Продукція > IMZ

08+ S0T-363

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1 A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1 T108

SOT26/SOT363

на замовлення 7640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1H

SiC MOSFETs SIC DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1H

Infineon

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 22800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1239.91 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1104.70 грн
5+	1079.30 грн
10+	1053.91 грн
50+	955.05 грн
100+	859.81 грн
250+	838.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1226.87 грн
30+	748.11 грн
120+	678.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2103.75 грн
2+	1917.93 грн
10+	1837.46 грн
30+	1783.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 1307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1183.22 грн
10+	787.09 грн
100+	663.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1406.50 грн
10+	1375.92 грн
100+	1365.73 грн
200+	1267.81 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1753.13 грн
2+	1539.08 грн
10+	1531.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1600.52 грн
10+	1402.36 грн
25+	1135.68 грн
50+	1067.01 грн
100+	1032.30 грн
240+	1006.64 грн
480+	915.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	815.36 грн
16+	799.05 грн
50+	798.24 грн
100+	768.94 грн
200+	654.47 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	865.98 грн
5+	864.29 грн
10+	861.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1115.04 грн
30+	657.21 грн
120+	565.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

IMZ120R045M1XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	683.98 грн
5+	680.60 грн
10+	677.21 грн
50+	422.11 грн
100+	367.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	715.88 грн
30+	403.56 грн
120+	368.11 грн
510+	331.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

IMZ120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	645.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 720 шт:

термін постачання 379-388 дні (днів)

1+	1377.78 грн
10+	1248.76 грн
100+	916.84 грн
480+	815.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	578.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	725.43 грн
10+	623.08 грн
25+	438.43 грн
100+	373.53 грн
240+	372.77 грн
480+	369.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	637.42 грн
5+	529.92 грн
10+	421.56 грн
50+	390.67 грн
100+	359.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	650.57 грн
30+	368.34 грн
120+	311.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

IMZ120R090M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	550.23 грн
5+	520.60 грн
10+	490.98 грн
50+	323.85 грн
100+	298.21 грн
250+	297.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	582.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

IMZ120R140M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	736.87 грн
10+	712.46 грн
25+	487.47 грн
100+	466.35 грн
240+	427.86 грн
480+	420.31 грн
1200+	414.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	560.39 грн
10+	543.46 грн
100+	275.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	512.62 грн
30+	277.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

IMZ120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	461.31 грн
10+	340.18 грн
25+	293.54 грн
100+	279.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	717.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1H

Infineon SIC DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	317.07 грн
42+	297.32 грн
50+	289.00 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	636.50 грн
10+	597.46 грн
100+	540.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	443.57 грн
10+	392.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	477.52 грн
30+	255.78 грн
120+	219.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

IMZ120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	594.07 грн
22+	557.62 грн
100+	504.38 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	632.11 грн
10+	615.27 грн
25+	317.69 грн
100+	290.52 грн
240+	289.77 грн
480+	236.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	521.75 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SO163-Z1

на замовлення 2629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SOT26

на замовлення 5486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SOT23-

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 5258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A/Z1

09+

на замовлення 22818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.57 грн
19+	17.14 грн
100+	10.76 грн
500+	7.50 грн
1000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-S1-00001

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS_S1_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS_S1_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS_S1_00001

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 1422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1068+	11.46 грн
1104+	11.08 грн

Мінімальне замовлення: 1068

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.28 грн
18+	19.87 грн
100+	9.06 грн
1000+	8.23 грн
3000+	5.66 грн
9000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.78 грн
42+	20.23 грн
100+	12.95 грн
500+	9.04 грн
1000+	7.62 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 19147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.18 грн
14+	23.19 грн
100+	14.72 грн
500+	10.37 грн
1000+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1191+	10.27 грн
1210+	10.11 грн

Мінімальне замовлення: 1191

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	47.40 грн
11+	38.36 грн
25+	35.06 грн
27+	34.59 грн
74+	32.70 грн
100+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

