Продукція > IMZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMZ1ROHM08+ S0T-363
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 A T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 7640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HInfineon
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1423.40 грн
10+1392.46 грн
100+1382.14 грн
200+1283.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 150A
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1913.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1254.81 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.71 грн
10+763.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 150A
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1594.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1227.34 грн
30+748.40 грн
120+679.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.12 грн
5+1079.72 грн
10+1054.31 грн
50+955.42 грн
100+860.15 грн
250+838.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1601.14 грн
10+1402.90 грн
25+1136.12 грн
50+1067.42 грн
100+1032.70 грн
240+1007.03 грн
480+915.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1115.47 грн
30+657.47 грн
120+566.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.32 грн
5+864.62 грн
10+862.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+825.16 грн
16+808.66 грн
50+807.83 грн
100+778.18 грн
200+662.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.39 грн
30+403.03 грн
120+359.83 грн
510+323.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+684.25 грн
5+680.86 грн
10+677.47 грн
50+422.27 грн
100+368.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 720 шт:
термін постачання 379-388 дні (днів)
1+1378.32 грн
10+1249.24 грн
100+917.20 грн
480+816.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.71 грн
10+623.32 грн
25+438.59 грн
100+373.67 грн
240+372.92 грн
480+369.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.83 грн
30+368.48 грн
120+311.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.67 грн
5+530.12 грн
10+421.73 грн
50+390.82 грн
100+360.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.16 грн
10+712.74 грн
25+487.66 грн
100+466.53 грн
240+428.03 грн
480+420.48 грн
1200+414.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.45 грн
5+520.81 грн
10+491.17 грн
50+323.98 грн
100+298.33 грн
250+297.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.80 грн
10+298.64 грн
100+206.84 грн
480+203.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.82 грн
30+277.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.38 грн
10+421.73 грн
100+275.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+601.21 грн
22+564.33 грн
100+510.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+528.02 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.71 грн
30+255.88 грн
120+219.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.74 грн
10+392.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+320.88 грн
42+300.89 грн
50+292.48 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.35 грн
10+615.50 грн
25+317.81 грн
100+290.64 грн
240+289.88 грн
480+236.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.16 грн
10+604.64 грн
100+546.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSOT23-
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSO163-Z1
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSOT26
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108 SO163-Z1ROHM
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108 SO163-Z1ROHM
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A/Z1ROHM09+
на замовлення 22818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A108-TROHM0430+
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A108-TROHM0430+
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1PanjitBipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
19+17.14 грн
100+10.77 грн
500+7.50 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-S1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHM SEMICONDUCTORIMZ1AT108 Complementary transistors
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.09 грн
28+40.58 грн
76+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+11.59 грн
1104+11.21 грн
2500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.30 грн
18+19.88 грн
100+9.06 грн
1000+8.23 грн
3000+5.66 грн
9000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.73 грн
6000+6.76 грн
9000+6.42 грн
15000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+11.59 грн
1104+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+10.40 грн
1210+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 16732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
16+20.68 грн
100+13.12 грн
500+9.24 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHMDescription: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.56 грн
35+24.64 грн
100+15.92 грн
500+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREEROHM
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1T108ROHM03+ SOT23-6
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2ROHMSOT26/
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2ROHMSOT-23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AROHM07+ SOT-163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AROHMSOT-163
на замовлення 778000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
17+18.79 грн
100+12.69 грн
500+9.24 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+20.53 грн
660+18.77 грн
806+15.37 грн
1000+13.23 грн
2000+11.42 грн
3000+9.99 грн
12000+9.55 грн
24000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2T108
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4 FRAT108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4 T108ROHM0805+ SOT23-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ9972BARochester Electronics, LLCDescription: IMZ9972BA
на замовлення 7178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5686.52 грн
5+4976.03 грн
10+4123.26 грн
50+3432.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3228.00 грн
30+2358.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1647.89 грн
30+1013.92 грн
120+973.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1968.05 грн
5+1920.63 грн
10+1873.21 грн
50+1695.37 грн
100+1524.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1871.64 грн
30+1325.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2175.36 грн
10+1906.42 грн
25+1546.03 грн
50+1498.47 грн
100+1449.40 грн
240+1352.02 грн
480+1243.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1741.17 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1422.51 грн
30+873.95 грн
120+848.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.82 грн
5+1437.09 грн
10+1391.36 грн
50+1250.30 грн
100+1114.92 грн
250+1075.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R022M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.72 грн
30+639.36 грн
120+566.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1213.62 грн
30+738.78 грн
120+573.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1198.65 грн
10+915.01 грн
100+687.71 грн
