Продукція > IMZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMZ1 | ROHM | 08+ S0T-363 | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1 A T108 | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 1220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1 T108 | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 7640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1H | Infineon | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMZ120R030M1H | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IMZ120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V FET Feature: Current Sensing Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R045M1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 720 шт: термін постачання 379-388 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1H | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 15360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V | на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1A T108 | ROHM | SOT23- | на замовлення 2953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1A T108 | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1A T108 | ROHM | SO163-Z1 | на замовлення 2629 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1A T108 | ROHM | SOT26 | на замовлення 5486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1A T108 SO163-Z1 | ROHM | на замовлення 2429 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMZ1A T108 SO163-Z1 | ROHM | на замовлення 5258 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMZ1A/Z1 | ROHM | 09+ | на замовлення 22818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1A108-T | ROHM | 0430+ | на замовлення 7835 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1A108-T | ROHM | 0430+ | на замовлення 7835 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: Complementary transistors Description: Transistor: PNP+NPN; bipolar; 60V; 0.15A; 0.3W; SOT23-6L Mounting: SMD Case: SOT23-6L Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.3W Collector-emitter voltage: 60V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP+NPN Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS-S1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS_S1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS_S1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS_S1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AS_S1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: Complementary transistors Description: Transistor: PNP+NPN; bipolar; 60V; 0.15A; 0.3W; SOT23-6L Mounting: SMD Case: SOT23-6L Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.3W Collector-emitter voltage: 60V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP+NPN Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | ROHM SEMICONDUCTOR | IMZ1AT108 Complementary transistors | на замовлення 2871 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R | на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | ROHM | Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | на замовлення 16732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457 | на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREE | ROHM | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMZ1T108 | ROHM | 03+ SOT23-6 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2 | ROHM | SOT26/ | на замовлення 831 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2 | ROHM | SOT-23-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2A | ROHM | 07+ SOT-163 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2A | ROHM | SOT-163 | на замовлення 778000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | на замовлення 5498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ2AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ2AT108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2AT108 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZ2A_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2A_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2A_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2A_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2A_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2A_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ2T108 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IMZ4 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ4 FRAT108 | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 1624 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ4 T108 | ROHM | 0805+ SOT23-6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ4T108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ4T108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Supplier Device Package: SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ4T108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Supplier Device Package: SMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZ9972BA | Rochester Electronics, LLC | Description: IMZ9972BA | на замовлення 7178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V Power Dissipation (Max): 750W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V | на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R007M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R012M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZA120R012M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 57A, 18V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA120R014M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R020M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R022M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZA120R022M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 32A, 18V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R022M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package | на замовлення 654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R034M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R040M1HXKSA1 Код товару: 213128
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IMZA120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R040M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA120R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R053M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA120R078M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZA65R010M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 440W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R010M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R015M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | IMZA65R015M2HXKSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V | на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R020M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R026M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1H | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package | на замовлення 16560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1H | Infineon Technologies | IMZA65R030M1H | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP005423795 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZA65R033M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R033M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R040M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1H | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1H | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R050M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 153W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1H | Infineon Technologies | IMZA65R057M1H | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZA65R060M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R060M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R075M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1H | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 139mΩ Drain current: 13A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 75W Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Case: TO247-4 Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZA65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R008M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R008M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R016M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R016M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R016M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V Power Dissipation (Max): 319W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R020M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R027M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R040M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R060M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R090M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R140M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZA75R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | IMZA75R140M1HXKSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZC120R012M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 129A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R012M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R017M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R017M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 97A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 382W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R022M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R022M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R022M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R026M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 289W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R034M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZC120R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 | на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R053M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R053M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC120R078M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC140R019M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZC140R019M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC140R019M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC140R024M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZC140R024M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IMZC140R024M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC140R029M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC140R038M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMZC140R038M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20.4A, 18V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IMZC9851BT | SOP | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |