Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Features: Ground
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+810.13 грн
25+664.84 грн
100+602.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e)
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Panel Mount
Produktpalette: C Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.48 грн
25+771.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+99867.75 грн
5+94451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+99867.75 грн
5+94451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2449.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4034.85 грн
10+3646.41 грн
30+2558.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2877.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3099.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2274.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3777.71 грн
30+2587.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2459.02 грн
60+2139.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4086.52 грн
10+3615.56 грн
25+3437.43 грн
50+3205.64 грн
100+2707.46 грн
500+2572.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2672.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2672.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2009.85 грн
10+1990.22 грн
25+1901.85 грн
50+1815.71 грн
100+1664.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3021.69 грн
30+2587.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2192.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2945.32 грн
10+2916.04 грн
25+2692.35 грн
50+2570.31 грн
100+2355.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed(CREE)C3M0015065K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2164.46 грн
10+2143.31 грн
25+2048.14 грн
50+1955.38 грн
100+1792.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2734.94 грн
10+2707.75 грн
25+2500.04 грн
50+2386.72 грн
100+2187.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3836.58 грн
10+3391.75 грн
30+2855.92 грн
60+2653.60 грн
120+2607.26 грн
270+2560.17 грн
510+2505.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4807.17 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2276.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+3882.93 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+5234.23 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6172.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4243.28 грн
10+4210.04 грн
25+4179.07 грн
50+4003.60 грн
100+3690.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5565.10 грн
30+5145.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4569.68 грн
10+4533.89 грн
25+4500.54 грн
50+4311.57 грн
100+3974.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+5636.86 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6781.08 грн
10+6426.85 грн
25+5862.64 грн
50+5545.47 грн
100+4867.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6723.89 грн
30+6084.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6600.45 грн
30+5145.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7302.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeed(CREE)C3M0016120K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7084.24 грн
5+6409.98 грн
10+5734.90 грн
50+5218.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5264.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5193.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3840.06 грн
10+3809.97 грн
25+3779.06 грн
50+3615.07 грн
100+3320.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3565.77 грн
10+3537.83 грн
25+3509.12 грн
50+3356.85 грн
100+3083.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4306.07 грн
10+3782.62 грн
30+3093.54 грн
60+2989.08 грн
120+2886.08 грн
270+2783.08 грн
510+2654.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3358.91 грн
5+3156.71 грн
10+2953.69 грн
50+2512.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2302.74 грн
10+2166.08 грн
25+2127.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2138.25 грн
10+2011.36 грн
25+1975.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3404.00 грн
10+2950.97 грн
30+2350.50 грн
60+2306.36 грн
120+2017.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2236.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3049.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1830.85 грн
10+1817.25 грн
25+1802.90 грн
50+1725.40 грн
100+1584.78 грн
250+1509.74 грн
500+1497.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1971.68 грн
10+1957.04 грн
25+1941.59 грн
50+1858.13 грн
100+1706.69 грн
250+1625.87 грн
500+1612.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2236.72 грн
10+1958.57 грн
25+1589.07 грн
50+1539.78 грн
100+1489.76 грн
250+1391.17 грн
500+1278.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3217.81 грн
10+3078.72 грн
25+2688.29 грн
50+2527.96 грн
100+2192.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2496.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3049.54 грн
30+2004.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3201.44 грн
10+3003.42 грн
30+2302.68 грн
60+2255.60 грн
120+2154.81 грн
270+2154.08 грн
510+2133.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2684.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3136.90 грн
5+3056.03 грн
10+2975.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+2460.54 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1769.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2987.97 грн
10+2858.81 грн
25+2496.27 грн
50+2347.39 грн
100+2035.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2236.72 грн
10+1958.57 грн
30+1589.07 грн
60+1539.05 грн
120+1489.02 грн
270+1390.44 грн
510+1278.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1851.24 грн
10+1836.89 грн
25+1823.29 грн
50+1744.34 грн
100+1602.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1993.64 грн
10+1978.19 грн
25+1963.55 грн
50+1878.52 грн
100+1725.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1987.93 грн
30+1361.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1683.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1348.59 грн
10+1301.99 грн
25+1210.22 грн
50+1135.90 грн
100+1035.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1452.33 грн
10+1402.14 грн
25+1303.31 грн
50+1223.27 грн
100+1115.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1351.84 грн
10+1280.31 грн
25+1267.47 грн
50+1138.95 грн
100+984.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2308.81 грн
10+2203.07 грн
25+1881.87 грн
50+1443.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1455.82 грн
10+1378.79 грн
25+1364.97 грн
50+1226.57 грн
100+1059.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1544.59 грн
10+1464.53 грн
25+1450.18 грн
50+1304.43 грн
100+1128.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2382.65 грн
50+1459.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1361.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2051.39 грн
10+1896.85 грн
25+1529.19 грн
50+1459.68 грн
100+1318.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1403.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1981.57 грн
30+1356.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1277.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1605.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1724.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1490.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1511.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1724.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2392.07 грн
10+1945.88 грн
30+1641.31 грн
60+1608.20 грн
120+1576.57 грн
270+1505.20 грн
510+1444.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1904.87 грн
10+1761.36 грн
25+1419.96 грн
50+1355.41 грн
100+1224.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2388.26 грн
10+2106.53 грн
25+1948.67 грн
50+1857.96 грн
100+1610.41 грн
250+1445.64 грн
500+1250.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2396.18 грн
10+1687.55 грн
25+1526.08 грн
100+1413.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2555.15 грн
10+2237.76 грн
25+1815.66 грн
50+1759.02 грн
100+1702.37 грн
250+1588.34 грн
500+1460.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2571.97 грн
10+2268.57 грн
25+2098.57 грн
50+2000.88 грн
100+1734.28 грн
250+1556.85 грн
500+1346.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1456.80 грн
10+1445.41 грн
25+1434.02 грн
50+1372.61 грн
100+1260.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1599.86 грн
10+1401.03 грн
30+1137.36 грн
60+1100.58 грн
120+1065.27 грн
270+993.91 грн
510+914.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1352.74 грн
10+1342.17 грн
25+1331.59 грн
50+1274.57 грн
100+1170.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1586.84 грн
10+1222.84 грн
30+1133.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2053.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2863.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3692.32 грн
5+3584.21 грн
10+3476.10 грн
50+2413.19 грн
100+2182.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2852.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3063.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3584.33 грн
30+2426.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3389.03 грн
10+3181.32 грн
25+2852.01 грн
50+2703.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3519.01 грн
10+3242.85 грн
30+2578.56 грн
60+2516.77 грн
120+2460.12 грн
2520+2459.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3818.10 грн
10+3378.86 грн
25+3212.93 грн
50+2997.00 грн
100+2621.04 грн
500+2491.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090K
Код товару: 143865
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3649.73 грн
10+3426.04 грн
25+3071.40 грн
50+2911.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2013.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2159.83 грн
30+1706.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2307.10 грн
30+1939.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.12 грн
10+827.73 грн
25+790.23 грн
50+724.35 грн
100+688.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2013.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2229.09 грн
5+2071.46 грн
10+1913.83 грн
50+1630.76 грн
100+1474.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+891.41 грн
25+882.54 грн
50+842.47 грн
100+772.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3292.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1966.05 грн
10+1884.47 грн
25+1845.95 грн
50+1716.66 грн
100+1517.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2328.76 грн
10+2112.40 грн
25+2066.04 грн
50+1952.25 грн
100+1625.35 грн
500+1515.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2595.93 грн
50+1640.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2428.12 грн
10+2347.74 грн
25+2040.78 грн
50+1686.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2117.28 грн
10+2029.43 грн
25+1987.95 грн
50+1848.71 грн
100+1634.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1081.01 грн
25+1072.06 грн
50+1025.15 грн
100+941.22 грн
250+895.90 грн
500+888.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1643.64 грн
10+1428.11 грн
25+1207.99 грн
50+1140.31 грн
100+1073.36 грн