480+686.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1155.94 грн
5+1073.79 грн
10+990.80 грн
50+869.70 грн
100+769.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.75 грн
30+780.98 грн
120+722.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+885.12 грн
10+683.22 грн
100+494.46 грн
480+440.86 грн
1200+375.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1
Код товару: 213128
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.17 грн
30+543.94 грн
120+473.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+725.19 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.98 грн
10+572.97 грн
100+440.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.65 грн
5+969.63 грн
10+947.61 грн
50+600.77 грн
100+476.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.87 грн
10+638.94 грн
100+462.75 грн
480+412.17 грн
1200+350.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+733.63 грн
10+538.24 грн
100+390.28 грн
480+346.50 грн
1200+308.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.38 грн
10+442.75 грн
100+320.83 грн
480+285.35 грн
1200+254.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1981.30 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2447.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2293.81 грн
30+1633.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2409.63 грн
10+2325.72 грн
25+1475.07 грн
100+1405.62 грн
240+1404.86 грн
480+1390.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1794.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1922.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1481.30 грн
30+1082.75 грн
120+1028.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1676.00 грн
10+1351.68 грн
100+1038.74 грн
480+1037.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2444.82 грн
5+2102.70 грн
10+1790.22 грн
50+1569.56 грн
100+1358.81 грн
250+1321.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.11 грн
30+690.78 грн
120+688.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1467.27 грн
10+1429.81 грн
25+925.50 грн
50+924.75 грн
100+856.81 грн
240+827.37 грн
480+822.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1410.83 грн
5+1403.21 грн
10+1394.74 грн
50+962.49 грн
100+823.85 грн
250+795.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesIMZA65R015M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1173.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.71 грн
30+582.55 грн
120+507.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1256.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1214.50 грн
10+1160.69 грн
25+638.64 грн
100+581.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1461.64 грн
5+1244.85 грн
10+1028.06 грн
50+926.32 грн
100+828.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+977.59 грн
10+719.68 грн
100+541.26 грн
480+512.57 грн
1200+435.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1206.75 грн
5+1038.22 грн
10+884.10 грн
50+774.56 грн
100+670.70 грн
250+652.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1034.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2097.84 грн
10+2033.81 грн
20+1908.50 грн
50+1725.22 грн
100+1621.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+735.42 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1185.70 грн
30+703.68 грн
120+625.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+735.42 грн
100+699.32 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+741.94 грн
25+614.01 грн
100+608.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+692.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1009.30 грн
10+603.35 грн
100+457.47 грн
480+454.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.64 грн
5+934.06 грн
10+792.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 16560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+720.20 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HInfineon TechnologiesIMZA65R030M1H
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1807.65 грн
10+1752.47 грн
20+1644.50 грн
50+1486.57 грн
100+1397.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSP005423795
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+659.10 грн
100+626.09 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.91 грн
10+577.49 грн
25+544.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+930.03 грн
10+915.01 грн
25+518.61 грн
100+452.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+967.94 грн
5+963.70 грн
10+959.47 грн
50+541.80 грн
100+432.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+866.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1209.38 грн
30+942.42 грн
120+886.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+540.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1006.04 грн
5+865.47 грн
10+736.75 грн
50+645.59 грн
100+558.91 грн
250+543.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+941.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.55 грн
30+428.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1008.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.97 грн
30+694.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+825.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+840.20 грн
10+821.25 грн
25+433.31 грн
240+390.28 грн
480+365.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+807.04 грн
5+804.50 грн
10+801.11 грн
50+451.37 грн
100+396.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+519.80 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.33 грн
10+410.63 грн
100+305.73 грн
480+289.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+823.97 грн
5+707.11 грн
10+590.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.14 грн
30+354.88 грн
120+300.26 грн
510+262.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1282.98 грн
20+1248.52 грн
50+1175.37 грн
100+1065.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+462.09 грн
100+439.40 грн
500+415.67 грн
1000+378.95 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.49 грн
30+342.53 грн
120+304.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+666.70 грн
10+376.77 грн
100+298.94 грн
480+286.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+462.09 грн
100+439.40 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+390.91 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+418.83 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.86 грн
5+543.67 грн
10+405.64 грн
50+360.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.30 грн
10+555.60 грн
25+351.03 грн
100+333.66 грн
240+332.91 грн
1200+320.08 грн
2640+319.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+471.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+694.41 грн
5+594.48 грн
10+493.71 грн
50+431.71 грн
100+373.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.17 грн
30+319.83 грн
120+286.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HInfineon TechnologiesIMZA65R057M1H
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1159.70 грн
20+1128.55 грн
50+1062.44 грн
100+963.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.98 грн
5+379.38 грн
10+310.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+842.79 грн
