Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Features: Ground
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.93 грн
25+641.70 грн
100+581.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e)
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Panel Mount
Produktpalette: C Series
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.33 грн
10+896.12 грн
25+801.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+96390.84 грн
5+91163.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+96390.84 грн
5+91163.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2597.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3558.99 грн
10+2472.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3520.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3285.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2783.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3446.48 грн
30+2257.65 грн
120+2248.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4332.70 грн
10+3833.37 грн
25+3644.50 грн
50+3398.75 грн
100+2870.56 грн
500+2727.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2832.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2832.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2458.76 грн
10+2434.74 грн
25+2326.63 грн
50+2221.26 грн
100+2036.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3122.75 грн
10+3091.70 грн
25+2854.54 грн
50+2725.15 грн
100+2497.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3446.48 грн
30+2257.65 грн
120+2248.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2294.85 грн
10+2272.42 грн
25+2171.52 грн
50+2073.18 грн
100+1900.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3345.80 грн
10+3312.54 грн
25+3058.44 грн
50+2919.81 грн
100+2676.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3778.84 грн
10+3063.74 грн
120+2351.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5096.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2785.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3992.91 грн
5+3944.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2601.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3229.38 грн
10+3197.04 грн
25+3051.68 грн
100+2797.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3014.09 грн
10+2983.90 грн
25+2953.72 грн
100+2819.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3550.94 грн
30+2332.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5506.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3550.94 грн
30+2332.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3895.14 грн
5+3894.34 грн
10+3893.54 грн
50+3614.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8295.67 грн
10+7862.32 грн
25+7172.09 грн
50+6784.07 грн
100+5954.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7742.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6240.19 грн
30+5646.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6440.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3398.89 грн
10+3026.84 грн
120+2481.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4071.39 грн
10+4039.48 грн
25+4006.71 грн
50+3832.84 грн
100+3520.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 125A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22.08mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3550.94 грн
30+2332.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0016120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 125A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4362.20 грн
10+4328.02 грн
25+4292.90 грн
50+4106.62 грн
100+3771.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1232.27 грн
10+1049.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2441.45 грн
10+2296.57 грн
25+2256.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.01 грн
30+1166.73 грн
120+1054.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2615.84 грн
10+2460.61 грн
25+2417.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2371.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3813.89 грн
5+3336.76 грн
10+2764.83 грн
50+2301.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2239.78 грн
10+2223.14 грн
25+2205.59 грн
50+2110.78 грн
100+1938.75 грн
250+1846.94 грн
500+1831.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1261.74 грн
10+996.38 грн
100+748.99 грн
500+602.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2090.46 грн
10+2074.93 грн
25+2058.55 грн
50+1970.06 грн
100+1809.50 грн
250+1723.81 грн
500+1709.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+2608.76 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2252.65 грн
10+1571.13 грн
120+1280.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3655.34 грн
10+3497.34 грн
25+3053.82 грн
50+2871.69 грн
100+2490.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2212.02 грн
5+2130.78 грн
10+2049.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed(CREE)C3M0021120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2152.89 грн
2+2035.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3411.65 грн
10+3264.18 грн
25+2850.23 грн
50+2680.25 грн
100+2324.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3053.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2845.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1931.78 грн
30+1425.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2113.74 грн
10+2097.36 грн
25+2081.83 грн
50+1991.68 грн
100+1829.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 104A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.1A, 15V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.01 грн
30+1166.73 грн
120+1054.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1875.08 грн
10+1544.43 грн
120+1175.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0021120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2264.72 грн
10+2247.17 грн
25+2230.54 грн
50+2133.94 грн
100+1960.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.61 грн
10+1040.52 грн
