Продукція > IMZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMZ1ROHM08+ S0T-363
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 A T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1 T108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 7640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HInfineon
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HInfineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1InfineonКод виробника: IMZ120R030M1H COOLSIC MOSFETS, N-Channel 1.2kV 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1484.26 грн
10+1451.99 грн
100+1441.24 грн
200+1337.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.89 грн
5+872.01 грн
10+758.13 грн
50+692.65 грн
100+628.91 грн
250+616.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1308.46 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1073.74 грн
10+659.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1178.94 грн
30+718.88 грн
120+652.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 150A
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1701.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1202.27 грн
5+1066.42 грн
10+929.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1478.84 грн
10+1295.74 грн
25+1049.34 грн
50+985.89 грн
100+953.82 грн
240+930.11 грн
480+845.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.48 грн
30+631.54 грн
120+543.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R045M1XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+860.44 грн
16+843.23 грн
50+842.37 грн
100+811.46 грн
200+690.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+704.44 грн
5+578.36 грн
10+451.46 грн
50+393.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1InfineonSICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.66 грн
10+443.41 грн
100+347.92 грн
480+347.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.99 грн
30+391.32 грн
120+332.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.02 грн
5+575.92 грн
10+484.81 грн
50+413.17 грн
100+346.53 грн
250+339.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 26 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 707 @ 800, Qg, нКл = 21 @ 18 В, Rds = 117 мОм @ 8,5 A, 18 В, Ugs(th) = 5,7 В @ 3,7 мА, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-4
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.27 грн
10+352.00 грн
100+274.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.65 грн
30+333.33 грн
120+281.68 грн
510+244.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.08 грн
5+482.37 грн
10+354.66 грн
50+322.53 грн
100+292.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.55 грн
10+312.71 грн
480+237.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+756.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.53 грн
10+312.36 грн
100+248.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.25 грн
10+288.66 грн
100+203.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.87 грн
30+253.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HInfineon TechnologiesInfineon SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+626.92 грн
22+588.45 грн
100+532.27 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.37 грн
30+226.68 грн
120+188.96 грн
510+152.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+550.60 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.72 грн
10+230.12 грн
100+162.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+334.60 грн
42+313.76 грн
50+304.98 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.24 грн
10+377.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.70 грн
10+630.49 грн
100+570.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108ROHMSOT26
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108 SO163-Z1ROHM
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A T108 SO163-Z1ROHM
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A/Z1ROHM09+
на замовлення 22818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1A108-TROHM0430+
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1PanjitBipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.45 грн
19+16.47 грн
100+10.34 грн
500+7.21 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS-S1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AS_S1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.98 грн
18+18.36 грн
100+8.37 грн
1000+7.60 грн
3000+5.23 грн
9000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+12.09 грн
1104+11.69 грн
2500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
6000+6.50 грн
9000+6.16 грн
15000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+12.09 грн
1104+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108ROHMDescription: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.16 грн
39+20.91 грн
100+13.34 грн
500+9.29 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+10.84 грн
1210+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 16732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
16+19.87 грн
100+12.60 грн
500+8.87 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREEROHM
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ1T108ROHM03+ SOT23-6
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2ROHMSOT-23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AROHMSOT-163
на замовлення 778000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
17+18.05 грн
100+12.19 грн
500+8.87 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108RohmTRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT- 457 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2AT108Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+21.41 грн
660+19.58 грн
806+16.03 грн
1000+13.80 грн
2000+11.91 грн
3000+10.42 грн
12000+9.96 грн
24000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_00001Panjit International Inc.Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2A_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ2T108
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4 FRAT108ROHMSOT26/SOT363
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4 T108ROHM0805+ SOT23-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ4T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 32V 500MA SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ9972BARochester Electronics, LLCDescription: IMZ9972BA
на замовлення 7178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5462.26 грн
5+4779.78 грн
10+3960.65 грн
50+3297.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3132.07 грн
30+2195.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3225.29 грн
10+2413.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1593.10 грн
30+980.66 грн
120+941.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2002.55 грн
30+1248.35 грн
120+1115.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1890.44 грн
5+1844.88 грн
10+1799.33 грн
50+1628.51 грн
100+1464.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1376.60 грн
30+836.23 грн
120+781.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1424.34 грн
5+1380.41 грн
10+1336.48 грн
50+1200.99 грн
100+1070.95 грн
250+1033.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2009.20 грн
10+1760.80 грн
25+1427.94 грн
50+1384.01 грн
100+1338.69 грн
240+1248.75 грн
480+1148.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1134.75 грн
10+865.16 грн
100+651.22 грн
480+650.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R022M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.24 грн
30+618.34 грн
120+547.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1107.09 грн
10+845.12 грн
100+635.18 грн
480+634.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.05 грн