250+1040.25 грн
500+972.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1012.10 грн
10+1003.79 грн
25+995.49 грн
50+951.92 грн
100+873.99 грн
250+831.91 грн
500+824.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2883.01 грн
10+2585.48 грн
30+1686.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2825.75 грн
10+2586.61 грн
25+2377.57 грн
50+2241.67 грн
100+1892.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2623.91 грн
10+2401.85 грн
25+2207.74 грн
50+2081.55 грн
100+1757.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2118.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2595.93 грн
30+2030.56 грн
120+1916.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2851.36 грн
5+2692.90 грн
10+2533.62 грн
50+2305.90 грн
100+2084.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1444.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 103530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2013.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2118.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1967.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1830.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1386.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2025.37 грн
8+1643.07 грн
10+1537.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D
Код товару: 198825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1287.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2114.84 грн
10+1716.60 грн
30+1443.41 грн
60+1411.77 грн
120+1381.61 грн
270+1318.34 грн
510+1264.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2056.37 грн
30+1281.49 грн
120+1224.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2082.19 грн
5+1903.93 грн
10+1725.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2056.37 грн
50+1224.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2156.90 грн
10+2053.32 грн
25+1751.66 грн
50+1516.98 грн
100+1436.05 грн
250+1406.62 грн
500+1250.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+934.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2072.29 грн
10+1457.42 грн
100+1234.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.08 грн
10+1703.93 грн
25+1612.98 грн
50+1405.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1165.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2156.04 грн
10+1888.35 грн
25+1531.69 грн
50+1483.87 грн
100+1436.05 грн
250+1340.41 грн
500+1233.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1026.27 грн
25+1018.62 грн
50+974.79 грн
100+895.68 грн
250+853.16 грн
500+846.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.04 грн
10+1040.62 грн
25+880.61 грн
50+832.06 грн
100+782.77 грн
250+758.49 грн
500+709.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.06 грн
10+952.96 грн
25+945.86 грн
50+905.16 грн
100+831.71 грн
250+792.22 грн
500+786.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1877.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1332.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 223A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1333.10 грн
1800+1324.04 грн
4500+1310.45 грн
9000+1251.26 грн
18000+1146.44 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1717.09 грн
10+1593.45 грн
25+1499.91 грн
50+1422.81 грн
100+1127.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1435.65 грн
1800+1425.89 грн
4500+1411.25 грн
9000+1347.51 грн
18000+1234.62 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.44 грн
10+1479.63 грн
25+1392.77 грн
50+1321.18 грн
100+1047.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1342.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2195.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+963.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2056.37 грн
30+1281.49 грн
120+1224.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1435.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1743.23 грн
10+1592.17 грн
25+1479.63 грн
50+1399.84 грн
100+1079.67 грн
1000+1027.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2151.75 грн
10+1975.49 грн
30+1525.80 грн
60+1497.11 грн
120+1397.80 грн
270+1352.92 грн
510+1233.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.54 грн
10+964.29 грн
25+956.97 грн
50+915.80 грн
100+841.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.04 грн
10+1040.62 грн
30+880.61 грн
60+831.32 грн
120+782.03 грн
270+757.75 грн
510+708.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1038.47 грн
25+1030.58 грн
50+986.24 грн
100+906.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1475.41 грн
10+1399.34 грн
30+843.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1531.93 грн
30+921.11 грн
120+847.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.49 грн
50+860.56 грн
100+819.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1131.23 грн
25+1114.23 грн
50+843.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.59 грн
100+790.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1549.44 грн
10+1069.50 грн
100+847.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1631.62 грн
10+1176.83 грн
100+843.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1265.13 грн
10+1129.48 грн
25+1118.22 грн
50+1064.52 грн
100+876.75 грн
500+773.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+915.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+841.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1362.44 грн
11+1216.36 грн
25+1204.24 грн
50+1146.41 грн
100+944.20 грн
500+832.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1589.56 грн
10+1511.86 грн
30+898.27 грн
120+843.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1387.89 грн
10+951.86 грн