25+1031.00 грн
100+987.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1918.72 грн
30+1314.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+971.15 грн
25+962.27 грн
100+921.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.46 грн
10+785.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1432.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1646.66 грн
10+1618.66 грн
25+1380.73 грн
100+1324.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1454.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1364.15 грн
50+781.09 грн
100+729.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2024.04 грн
10+1458.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1364.15 грн
10+940.32 грн
100+863.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1277.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1734.89 грн
10+1465.92 грн
120+1268.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.59 грн
30+835.91 грн
120+727.55 грн
510+670.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1316.19 грн
25+1292.74 грн
100+1235.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.44 грн
10+1410.21 грн
25+1385.08 грн
100+1324.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1224.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1942.25 грн
10+1820.28 грн
25+1799.95 грн
100+1651.02 грн
250+1523.78 грн
500+1361.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.59 грн
10+952.90 грн
100+874.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1812.76 грн
10+1698.93 грн
25+1679.96 грн
100+1540.95 грн
250+1422.19 грн
500+1270.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1392.37 грн
10+1352.85 грн
1000+944.94 грн
2000+811.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1531.60 грн
10+1180.27 грн
30+1094.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1264.13 грн
10+1039.57 грн
120+800.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1654.88 грн
10+1641.95 грн
25+1629.01 грн
50+1559.25 грн
100+1432.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0025075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 80A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1544.56 грн
10+1532.48 грн
25+1520.41 грн
50+1455.30 грн
100+1336.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090K
Код товару: 143865
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3459.54 грн
30+2341.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3558.20 грн
5+3453.85 грн
10+3349.50 грн
50+2325.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+945.10 грн
25+935.70 грн
50+893.22 грн
100+818.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1022.87 грн
10+1012.61 грн
25+966.74 грн
50+886.13 грн
100+842.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.22 грн
30+896.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2141.13 грн
30+1800.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1687.10 грн
5+1660.81 грн
10+1633.73 грн
50+1492.62 грн
100+1354.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2134.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2134.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.22 грн
50+849.20 грн
100+794.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2469.05 грн
10+2239.65 грн
25+2190.50 грн
50+2069.85 грн
100+1723.26 грн
500+1606.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2431.87 грн
10+2262.08 грн
50+1565.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2244.83 грн
10+2151.69 грн
25+2107.71 грн
50+1960.08 грн
100+1732.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3491.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2405.17 грн
10+2305.38 грн
25+2258.26 грн
50+2100.09 грн
100+1856.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs 1200V, 32 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.06 грн
10+1353.64 грн
100+1017.99 грн
250+986.59 грн
500+985.90 грн
800+985.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1238.16 грн
10+1228.00 грн
25+1217.83 грн
50+1164.54 грн
100+1069.20 грн
250+1017.72 грн
500+1009.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 74A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1146.13 грн
25+1136.64 грн
50+1086.90 грн
100+997.92 грн
250+949.87 грн
500+941.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 103530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2134.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1671.96 грн
5+1627.36 грн
10+1583.54 грн
50+1429.01 грн
100+1280.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2246.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2407.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1940.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2995.98 грн
10+2742.43 грн
25+2520.80 грн
50+2376.71 грн
100+2006.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2505.55 грн
30+1959.86 грн
120+1849.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3209.98 грн
10+2938.32 грн
25+2700.85 грн
50+2546.48 грн
100+2149.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2246.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120KWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1457.69 грн
10+1225.65 грн
120+921.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0032120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1457.69 грн
10+1225.65 грн
120+921.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed(CREE)C3M0040120D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1513.45 грн
2+1007.90 грн
4+952.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1962.70 грн
10+1593.11 грн
30+1339.57 грн
60+1310.21 грн
120+1282.22 грн
270+1223.50 грн
510+1173.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1575.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1132.18 грн
30+672.99 грн
120+581.54 грн
510+519.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D
Код товару: 198825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1470.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2009.70 грн
