Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Features: Ground
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.43 грн
25+723.35 грн
100+655.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e)
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Panel Mount
Produktpalette: C Series
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1110.72 грн
10+1010.16 грн
25+903.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+108657.03 грн
5+102764.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+108657.03 грн
5+102764.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2675.43 грн
60+2327.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4172.37 грн
10+2898.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2544.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3448.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3218.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2726.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3885.06 грн
30+2544.95 грн
120+2534.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4244.07 грн
10+3754.96 грн
25+3569.96 грн
50+3329.23 грн
100+2811.84 грн
500+2671.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2775.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2775.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2408.47 грн
10+2384.94 грн
25+2279.04 грн
50+2175.83 грн
100+1994.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3885.06 грн
30+2544.95 грн
120+2534.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3058.88 грн
10+3028.46 грн
25+2796.16 грн
50+2669.41 грн
100+2446.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2385.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2247.91 грн
10+2225.94 грн
25+2127.11 грн
50+2030.77 грн
100+1861.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4430.11 грн
10+3591.76 грн
120+2756.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3277.37 грн
10+3244.78 грн
25+2995.88 грн
50+2860.08 грн
100+2621.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4992.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2728.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+4224.66 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3911.24 грн
5+3863.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3049.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3163.32 грн
10+3131.65 грн
25+2989.25 грн
100+2740.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2952.44 грн
10+2922.87 грн
25+2893.30 грн
100+2762.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4002.82 грн
30+2629.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6308.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5393.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4002.82 грн
30+2629.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8125.99 грн
10+7701.50 грн
25+7025.39 грн
50+6645.31 грн
100+5833.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4390.81 грн
5+4389.91 грн
10+4389.02 грн
50+4074.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7584.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7315.65 грн
30+6620.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4272.98 грн
10+4239.49 грн
25+4205.09 грн
50+4022.62 грн
100+3694.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3984.67 грн
10+3548.50 грн
120+2908.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3988.11 грн
10+3956.86 грн
25+3924.75 грн
50+3754.45 грн
100+3448.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22.08mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4002.82 грн
30+2629.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2231.86 грн
10+1446.09 грн
120+1182.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4299.22 грн
5+3761.37 грн
10+3116.67 грн
50+2594.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2391.52 грн
10+2249.60 грн
25+2209.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2117.00 грн
30+1315.20 грн
120+1189.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2562.34 грн
10+2410.28 грн
25+2367.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2323.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2193.96 грн
10+2177.67 грн
25+2160.47 грн
50+2067.60 грн
100+1899.09 грн
250+1809.17 грн
500+1794.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1478.26 грн
10+1274.88 грн
500+831.65 грн
800+706.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2047.70 грн
10+2032.49 грн
25+2016.44 грн
50+1929.76 грн
100+1772.49 грн
250+1688.55 грн
500+1674.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2177.61 грн
30+1606.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed(CREE)C3M0021120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2188.17 грн
2+2069.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+2555.40 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2640.88 грн
10+1841.91 грн
120+1500.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3580.58 грн
10+3425.80 грн
25+2991.36 грн
50+2812.95 грн
100+2439.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3341.87 грн
10+3197.42 грн
25+2791.93 грн
50+2625.42 грн
100+2277.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2991.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2493.51 грн
5+2401.93 грн
10+2310.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2787.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1925.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2070.51 грн
10+2054.46 грн
25+2039.25 грн
50+1950.94 грн
100+1792.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 104A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.1A, 15V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2117.00 грн
30+1315.20 грн
120+1189.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2198.24 грн
10+1810.61 грн
120+1377.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2218.40 грн
10+2201.20 грн
25+2184.91 грн