100+736.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1437.64 грн
10+1047.39 грн
100+732.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.50 грн
10+950.26 грн
100+734.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.39 грн
10+769.58 грн
25+763.76 грн
50+730.87 грн
100+671.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+828.77 грн
25+822.51 грн
50+787.10 грн
100+723.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.14 грн
10+830.81 грн
30+703.31 грн
60+663.58 грн
120+623.86 грн
270+604.73 грн
510+565.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.62 грн
10+770.32 грн
30+738.39 грн
120+610.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+404.69 грн
4500+403.86 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.53 грн
30+798.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+435.82 грн
4500+434.92 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.43 грн
30+716.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+592.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+553.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed(CREE)C3M0060065D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+697.17 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+649.09 грн
24+527.90 грн
50+523.83 грн
100+472.18 грн
200+421.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+647.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.08 грн
50+690.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+668.61 грн
100+606.51 грн
200+576.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+184.82 грн
100+183.01 грн
250+174.65 грн
500+160.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed(CREE)C3M0060065J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+199.04 грн
100+197.09 грн
250+195.05 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+553.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+955.28 грн
10+940.79 грн
50+709.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+687.32 грн
19+662.92 грн
50+528.71 грн
100+509.04 грн
200+469.88 грн
1000+409.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1359.24 грн
10+931.17 грн
100+718.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+861.15 грн
25+698.87 грн
100+642.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.46 грн
10+1112.48 грн
25+763.61 грн
100+680.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1321.78 грн
10+1151.45 грн
30+916.66 грн
120+862.95 грн
270+835.73 грн
510+782.03 грн
1020+718.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1221.73 грн
11+1198.06 грн
25+822.35 грн
100+733.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+514.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+592.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+553.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+649.91 грн
20+626.32 грн
50+614.93 грн
100+552.18 грн
200+499.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.57 грн
10+799.64 грн
25+648.95 грн
100+596.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.64 грн
30+791.98 грн
120+716.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+630.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeed(CREE)C3M0060065K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1181.78 грн
10+802.81 грн
100+613.90 грн
500+561.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1103.77 грн
10+959.40 грн
25+821.02 грн
50+796.74 грн
100+720.97 грн
250+708.46 грн
500+653.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1089.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065UWolfspeedC3M0060065U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+390.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+420.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+891.31 грн
10+588.32 грн
30+505.88 грн
120+403.58 грн
270+388.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.74 грн
10+733.51 грн
30+578.25 грн
120+530.43 грн
270+499.53 грн
510+467.89 грн
1020+421.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D
Код товару: 182273
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+699.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1526.36 грн
30+924.17 грн
120+831.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+743.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1041.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3; TO247-3
Technology: C3M™; SiC; C3M™; SiC
Mounting: THT; THT
Power dissipation: 125W; 125W
Gate charge: 30.4nC; 30.4nC
Kind of channel: enhancement; enhancement
Gate-source voltage: -8...19V; -8...19V
Reverse recovery time: 30ns; 30ns
Drain-source voltage: 900V; 900V
Drain current: 36A; 36A
On-state resistance: 78mΩ; 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET; N-MOSFET
Polarisation: unipolar; unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1308.24 грн
3+1192.76 грн
120+1107.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1533.77 грн
10+1412.03 грн
30+1070.42 грн
60+1063.06 грн
120+1001.26 грн
270+983.61 грн
510+907.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1435.17 грн
5+1289.09 грн
10+1143.02 грн
50+925.73 грн
100+811.37 грн
250+768.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+649.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Case: TO247-3; TO247-3
Technology: C3M™; SiC; C3M™; SiC
Mounting: THT; THT
Power dissipation: 125W; 125W
Gate charge: 30.4nC; 30.4nC
Kind of channel: enhancement; enhancement
Gate-source voltage: -8...19V; -8...19V
Reverse recovery time: 30ns; 30ns
Drain-source voltage: 900V; 900V
Drain current: 36A; 36A
On-state resistance: 78mΩ; 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET; N-MOSFET
