10+ 1285.9 грн
25+ 1087.09 грн
50+ 1001.8 грн
100+ 967.11 грн
250+ 955.54 грн
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.66 грн
5+ 1273.01 грн
10+ 1223.55 грн
50+ 942.65 грн
100+ 840.26 грн
250+ 816.62 грн
500+ 776.32 грн
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1458.02 грн
10+ 1312.78 грн
25+ 1282.62 грн
50+ 1206.78 грн
100+ 994.14 грн
500+ 881.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1353.87 грн
10+ 1219.01 грн
25+ 1191 грн
50+ 1120.59 грн
100+ 923.13 грн
500+ 818.94 грн
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1498.07 грн
50+ 1195.57 грн
100+ 1120.86 грн
500+ 897.61 грн
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товар відсутній
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1285.98 грн
5+ 1175.71 грн
10+ 1065.44 грн
50+ 959.22 грн
100+ 856.94 грн
250+ 799.25 грн
C3M0065100K
Код товару: 126113		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1498.07 грн
30+ 1195.58 грн
120+ 1120.85 грн
510+ 897.6 грн
C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1645.21 грн
10+ 1473.75 грн
30+ 1146.36 грн
60+ 1045.89 грн
120+ 994.57 грн
270+ 988.79 грн
510+ 955.54 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.49 грн
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1672.2 грн
10+ 1463.78 грн
30+ 1187.56 грн
60+ 1150.7 грн
120+ 1113.83 грн
270+ 1039.39 грн
510+ 955.54 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1152.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 54nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 113.6W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1293.28 грн
2+ 842.51 грн
3+ 796.59 грн
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
30+ 1133.35 грн
60+ 1070.47 грн
120+ 1007.58 грн
270+ 975.78 грн
510+ 912.9 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1022.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.105Ω
Drain current: 19.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 54nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 113.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1551.94 грн
2+ 1049.9 грн
3+ 955.9 грн
1020+ 949.58 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+966.07 грн
14+ 910.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1100.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+710.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
30+ 1133.35 грн
60+ 1070.47 грн
120+ 1007.58 грн
270+ 975.78 грн
510+ 912.9 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.07 грн
10+ 845.08 грн
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1483.01 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1022.14 грн
900+ 1012.27 грн
4500+ 1001.95 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.36 грн
30+ 1077.55 грн
120+ 1014.17 грн
510+ 862.53 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1032.29 грн
1350+ 961.87 грн
2700+ 908.51 грн
4050+ 836.12 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.59 грн
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
30+ 1133.35 грн
60+ 1070.47 грн
120+ 1007.58 грн
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1420.67 грн
30+ 1107.77 грн
120+ 1042.62 грн
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+895.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120D-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1429.7 грн
30+ 1056.01 грн
120+ 1007.58 грн
270+ 975.78 грн
510+ 912.9 грн
1020+ 837.73 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1211.19 грн
100+ 1095.78 грн
250+ 1089.16 грн
500+ 966.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+725.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.63 грн
5+ 1241.39 грн
10+ 1237.33 грн
50+ 977.29 грн
100+ 873.62 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+888.79 грн
2000+ 888.64 грн
5000+ 888.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1333.2 грн
10+ 1182.83 грн
25+ 1022.76 грн
50+ 1006.14 грн
100+ 908.56 грн
250+ 903.5 грн
500+ 830.5 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1032.29 грн
2000+ 961.87 грн
4000+ 908.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1124.67 грн
100+ 1017.51 грн
250+ 1011.36 грн
500+ 897.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1138.41 грн
10+ 1121.32 грн
50+ 862.3 грн
100+ 834.11 грн
500+ 810.98 грн
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.36 грн
50+ 1077.56 грн
100+ 1014.17 грн
500+ 862.53 грн
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1576.53 грн
10+ 1392.63 грн
25+ 1362.88 грн
50+ 1155.08 грн
100+ 964.15 грн
500+ 868.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1405.03 грн
30+ 1121.7 грн
120+ 1051.58 грн
510+ 842.12 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1586.34 грн
10+ 1400.31 грн
25+ 1370.24 грн
50+ 1160.6 грн
100+ 968.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1574.38 грн
10+ 1367.36 грн
60+ 1028.54 грн
270+ 913.62 грн
510+ 881.82 грн
1020+ 855.8 грн
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+919.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+710.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.03 грн
10+ 1300.29 грн
25+ 1272.36 грн
50+ 1077.7 грн
100+ 899.07 грн
C3M0075120KWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
30+ 1133.35 грн
60+ 1070.47 грн
120+ 1007.58 грн
270+ 975.78 грн
510+ 912.9 грн
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+754.08 грн
5+ 722.45 грн
10+ 692.45 грн
50+ 642.24 грн
100+ 592.14 грн
250+ 591.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1463.92 грн
10+ 1293.16 грн
25+ 1265.53 грн
50+ 1072.58 грн
100+ 895.28 грн
500+ 806.38 грн
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
товар відсутній
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1583.07 грн
10+ 1385.28 грн
25+ 1335.17 грн
50+ 1205.68 грн
100+ 1009.03 грн
500+ 897.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
30+ 1133.35 грн
60+ 1070.47 грн
120+ 1007.58 грн
270+ 975.78 грн
510+ 912.9 грн
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1456.63 грн
10+ 1235.69 грн
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1469.99 грн
10+ 1286.33 грн
25+ 1239.8 грн
50+ 1119.56 грн
100+ 936.95 грн
500+ 833.58 грн
C3M0075120K-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1542.33 грн
10+ 1339.93 грн
30+ 1133.35 грн
60+ 1070.47 грн
120+ 1007.58 грн
270+ 975.78 грн
510+ 912.9 грн
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+613.9 грн
10+ 546.94 грн
30+ 423.56 грн
120+ 392.48 грн
270+ 382.36 грн
510+ 343.33 грн
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.61 грн
10+ 600.07 грн
30+ 572.17 грн
120+ 466.24 грн
270+ 445.28 грн
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.29 грн
10+ 415.06 грн
25+ 403 грн
50+ 386.56 грн
100+ 323.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
товар відсутній
C3M0120065D
Код товару: 178862		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.5 грн
10+ 391.01 грн
25+ 380.3 грн
50+ 364.89 грн
100+ 307.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.68 грн
10+ 394.83 грн
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.68 грн
10+ 403.38 грн
25+ 401.18 грн
50+ 382.31 грн
100+ 319.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.61 грн
10+ 600.07 грн
50+ 572.17 грн
100+ 466.24 грн
250+ 445.28 грн
500+ 405.99 грн
1000+ 347.81 грн
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+414.31 грн
900+ 355.79 грн
1800+ 348.58 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.61 грн
10+ 600.07 грн
30+ 572.17 грн
120+ 466.24 грн
270+ 445.28 грн
510+ 405.99 грн
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.74 грн
10+ 463.82 грн
30+ 390.31 грн
120+ 359.23 грн
270+ 349.84 грн
510+ 343.33 грн
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.98 грн
10+ 571.48 грн
25+ 539.99 грн
50+ 515.5 грн
100+ 393.63 грн
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+980.78 грн
2+ 739.34 грн
5+ 673.11 грн
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.84 грн
30+ 671.15 грн
120+ 631.67 грн
510+ 537.22 грн
C3M0120090D
Код товару: 165992		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.99 грн
10+ 657.93 грн
25+ 646.92 грн
50+ 618.69 грн
100+ 500.02 грн
500+ 397.21 грн
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+884.59 грн
10+ 772.2 грн
30+ 596.31 грн
120+ 576.79 грн
270+ 526.2 грн
510+ 505.24 грн
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+791.37 грн
5+ 724.88 грн
10+ 658.4 грн
50+ 606.85 грн
100+ 538.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+495.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.32 грн
2+ 593.3 грн
5+ 560.92 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+490.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+954.58 грн
10+ 826.23 грн
50+ 696.06 грн
100+ 604.26 грн
250+ 595.59 грн
500+ 531.98 грн
1000+ 519.69 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 24ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1030.41 грн
2+ 778.75 грн
4+ 709.25 грн
50+ 702.02 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 24ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.67 грн
2+ 624.92 грн
4+ 591.04 грн
50+ 585.02 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+498.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+504.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 6204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.01 грн
50+ 515.19 грн
C3M0120090J
Код товару: 126112		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.01 грн
10+ 541.35 грн
100+ 515.18 грн
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+535 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.7 грн
10+ 604.3 грн
50+ 524.75 грн
100+ 519.69 грн
C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
товар відсутній
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Reverse recovery time: 16ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1027.33 грн
2+ 652.78 грн
4+ 617.39 грн
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1308.75 грн
10+ 1137.94 грн
25+ 962.77 грн
50+ 907.84 грн
100+ 854.35 грн
250+ 827.61 грн
500+ 774.12 грн
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Reverse recovery time: 16ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1232.79 грн
2+ 813.46 грн
4+ 740.87 грн
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+565.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1222.07 грн
50+ 952.59 грн
100+ 896.56 грн
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.16 грн
10+ 1032.38 грн
25+ 890.49 грн
50+ 876.03 грн
100+ 774.84 грн
250+ 768.34 грн
500+ 702.56 грн
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
товар відсутній
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.86 грн
5+ 816.51 грн
10+ 744.34 грн
50+ 677.62 грн
100+ 612.3 грн
250+ 599.78 грн
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.5 грн
30+ 693.49 грн
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920 грн
30+ 791.32 грн
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100K
Код товару: 178240		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...15V
Mounting: THT
Case: TO247-4
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 0.17Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1136.72 грн
10+ 994.97 грн
30+ 844.23 грн
60+ 751.71 грн
120+ 723.52 грн
270+ 688.11 грн
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+504.45 грн
8550+ 463.18 грн
17100+ 433.23 грн