50+2090.30 грн
100+1920.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.32 грн
10+1019.23 грн
25+1009.91 грн
100+967.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2162.89 грн
30+1481.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+951.28 грн
25+942.58 грн
100+902.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.28 грн
10+921.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1402.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2372.87 грн
10+1710.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1612.98 грн
10+1585.55 грн
25+1352.49 грн
100+1297.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1424.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.75 грн
50+880.49 грн
100+822.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.75 грн
10+1059.98 грн
100+973.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1199.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1251.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2033.89 грн
10+1718.56 грн
120+1487.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1389.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.53 грн
30+942.28 грн
120+820.13 грн
510+756.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1289.27 грн
25+1266.30 грн
100+1210.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.30 грн
10+1381.36 грн
25+1356.74 грн
100+1297.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1902.52 грн
10+1783.05 грн
25+1763.13 грн
100+1617.25 грн
250+1492.61 грн
500+1333.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.53 грн
10+1074.16 грн
100+986.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1775.69 грн
10+1664.18 грн
25+1645.59 грн
100+1509.44 грн
250+1393.10 грн
500+1244.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1632.34 грн
10+1586.01 грн
1000+1107.79 грн
2000+951.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1726.50 грн
10+1330.46 грн
30+1233.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1481.99 грн
10+1218.73 грн
120+938.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1621.03 грн
10+1608.36 грн
25+1595.69 грн
50+1527.36 грн
100+1402.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1512.97 грн
10+1501.14 грн
25+1489.31 грн
50+1425.53 грн
100+1309.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3899.78 грн
30+2639.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090K
Код товару: 143865
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2234.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4010.99 грн
5+3893.37 грн
10+3775.74 грн
50+2621.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+925.77 грн
25+916.56 грн
50+874.95 грн
100+802.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2090.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.95 грн
10+991.90 грн
25+946.96 грн
50+868.01 грн
100+824.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1660.70 грн
30+1010.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2510.14 грн
30+2110.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2090.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1901.79 грн
5+1872.16 грн
10+1841.63 грн
50+1682.57 грн
100+1526.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3419.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1660.70 грн
50+957.26 грн
100+895.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2850.99 грн
10+2651.94 грн
50+1835.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2355.98 грн
10+2258.22 грн
25+2212.06 грн
50+2057.13 грн
100+1818.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2418.55 грн
10+2193.84 грн
25+2145.69 грн
50+2027.51 грн
100+1688.01 грн
500+1573.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2198.91 грн
10+2107.68 грн
25+2064.59 грн
50+1919.99 грн
100+1697.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs 1200V, 32 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1122.69 грн
25+1113.39 грн
50+1064.67 грн
100+977.51 грн
250+930.44 грн
500+922.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1826.58 грн
10+1586.93 грн
100+1193.44 грн
250+1156.62 грн
500+1155.82 грн
800+1155.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1212.83 грн
10+1202.88 грн
25+1192.92 грн
50+1140.72 грн
100+1047.33 грн
250+996.90 грн
500+988.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1708.92 грн
10+1436.89 грн
120+1079.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3144.32 грн
10+2878.22 грн
25+2645.61 грн
50+2494.39 грн
100+2105.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2200.60 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 103530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2090.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1571.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1884.73 грн
5+1834.44 грн
10+1785.06 грн
50+1610.86 грн
100+1443.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2200.60 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2357.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2824.40 грн
30+2209.27 грн
120+2085.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1900.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2934.70 грн
10+2686.34 грн
25+2469.23 грн
50+2328.10 грн
100+1965.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1708.92 грн
10+1436.89 грн
120+1079.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2265.44 грн
5+2071.49 грн
10+1877.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2103.45 грн
8+1706.42 грн
10+1596.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2300.97 грн
10+1867.68 грн
30+1570.44 грн
60+1536.02 грн
120+1503.20 грн
270+1434.37 грн
510+1375.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1276.26 грн
30+758.63 грн
120+655.54 грн
510+585.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1543.20 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D