5+1837.64 грн
10+1665.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2147.38 грн
8+1742.05 грн
10+1629.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1143.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2019.34 грн
50+1154.76 грн
100+1133.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2010.50 грн
10+1225.65 грн
100+1058.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1124.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2297.55 грн
10+2084.51 грн
25+1973.25 грн
50+1719.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2000.94 грн
10+1752.50 грн
25+1421.50 грн
50+1377.12 грн
100+1332.74 грн
250+1243.99 грн
500+1144.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2000.14 грн
10+1406.68 грн
100+1191.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.50 грн
10+1165.81 грн
25+1157.13 грн
50+1107.33 грн
100+1017.47 грн
250+969.17 грн
500+961.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1088.09 грн
25+1079.98 грн
50+1033.51 грн
100+949.64 грн
250+904.56 грн
500+897.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1112.78 грн
10+965.76 грн
100+726.46 грн
250+703.92 грн
800+703.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1522.14 грн
1800+1511.79 грн
4500+1496.26 грн
9000+1428.69 грн
18000+1309.00 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1950.56 грн
10+1810.12 грн
25+1703.86 грн
50+1616.27 грн
100+1281.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1984.78 грн
30+1236.88 грн
120+1182.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1422.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2327.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1158.19 грн
10+1140.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1521.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2132.59 грн
10+1947.79 грн
25+1810.12 грн
50+1712.50 грн
100+1320.82 грн
1000+1256.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeed(CREE)C3M0040120K THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1576.11 грн
2+1001.99 грн
4+946.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1990.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1630.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1630.86 грн
1800+1619.77 грн
4500+1603.14 грн
9000+1530.74 грн
18000+1402.50 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1820.53 грн
10+1689.44 грн
25+1590.27 грн
50+1508.52 грн
100+1195.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1147.03 грн
10+874.68 грн
120+656.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1188.54 грн
10+1179.67 грн
25+1170.71 грн
50+1120.34 грн
100+1029.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1101.03 грн
25+1092.66 грн
50+1045.65 грн
100+960.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0040120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.26 грн
10+569.25 грн
120+424.68 грн
510+406.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1478.60 грн
30+889.04 грн
120+818.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.26 грн
10+536.27 грн
100+432.87 грн
500+406.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.43 грн
100+967.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.26 грн
50+507.54 грн
100+470.83 грн
500+398.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1495.50 грн
10+1032.26 грн
100+818.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065J1-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1536.55 грн
10+1092.17 грн
100+783.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+590.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+551.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedSiC MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.26 грн
10+569.25 грн
120+406.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1339.57 грн
10+918.73 грн
100+710.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-M-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+438.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.12 грн
10+617.54 грн
100+516.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1356.53 грн
10+972.04 грн
100+680.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.58 грн
10+941.46 грн
25+934.35 грн
50+894.12 грн
100+821.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+878.70 грн
25+872.06 грн
50+834.51 грн
100+766.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 42A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.26 грн
30+538.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+815.67 грн
10+616.36 грн
120+474.52 грн
510+454.03 грн
1020+406.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0045075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+495.08 грн
4500+494.06 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+462.07 грн
4500+461.13 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+586.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+739.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+688.20 грн
24+559.70 грн
50+555.39 грн
100+500.62 грн
200+447.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+791.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+226.10 грн
100+223.89 грн
250+213.66 грн
500+195.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+211.03 грн
100+208.96 грн
250+206.80 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.40 грн
50+335.77 грн
100+335.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.91 грн
10+445.98 грн
100+358.45 грн
500+326.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+586.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+728.73 грн
19+702.86 грн
50+560.56 грн
100+539.71 грн
200+498.19 грн
1000+434.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60m ohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.23 грн
10+487.51 грн
100+410.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+460.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+700.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.60 грн