Polarisation: unipolar; unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1090.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1302.03 грн
10+1241.98 грн
25+1077.77 грн
50+838.68 грн
100+827.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1189.23 грн
5+1183.46 грн
10+1176.86 грн
50+849.87 грн
100+768.93 грн
250+768.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+863.53 грн
10+849.64 грн
50+738.23 грн
100+704.73 грн
500+649.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+929.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+941.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1241.46 грн
50+849.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)C3M0065090J-TR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+870.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+882.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1516.61 грн
10+1324.04 грн
25+1135.16 грн
50+1104.26 грн
100+1011.56 грн
250+996.11 грн
500+926.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+937.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1327.41 грн
10+1020.99 грн
100+849.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1451.02 грн
10+1306.48 грн
25+1276.47 грн
50+1201.00 грн
100+989.37 грн
500+877.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.45 грн
10+1316.43 грн
25+1113.09 грн
50+972.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1347.38 грн
10+1213.16 грн
25+1185.29 грн
50+1115.21 грн
100+918.70 грн
500+815.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1410.17 грн
50+999.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.48 грн
5+1353.47 грн
10+1320.45 грн
50+1000.07 грн
100+919.60 грн
250+918.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeed(CREE)C3M0065100J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1725.32 грн
10+1200.16 грн
100+978.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1702.00 грн
10+1489.87 грн
30+1208.73 грн
60+1171.21 грн
120+1133.69 грн
270+1057.91 грн
510+972.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1688.62 грн
10+1531.63 грн
25+1373.83 грн
50+1202.41 грн
100+967.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1684.39 грн
10+1528.38 грн
25+1371.23 грн
50+1200.37 грн
100+965.55 грн
1000+917.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1564.08 грн
10+1419.21 грн
25+1273.28 грн
50+1114.63 грн
100+896.58 грн
1000+851.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100K
Код товару: 126113
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1691.83 грн
5+1623.33 грн
10+1554.84 грн
50+922.67 грн
100+850.99 грн
250+831.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1762.72 грн
30+1080.74 грн
120+999.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1640.20 грн
10+1369.73 грн
30+972.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1564.08 грн
10+1419.21 грн
25+1273.28 грн
50+1114.63 грн
100+896.58 грн
1000+851.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1146.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1670.79 грн
10+1512.96 грн
30+1355.12 грн
60+1183.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2040.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1568.00 грн
10+1422.23 грн
25+1275.70 грн
50+1116.52 грн
100+898.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1309.57 грн
12+1016.75 грн
13+967.95 грн
50+800.04 грн
100+716.81 грн
200+592.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1569.82 грн
10+1363.81 грн
30+1153.55 грн
60+1089.54 грн
120+1025.54 грн
270+993.17 грн
510+929.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+460.05 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3; TO247-3
Technology: C3M™; SiC; C3M™; SiC
Mounting: THT; THT
Power dissipation: 113.6W; 113.6W
Gate charge: 54nC; 54nC
Kind of channel: enhancement; enhancement
Gate-source voltage: -8...19V; -8...19V
Pulsed drain current: 80A; 80A
Drain-source voltage: 1.2kV; 1.2kV
Drain current: 19.7A; 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω; 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET; N-MOSFET
Polarisation: unipolar; unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1532.06 грн
2+981.71 грн
4+893.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+767.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1472.25 грн
11+1146.89 грн
50+988.28 грн
100+849.71 грн
200+787.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1569.82 грн
10+1363.81 грн
30+1153.55 грн
60+1089.54 грн
120+1025.54 грн
270+993.17 грн
510+929.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+712.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+722.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+495.44 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1576.29 грн
5+1525.12 грн
10+1473.96 грн
50+941.06 грн
100+826.23 грн
250+783.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.31 грн
30+908.47 грн
120+819.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3; TO247-3
Technology: C3M™; SiC; C3M™; SiC
Mounting: THT; THT
Power dissipation: 113.6W; 113.6W
Gate charge: 54nC; 54nC
Kind of channel: enhancement; enhancement
Gate-source voltage: -8...19V; -8...19V
Pulsed drain current: 80A; 80A
Drain-source voltage: 1.2kV; 1.2kV
Drain current: 19.7A; 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω; 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET; N-MOSFET
Polarisation: unipolar; unipolar
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1276.71 грн
2+787.79 грн
4+744.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.14 грн
10+569.50 грн
25+523.50 грн
100+500.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+735.31 грн