Код товару: 198825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed(CREE)C3M0040120D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1595.78 грн
2+1027.55 грн
4+971.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1440.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2276.31 грн
50+1301.71 грн
100+1277.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1119.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2357.00 грн
10+1436.89 грн
100+1240.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1267.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2345.79 грн
10+2054.54 грн
25+1666.49 грн
50+1614.46 грн
100+1562.44 грн
250+1458.38 грн
500+1341.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2250.56 грн
10+2041.87 грн
25+1932.89 грн
50+1684.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2254.67 грн
10+1585.68 грн
100+1342.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1065.83 грн
25+1057.89 грн
50+1012.37 грн
100+930.22 грн
250+886.06 грн
500+879.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1150.47 грн
10+1141.96 грн
25+1133.46 грн
50+1084.68 грн
100+996.66 грн
250+949.35 грн
500+941.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1304.57 грн
10+1132.21 грн
100+851.66 грн
250+825.24 грн
800+824.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1949.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1597.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1597.50 грн
1800+1586.64 грн
4500+1570.35 грн
9000+1499.43 грн
18000+1373.81 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1783.29 грн
10+1654.88 грн
25+1557.74 грн
50+1477.67 грн
100+1171.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed(CREE)C3M0040120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1943.81 грн
2+1021.55 грн
4+965.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2237.35 грн
30+1394.27 грн
120+1332.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1491.00 грн
1800+1480.86 грн
4500+1465.66 грн
9000+1399.47 грн
18000+1282.22 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1910.67 грн
10+1773.09 грн
25+1669.00 грн
50+1583.21 грн
100+1255.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1357.79 грн
10+1337.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1393.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2279.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1490.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1047.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2088.97 грн
10+1907.95 грн
25+1773.09 грн
50+1677.47 грн
100+1293.81 грн
1000+1231.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1344.72 грн
10+1025.43 грн
120+770.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.23 грн
10+1155.54 грн
25+1146.76 грн
50+1097.43 грн
100+1008.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1078.51 грн
25+1070.31 грн
50+1024.27 грн
100+941.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1068.31 грн
10+667.36 грн
120+497.87 грн
510+476.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1666.76 грн
30+1002.18 грн
120+922.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1068.31 грн
10+628.70 грн
100+507.47 грн
500+476.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.75 грн
50+572.12 грн
100+530.75 грн
500+449.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+980.95 грн
100+947.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1685.81 грн
10+1163.62 грн
100+922.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1801.36 грн
10+1280.41 грн
100+918.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1068.31 грн
10+667.36 грн
120+476.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+578.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+540.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1510.04 грн
10+1035.64 грн
100+800.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+493.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.82 грн
10+696.12 грн
100+582.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1590.32 грн
10+1139.57 грн
100+797.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.75 грн
30+607.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.25 грн
10+722.59 грн
120+556.30 грн
510+532.28 грн
1020+476.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.18 грн
10+922.21 грн
25+915.24 грн
50+875.83 грн
100+804.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+860.73 грн
25+854.22 грн
50+817.44 грн
100+751.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+724.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+674.12 грн
24+548.25 грн
50+544.03 грн
100+490.38 грн
200+438.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+775.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+484.95 грн
4500+483.96 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+644.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+452.62 грн
4500+451.69 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+574.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+574.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+727.46 грн
100+659.89 грн
200+626.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+713.82 грн
19+688.48 грн
50+549.09 грн
100+528.67 грн
200+488.00 грн
1000+425.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+221.48 грн
100+219.31 грн
250+209.29 грн
500+191.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.47 грн
50+378.50 грн
100+378.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+945.97 грн
10+522.84 грн
100+420.22 грн
500+382.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+206.71 грн
100+204.69 грн
250+202.57 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Technology: C3M™; SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.29 грн
10+549.54 грн
100+463.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+805.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+841.29 грн
10+772.77 грн