662+	1.06 грн

Мінімальне замовлення: 662

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	56.89 грн
7+	47.80 грн
25+	42.07 грн
27+	41.50 грн
74+	39.24 грн
100+	37.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.68 грн
6000+	7.59 грн
9000+	7.20 грн
15000+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1068+	11.46 грн
1104+	11.08 грн
2500+	10.75 грн

Мінімальне замовлення: 1068

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREE

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1T108

03+ SOT23-6

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2

SOT-23-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2

SOT26/

на замовлення 831 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A

SOT-163

на замовлення 778000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A

07+ SOT-163

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 5498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	29.39 грн
17+	18.79 грн
100+	12.69 грн
500+	9.23 грн
1000+	8.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

603+	20.29 грн
660+	18.55 грн
806+	15.19 грн
1000+	13.08 грн
2000+	11.28 грн
3000+	9.88 грн
12000+	9.43 грн
24000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 603

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_00001

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_00001

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R2_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R2_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2T108

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ4

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ4 FRAT108

SOT26/SOT363

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ4 T108

0805+ SOT23-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ4T108

Description: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ4T108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ4T108

Rochester Electronics, LLC

Description: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ9972BA

Description: IMZ9972BA

на замовлення 7178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5684.33 грн
5+	4974.10 грн
10+	4121.67 грн
50+	3431.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3436.53 грн
30+	2428.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1967.29 грн
5+	1919.89 грн
10+	1872.48 грн
50+	1694.72 грн
100+	1523.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R014M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2174.52 грн
10+	1905.68 грн
25+	1545.43 грн
50+	1497.89 грн
100+	1448.84 грн
240+	1351.50 грн
480+	1242.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1652.97 грн
30+	1007.71 грн
120+	949.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1740.50 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

IMZA120R020M1H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1482.24 грн
5+	1436.53 грн
10+	1390.82 грн
50+	1249.81 грн
100+	1114.49 грн
250+	1075.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1155.49 грн
5+	1073.38 грн
10+	990.42 грн
50+	869.37 грн
100+	769.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R030M1HXKSA1

MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package

на замовлення 1164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1261.57 грн
10+	962.39 грн
100+	723.67 грн
480+	722.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1158.30 грн
30+	780.68 грн
120+	722.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	970.95 грн
5+	913.39 грн
10+	855.82 грн
50+	741.24 грн
100+	634.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1034.44 грн
10+	953.71 грн
25+	568.97 грн
100+	512.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	942.80 грн
30+	543.73 грн
120+	473.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1957.77 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2418.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2408.70 грн
10+	2324.82 грн
25+	1474.50 грн
100+	1405.07 грн
240+	1404.32 грн
480+	1389.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2292.93 грн
30+	1632.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1900.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1675.35 грн
10+	1351.16 грн
100+	1038.34 грн
480+	1037.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Description: IMZA65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1704.39 грн
30+	1382.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2443.88 грн
5+	2101.89 грн
10+	1789.53 грн
50+	1568.95 грн
100+	1358.29 грн
250+	1321.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1773.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 2293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1466.70 грн
10+	1429.26 грн
25+	925.15 грн
50+	924.39 грн
100+	856.48 грн
240+	827.05 грн
480+	822.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1662.55 грн
5+	1444.15 грн
10+	1224.90 грн
50+	1040.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

IMZA65R015M2HXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1241.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 1437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1214.03 грн
10+	1160.24 грн
25+	638.40 грн
100+	581.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1159.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1461.08 грн
5+	1244.37 грн
10+	1027.67 грн
50+	925.96 грн
100+	827.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1021.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

на замовлення 411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	977.21 грн
10+	719.40 грн
100+	541.05 грн
480+	512.38 грн
1200+	435.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1206.28 грн
5+	1037.82 грн
10+	883.76 грн
50+	774.26 грн
100+	670.44 грн
250+	652.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1H