18+717.42 грн
50+691.01 грн
100+638.37 грн
200+548.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1569.82 грн
10+1363.81 грн
30+1153.55 грн
60+1089.54 грн
120+1025.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.19 грн
30+901.85 грн
120+850.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+613.30 грн
25+563.77 грн
100+539.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1515.75 грн
10+1398.49 грн
30+1088.81 грн
60+1056.44 грн
120+992.43 грн
270+976.99 грн
510+910.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1158.70 грн
10+1141.30 грн
50+877.67 грн
100+848.98 грн
500+825.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1464.71 грн
2+1136.42 грн
3+1034.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1273.30 грн
50+819.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+460.05 грн
2000+455.45 грн
3000+450.84 грн
5000+430.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+495.44 грн
2000+490.48 грн
3000+485.52 грн
5000+463.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+738.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.18 грн
5+1457.45 грн
10+1446.72 грн
50+1193.95 грн
100+964.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1220.60 грн
2+911.94 грн
3+862.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+904.62 грн
100+863.01 грн
250+854.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1356.97 грн
10+1203.91 грн
25+1040.99 грн
50+1024.07 грн
100+924.75 грн
250+919.60 грн
500+845.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+974.21 грн
100+929.39 грн
250+920.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1382.78 грн
11+1155.03 грн
12+1098.09 грн
50+624.34 грн
100+576.64 грн
200+552.18 грн
1000+495.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.31 грн
10+1034.71 грн
100+819.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+517.16 грн
25+509.11 грн
50+483.08 грн
100+440.11 грн
250+415.53 грн
500+408.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1083.10 грн
10+724.19 грн
25+641.15 грн
100+513.54 грн
250+504.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+487.77 грн
10+480.22 грн
25+472.74 грн
50+448.58 грн
100+408.67 грн
250+385.85 грн
500+379.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1013.65 грн
10+879.88 грн
25+745.25 грн
50+704.05 грн
100+662.11 грн
250+641.51 грн
500+600.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1622.66 грн
30+990.03 грн
120+906.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+751.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1573.82 грн
5+1541.63 грн
10+1509.44 грн
50+905.04 грн
100+834.72 грн
250+804.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.80 грн
2+599.33 грн
10+594.80 грн
25+527.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1590.28 грн
10+1524.91 грн
25+1433.24 грн
60+1281.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+408.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1570.68 грн
10+1417.11 грн
30+1081.45 грн
60+1002.73 грн
120+970.36 грн
270+965.21 грн
510+898.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+808.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+503.17 грн
4500+498.13 грн
9000+493.16 грн
18000+470.77 грн
45000+431.54 грн
99000+410.16 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+622.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+467.23 грн
4500+462.55 грн
9000+457.94 грн
18000+437.14 грн
45000+400.71 грн
99000+380.87 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+645.43 грн
20+640.55 грн
25+588.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+689.76 грн
50+663.56 грн
100+612.96 грн
200+519.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+622.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+379.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+722.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1602.44 грн
10+1391.73 грн
60+1046.88 грн
270+929.90 грн
510+897.53 грн
1020+871.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.63 грн
10+731.28 грн
25+622.44 грн
100+583.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1569.82 грн
10+1363.81 грн
30+1153.55 грн
60+1089.54 грн
120+1025.54 грн
270+993.17 грн
510+929.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1570.68 грн
10+1445.87 грн
30+1090.28 грн
60+1089.54 грн
120+1025.54 грн
270+1007.88 грн
510+949.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+787.53 грн
25+670.32 грн
100+628.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1555.81 грн
30+942.85 грн
120+850.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+699.52 грн
50+673.76 грн
100+622.40 грн
200+542.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.30 грн
30+736.73 грн
120+662.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+471.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1013.65 грн
10+879.88 грн
30+745.25 грн
60+703.31 грн
120+661.38 грн
270+640.78 грн
510+599.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+286.97 грн
45+275.01 грн
47+263.79 грн
50+253.42 грн
100+213.59 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.47 грн
10+255.37 грн
25+244.94 грн
50+235.32 грн
100+198.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.84 грн
10+556.69 грн
30+431.11 грн
120+399.48 грн
270+389.18 грн
510+349.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+617.53 грн
23+551.08 грн
25+496.58 грн
50+474.77 грн
100+355.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+386.36 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.42 грн
10+511.72 грн
25+461.11 грн
50+440.86 грн
100+329.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.87 грн