25+627.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+654.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Technology: C3M™; SiC
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+644.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+450.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.24 грн
25+602.25 грн
100+521.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+482.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+886.21 грн
10+556.90 грн
120+412.22 грн
1020+382.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1131.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.29 грн
10+549.54 грн
100+463.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+923.56 грн
10+646.19 грн
100+450.64 грн
500+449.84 грн
1000+393.81 грн
2000+382.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065UWolfspeedC3M0060065U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.29 грн
30+473.98 грн
120+403.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.26 грн
10+551.38 грн
120+412.22 грн
510+382.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+436.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+822.80 грн
18+726.49 грн
50+724.80 грн
100+680.18 грн
200+627.54 грн
1800+600.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D
Код товару: 182273
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1589.90 грн
10+1474.95 грн
25+1055.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+808.70 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1483.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1565.45 грн
30+946.76 грн
120+824.16 грн
510+760.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1600.09 грн
5+1401.65 грн
10+1204.11 грн
50+933.83 грн
100+820.44 грн
250+778.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1605.28 грн
50+922.28 грн
100+862.38 грн
500+785.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1926.03 грн
5+1543.52 грн
10+1161.01 грн
50+1043.06 грн
100+929.73 грн
250+911.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+965.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1039.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1402.30 грн
12+1098.19 грн
14+912.34 грн
50+764.09 грн
100+685.61 грн
200+616.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1416.63 грн
10+1351.28 грн
25+1172.63 грн
50+912.49 грн
100+900.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1014.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1217.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1034.80 грн
10+1018.87 грн
25+884.64 грн
100+844.50 грн
500+778.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.88 грн
10+940.85 грн
25+935.15 грн
100+822.68 грн
250+757.05 грн
500+722.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1650.08 грн
10+1440.57 грн
25+1235.06 грн
50+1201.44 грн
100+1100.59 грн
250+1083.78 грн
500+1008.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1006.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1605.28 грн
10+1108.84 грн
100+1024.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1351.62 грн
11+1165.77 грн
12+1072.85 грн
50+1018.24 грн
100+761.79 грн
200+719.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.28 грн
50+1087.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1506.97 грн
10+1356.85 грн
25+1325.68 грн
50+1247.30 грн
100+1027.51 грн
500+911.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1614.61 грн
10+1453.77 грн
25+1420.37 грн
50+1336.39 грн
100+1100.91 грн
500+976.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1525.88 грн
10+1432.29 грн
25+1211.05 грн
50+1058.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1906.28 грн
5+1855.99 грн
10+1804.81 грн
50+1114.76 грн
100+1002.84 грн
250+982.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1877.16 грн
10+1305.78 грн
100+1064.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1784.56 грн
10+1490.28 грн
30+1058.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1753.72 грн
10+1590.68 грн
25+1426.80 грн
50+1248.77 грн
100+1004.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1749.33 грн
10+1587.30 грн
25+1424.10 грн
50+1246.65 грн
100+1002.78 грн
1000+952.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1874.28 грн
10+1700.68 грн
25+1525.82 грн
50+1335.69 грн
100+1074.40 грн
1000+1020.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100K
Код товару: 126113
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1874.28 грн
10+1700.68 грн
25+1525.82 грн
50+1335.69 грн
100+1074.40 грн
1000+1020.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1191.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1840.73 грн
5+1766.20 грн
10+1691.68 грн
50+1003.87 грн
100+925.88 грн
250+904.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1851.79 грн
10+1620.99 грн
30+1315.10 грн
60+1274.28 грн
120+1233.46 грн
270+1151.02 грн
510+1058.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1735.20 грн
10+1571.29 грн
30+1407.37 грн
60+1229.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1917.85 грн
30+1175.85 грн
120+1087.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2119.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.99 грн
10+1704.30 грн
25+1528.71 грн
50+1337.96 грн
100+1076.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.58 грн
5+1019.14 грн
10+996.69 грн
50+904.65 грн
100+815.82 грн
250+796.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed(CREE)C3M0075120D THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1881.32 грн
2+995.53 грн
4+941.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+551.30 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1707.98 грн
10+1483.83 грн
30+1255.07 грн
60+1185.43 грн
120+1115.80 грн
270+1080.58 грн
510+1010.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+797.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.82 грн
30+558.52 грн
120+477.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1529.02 грн