25+614.83 грн
100+532.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+492.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+755.93 грн
10+475.03 грн
120+351.62 грн
1020+326.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+822.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.86 грн
10+788.91 грн
25+640.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+668.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.23 грн
10+487.51 грн
100+410.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.79 грн
10+551.19 грн
100+384.39 грн
500+383.71 грн
1000+335.92 грн
2000+326.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065L-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1155.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060065UWolfspeedC3M0060065U
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.23 грн
10+470.32 грн
120+351.62 грн
510+326.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+445.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 750V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0060075K1Wolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 750V 35A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.23 грн
30+420.47 грн
120+358.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1623.10 грн
10+1505.75 грн
25+1077.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090D
Код товару: 182273
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed(CREE)C3M0065090D THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1673.82 грн
2+971.41 грн
4+918.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1514.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1419.46 грн
5+1243.42 грн
10+1068.18 грн
50+828.41 грн
100+727.82 грн
250+690.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1388.73 грн
30+839.88 грн
120+731.12 грн
510+674.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+839.98 грн
18+741.66 грн
50+739.94 грн
100+694.39 грн
200+640.64 грн
1800+613.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.06 грн
50+818.16 грн
100+765.03 грн
500+696.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1431.58 грн
12+1121.12 грн
14+931.39 грн
50+780.04 грн
100+699.93 грн
200+629.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1061.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1000.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1208.37 грн
10+1152.63 грн
25+1000.24 грн
50+778.34 грн
100+768.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1056.41 грн
10+1040.15 грн
25+903.12 грн
100+862.13 грн
500+794.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J
Код товару: 148769
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 16ns
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 78mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1200.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1708.60 грн
5+1369.27 грн
10+1029.94 грн
50+925.31 грн
100+824.77 грн
250+808.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+985.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1407.51 грн
10+1228.79 грн
25+1053.50 грн
50+1024.82 грн
100+938.79 грн
250+924.46 грн
500+860.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.06 грн
10+983.67 грн
100+909.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1379.84 грн
11+1190.11 грн
12+1095.25 грн
50+1039.50 грн
100+777.70 грн
200+734.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1100.39 грн
10+960.50 грн
25+954.68 грн
100+839.86 грн
250+772.86 грн
500+737.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1027.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1648.32 грн
10+1484.13 грн
25+1450.03 грн
50+1364.30 грн
100+1123.90 грн
500+997.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1691.08 грн
5+1646.47 грн
10+1601.07 грн
50+988.92 грн
100+889.63 грн
250+871.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1538.44 грн
10+1385.19 грн
25+1353.36 грн
50+1273.35 грн
100+1048.97 грн
500+930.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1301.57 грн
10+1221.73 грн
25+1033.01 грн
50+902.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1361.08 грн
50+964.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1665.25 грн
10+1158.37 грн
100+944.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1913.42 грн
10+1736.20 грн
25+1557.68 грн
50+1363.59 грн
100+1096.84 грн
1000+1042.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1215.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1664.00 грн
5+1619.39 грн
10+1575.58 грн
50+1421.62 грн
100+1286.32 грн
250+1259.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1771.44 грн
10+1604.10 грн
30+1436.76 грн
60+1255.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100K
Код товару: 126113
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2163.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1918.22 грн
10+1739.89 грн
25+1560.64 грн
50+1365.90 грн
100+1098.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1579.56 грн
10+1382.69 грн
30+1121.77 грн
60+1086.95 грн
120+1052.13 грн
270+981.81 грн
510+902.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1701.35 грн
30+1043.11 грн
120+964.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1790.34 грн
10+1623.90 грн
25+1456.59 грн
50+1274.84 грн
100+1025.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1785.86 грн
10+1620.45 грн
25+1453.83 грн
50+1272.68 грн
100+1023.72 грн
1000+972.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1913.42 грн
10+1736.20 грн
25+1557.68 грн
50+1363.59 грн
100+1096.84 грн
1000+1042.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1522.21 грн
10+1271.19 грн
30+902.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+813.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1456.89 грн
10+1265.70 грн
30+1070.57 грн
60+1011.17 грн
120+951.77 грн
270+921.72 грн
510+862.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1560.94 грн
