Продукція > IMZ

08+ S0T-363

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1 A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1 T108

SOT26/SOT363

на замовлення 7640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1H

SiC MOSFETs SIC DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1H

Infineon

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 22800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1227.99 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2266.74 грн
2+	2143.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1392.97 грн
10+	1362.69 грн
100+	1352.60 грн
200+	1255.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1244.00 грн
30+	758.55 грн
120+	688.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 1299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1181.89 грн
10+	787.52 грн
100+	672.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1120.12 грн
5+	1094.38 грн
10+	1068.62 грн
50+	968.38 грн
100+	871.82 грн
250+	849.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	807.52 грн
16+	791.37 грн
50+	790.56 грн
100+	761.55 грн
200+	648.18 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1130.61 грн
30+	666.39 грн
120+	573.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1622.87 грн
10+	1421.94 грн
25+	1151.54 грн
50+	1081.91 грн
100+	1046.72 грн
240+	1020.70 грн
480+	928.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	878.08 грн
5+	876.36 грн
10+	873.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

IMZ120R045M1XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V

на замовлення 515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	747.39 грн
30+	408.50 грн
120+	364.72 грн
510+	328.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 720 шт:

термін постачання 379-388 дні (днів)

1+	1397.02 грн
10+	1266.20 грн
100+	929.65 грн
480+	827.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	693.53 грн
5+	690.10 грн
10+	686.67 грн
50+	428.00 грн
100+	373.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

IMZ120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	654.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

IMZ120R090M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	659.66 грн
30+	373.49 грн
120+	316.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	735.56 грн
10+	631.78 грн
25+	444.55 грн
100+	378.75 грн
240+	377.98 грн
480+	374.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	646.32 грн
5+	537.32 грн
10+	427.45 грн
50+	396.12 грн
100+	364.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	590.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	747.16 грн
10+	722.41 грн
25+	494.28 грн
100+	472.86 грн
240+	433.84 грн
480+	426.18 грн
1200+	420.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	557.92 грн
5+	527.88 грн
10+	497.83 грн
50+	328.37 грн
100+	302.38 грн
250+	301.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

IMZ120R140M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

IMZ120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.78 грн
30+	281.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	710.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.76 грн
10+	344.93 грн
25+	297.64 грн
100+	283.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	575.08 грн
10+	427.45 грн
100+	278.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1H

Infineon SIC DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	516.73 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.93 грн
10+	623.86 грн
25+	322.13 грн
100+	294.58 грн
240+	293.81 грн
480+	239.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	484.19 грн
30+	259.35 грн
120+	222.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	314.02 грн
42+	294.46 грн
50+	286.23 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.77 грн
10+	398.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	630.38 грн
10+	591.71 грн
100+	535.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

IMZ120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	588.36 грн
22+	552.26 грн
100+	499.53 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SOT23-

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SO163-Z1

на замовлення 2629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108

SOT26

на замовлення 5486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 5258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A/Z1

09+

на замовлення 22818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.97 грн
19+	17.38 грн
100+	10.91 грн
500+	7.61 грн
1000+	6.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS-S1-00001

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS_S1_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS_S1_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AS_S1_00001

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 16732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
16+	20.96 грн
100+	13.29 грн
500+	9.36 грн
1000+	8.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	34.25 грн
42+	20.51 грн
100+	13.13 грн
500+	9.17 грн
1000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 1422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1068+	11.35 грн
1104+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 1068

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.83 грн
6000+	6.85 грн
9000+	6.50 грн
15000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1191+	10.17 грн
1210+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 1191

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.71 грн
18+	20.15 грн
100+	9.18 грн
1000+	8.34 грн
3000+	5.74 грн
9000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	48.07 грн
11+	38.89 грн
25+	35.55 грн
27+	35.07 грн
74+	33.16 грн
100+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

662+	1.05 грн

Мінімальне замовлення: 662

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	57.68 грн
7+	48.47 грн
25+	42.66 грн
27+	42.08 грн
74+	39.79 грн
100+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1068+	11.35 грн
1104+	10.97 грн
2500+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 1068

В кошику од. на суму грн.

IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREE

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ1T108

03+ SOT23-6

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2

SOT26/

на замовлення 831 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2

SOT-23-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A

SOT-163

на замовлення 778000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A

07+ SOT-163

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 5498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	29.80 грн
17+	19.05 грн
100+	12.86 грн
500+	9.36 грн
1000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IMZ2AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

603+	20.09 грн
660+	18.37 грн
806+	15.04 грн
1000+	12.95 грн
2000+	11.18 грн
3000+	9.78 грн
12000+	9.34 грн
24000+	9.00 грн

Мінімальне замовлення: 603

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_00001

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_00001

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R1_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R2_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2A_R2_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ2T108

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ4

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ4 FRAT108

SOT26/SOT363

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ4 T108

0805+ SOT23-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZ4T108

Description: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ4T108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ4T108

Rochester Electronics, LLC

Description: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZ9972BA

Description: IMZ9972BA

на замовлення 7178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5763.71 грн
5+	5043.57 грн
10+	4179.22 грн
50+	3479.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3484.53 грн
30+	2462.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1994.77 грн
5+	1946.70 грн
10+	1898.63 грн
50+	1718.38 грн
100+	1545.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V

на замовлення 1371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2012.09 грн
30+	1401.14 грн
120+	1391.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R014M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1764.80 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2204.89 грн
10+	1932.29 грн
25+	1567.01 грн
50+	1518.81 грн
100+	1469.07 грн
240+	1370.37 грн
480+	1260.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

IMZA120R020M1H THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1502.94 грн
5+	1456.59 грн
10+	1410.24 грн
50+	1267.27 грн
100+	1130.06 грн
250+	1090.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1676.05 грн
30+	1021.78 грн
120+	962.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R030M1HXKSA1

MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1279.19 грн
10+	975.82 грн
100+	733.77 грн
480+	733.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1171.62 грн
5+	1088.37 грн
10+	1004.25 грн
50+	881.51 грн
100+	779.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1174.48 грн
30+	791.58 грн
120+	732.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1005.11 грн
5+	982.79 грн
10+	960.48 грн
50+	608.93 грн
100+	483.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	955.97 грн
30+	551.33 грн
120+	479.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	779.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1
Код товару: 213128

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1012.28 грн
10+	597.46 грн
100+	470.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R040M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	883.74 грн
10+	681.93 грн
100+	494.28 грн
480+	439.19 грн
1200+	374.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R053M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	744.48 грн
30+	434.68 грн
120+	320.59 грн
240+	314.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA120R078M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	642.72 грн
30+	370.44 грн
120+	270.86 грн
240+	258.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2442.34 грн
10+	2357.29 грн
25+	1495.09 грн
100+	1424.70 грн
240+	1423.93 грн
480+	1409.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1938.94 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2394.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R007M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2324.95 грн
30+	1655.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1881.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Description: IMZA65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1728.19 грн
30+	1401.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1698.74 грн
10+	1370.03 грн
100+	1052.84 грн
480+	1052.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2478.01 грн
5+	2131.24 грн
10+	1814.52 грн
50+	1590.86 грн
100+	1377.26 грн
250+	1339.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R010M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1756.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 2293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1487.18 грн
10+	1449.22 грн
25+	938.07 грн
50+	937.30 грн
100+	868.44 грн
240+	838.60 грн
480+	834.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1429.98 грн
5+	1422.26 грн
10+	1413.68 грн
50+	975.56 грн
100+	835.04 грн
250+	806.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R015M2HXKSA1

IMZA65R015M2HXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1229.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1147.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 1437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1230.99 грн
10+	1176.45 грн
25+	647.31 грн
100+	589.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1481.48 грн
5+	1261.75 грн
10+	1042.02 грн
50+	938.89 грн
100+	839.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V

на замовлення 453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1032.12 грн
30+	607.73 грн
120+	533.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1012.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

на замовлення 411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	990.86 грн
10+	729.45 грн
100+	548.61 грн
480+	519.53 грн
1200+	441.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1223.12 грн
5+	1052.32 грн
10+	896.10 грн
50+	785.07 грн
100+	679.80 грн
250+	661.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R026M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1H

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2052.99 грн
10+	1990.33 грн
20+	1867.70 грн
50+	1688.34 грн
100+	1586.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1089.22 грн
5+	946.74 грн
10+	803.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	719.70 грн
100+	684.37 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

