Продукція > IMZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMZ1ROHM08+ S0T-363
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 A T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 7640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HInfineon
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.00 грн
5+1052.24 грн
10+1027.48 грн
50+931.10 грн
100+838.25 грн
250+817.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2070.80 грн
2+1888.93 грн
3+1818.05 грн
10+1791.39 грн
30+1748.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1258.18 грн
30+765.19 грн
120+694.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1403.12 грн
10+1372.61 грн
100+1362.44 грн
200+1264.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1231.65 грн
10+1208.98 грн
25+726.12 грн
50+723.91 грн
100+714.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1725.67 грн
2+1515.81 грн
3+1515.04 грн
10+1492.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1236.93 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...20V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.08 грн
30+640.73 грн
120+551.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+813.40 грн
16+797.13 грн
50+796.32 грн
100+767.09 грн
200+652.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1560.38 грн
10+1367.19 грн
25+1107.20 грн
50+1040.25 грн
100+1006.41 грн
240+981.40 грн
480+892.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...20V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.27 грн
5+842.62 грн
10+840.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 76A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+666.83 грн
5+663.53 грн
10+660.23 грн
50+411.52 грн
100+358.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 76A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.84 грн
30+421.71 грн
120+376.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 720 шт:
термін постачання 379-388 дні (днів)
1+1343.23 грн
10+1217.44 грн
100+893.85 грн
480+795.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Power dissipation: 58W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.24 грн
10+607.45 грн
25+427.43 грн
100+364.16 грн
240+363.43 грн
480+359.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Power dissipation: 58W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.44 грн
5+516.63 грн
10+410.99 грн
50+380.87 грн
100+350.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+718.39 грн
10+694.59 грн
25+475.25 грн
100+454.65 грн
240+417.13 грн
480+409.77 грн
1200+403.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Power dissipation: 47W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.43 грн
5+507.55 грн
10+478.66 грн
50+315.73 грн
100+290.74 грн
250+290.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Power dissipation: 47W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.68 грн
5+471.24 грн
10+430.80 грн
50+362.48 грн
100+299.93 грн
250+265.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Power dissipation: 37.5W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 21A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.56 грн
30+283.47 грн
120+252.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.75 грн
10+331.65 грн
25+286.18 грн
100+272.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Power dissipation: 37.5W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 21A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+316.31 грн
42+296.61 грн
50+288.31 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 13A
On-state resistance: 662mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.31 грн
10+516.55 грн
100+467.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.45 грн
10+382.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+592.64 грн
22+556.28 грн
100+503.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+520.49 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.26 грн
10+599.84 грн
25+309.72 грн
100+283.24 грн
240+282.50 грн
480+230.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 13A
On-state resistance: 662mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.55 грн
30+249.37 грн
120+213.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSOT23-
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSO163-Z1
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSOT26
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108 SO163-Z1ROHM
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108 SO163-Z1ROHM
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A/Z1ROHM09+
на замовлення 22818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A108-TROHM0430+
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A108-TROHM0430+
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.71 грн
100+10.49 грн
500+7.31 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1PanjitBipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-S1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.47 грн
9+44.60 грн
25+36.63 грн
68+34.56 грн
500+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+11.43 грн
1104+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHMDescription: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.80 грн
35+23.85 грн
100+15.43 грн
500+10.65 грн
1000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+10.25 грн
1210+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.53 грн
18+19.37 грн
100+8.83 грн
1000+8.02 грн
3000+5.52 грн
9000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 19147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
14+22.61 грн
100+14.35 грн
500+10.11 грн
1000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+11.43 грн
1104+11.05 грн
2500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
6+55.58 грн
25+43.96 грн
68+41.47 грн
500+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+7.40 грн
9000+7.02 грн
15000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREEROHM
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1T108ROHM03+ SOT23-6
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2ROHMSOT26/
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2ROHMSOT-23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AROHMSOT-163
на замовлення 778000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AROHM07+ SOT-163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+20.24 грн
660+18.50 грн
806+15.15 грн
1000+13.04 грн
2000+11.26 грн
3000+9.85 грн
12000+9.41 грн
24000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
17+18.32 грн
100+12.37 грн
500+9.00 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2T108