11+1215.98 грн
50+1047.82 грн
100+900.90 грн
200+835.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+872.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.13 грн
30+495.47 грн
120+423.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+525.29 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1388.46 грн
12+1078.00 грн
13+1026.26 грн
50+848.23 грн
100+759.99 грн
200+628.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1456.89 грн
10+1265.70 грн
30+1070.57 грн
60+1011.17 грн
120+951.77 грн
270+921.72 грн
510+862.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.00 грн
5+904.09 грн
10+884.17 грн
50+802.53 грн
100+723.72 грн
250+706.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+562.81 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed(CREE)C3M0075120D THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1464.59 грн
2+983.25 грн
4+929.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+779.61 грн
18+760.64 грн
50+732.64 грн
100+676.83 грн
200+581.01 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1406.71 грн
10+1297.89 грн
30+1010.48 грн
60+980.44 грн
120+921.04 грн
270+906.70 грн
510+844.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+650.25 грн
25+597.73 грн
100+571.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.93 грн
10+696.70 грн
25+640.42 грн
100+612.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.88 грн
30+870.45 грн
120+821.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1456.89 грн
10+1265.70 грн
30+1070.57 грн
60+1011.17 грн
120+951.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1259.35 грн
10+1117.30 грн
25+966.10 грн
50+950.40 грн
100+858.23 грн
250+853.45 грн
500+784.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1106.67 грн
100+1055.76 грн
250+1045.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.00 грн
5+917.63 грн
10+911.26 грн
50+840.25 грн
100+770.15 грн
250+764.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1032.90 грн
100+985.38 грн
250+975.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.13 грн
50+466.07 грн
100+431.74 грн
500+360.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1075.34 грн
10+1059.20 грн
50+814.53 грн
100+787.90 грн
500+766.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)C3M0075120J SMD N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1566.55 грн
2+1074.97 грн
3+1016.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1466.08 грн
11+1224.61 грн
12+1164.24 грн
50+661.95 грн
100+611.38 грн
200+585.45 грн
1000+524.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+562.81 грн
2000+557.17 грн
3000+551.54 грн
5000+526.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+525.29 грн
2000+520.03 грн
3000+514.77 грн
5000+491.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.13 грн
10+572.94 грн
100+470.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+944.71 грн
10+816.58 грн
100+614.48 грн
250+595.37 грн
800+594.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+596.72 грн
10+587.48 грн
25+578.33 грн
50+548.77 грн
100+499.95 грн
250+472.03 грн
500+464.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+548.31 грн
25+539.78 грн
50+512.18 грн
100+466.62 грн
250+440.56 грн
500+433.17 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1045.39 грн
10+698.97 грн
25+618.83 грн
100+495.66 грн
250+486.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+857.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+533.48 грн
4500+528.13 грн
9000+522.87 грн
18000+499.13 грн
45000+457.53 грн
99000+434.87 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+659.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+571.59 грн
4500+565.86 грн
9000+560.22 грн
18000+534.78 грн
45000+490.22 грн
99000+465.93 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+684.31 грн
20+679.14 грн
25+624.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.43 грн
30+530.26 грн
120+454.49 грн
510+391.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1487.16 грн
10+1291.61 грн
60+971.57 грн
270+863.01 грн
510+832.97 грн
1020+808.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+731.32 грн
50+703.53 грн
100+649.88 грн
200+550.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+659.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+463.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+918.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.02 грн
2+733.19 грн
10+727.65 грн
25+645.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.79 грн
10+422.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1686.08 грн
10+1616.78 грн
25+1519.58 грн
60+1358.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+432.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+658.75 грн
5+657.95 грн
10+657.16 грн
50+609.48 грн
100+561.91 грн
250+561.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1501.64 грн
30+910.02 грн
120+821.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.57 грн
10+351.76 грн
120+264.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+834.98 грн
25+710.70 грн
100+665.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+741.66 грн
50+714.34 грн
100+659.89 грн
200+575.10 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1456.89 грн
10+1265.70 грн
30+1070.57 грн
60+1011.17 грн
120+951.77 грн
270+921.72 грн
510+862.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.38 грн
10+894.62 грн
25+761.47 грн
100+713.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+500.19 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+833.99 грн
10+668.18 грн
120+484.76 грн
510+431.50 грн
1020+367.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.62 грн
30+711.08 грн
120+639.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+654.73 грн
23+584.28 грн
25+526.50 грн
50+503.37 грн
100+376.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+409.64 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.00 грн
10+468.57 грн