11+1191.11 грн
50+1026.38 грн
100+882.47 грн
200+818.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+854.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+514.54 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1707.98 грн
10+1483.83 грн
30+1255.07 грн
60+1185.43 грн
120+1115.80 грн
270+1080.58 грн
510+1010.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+786.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1360.06 грн
12+1055.95 грн
13+1005.26 грн
50+830.88 грн
100+744.44 грн
200+615.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1707.98 грн
10+1483.83 грн
30+1255.07 грн
60+1185.43 грн
120+1115.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.61 грн
10+682.45 грн
25+627.32 грн
100+599.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+763.66 грн
18+745.08 грн
50+717.65 грн
100+662.99 грн
200+569.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1649.15 грн
10+1521.57 грн
30+1184.63 грн
60+1149.42 грн
120+1079.78 грн
270+1062.97 грн
510+990.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+636.95 грн
25+585.50 грн
100+559.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1572.38 грн
30+981.22 грн
120+925.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+551.30 грн
2000+545.78 грн
3000+540.25 грн
5000+515.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1476.39 грн
10+1309.86 грн
25+1132.61 грн
50+1114.20 грн
100+1006.14 грн
250+1000.54 грн
500+919.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+514.54 грн
2000+509.39 грн
3000+504.24 грн
5000+481.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.07 грн
5+968.85 грн
10+898.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1084.04 грн
100+1034.17 грн
250+1023.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+803.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.82 грн
50+525.38 грн
100+486.69 грн
500+406.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1260.68 грн
10+1241.74 грн
50+954.91 грн
100+923.69 грн
500+898.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.58 грн
5+1034.40 грн
10+1027.22 грн
50+947.17 грн
100+868.16 грн
250+862.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 18ns
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1413.68 грн
5+1207.34 грн
10+1078.58 грн
50+1002.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1011.77 грн
100+965.22 грн
250+955.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1436.09 грн
11+1199.56 грн
12+1140.43 грн
50+648.41 грн
100+598.87 грн
200+573.47 грн
1000+514.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.82 грн
10+645.85 грн
100+529.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+537.10 грн
25+528.74 грн
50+501.71 грн
100+457.08 грн
250+431.55 грн
500+424.31 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1107.53 грн
10+957.31 грн
100+720.39 грн
250+697.97 грн
800+697.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.51 грн
10+575.46 грн
25+566.50 грн
50+537.54 грн
100+489.72 грн
250+462.38 грн
500+454.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.42 грн
10+787.92 грн
25+697.57 грн
100+558.74 грн
250+548.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+900.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.96 грн
2+718.20 грн
10+712.77 грн
25+631.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1651.59 грн
10+1583.71 грн
25+1488.50 грн
60+1330.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+424.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.89 грн
5+906.00 грн
10+861.10 грн
50+757.07 грн
100+660.35 грн
250+621.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+840.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+522.57 грн
4500+517.33 грн
9000+512.18 грн
18000+488.92 грн
45000+448.18 грн
99000+425.98 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+646.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.16 грн
30+597.74 грн
120+512.32 грн
510+440.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1743.47 грн
10+1514.21 грн
60+1139.01 грн
270+1011.74 грн
510+976.52 грн
1020+947.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+559.89 грн
4500+554.28 грн
9000+548.76 грн
18000+523.84 грн
45000+480.19 грн
99000+456.40 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+670.32 грн
20+665.25 грн
25+611.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+716.36 грн
50+689.14 грн
100+636.59 грн
200+539.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+646.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+454.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+786.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+978.66 грн
10+495.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.92 грн
10+876.32 грн
25+745.89 грн
100+698.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1692.73 грн
30+1025.83 грн
120+925.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1708.92 грн
10+1573.12 грн
30+1186.24 грн
60+1185.43 грн
120+1115.80 грн
270+1096.59 грн
510+1032.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+817.90 грн
25+696.17 грн
100+652.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1707.98 грн
10+1483.83 грн
30+1255.07 грн
60+1185.43 грн
120+1115.80 грн
270+1080.58 грн
510+1010.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+726.49 грн
50+699.73 грн
100+646.39 грн
200+563.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.72 грн
10+783.34 грн
120+568.30 грн
510+505.87 грн
1020+430.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+489.96 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.55 грн
30+801.57 грн
120+721.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.32 грн
10+306.01 грн
25+293.52 грн
50+281.99 грн
100+237.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.67 грн
10+528.20 грн
30+484.01 грн
120+417.15 грн
270+401.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+641.34 грн
23+572.32 грн
25+515.73 грн
50+493.07 грн