25+803.89 грн
50+771.53 грн
100+717.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+632.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.34 грн
10+352.46 грн
100+287.62 грн
480+275.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.03 грн
10+406.29 грн
100+294.41 грн
480+261.95 грн
1200+233.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.28 грн
5+545.36 грн
10+464.07 грн
50+407.33 грн
100+352.77 грн
250+342.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.25 грн
30+320.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+329.24 грн
480+314.03 грн
1200+313.77 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+499.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.84 грн
5+269.29 грн
10+266.75 грн
50+245.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+365.28 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+307.29 грн
480+293.10 грн
1200+292.85 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.32 грн
30+325.08 грн
120+275.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+373.38 грн
100+354.82 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+459.61 грн
50+456.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.81 грн
10+337.28 грн
25+308.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.22 грн
10+370.69 грн
100+261.19 грн
480+231.75 грн
1200+198.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.75 грн
10+860.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+354.79 грн
10+354.26 грн
25+305.99 грн
100+293.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+422.48 грн
50+419.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.32 грн
10+581.78 грн
100+313.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+342.44 грн
100+325.94 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+912.34 грн
25+870.21 грн
50+835.19 грн
100+776.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+294.99 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+294.99 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.95 грн
10+451.37 грн
100+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.09 грн
10+267.38 грн
100+201.56 грн
480+193.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+303.86 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.94 грн
30+242.83 грн
120+207.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+503.35 грн
27+467.04 грн
50+449.71 грн
100+412.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2464.23 грн
10+1687.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3486.04 грн
10+2746.49 грн
30+2568.01 грн
120+2260.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.91 грн
5+1505.68 грн
10+1500.60 грн
50+912.17 грн
100+840.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1565.03 грн
10+1533.12 грн
25+872.66 грн
100+871.15 грн
240+870.40 грн
480+865.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1858.57 грн
10+1436.19 грн
30+1332.81 грн
120+1164.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1515.71 грн
10+1268.34 грн
25+1031.94 грн
50+1019.11 грн
100+957.96 грн
240+925.50 грн
480+905.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1527.03 грн
10+1172.21 грн
30+1085.16 грн
120+945.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.07 грн
5+1288.89 грн
10+1256.71 грн
50+839.04 грн
100+743.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.07 грн
30+641.79 грн
120+613.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.92 грн
5+1013.67 грн
10+987.41 грн
50+601.56 грн
100+540.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1026.91 грн
10+627.66 грн
100+506.54 грн
480+495.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.34 грн
10+717.94 грн
25+574.48 грн
100+529.18 грн
240+509.56 грн
480+495.21 грн
1200+480.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.31 грн
10+656.92 грн
30+603.66 грн
120+521.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+802.80 грн
5+784.17 грн
10+765.54 грн
50+454.51 грн
100+387.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.71 грн
10+572.97 грн
25+456.71 грн
100+418.21 грн
240+394.06 грн
480+376.69 грн
1200+366.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.64 грн
10+524.02 грн
30+480.09 грн
120+413.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.90 грн
5+628.35 грн
10+614.81 грн
50+372.73 грн
100+304.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.13 грн
10+516.57 грн
100+292.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.21 грн
10+474.87 грн
25+377.45 грн
100+338.19 грн
240+323.10 грн
480+310.26 грн
1200+294.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.87 грн
10+434.30 грн
30+396.90 грн
120+341.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesIMZA75R140M1HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.72 грн
10+375.90 грн
25+297.43 грн
100+270.25 грн
240+253.65 грн
480+243.83 грн
1200+230.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.46 грн
10+343.48 грн
30+312.89 грн
120+268.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.51 грн
10+270.14 грн
100+232.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1646.26 грн
30+1013.34 грн
120+973.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1852.14 грн
10+1494.05 грн
100+1147.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1475.19 грн
10+1197.15 грн
100+900.59 грн
480+899.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 382W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1252.66 грн
30+752.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1228.59 грн
10+936.71 грн
100+705.07 грн
480+704.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.91 грн
30+638.99 грн
120+565.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1589.52 грн
5+1403.21 грн
10+1214.37 грн
50+1009.67 грн
100+844.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.97 грн
10+776.98 грн
100+584.29 грн
480+553.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1300.74 грн
5+1118.67 грн
10+952.69 грн
50+835.10 грн
100+722.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+895.68 грн
10+718.81 грн
100+521.63 грн
480+463.51 грн
1200+393.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.87 грн
10+638.94 грн
100+462.75 грн
480+412.17 грн
1200+350.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+733.63 грн
10+538.24 грн
100+390.28 грн
480+346.50 грн
1200+308.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.38 грн
10+442.75 грн
100+320.83 грн
480+285.35 грн
1200+254.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1210.98 грн
10+983.59 грн
100+739.80 грн
480+595.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R019M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1119.55 грн
30+665.86 грн
120+594.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1047.17 грн
10+815.18 грн
100+612.98 грн
480+493.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R024M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R029M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+943.24 грн
10+711.87 грн
100+535.22 грн
480+431.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC9851BTSOP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.