30+429.37 грн
120+370.06 грн
270+355.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+701.50 грн
10+626.01 грн
25+564.10 грн
50+539.32 грн
100+403.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+304.25 грн
45+291.58 грн
47+279.68 грн
50+268.69 грн
100+226.46 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.99 грн
10+312.40 грн
25+299.65 грн
50+287.88 грн
100+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.89 грн
10+516.64 грн
30+400.10 грн
120+370.74 грн
270+361.18 грн
510+324.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065D
Код товару: 178862
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.47 грн
10+491.11 грн
25+488.43 грн
50+465.46 грн
100+389.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.91 грн
10+372.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.00 грн
10+468.57 грн
50+414.84 грн
100+373.69 грн
250+357.20 грн
500+347.25 грн
1000+333.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.23 грн
10+485.58 грн
100+383.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+325.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.51 грн
10+695.77 грн
25+657.43 грн
50+627.62 грн
100+479.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.00 грн
10+468.57 грн
30+429.37 грн
120+370.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.63 грн
10+537.06 грн
30+423.99 грн
120+375.52 грн
270+346.16 грн
510+328.41 грн
1020+324.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+504.41 грн
900+433.17 грн
1800+424.39 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.97 грн
10+512.72 грн
25+404.19 грн
100+371.42 грн
250+349.57 грн
500+327.72 грн
1000+294.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.50 грн
10+434.18 грн
100+333.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+842.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed(CREE)C3M0120090D THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+878.33 грн
2+786.01 грн
5+742.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.03 грн
30+573.45 грн
120+492.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090D
Код товару: 165992
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1127.12 грн
5+907.27 грн
10+687.42 грн
50+625.75 грн
100+565.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+597.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+389.89 грн
35+377.47 грн
36+363.42 грн
50+346.94 грн
100+301.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+570.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+835.58 грн
10+729.43 грн
30+563.28 грн
120+544.84 грн
270+497.05 грн
510+477.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.74 грн
10+404.43 грн
25+389.37 грн
50+371.73 грн
100+323.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J
Код товару: 126112
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+622.05 грн
22+601.52 грн
25+595.49 грн
50+483.49 грн
100+445.37 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+666.48 грн
10+644.49 грн
25+638.02 грн
50+518.03 грн
100+477.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed(CREE)C3M0120090J SMD N channel transistors
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1262.80 грн
2+837.29 грн
4+791.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+901.70 грн
10+780.46 грн
50+657.50 грн
100+570.79 грн
250+562.59 грн
500+502.51 грн
1000+490.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+606.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+580.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.30 грн
50+553.97 грн
100+514.73 грн
500+442.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.16 грн
10+570.82 грн
25+495.68 грн
50+495.00 грн
100+490.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.42 грн
10+607.77 грн
100+490.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+509.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.34 грн
10+975.18 грн
25+841.16 грн
50+827.50 грн
100+731.92 грн
250+725.77 грн
500+663.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed(CREE)C3M0120100J SMD N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1092.87 грн
2+864.90 грн
4+817.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1236.25 грн
10+1077.26 грн
25+911.48 грн
50+857.54 грн
100+807.02 грн
250+781.76 грн
500+731.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1312.69 грн
50+744.09 грн
100+694.15 грн
500+650.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1270.44 грн
10+861.70 грн
25+767.53 грн
100+634.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1092.07 грн
5+977.37 грн
10+862.67 грн
50+694.54 грн
100+640.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1073.75 грн
10+939.85 грн
30+797.46 грн
60+710.07 грн
120+683.44 грн
270+649.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.19 грн
30+648.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100K
Код товару: 178240
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.04 грн
30+747.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.47 грн
10+465.16 грн
30+399.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+508.82 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
On-state resistance: 256mΩ
Power dissipation: 97W
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+670.17 грн
10+579.66 грн
30+479.30 грн
510+434.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.37 грн
30+267.66 грн
120+224.44 грн
510+181.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+818.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+490.37 грн
1800+485.47 грн
9000+468.13 грн
18000+433.46 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120D
Код товару: 167206
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+532.27 грн
8550+488.72 грн
17100+457.12 грн
25650+417.96 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.41 грн
10+587.02 грн
25+500.35 грн
50+477.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+485.62 грн