25650+ 396.11 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120D
Код товару: 167206		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+346.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+431.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+465.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mOhm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+799.42 грн
10+ 547.77 грн
30+ 404.05 грн
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.75 грн
5+ 610.56 грн
10+ 555.42 грн
50+ 493.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+482.22 грн
Мінімальне замовлення: 26
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+464.77 грн
900+ 431.84 грн
4500+ 430.24 грн
9000+ 410.63 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.2 грн
30+ 616.39 грн
120+ 551.5 грн
510+ 456.68 грн
1020+ 411.01 грн
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+695.21 грн
100+ 583.08 грн
250+ 581.11 грн
500+ 497.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 90W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+871.09 грн
10+ 790.49 грн
50+ 586.91 грн
100+ 532.7 грн
250+ 515.36 грн
500+ 469.82 грн
1000+ 416.33 грн
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+645.55 грн
100+ 541.43 грн
250+ 539.61 грн
500+ 461.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.2 грн
50+ 616.38 грн
100+ 551.5 грн
500+ 456.68 грн
1000+ 411.01 грн
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+337.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 90W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.4 грн
5+ 522.99 грн
10+ 433.8 грн
50+ 360.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.78 грн
10+ 313.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+275.27 грн
Мінімальне замовлення: 45
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 20ns
Gate charge: 9.5nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 54W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+366.5 грн
3+ 301.17 грн
4+ 292.13 грн
9+ 276.32 грн
10+ 270.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+167.57 грн
10+ 165.9 грн
25+ 164.23 грн
50+ 156.76 грн
100+ 143.72 грн
1000+ 136.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 8341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.46 грн
30+ 296.72 грн
120+ 274.93 грн
C3M0280090D
Код товару: 123313		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 20ns
Gate charge: 9.5nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 54W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.8 грн
3+ 375.3 грн
4+ 350.56 грн
9+ 331.58 грн
10+ 324.36 грн
30+ 318.94 грн
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+255.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+180.46 грн
69+ 178.67 грн
70+ 176.87 грн
71+ 168.82 грн
100+ 154.78 грн
1000+ 147.05 грн
Мінімальне замовлення: 68
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+252.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 20ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 50W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.47 грн
3+ 319.24 грн
8+ 301.92 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.77 грн
50+ 438.86 грн
100+ 392.65 грн
500+ 325.14 грн
1000+ 292.62 грн
C3M0280090J
Код товару: 118894		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Reverse recovery time: 20ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+635.37 грн
3+ 397.82 грн
8+ 362.3 грн
1000+ 347.85 грн
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.8 грн
10+ 523.67 грн
50+ 412.72 грн
100+ 379.47 грн
250+ 357.06 грн
500+ 334.66 грн
1000+ 301.41 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+268.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+435.4 грн
100+ 362.32 грн
250+ 354.8 грн
500+ 298.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+597.58 грн
5+ 574.88 грн
10+ 551.37 грн
50+ 443.47 грн
100+ 365.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+280.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.8 грн
10+ 523.67 грн
50+ 412.72 грн
100+ 379.47 грн
250+ 357.06 грн
500+ 334.66 грн
1000+ 301.41 грн
C3M0280090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.92 грн
10+ 436.39 грн
25+ 344.05 грн
100+ 316.59 грн
250+ 297.79 грн
500+ 287.67 грн
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 15132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.16 грн
10+ 322.25 грн
100+ 278.11 грн
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+288.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.95 грн
30+ 399.72 грн
120+ 357.64 грн
510+ 296.14 грн
1020+ 266.53 грн
2010+ 249.75 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+296.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.17 грн
10+ 490.42 грн
30+ 354.89 грн
270+ 312.97 грн
510+ 281.89 грн
1020+ 268.88 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+319.08 грн
Мінімальне замовлення: 39
C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.32 грн
10+ 491.25 грн
30+ 387.42 грн
120+ 354.89 грн
270+ 333.93 грн
510+ 312.97 грн
1020+ 268.88 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+234.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Power dissipation: 40.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 525mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.95 грн
50+ 399.72 грн
100+ 357.64 грн
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.43 грн
10+ 490.42 грн
50+ 350.56 грн
100+ 319.48 грн
1000+ 268.88 грн
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedGen 3 1200V 350 m¿ SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+226.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M580000L002ABRACONAbracon
товар відсутній