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4 FRAT108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4 T108ROHM0805+ SOT23-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ9972BARochester Electronics, LLCDescription: IMZ9972BA
на замовлення 7178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4785.00 грн
10+3654.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3528.62 грн
30+2493.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5541.78 грн
5+4849.37 грн
10+4018.31 грн
50+3345.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1917.96 грн
5+1871.74 грн
10+1825.53 грн
50+1652.22 грн
100+1485.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1986.10 грн
10+1949.26 грн
25+1422.07 грн
50+1411.77 грн
240+1271.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2044.44 грн
30+1277.30 грн
120+1263.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2119.99 грн
10+1857.89 грн
25+1506.68 грн
50+1460.33 грн
100+1412.51 грн
240+1317.61 грн
480+1211.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1696.85 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1611.51 грн
30+982.44 грн
120+925.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMZA120R020M1H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.07 грн
5+1400.51 грн
10+1355.94 грн
50+1218.47 грн
100+1086.55 грн
250+1048.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1188.94 грн
30+706.38 грн
120+610.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.51 грн
5+1046.46 грн
10+965.58 грн
50+847.57 грн
100+749.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1192.17 грн
10+1035.55 грн
25+875.46 грн
50+827.64 грн
100+778.35 грн
240+754.07 грн
480+705.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.60 грн
5+890.48 грн
10+834.36 грн
50+722.65 грн
100+618.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1242.81 грн
10+1079.54 грн
25+913.72 грн
50+862.22 грн
100+811.46 грн
240+785.71 грн
480+734.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.13 грн
30+579.78 грн
120+502.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2235.43 грн
30+1591.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
1+3072.70 грн
10+2466.19 грн
25+2001.05 грн
100+1873.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2013.56 грн
10+1633.69 грн
25+1374.25 грн
50+1344.09 грн
100+1316.13 грн
240+1254.34 грн
480+1203.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2382.60 грн
5+2049.18 грн
10+1744.65 грн
50+1529.61 грн
100+1324.23 грн
250+1288.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1661.65 грн
30+1347.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1677.11 грн
10+1362.11 грн
25+1183.71 грн
50+1129.27 грн
100+1063.06 грн
240+1029.95 грн
480+963.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1620.86 грн
5+1407.93 грн
10+1194.19 грн
50+1014.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMZA65R015M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1429.92 грн
10+1294.43 грн
25+1079.25 грн
100+951.24 грн
240+885.03 грн
480+828.38 грн
1200+790.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.44 грн
5+1213.17 грн
10+1001.89 грн
50+902.74 грн
100+807.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1120.08 грн
10+895.10 грн
25+725.38 грн
50+693.01 грн
100+664.32 грн
240+631.22 грн
480+603.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1176.03 грн
5+1011.80 грн
10+861.60 грн
50+754.84 грн
100+653.62 грн
250+635.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1904.87 грн
10+1719.06 грн
100+1484.92 грн
240+1319.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.31 грн
5+938.35 грн
10+900.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2051.39 грн
10+1851.30 грн
100+1599.14 грн
240+1421.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMZA65R027M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1155.52 грн
30+685.77 грн
120+609.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1626.16 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1396.45 грн
10+1309.66 грн
25+993.91 грн
50+989.49 грн
100+942.41 грн
240+925.49 грн
480+854.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1301.38 грн
10+1231.14 грн
100+1108.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.59 грн
30+918.43 грн
120+864.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005423795
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1401.49 грн
10+1325.84 грн
100+1193.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1582.70 грн
10+1443.33 грн
100+1079.98 грн
480+995.38 грн
1200+971.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1358.85 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+954.85 грн
5+789.80 грн
10+623.91 грн
50+564.02 грн
100+505.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+980.44 грн
5+843.44 грн
10+718.00 грн
50+629.16 грн
100+544.69 грн
250+529.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.32 грн
10+877.34 грн
100+631.22 грн
480+549.55 грн
1200+478.19 грн
2640+460.54 грн
5040+439.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.60 грн
10+1016.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.96 грн
30+677.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1159.42 грн
12+1095.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.26 грн
5+883.88 грн
10+870.67 грн
50+482.79 грн
100+436.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.17 грн
10+546.32 грн
30+501.18 грн
120+432.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+803.00 грн
5+689.11 грн
10+575.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+983.61 грн
10+853.65 грн
25+722.44 грн
50+681.98 грн
100+642.25 грн
240+620.92 грн
480+581.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1250.43 грн
11+1212.28 грн
20+1179.71 грн
50+1110.59 грн
100+1006.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.72 грн
5+864.07 грн
10+862.42 грн
50+483.56 грн
100+382.70 грн
250+375.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+429.23 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+398.57 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+576.92 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+816.45 грн
16+808.32 грн
50+805.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.40 грн
30+388.23 грн
120+330.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+886.62 грн
10+868.03 грн
25+459.07 грн
100+400.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+610.05 грн
100+584.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.48 грн
30+377.75 грн
120+339.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+837.70 грн
10+620.99 грн
25+480.40 грн
100+414.19 грн
240+381.08 грн
480+357.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.73 грн