10+528.31 грн
25+469.79 грн
100+379.47 грн
250+349.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065D
Код товару: 178862
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.53 грн
10+418.42 грн
50+343.81 грн
100+314.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.63 грн
10+401.44 грн
25+399.25 грн
50+380.48 грн
100+318.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.55 грн
10+401.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.87 грн
10+528.31 грн
25+469.79 грн
100+379.47 грн
250+349.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.85 грн
10+578.69 грн
30+456.86 грн
120+404.62 грн
270+372.99 грн
510+353.86 грн
1020+349.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+412.32 грн
900+354.08 грн
1800+346.91 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.92 грн
10+568.74 грн
25+537.40 грн
50+513.03 грн
100+391.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+654.02 грн
10+552.46 грн
25+435.52 грн
100+400.21 грн
250+376.67 грн
500+353.13 грн
1000+317.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+367.74 грн
35+356.03 грн
36+342.77 грн
50+327.23 грн
100+284.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3; TO247-3
Technology: C3M™; SiC; C3M™; SiC
Mounting: THT; THT
Power dissipation: 97W; 97W
Gate charge: 17.3nC; 17.3nC
Kind of channel: enhancement; enhancement
Gate-source voltage: -8...19V; -8...19V
Reverse recovery time: 24ns; 24ns
Drain-source voltage: 900V; 900V
Drain current: 23A; 23A
On-state resistance: 0.12Ω; 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET; N-MOSFET
Polarisation: unipolar; unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+967.56 грн
2+750.61 грн
5+683.26 грн
30+665.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.35 грн
10+785.97 грн
30+606.94 грн
120+587.07 грн
270+535.58 грн
510+514.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+341.47 грн
10+330.59 грн
25+318.28 грн
50+303.86 грн
100+264.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D
Код товару: 165992
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+794.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.26 грн
5+1000.24 грн
10+967.23 грн
50+630.69 грн
100+541.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3; TO247-3
Technology: C3M™; SiC; C3M™; SiC
Mounting: THT; THT
Power dissipation: 97W; 97W
Gate charge: 17.3nC; 17.3nC
Kind of channel: enhancement; enhancement
Gate-source voltage: -8...19V; -8...19V
Reverse recovery time: 24ns; 24ns
Drain-source voltage: 900V; 900V
Drain current: 23A; 23A
On-state resistance: 0.12Ω; 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET; N-MOSFET
Polarisation: unipolar; unipolar
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.30 грн
2+602.34 грн
5+569.39 грн
30+554.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+506.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.96 грн
30+629.26 грн
120+584.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+488.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+515.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J
Код товару: 126112
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.98 грн
50+543.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+586.71 грн
22+567.35 грн
25+561.65 грн
50+456.02 грн
100+420.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.80 грн
10+526.82 грн
25+521.53 грн
50+423.45 грн
100+390.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.59 грн
10+840.96 грн
50+708.46 грн
100+615.03 грн
250+606.20 грн
500+541.46 грн
1000+528.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+495.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+527.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.09 грн
10+615.07 грн
25+534.10 грн
50+533.37 грн
100+528.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.67 грн
10+629.70 грн
100+508.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1332.07 грн
10+1160.76 грн
25+982.14 грн
50+924.02 грн
100+869.58 грн
250+842.36 грн
500+787.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1360.04 грн
50+770.93 грн
100+719.19 грн
500+673.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1209.34 грн
10+1050.77 грн
25+906.36 грн
50+891.65 грн
100+788.65 грн
250+782.03 грн
500+715.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+575.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1316.27 грн
10+892.78 грн
25+795.21 грн
100+657.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.47 грн
30+672.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeed(CREE)C3M0120100K THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.40 грн
30+805.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1131.46 грн
5+1012.62 грн
10+893.78 грн
50+719.59 грн
100+663.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100K
Код товару: 178240
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1156.98 грн
10+1012.70 грн
30+859.28 грн
60+765.11 грн
120+736.42 грн
270+700.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+458.03 грн
4500+453.39 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+408.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+577.84 грн
24+516.75 грн
28+440.46 грн
50+420.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+462.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D
Код товару: 167206
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.71 грн
10+571.92 грн
30+420.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+479.91 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 256mΩ
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 38nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.32 грн