IMZA65R027M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	726.08 грн
25+	600.88 грн
100+	595.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1201.79 грн
30+	713.23 грн
120+	633.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	677.67 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 16560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	704.80 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	719.70 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R027M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1129.22 грн
25+	590.42 грн
100+	512.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1H

IMZA65R030M1H

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1769.00 грн
10+	1715.01 грн
20+	1609.34 грн
50+	1454.79 грн
100+	1367.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	566.53 грн
10+	565.15 грн
25+	533.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1225.79 грн
30+	955.21 грн
120+	899.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	847.90 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	942.66 грн
10+	927.43 грн
25+	525.65 грн
100+	458.32 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	981.08 грн
5+	976.78 грн
10+	972.49 грн
50+	549.15 грн
100+	438.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	528.76 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

SP005423795

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	645.01 грн
100+	612.71 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	920.90 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1019.70 грн
5+	877.22 грн
10+	746.75 грн
50+	654.36 грн
100+	566.50 грн
250+	551.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	986.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R033M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	807.52 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	508.69 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	916.24 грн
30+	704.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	851.60 грн
10+	832.40 грн
25+	439.19 грн
240+	395.58 грн
480+	370.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	817.99 грн
5+	815.42 грн
10+	811.98 грн
50+	457.49 грн
100+	401.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	472.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	757.33 грн
10+	568.20 грн
30+	521.25 грн
120+	449.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	715.92 грн
10+	416.20 грн
100+	309.88 грн
480+	293.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	835.16 грн
5+	716.71 грн
10+	598.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R040M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1H

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1255.56 грн
20+	1221.83 грн
50+	1150.24 грн
100+	1042.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1H

MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	710.70 грн
5+	694.39 грн
10+	677.22 грн
50+	408.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	354.04 грн
480+	353.43 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	737.34 грн
10+	692.49 грн
25+	374.15 грн
100+	338.96 грн
240+	330.54 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	789.12 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	463.31 грн
100+	440.10 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	677.87 грн
30+	384.88 грн
120+	327.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R048M1HXKSA1

IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	671.29 грн
10+	563.15 грн
25+	355.79 грн
100+	338.19 грн
240+	337.43 грн
1200+	324.42 грн
2640+	323.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	461.90 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	695.25 грн
30+	392.88 грн
120+	352.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	494.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	703.83 грн
5+	602.55 грн
10+	500.41 грн
50+	437.57 грн
100+	378.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1H

IMZA65R057M1H

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1134.91 грн
20+	1104.43 грн
50+	1039.72 грн
100+	942.48 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	454.06 грн
5+	384.53 грн
10+	315.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	824.78 грн
25+	786.70 грн
50+	755.04 грн
100+	702.41 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	619.37 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	521.32 грн
10+	357.25 грн
100+	291.52 грн
480+	279.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	587.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	607.91 грн
10+	423.24 грн
100+	306.82 грн
480+	272.39 грн
1200+	242.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	642.89 грн
5+	552.77 грн
10+	470.37 грн
50+	412.86 грн
100+	357.56 грн
250+	347.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R060M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	449.79 грн
50+	446.56 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.59 грн
10+	330.07 грн
25+	301.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	322.20 грн
480+	307.32 грн
1200+	307.06 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	488.39 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	275.52 грн
5+	272.95 грн
10+	270.38 грн
50+	248.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 3120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	357.47 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

IMZA65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	594.27 грн
30+	329.49 грн
120+	279.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	300.72 грн
480+	286.83 грн
1200+	286.59 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	523.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	365.40 грн
100+	347.23 грн

Мінімальне замовлення: 83

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R072M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	592.25 грн
10+	589.68 грн
100+	317.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	335.12 грн
100+	318.97 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	984.94 грн
10+	871.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	347.20 грн
10+	346.69 грн
25+	299.45 грн
100+	287.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	413.45 грн
50+	410.22 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1H