100+368.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+401.26 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+687.15 грн
10+613.21 грн
25+552.56 грн
50+528.29 грн
100+395.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.83 грн
10+605.68 грн
30+469.05 грн
120+434.63 грн
270+423.43 грн
510+380.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+298.03 грн
45+285.61 грн
47+273.96 грн
50+263.19 грн
100+221.82 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065D
Код товару: 178862
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.16 грн
10+437.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.85 грн
10+481.06 грн
25+478.44 грн
50+455.94 грн
100+381.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.67 грн
10+528.20 грн
50+467.63 грн
100+421.24 грн
250+402.65 грн
500+391.44 грн
1000+375.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.29 грн
10+547.38 грн
100+431.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+366.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+494.09 грн
900+424.31 грн
1800+415.71 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.67 грн
10+528.20 грн
30+484.01 грн
120+417.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.96 грн
10+629.62 грн
30+497.07 грн
120+440.24 грн
270+405.82 грн
510+385.01 грн
1020+380.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.65 грн
10+681.54 грн
25+643.98 грн
50+614.78 грн
100+469.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.58 грн
10+601.08 грн
25+473.85 грн
100+435.43 грн
250+409.82 грн
500+384.21 грн
1000+345.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+741.17 грн
10+489.43 грн
100+375.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+381.92 грн
35+369.75 грн
36+355.98 грн
50+339.85 грн
100+295.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed(CREE)C3M0120090D THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+888.94 грн
2+801.43 грн
5+757.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.20 грн
10+396.16 грн
25+381.41 грн
50+364.12 грн
100+316.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1101.36 грн
30+646.43 грн
120+555.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+825.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D
Код товару: 165992
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1270.55 грн
5+1022.73 грн
10+774.90 грн
50+705.38 грн
100+637.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+558.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+584.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.59 грн
10+855.14 грн
30+660.35 грн
120+638.74 грн
270+582.71 грн
510+559.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+828.78 грн
3+675.36 грн
10+636.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+569.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.47 грн
50+624.47 грн
100+580.24 грн
500+498.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J
Код товару: 126112
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+609.33 грн
22+589.22 грн
25+583.31 грн
50+473.60 грн
100+436.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+994.53 грн
3+841.60 грн
10+763.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1057.10 грн
10+914.97 грн
50+770.81 грн
100+669.16 грн
250+659.55 грн
500+589.12 грн
1000+575.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.85 грн
10+631.31 грн
25+624.97 грн
50+507.43 грн
100+467.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+594.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+770.41 грн
10+669.20 грн
25+581.11 грн
50+580.31 грн
100+575.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.68 грн
10+685.12 грн
100+552.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+574.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1315.77 грн
10+1143.25 грн
25+986.13 грн
50+970.12 грн
100+858.06 грн
250+850.86 грн
500+778.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+821.59 грн
10+687.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 16ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 83W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 21.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+985.91 грн
10+857.19 грн
30+796.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1449.31 грн
10+1262.92 грн
25+1068.57 грн
50+1005.34 грн
100+946.11 грн
250+916.49 грн
500+857.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1479.73 грн
50+838.78 грн
100+782.49 грн
500+732.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+626.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1432.11 грн
10+971.35 грн
25+865.20 грн
100+715.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeedC3M0120100J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1231.04 грн
5+1101.74 грн
10+972.44 грн
50+782.92 грн
100+721.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1258.81 грн
10+1101.83 грн
30+934.90 грн
60+832.45 грн
120+801.23 грн
270+762.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.54 грн
30+731.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100K
Код товару: 178240
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1018.81 грн
30+876.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+490.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.14 грн
5+827.88 грн
10+723.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.30 грн
10+421.59 грн
120+308.97 грн
510+271.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+600.12 грн
24+536.68 грн
28+457.44 грн
50+436.70 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+480.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.42 грн
30+383.46 грн
120+323.59 грн
510+262.53 грн
1020+257.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.59 грн
10+471.92 грн
30+405.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+679.90 грн
10+588.08 грн
30+486.26 грн
510+441.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D