3+376.27 грн
7+356.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.31 грн
30+394.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+772.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+352.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+400.84 грн
1800+396.83 грн
9000+382.66 грн
18000+354.32 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 97W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 256mΩ
Drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 38nC
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+842.78 грн
3+468.89 грн
7+427.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+502.03 грн
8550+460.95 грн
17100+431.15 грн
25650+394.21 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.57 грн
10+479.84 грн
25+408.99 грн
50+390.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.82 грн
5+760.91 грн
10+665.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+642.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+846.28 грн
10+764.81 грн
50+432.58 грн
100+420.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+691.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.49 грн
50+447.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+343.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+471.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed(CREE)C3M0160120J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+691.88 грн
100+580.28 грн
250+578.33 грн
500+494.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+507.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.17 грн
10+588.78 грн
100+442.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.38 грн
10+658.92 грн
25+654.39 грн
50+626.65 грн
100+576.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.50 грн
10+764.81 грн
30+603.99 грн
120+553.97 грн
270+521.60 грн
510+488.49 грн
1020+439.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+709.61 грн
25+704.73 грн
50+674.85 грн
100+620.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+251.67 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+257.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.24 грн
5+531.48 грн
10+506.72 грн
50+301.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+251.67 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+226.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.09 грн
10+505.08 грн
30+398.00 грн
120+366.37 грн
270+345.03 грн
510+322.96 грн
1020+290.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D
Код товару: 123313
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+233.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.33 грн
30+266.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeed(CREE)C3M0280090D THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+499.13 грн
4+356.81 грн
9+336.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+272.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.85 грн
10+533.00 грн
50+420.07 грн
100+386.23 грн
250+363.43 грн
500+340.62 грн
1000+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+668.48 грн
5+642.07 грн
10+614.84 грн
50+369.37 грн
100+314.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+284.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.85 грн
10+533.00 грн
50+420.07 грн
100+386.23 грн
250+363.43 грн
500+340.62 грн
1000+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J
Код товару: 118894
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+499.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.83 грн
50+359.87 грн
100+331.55 грн
500+274.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+463.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+221.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+312.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.74 грн
10+375.64 грн
25+325.91 грн
100+292.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+238.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.33 грн
10+459.57 грн
100+340.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+317.55 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+238.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+589.65 грн
10+500.01 грн
30+317.81 грн
120+273.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.63 грн
30+304.08 грн
120+292.97 грн
510+255.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+294.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeed(CREE)C3M0350120D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.51 грн
10+499.16 грн
30+361.22 грн
270+318.55 грн
510+286.92 грн
1020+273.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.39 грн
10+250.99 грн
25+248.49 грн
50+229.50 грн
100+189.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+419.47 грн
100+382.30 грн
250+378.48 грн
500+315.94 грн
1000+266.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeed(CREE)C3M0350120J SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.83 грн
10+499.16 грн
50+299.42 грн
100+278.09 грн
500+273.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+389.51 грн
100+354.99 грн
250+351.44 грн
500+293.37 грн
1000+247.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+278.26 грн
46+267.61 грн
50+247.15 грн
100+204.15 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.89 грн
50+351.61 грн
100+323.62 грн
500+265.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.40 грн
10+424.93 грн
100+313.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+348.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+230.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M580000L002ABRACONAbracon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.