4500+480.70 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+500.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.02 грн
5+734.42 грн
10+642.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+612.65 грн
24+547.88 грн
28+466.99 грн
50+445.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+490.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.60 грн
10+359.61 грн
120+263.54 грн
510+231.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+733.56 грн
100+615.24 грн
250+613.17 грн
500+524.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+538.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.11 грн
10+335.27 грн
100+268.32 грн
500+231.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+785.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.19 грн
50+317.33 грн
100+292.01 грн
500+232.46 грн
1000+227.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+733.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+576.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849.52 грн
10+568.28 грн
100+427.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+752.36 грн
25+747.18 грн
50+715.51 грн
100+657.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.55 грн
10+806.10 грн
25+800.55 грн
50+766.62 грн
100+704.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0160120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160m ohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.33 грн
10+643.06 грн
120+465.64 грн
510+414.43 грн
1020+352.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+266.83 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.88 грн
5+512.98 грн
10+489.08 грн
50+291.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.99 грн
10+468.75 грн
30+369.37 грн
120+340.01 грн
270+320.21 грн
510+299.73 грн
1020+269.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.31 грн
30+257.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+285.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+266.83 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090D
Код товару: 123313
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+529.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.19 грн
50+347.34 грн
100+320.01 грн
500+265.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+320.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J
Код товару: 118894
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+567.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+585.47 грн
10+494.66 грн
50+389.86 грн
100+358.45 грн
250+337.28 грн
500+316.12 грн
1000+284.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeed(CREE)C3M0280090J SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+655.30 грн
3+405.33 грн
8+383.63 грн
500+383.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.57 грн
5+444.48 грн
10+326.59 грн
50+291.42 грн
100+257.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+585.47 грн
10+494.66 грн
50+389.86 грн
100+358.45 грн
250+337.28 грн
500+316.12 грн
1000+284.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedSiC MOSFETs G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.82 грн
10+348.62 грн
25+302.46 грн
100+271.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+252.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.09 грн
10+443.57 грн
100+328.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+270.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+301.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+360.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.03 грн
10+463.25 грн
30+335.23 грн
270+295.63 грн
510+266.28 грн
1020+253.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+336.68 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.23 грн
10+464.04 грн
30+294.95 грн
120+253.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.12 грн
30+272.78 грн
120+228.41 грн
510+183.84 грн
1020+174.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+476.51 грн
100+434.28 грн
250+429.94 грн
500+358.89 грн
1000+302.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+295.03 грн
46+283.73 грн
50+262.04 грн
100+216.45 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.12 грн
50+254.63 грн
100+233.41 грн
500+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.10 грн
10+307.05 грн
25+304.00 грн
50+280.75 грн
100+231.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+444.74 грн
100+405.33 грн
250+401.27 грн
500+334.97 грн
1000+282.28 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120JWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.15 грн
10+463.25 грн
50+277.88 грн
100+258.08 грн
500+253.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+622.93 грн
10+410.14 грн
100+302.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0350120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+426.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170DWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3, Industrial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.4A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170J-TRWolfspeed SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.24 грн
10+265.39 грн
100+195.95 грн
500+174.10 грн
800+148.84 грн
2400+140.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeed SiC, MOSFET, 900m ohm, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.65 грн
10+278.74 грн
30+171.37 грн
120+142.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+232.93 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0900170MWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-3PF-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.47 грн
30+225.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M3000000000000NBAdvanced Energy / ExcelsysModular Power Supplies 3000W Fan cooled Standard CoolPac, Screw terminal, Normal leakage, 6 slots, 5V Aux , must be used with CoolX Mod
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M580000L002ABRACONAbracon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.