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	892.83 грн
25+	851.61 грн
50+	817.34 грн
100+	760.37 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	492.59 грн
27+	457.06 грн
50+	440.10 грн
100+	404.13 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.29 грн
10+	271.01 грн
100+	204.29 грн
480+	195.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	288.69 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	288.69 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	515.86 грн
10+	457.49 грн
100+	266.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	297.36 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	474.26 грн
30+	258.71 грн
120+	218.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R008M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3533.36 грн
10+	2783.77 грн
30+	2602.87 грн
120+	2291.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R008M1HXKSA1

MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2203.10 грн
10+	2142.59 грн
25+	1599.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R016M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1883.80 грн
10+	1455.68 грн
30+	1350.90 грн
120+	1180.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R016M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1530.41 грн
5+	1526.12 грн
10+	1520.97 грн
50+	924.55 грн
100+	851.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R016M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1586.27 грн
10+	1553.93 грн
25+	884.51 грн
100+	882.97 грн
240+	882.21 грн
480+	876.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R020M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1547.76 грн
10+	1188.12 грн
30+	1099.89 грн
120+	958.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1339.00 грн
5+	1306.38 грн
10+	1273.77 грн
50+	850.42 грн
100+	753.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R020M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1536.28 грн
10+	1285.55 грн
25+	1045.95 грн
50+	1032.94 грн
100+	970.97 грн
240+	938.07 грн
480+	918.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R027M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1100.81 грн
30+	650.50 грн
120+	622.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1054.03 грн
5+	1027.42 грн
10+	1000.82 грн
50+	609.72 грн
100+	547.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R027M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1040.85 грн
10+	636.18 грн
100+	513.41 грн
480+	501.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R040M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	932.84 грн
10+	727.69 грн
25+	582.27 грн
100+	536.37 грн
240+	516.47 грн
480+	501.93 грн
1200+	487.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R040M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	883.13 грн
10+	665.83 грн
30+	611.85 грн
120+	529.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	813.70 грн
5+	794.82 грн
10+	775.93 грн
50+	460.68 грн
100+	392.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R060M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	710.15 грн
10+	531.14 грн
30+	486.61 грн
120+	419.36 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	650.62 грн
5+	636.88 грн
10+	623.15 грн
50+	377.79 грн
100+	309.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R060M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	735.56 грн
10+	580.74 грн
25+	462.91 грн
100+	423.89 грн
240+	399.40 грн
480+	381.81 грн
1200+	371.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R090M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	591.79 грн
10+	440.20 грн
30+	402.28 грн
120+	345.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	548.48 грн
10+	523.58 грн
100+	296.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R090M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	619.51 грн
10+	481.31 грн
25+	382.57 грн
100+	342.78 грн
240+	327.48 грн
480+	314.47 грн
1200+	298.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

IMZA75R140M1HXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.78 грн
10+	412.00 грн
100+	235.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	471.78 грн
10+	348.14 грн
30+	317.14 грн
120+	271.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZA75R140M1HXKSA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	503.46 грн
10+	381.00 грн
25+	301.47 грн
100+	273.92 грн
240+	257.09 грн
480+	247.14 грн
1200+	233.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R012M2HXKSA1

Description: IMZC120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1781.99 грн
30+	1100.74 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R012M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R017M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1495.22 грн
10+	1213.40 грн
100+	912.82 грн
480+	912.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R022M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1611.09 грн
5+	1422.26 грн
10+	1230.85 грн
50+	1023.38 грн
100+	855.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R022M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1266.69 грн
10+	1000.46 грн
100+	752.14 грн
480+	751.37 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R022M2HXKSA1

Description: IMZC120R022M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1165.37 грн
30+	693.57 грн
120+	619.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R026M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1126.55 грн
10+	829.76 грн
100+	623.59 грн
480+	589.93 грн
1200+	501.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R026M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1318.40 грн
5+	1133.86 грн
10+	965.62 грн
50+	846.44 грн
100+	732.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R034M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	907.84 грн
10+	728.57 грн
100+	528.71 грн
480+	469.80 грн
1200+	400.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R040M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	883.74 грн
10+	681.93 грн
100+	494.28 грн
480+	439.19 грн
1200+	374.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R053M2HXKSA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	767.69 грн
10+	573.70 грн
100+	416.24 грн
480+	369.56 грн
1200+	329.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IMZC120R078M2HXKSA1