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2072.92 грн
10+	2009.66 грн
20+	1885.84 грн
50+	1704.73 грн
100+	1602.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 184A
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1074.22 грн
5+	933.70 грн
10+	792.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1185.24 грн
30+	703.41 грн
120+	624.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	726.69 грн
100+	691.02 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	733.13 грн
25+	606.72 грн
100+	601.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	684.25 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 16560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	711.65 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1113.67 грн
25+	582.29 грн
100+	505.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	726.69 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1H

IMZA65R030M1H

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1786.18 грн
10+	1731.66 грн
20+	1624.97 грн
50+	1468.91 грн
100+	1380.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

SP005423795

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	572.03 грн
10+	570.64 грн
25+	538.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	856.13 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	929.67 грн
10+	914.66 грн
25+	518.41 грн
100+	452.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	967.56 грн
5+	963.33 грн
10+	959.10 грн
50+	541.59 грн
100+	432.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1208.91 грн
30+	942.05 грн
120+	886.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	533.90 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	651.27 грн
100+	618.65 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	929.84 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1005.66 грн
5+	865.13 грн
10+	736.47 грн
50+	645.34 грн
100+	558.70 грн
250+	543.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	996.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	815.36 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	903.62 грн
30+	694.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	839.87 грн
10+	820.93 грн
25+	433.14 грн
240+	390.13 грн
480+	365.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	513.63 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	806.73 грн
5+	804.19 грн
10+	800.80 грн
50+	451.19 грн
100+	396.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	477.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	823.66 грн
5+	706.84 грн
10+	590.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	746.90 грн
10+	560.37 грн
30+	514.07 грн
120+	443.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1H

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1267.75 грн
20+	1233.69 грн
50+	1161.41 грн
100+	1052.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1H

MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	700.91 грн
5+	684.83 грн
10+	667.90 грн
50+	402.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	357.48 грн
480+	356.87 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	727.19 грн
10+	682.95 грн
25+	369.00 грн
100+	334.29 грн
240+	325.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	668.53 грн
30+	379.58 грн
120+	322.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	796.78 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	467.81 грн
100+	444.37 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	685.67 грн
30+	387.47 грн
120+	348.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	466.39 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	499.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	694.14 грн
5+	594.25 грн
10+	493.52 грн
50+	431.54 грн
100+	373.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	662.04 грн
10+	555.39 грн
25+	350.89 грн
100+	333.54 грн
240+	332.78 грн
1200+	319.95 грн
2640+	319.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1H

IMZA65R057M1H

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1145.93 грн
20+	1115.15 грн
50+	1049.82 грн
100+	951.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.35 грн
5+	458.81 грн
10+	456.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	832.78 грн
25+	794.34 грн
50+	762.37 грн
100+	709.23 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	514.14 грн
10+	352.32 грн
100+	287.50 грн
480+	275.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	625.38 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	593.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	345.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	599.53 грн
10+	417.41 грн
100+	302.60 грн
480+	268.64 грн
1200+	239.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	634.04 грн
5+	545.15 грн
10+	463.89 грн
50+	407.17 грн
100+	352.63 грн
250+	342.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	454.16 грн
50+	450.89 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	333.80 грн
10+	333.28 грн
25+	304.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.09 грн
30+	324.95 грн
120+	275.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

IMZA65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	325.33 грн
480+	310.30 грн
1200+	310.04 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	493.13 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	271.73 грн
5+	269.19 грн
10+	266.65 грн
50+	245.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 3120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	360.94 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	303.64 грн
480+	289.62 грн
1200+	289.37 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	528.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	368.95 грн
100+	350.60 грн

Мінімальне замовлення: 83

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	584.09 грн
10+	581.55 грн
100+	313.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	338.37 грн
100+	322.07 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	350.58 грн
10+	350.05 грн
25+	302.35 грн
100+	289.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	417.46 грн
50+	414.20 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	971.37 грн
10+	859.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1H

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	901.50 грн
25+	859.88 грн
50+	825.27 грн
100+	767.75 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	497.37 грн
27+	461.49 грн
50+	444.37 грн
100+	408.06 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	291.49 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	291.49 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	484.05 грн
30+	265.13 грн
120+	223.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	508.75 грн
10+	451.19 грн
100+	263.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	300.25 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	553.75 грн
10+	522.41 грн
25+	279.20 грн
100+	233.93 грн
240+	233.17 грн
480+	212.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R008M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3484.70 грн
10+	2745.42 грн
30+	2567.02 грн
120+	2259.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R008M1HXKSA1

MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2172.76 грн
10+	2113.08 грн
25+	1577.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R016M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1564.42 грн
10+	1532.53 грн
25+	872.32 грн
100+	870.81 грн
240+	870.06 грн
480+	864.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R016M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1509.33 грн
5+	1505.10 грн
10+	1500.02 грн
50+	911.81 грн
100+	840.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R016M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1857.85 грн
10+	1435.64 грн
30+	1332.30 грн
120+	1163.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R020M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1526.44 грн
10+	1171.76 грн
30+	1084.74 грн
120+	945.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R020M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1515.12 грн
10+	1267.85 грн
25+	1031.54 грн
50+	1018.72 грн
100+	957.59 грн
240+	925.15 грн
480+	905.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1320.56 грн
5+	1288.39 грн
10+	1256.22 грн
50+	838.71 грн
100+	743.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R027M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1026.51 грн
10+	627.42 грн
100+	506.34 грн
480+	495.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1039.52 грн
5+	1013.27 грн
10+	987.03 грн
50+	601.33 грн
100+	539.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R027M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1085.65 грн
30+	641.55 грн
120+	613.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	802.49 грн
5+	783.87 грн
10+	765.25 грн
50+	454.33 грн
100+	387.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R040M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	870.97 грн
10+	656.66 грн
30+	603.42 грн
120+	521.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R040M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	919.99 грн
10+	717.67 грн
25+	574.25 грн
100+	528.98 грн
240+	509.36 грн
480+	495.02 грн
1200+	480.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R060M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	700.37 грн
10+	523.82 грн
30+	479.91 грн
120+	413.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R060M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	725.43 грн
10+	572.74 грн
25+	456.54 грн
100+	418.05 грн
240+	393.90 грн
480+	376.55 грн
1200+	365.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	641.66 грн
5+	628.11 грн
10+	614.57 грн
50+	372.59 грн
100+	304.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R090M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	610.98 грн
10+	474.68 грн
25+	377.30 грн
100+	338.06 грн
240+	322.97 грн
480+	310.14 грн
1200+	294.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	540.92 грн
10+	516.37 грн
100+	292.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R090M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	583.64 грн
10+	434.13 грн
30+	396.74 грн
120+	341.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

IMZA75R140M1HXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	465.28 грн
10+	343.35 грн
30+	312.77 грн
120+	267.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	496.53 грн
10+	375.76 грн
25+	297.31 грн
100+	270.15 грн
240+	253.55 грн
480+	243.74 грн
1200+	230.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	455.42 грн
10+	406.33 грн
100+	231.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R012M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R012M2HXKSA1

Description: IMZC120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1757.45 грн
30+	1085.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R017M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1474.62 грн
10+	1196.69 грн
100+	900.24 грн
480+	899.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R022M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1588.90 грн
5+	1402.67 грн
10+	1213.90 грн
50+	1009.28 грн
100+	843.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R022M2HXKSA1

Description: IMZC120R022M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1149.32 грн
30+	684.02 грн
120+	610.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R022M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1249.25 грн
10+	986.68 грн
100+	741.78 грн
480+	741.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R026M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1300.24 грн
5+	1118.24 грн
10+	952.33 грн
50+	834.78 грн
100+	722.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R026M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1111.03 грн
10+	818.33 грн
100+	615.00 грн
480+	581.80 грн
1200+	494.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R034M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	895.34 грн
10+	718.53 грн
100+	521.43 грн
480+	463.33 грн
1200+	394.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R040M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	871.57 грн
10+	672.54 грн
100+	487.47 грн
480+	433.14 грн
1200+	369.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R053M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	757.12 грн
10+	565.80 грн
100+	410.50 грн
480+	364.47 грн
1200+	325.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R078M2HXKSA1