30+750.18 грн
120+694.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1110.35 грн
5+1031.44 грн
10+951.73 грн
50+835.40 грн
100+739.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.51 грн
10+631.03 грн
100+456.69 грн
480+407.19 грн
1200+346.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1
Код товару: 213128
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.97 грн
30+522.49 грн
120+454.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+886.65 грн
10+529.20 грн
100+407.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+756.20 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+952.54 грн
5+931.39 грн
10+910.24 грн
50+577.08 грн
100+458.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R040M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.07 грн
30+389.15 грн
120+330.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+764.63 грн
10+590.14 грн
100+427.41 грн
480+380.69 грн
1200+323.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.60 грн
10+497.13 грн
100+360.47 грн
480+320.03 грн
1200+285.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.22 грн
10+408.93 грн
100+296.32 грн
480+263.55 грн
1200+234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R011M2HInfineonКод виробника: IMZA40R011M2HXKSA1 N-Channel 400 V 112A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R015M2HInfineonКод виробника: IMZA40R015M2HXKSA1 N-Channel 400 V 99A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R036M2HInfineonКод виробника: IMZA40R036M2HXKSA1 N-Channel 400 V 46A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2066.01 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1970.97 грн
10+1300.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2203.35 грн
30+1569.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2551.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1InfineonN-Channel 650 V 210A (Tc) 625W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U02 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1871.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2348.40 грн
5+2019.77 грн
10+1719.61 грн
50+1507.66 грн
100+1305.22 грн
250+1269.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2005.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1547.98 грн
10+1248.43 грн
100+959.40 грн
480+958.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.76 грн
30+859.37 грн
120+810.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1355.19 грн
10+1320.60 грн
25+854.81 грн
50+854.11 грн
100+791.36 грн
240+764.17 грн
480+759.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.38 грн
30+672.40 грн
120+604.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1518.69 грн
5+1377.97 грн
10+1236.43 грн
50+1052.19 грн
100+882.70 грн
250+865.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1223.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1121.74 грн
10+1072.03 грн
25+589.86 грн
100+536.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.68 грн
30+559.58 грн
120+487.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1404.00 грн
5+1195.76 грн
10+987.52 грн
50+889.79 грн
100+795.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1310.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+902.92 грн
10+664.71 грн
100+499.92 грн
480+473.42 грн
1200+402.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.15 грн
5+997.28 грн
10+849.23 грн
50+744.01 грн
100+644.25 грн
250+626.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2187.53 грн
10+2120.77 грн
20+1990.10 грн
50+1798.98 грн
100+1690.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+766.87 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.71 грн
10+563.68 грн
480+489.46 грн
1200+481.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.58 грн
5+835.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+766.87 грн
100+729.22 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.66 грн
25+640.26 грн
100+634.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1138.93 грн
30+675.93 грн
120+600.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+722.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 16560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+750.99 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HInfineon TechnologiesIMZA65R030M1H
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1884.93 грн
10+1827.40 грн
20+1714.81 грн
50+1550.13 грн
100+1456.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.76 грн
5+925.70 грн
10+921.63 грн
50+520.43 грн
100+415.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+687.28 грн
100+652.86 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1161.68 грн
30+905.25 грн
120+852.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.66 грн
10+602.19 грн
25+568.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+903.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.99 грн
10+845.12 грн
25+479.00 грн
100+417.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+563.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+981.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.96 грн
10+594.95 грн
100+431.59 грн
480+383.48 грн
1200+326.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1051.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.37 грн
5+831.34 грн
10+707.69 грн
50+620.13 грн
100+536.87 грн
250+522.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.15 грн
30+411.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.02 грн
10+758.52 грн
25+400.21 грн
240+360.47 грн
480+337.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+678.41 грн
5+561.27 грн
10+444.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+860.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.32 грн
30+667.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+542.03 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.26 грн
30+345.44 грн
120+292.27 грн
510+255.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.38 грн
10+379.26 грн
100+282.38 грн
480+267.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+791.48 грн
5+679.22 грн
10+566.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1337.84 грн
20+1301.90 грн
50+1225.62 грн
100+1111.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+481.85 грн
100+458.18 грн
500+433.45 грн
1000+395.15 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+774.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+481.85 грн
100+458.18 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.73 грн
5+540.12 грн
10+393.71 грн
50+349.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+591.10 грн
5+454.04 грн
10+422.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+342.02 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.10 грн
30+350.33 грн
120+296.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.02 грн
10+397.70 грн
100+301.90 грн
480+301.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+366.46 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.02 грн
5+571.04 грн
10+474.24 грн
50+414.68 грн
100+359.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.56 грн
30+311.35 грн
120+262.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.71 грн
10+513.17 грн
25+324.21 грн
100+308.18 грн
240+307.48 грн
1200+295.63 грн
2640+294.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+492.17 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HInfineon TechnologiesIMZA65R057M1H
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1209.29 грн
20+1176.81 грн
50+1107.86 грн
100+1004.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.05 грн
10+325.54 грн
100+265.65 грн
480+254.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.31 грн