5+579.35 грн
10+481.14 грн
50+420.72 грн
100+364.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.21 грн
10+663.29 грн
25+383.29 грн
100+357.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+655.28 грн
5+542.21 грн
10+428.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+863.73 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+888.64 грн
100+816.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.78 грн
10+825.17 грн
100+758.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.33 грн
10+566.00 грн
25+446.56 грн
100+410.51 грн
250+385.50 грн
500+361.96 грн
1000+325.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.14 грн
5+531.48 грн
10+452.26 грн
50+396.96 грн
100+343.79 грн
250+333.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+825.80 грн
17+759.75 грн
100+667.88 грн
480+560.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.19 грн
10+774.82 грн
100+681.14 грн
480+571.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.53 грн
10+463.63 грн
25+392.12 грн
100+321.49 грн
240+320.76 грн
480+308.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.92 грн
5+262.44 грн
10+259.96 грн
50+239.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.23 грн
10+696.84 грн
100+639.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.39 грн
30+316.80 грн
120+268.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIMZA65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+790.71 грн
17+750.44 грн
100+688.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+586.78 грн
10+577.70 грн
100+373.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.38 грн
10+671.54 грн
100+605.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.01 грн
10+838.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+706.94 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+763.95 грн
17+723.19 грн
100+651.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.45 грн
10+743.66 грн
25+615.77 грн
100+569.42 грн
480+503.21 грн
1200+442.88 грн
2640+437.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1189.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.74 грн
10+501.70 грн
25+292.80 грн
100+256.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+533.96 грн
5+432.45 грн
10+330.11 грн
50+284.31 грн
100+241.93 грн
250+237.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.59 грн
30+274.65 грн
120+229.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+625.98 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3448.63 грн
10+2802.06 грн
25+2341.68 грн
50+2321.08 грн
100+2176.88 грн
240+2145.98 грн
480+2099.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3397.31 грн
10+2676.58 грн
30+2502.65 грн
120+2203.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1840.38 грн
5+1631.59 грн
10+1422.79 грн
50+1298.17 грн
100+1071.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1791.26 грн
10+1471.25 грн
25+1184.45 грн
50+1170.47 грн
100+1125.59 грн
240+1084.40 грн
480+1054.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1811.26 грн
10+1399.63 грн
30+1298.89 грн
120+1134.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1477.13 грн
10+1236.06 грн
25+1005.68 грн
50+993.17 грн
100+933.58 грн
240+901.95 грн
480+882.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1488.16 грн
10+1142.38 грн
30+1057.54 грн
120+921.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.39 грн
5+1366.67 грн
10+1166.13 грн
50+1017.69 грн
100+879.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1058.43 грн
30+625.46 грн
120+598.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1203.26 грн
5+1050.59 грн
10+897.91 грн
50+781.66 грн
100+672.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1182.73 грн
10+956.86 грн
25+772.47 грн
50+743.04 грн
100+709.93 грн
240+677.56 грн
480+656.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.30 грн
5+738.63 грн
10+618.14 грн
50+550.23 грн
100+485.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+896.92 грн
10+699.67 грн
25+559.85 грн
100+515.71 грн
240+496.59 грн
480+482.61 грн
1200+468.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849.13 грн
10+640.20 грн
30+588.29 грн
120+508.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.24 грн
10+558.38 грн
25+445.09 грн
100+407.57 грн
240+384.03 грн
480+367.11 грн
1200+356.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.80 грн
10+510.69 грн
30+467.87 грн
120+403.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+741.11 грн
5+630.52 грн
10+519.93 грн
50+449.84 грн
100+384.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.22 грн
5+491.04 грн
10+406.87 грн
50+360.94 грн
100+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.66 грн
10+462.78 грн
25+367.84 грн
100+329.59 грн
240+314.87 грн
480+302.37 грн
1200+286.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.00 грн
10+423.25 грн
30+386.79 грн
120+332.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.08 грн
10+366.33 грн
25+289.86 грн
100+263.37 грн
240+247.19 грн
480+237.63 грн
1200+224.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesIMZA75R140M1HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.61 грн
10+334.74 грн
30+304.92 грн
120+261.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.20 грн
10+340.02 грн
100+280.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2075.36 грн
10+1684.45 грн
25+1416.19 грн
50+1385.29 грн
100+1355.86 грн
240+1293.33 грн
480+1239.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1508.88 грн
10+1274.97 грн
25+1041.73 грн
50+1002.00 грн
100+965.21 грн
240+918.87 грн
480+880.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1282.29 грн
10+1044.01 грн
25+847.51 грн
50+812.19 грн
100+779.09 грн
240+740.83 грн
480+708.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1549.06 грн
5+1367.50 грн
10+1183.46 грн
50+983.97 грн
100+822.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1267.64 грн
5+1090.20 грн
10+928.44 грн
50+813.85 грн
100+704.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1126.08 грн
10+901.03 грн
25+729.80 грн
50+697.43 грн
100+668.00 грн
240+634.89 грн
480+606.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+830.83 грн
10+675.98 грн
25+531.16 грн
100+470.10 грн
240+445.82 грн
480+425.96 грн
1200+409.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+734.70 грн
10+584.61 грн
25+459.07 грн
100+406.83 грн
240+382.55 грн
480+364.90 грн
1200+348.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.56 грн
10+489.85 грн
25+384.03 грн
100+339.88 грн
240+318.55 грн
480+303.10 грн
1200+287.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC9851BTSOP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.