Код товару: 167206
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+498.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+802.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+480.34 грн
1800+475.54 грн
9000+458.56 грн
18000+424.59 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+383.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+521.39 грн
8550+478.73 грн
17100+447.77 грн
25650+409.41 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.98 грн
10+575.01 грн
25+490.11 грн
50+467.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+475.68 грн
4500+470.87 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+718.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+564.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+373.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+718.55 грн
100+602.65 грн
250+600.62 грн
500+513.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.32 грн
10+393.05 грн
100+314.57 грн
500+271.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+527.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.82 грн
50+357.71 грн
100+329.17 грн
500+262.04 грн
1000+256.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+769.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.63 грн
10+640.59 грн
100+481.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.95 грн
10+789.61 грн
25+784.18 грн
50+750.94 грн
100+690.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.44 грн
10+753.88 грн
120+545.89 грн
510+485.86 грн
1020+413.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+736.97 грн
25+731.90 грн
50+700.87 грн
100+644.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+261.37 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+651.82 грн
10+549.53 грн
30+433.03 грн
120+398.61 грн
270+375.40 грн
510+351.39 грн
1020+316.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+261.37 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+280.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.29 грн
30+289.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.20 грн
5+578.26 грн
10+551.32 грн
50+328.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+280.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D
Код товару: 123313
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.37 грн
10+579.91 грн
50+457.04 грн
100+420.22 грн
250+395.41 грн
500+370.60 грн
1000+333.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+296.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.57 грн
50+391.54 грн
100+360.73 грн
500+299.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.03 грн
5+501.04 грн
10+368.15 грн
50+328.51 грн
100+290.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+314.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+518.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J
Код товару: 118894
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.37 грн
10+579.91 грн
50+457.04 грн
100+420.22 грн
250+395.41 грн
500+370.60 грн
1000+333.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 900V
Power dissipation: 50W
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+671.28 грн
50+387.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+556.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+265.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.79 грн
10+408.70 грн
25+354.59 грн
100+318.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.62 грн
10+500.02 грн
100+370.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+247.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+339.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+329.79 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+259.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+353.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.48 грн
10+543.09 грн
30+393.01 грн
270+346.59 грн
510+312.17 грн
1020+297.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.54 грн
10+544.01 грн
30+345.79 грн
120+297.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.87 грн
30+307.50 грн
120+257.48 грн
510+207.23 грн
1020+196.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.70 грн
10+543.09 грн
50+325.77 грн
100+302.56 грн
500+297.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+435.64 грн
100+397.04 грн
250+393.07 грн
500+328.12 грн
1000+276.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+466.76 грн
100+425.40 грн
250+421.14 грн
500+351.55 грн
1000+296.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.87 грн
50+287.04 грн
100+263.11 грн
500+207.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+288.99 грн
46+277.93 грн
50+256.68 грн
100+212.02 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.63 грн
10+300.76 грн
25+297.78 грн
50+275.01 грн
100+227.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+417.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+251.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.20 грн
10+462.33 грн
100+341.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170DWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170J-TRWolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.26 грн
10+311.13 грн
100+229.72 грн
500+204.11 грн
800+174.49 грн
2400+164.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+244.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.29 грн
10+326.77 грн
30+200.91 грн
120+166.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+228.17 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-3PF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.96 грн
30+253.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M3000000000000NBAdvanced Energy / ExcelsysModular Power Supplies 3000W Fan cooled Standard CoolPac, Screw terminal, Normal leakage, 6 slots, 5V Aux , must be used with CoolX Mod
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M580000L002ABRACONAbracon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.