5+364.42 грн
10+298.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+878.83 грн
25+838.26 грн
50+804.52 грн
100+748.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+659.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+609.27 грн
5+523.86 грн
10+445.77 грн
50+391.27 грн
100+338.86 грн
250+329.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.58 грн
30+307.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.50 грн
10+375.25 грн
100+271.92 грн
480+241.94 грн
1200+215.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.19 грн
30+312.26 грн
120+264.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+320.43 грн
480+305.63 грн
1200+305.37 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+389.35 грн
100+369.99 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+479.27 грн
50+475.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.26 грн
10+351.70 грн
25+321.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+343.32 грн
480+327.46 грн
1200+327.18 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+520.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.11 грн
5+258.67 грн
10+256.23 грн
50+235.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+380.90 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.86 грн
10+342.38 грн
100+241.24 грн
480+214.05 грн
1200+183.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+440.55 грн
50+437.10 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.27 грн
10+263.80 грн
100+206.38 грн
480+184.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.27 грн
10+558.83 грн
100+300.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+357.08 грн
100+339.87 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.42 грн
10+826.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+369.96 грн
10+369.41 грн
25+319.07 грн
100+305.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+951.35 грн
25+907.42 грн
50+870.90 грн
100+810.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.94 грн
10+257.38 грн
100+185.46 грн
480+174.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.88 грн
10+433.56 грн
100+252.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+316.85 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.92 грн
30+234.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+524.87 грн
27+487.01 грн
50+468.94 грн
100+430.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+307.61 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+307.61 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2337.83 грн
10+1885.08 грн
100+1448.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2681.10 грн
10+2165.72 грн
100+1488.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R008M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1273.06 грн
30+768.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.37 грн
5+1446.30 грн
10+1441.42 грн
50+876.19 грн
100+807.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1325.91 грн
10+864.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.97 грн
30+640.43 грн
120+571.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1268.97 грн
5+1238.06 грн
10+1207.15 грн
50+805.95 грн
100+713.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1121.74 грн
10+696.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.78 грн
30+549.76 грн
120+477.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.91 грн
5+973.69 грн
10+948.47 грн
50+577.83 грн
100+518.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1036.32 грн
10+673.53 грн
100+530.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.56 грн
30+392.42 грн
120+333.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+771.14 грн
5+753.25 грн
10+735.35 грн
50+436.59 грн
100+372.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+714.20 грн
10+418.55 грн
100+337.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.52 грн
10+517.17 грн
100+375.11 грн
480+333.98 грн
1200+311.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R050M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.75 грн
10+452.23 грн
100+327.70 грн
500+292.14 грн
1000+272.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.59 грн
5+603.57 грн
10+590.56 грн
50+358.03 грн
100+292.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.57 грн
10+348.79 грн
100+270.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.66 грн
30+326.78 грн
120+276.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.87 грн
10+423.36 грн
100+297.72 грн
480+264.25 грн
1200+233.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.22 грн
30+255.56 грн
120+213.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.74 грн
10+273.42 грн
100+200.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.79 грн
10+496.20 грн
100+280.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.33 грн
10+254.98 грн
100+184.77 грн
480+163.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+422.18 грн
10+259.49 грн
100+223.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.00 грн
30+208.47 грн
120+173.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2880.40 грн
10+2422.30 грн
100+1842.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1688.70 грн
10+1176.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1775.07 грн
30+1095.14 грн
120+960.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 382W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1339.74 грн
30+806.47 грн
120+700.55 грн
510+628.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1275.48 грн
10+821.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.26 грн
10+674.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 32A, 18V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.13 грн
30+682.35 грн
120+589.41 грн
510+515.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1526.83 грн
5+1347.87 грн
10+1166.47 грн
50+969.85 грн
100+810.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1045.27 грн
10+627.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1249.45 грн
5+1074.56 грн
10+915.12 грн
50+802.17 грн
100+694.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.31 грн
10+445.81 грн
100+363.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.16 грн
30+457.68 грн
120+389.97 грн
510+320.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.25 грн
10+374.45 грн
100+294.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.22 грн
30+358.69 грн
120+303.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.85 грн
10+328.75 грн
100+251.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R011M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 69.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 21.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1277.10 грн
10+1024.73 грн
100+742.56 грн
480+660.98 грн
1200+617.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R019M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.10 грн
30+721.47 грн
120+624.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+930.58 грн
10+558.07 грн
100+476.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R024M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.94 грн
30+616.18 грн
120+530.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R029M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+871.20 грн
10+657.49 грн
100+494.34 грн
480+398.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R038M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.31 грн
30+430.62 грн
120+367.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+784.97 грн
10+464.25 грн
480+382.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC9851BTSOP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.