Продукція > RN1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1-2 | KS Terminals | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1-20 | KS Terminals | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1-6 | KS Terminals | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1/4T111.5K1% | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1/4W | TYOHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1/4W270 | на замовлення 4880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1/8T11.6M2% | SEI | 0712 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1/MS | Honeywell | Sensor Fixings & Accessories FEMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1/NST | Honeywell | Sensor Fixings & Accessories FEMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10/MS | Honeywell | Sensor Fixings & Accessories FEMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10/NST | Honeywell | Sensor Fixings & Accessories FEMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1001 | TOSHIBA | TO-92 | на замовлення 3300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1001(TPE2,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1002 | TOSHIBA | TO-92 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1002(TPE2,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1003 | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1004 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1004(TPE2,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1005 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1005?TPE2? | TOSHIBA | TO92 | на замовлення 1598 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1006 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN100K1HBK-0811P | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 50V 10uF 10% 8x11.5mm | на замовлення 3901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1010 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 12MH 300MA 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" L x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 300mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 1.275Ohm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 12 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 12000uH 10kHz 0.3A 1.275Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN102-0.3/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | SCHAFFNER | Inductor; THT; 12mH; -30%, +50%; 0.3A; 1.1R; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-0.3-02-12M Schaffner Inductor D RN102-0.3-02-12M кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 12 mH Horizontal Choke | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 12000uH 10kHz 0.3A 1.1Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 12000uH 10kHz 0.3A 1.1Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 300mA; 1100mΩ Operating current: 0.3A Inductance of individual winding: 12mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT Terminal pitch: 10x10mm Resistance: 1.1Ω кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 300mA; 1100mΩ Operating current: 0.3A Inductance of individual winding: 12mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT Terminal pitch: 10x10mm Resistance: 1.1Ω | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 12MH 300MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" Dia x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 300mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.1Ohm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 12 mH @ 10 kHz | на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN102-0.3-02-12M - FILTER, COMMON MODE, 12MH, 0.3A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 12mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 12000uH 10kHz 0.3A 1.1Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-12M | SCHAFFNER | Inductor; THT; 12mH; -30%, +50%; 0.3A; 1.1R; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-0.3-02-12M Schaffner Inductor D RN102-0.3-02-12M кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-22M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 22000uH 10kHz 0.3A 1.3Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-22M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 300mA; 1300mΩ Operating current: 0.3A Inductance of individual winding: 22mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT Terminal pitch: 10x10mm Resistance: 1.3Ω | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-22M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 22MH 300MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" Dia x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 300mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.3Ohm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 22 mH @ 10 kHz | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-22M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 300mA; 1300mΩ Operating current: 0.3A Inductance of individual winding: 22mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT Terminal pitch: 10x10mm Resistance: 1.3Ω кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-22M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.3A 22mH 1300mOhm Horizontal Choke | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.3-02-22M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 22000uH 10kHz 0.3A 1.3Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN102-0.6/02 | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 4.4MH 600MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" L x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 600mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 385mOhm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 4.4 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 600mA; 380mΩ Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 0.6A Resistance: 0.38Ω Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 4.4mH кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.6A 4.4mH 380mOhm Horizontal Choke | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 4400uH 10kHz 0.6A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 4.4mH; -30%, +50%; 0.6A; 380mR; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-0.6-02-4M4 Schaffner Inductor D RN102-0.6-02-4M4 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN102-0.6-02-4M4 - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 4.4mH, 600mA, Produktreihe RN, radial tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 4.4mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 4.4mH 10kHz 0.6A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 4.4MH 600MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" Dia x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 600mA DC Resistance (DCR) (Max): 380mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 4.4 mH @ 10 kHz | на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 4400uH 10kHz 0.6A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 4.4mH; -30%, +50%; 0.6A; 380mR; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-0.6-02-4M4 Schaffner Inductor D RN102-0.6-02-4M4 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 4400uH 10kHz 0.6A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 600mA; 380mΩ Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 0.6A Resistance: 0.38Ω Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 4.4mH | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-0.6-02-4M4. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN102-0.6-02-4M4. - FILTER, COMMON MODE, 4.4MH, 0.6A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: No Induktivität: 4.4mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 600mA hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1,5-02-1M6 Код товару: 191616
Додати до обраних
Обраний товар
| Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN102-1-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 3MH 1A 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" L x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 1A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 205mOhm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 3 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1-02 | на замовлення 184 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 3mH; -30%, +50%; 1A; 210mR; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-1-02-3M0 Schaffner Inductor D RN102-1-02-3M0 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3000uH 10kHz 1A 0.21Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 4166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3000uH 10kHz 1A 0.21Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1A; 210mΩ; 10x10mm Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1A Resistance: 0.21Ω Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 3mH кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1A; 210mΩ; 10x10mm Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1A Resistance: 0.21Ω Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 3mH | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3000uH 10kHz 1A 0.21Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1A 3mH 210mOhm Horizontal Choke | на замовлення 3535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 3MH 1A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" Dia x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 1A DC Resistance (DCR) (Max): 210mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 3 mH @ 10 kHz | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3000uH 10kHz 1A 0.21Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1-02-3M0. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN102-1-02-3M0. - FILTER, COMMON MODE, 3MH, 1A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Induktivität: 3mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 1A hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02 | SCHAFFNER | Description: SCHAFFNER - RN102-1.5-02 - Stromkompensierte Drossel, 1.6mH, 1.5A, Baureihe RN Induktivität: 1.6 DC-Nennstrom: 1.5 Nennstrom: 1.5 Produktpalette: RN SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN102-1.5/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 1.6MH 1.5A 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" L x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 1.5A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 100mOhm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 1.6 mH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1.5A; 94mΩ; 1.6mH Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1.5A Resistance: 94mΩ Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 1.6mH | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1600uH 10kHz 1.5A 0.094Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 1.6mH; -30%, +50%; 1.5A; 94mR; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-1.5-02-1M6 Schaffner Inductor D RN102-1.5-02-1M6 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1.5A; 94mΩ; 1.6mH Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1.5A Resistance: 94mΩ Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 1.6mH кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 Код товару: 163319
Додати до обраних
Обраний товар
| Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Фільтри лінійні, мережеві, дроселі на торі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1600uH 10kHz 1.5A 0.094Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN102-1.5-02-1M6 - FILTER, COMMON MODE, 1.6MH, 1.5A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Induktivität: 1.6mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series | на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 1.6mH; -30%, +50%; 1.5A; 94mR; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-1.5-02-1M6 Schaffner Inductor D RN102-1.5-02-1M6 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.5A 1.6mH 94mOhm Horizontal Choke | на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1.5-02-1M6 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 1.6MH 1.5A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" Dia x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 1.5A DC Resistance (DCR) (Max): 94mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 1.6 mH @ 10 kHz | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-1/02 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3000uH 10kHz 1A 0.205Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1/02 | SCHAFFNER | Description: SCHAFFNER - RN102-1/02 - Stromkompensierte Drossel, 3mH, 1A, Baureihe RN Induktivität: 3 DC-Nennstrom: 1 Nennstrom: 1 Produktpalette: RN SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1/02 (BOX) | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3000uH 10kHz 1A 0.205Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-1/02-3M0 Код товару: 183619
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN102-2-02 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN102-2/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-2-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 1.1MH 2A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" L x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 2A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 70mOhm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 1.1 mH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 2A 1.1mH 70mOhm Horizontal Choke | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 1.1MH 2A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.551" Dia x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.366" (9.30mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 2A DC Resistance (DCR) (Max): 70mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 1.1 mH @ 10 kHz | на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1100uH 10kHz 2A 0.07Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 2A; 70mΩ; 10x10mm Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 2A Resistance: 70mΩ Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 1.1mH кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1.1mH 10kHz 2A 0.07Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 1.1mH; -30%, +50%; 10A; 70mR; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-2-02-1M1 Schaffner Inductor D RN102-2-02-1M1 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 2A; 70mΩ; 10x10mm Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 2A Resistance: 70mΩ Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 10x10mm Inductance of individual winding: 1.1mH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1100uH 10kHz 2A 0.07Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1100uH 10kHz 2A 0.07Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN102-2-02-1M1 - FILTER, COMMON MODE, 1.1MH, 2A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 1.1mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-2-02-1M1 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 1.1mH; -30%, +50%; 10A; 70mR; dimensions: 10x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 102-2-02-1M1 Schaffner Inductor D RN102-2-02-1M1 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102-2/02 | SCHAFFNER | 05+ | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102030212M | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN102030212M - Drossel, Gleichtaktdrossel, Baureihe RV, 0.3A, 12mH, Durchsteckmontage tariffCode: 85363010 productTraceability: No rohsCompliant: YES Induktivität: 12mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN102PF102CS | SAMSUNGEM | Res Array 1K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±200ppm/C ISOL 4-Pin 0404(2 X 0201) Concave SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PF103CS | SAMSUNGEM | Res Array 10K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±200ppm/C ISOL 4-Pin 0404(2 X 0201) Concave SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PF473CS | SAMSUNGEM | Res Array 47K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±200ppm/C ISOL 4-Pin 0404(2 X 0201) Concave SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ100CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0404 Resistance (Ohms): 10 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ100CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0404 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistance (Ohms): 10 Tolerance: ±5% Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ150CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 15 OHM 0404 Resistance (Ohms): 15 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ220CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 22 OHM 0404 Resistance (Ohms): 22 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ220CS | Samsung Electro-Mechanics | Resistor Thick Film Array | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ300CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 30 OHM 0404 Resistance (Ohms): 30 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ330CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 33 OHM 0404 Resistance (Ohms): 33 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ390CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 39 OHM 0404 Resistance (Ohms): 39 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ390CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 39 OHM 0404 Resistance (Ohms): 39 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ3R0CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 3 OHM 0404 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistance (Ohms): 3 Tolerance: ±5% Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN102PJ750CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 2 RES 75 OHM 0404 Resistance (Ohms): 75 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 4 Package / Case: 0404 (1010 Metric), Concave Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Supplier Device Package: 0404 Height - Seated (Max): 0.018" (0.45mm) Part Status: Obsolete Number of Resistors: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PF184CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 180K OHM 0804 Resistance (Ohms): 180k Tolerance: ±1% Packaging: Cut Tape (CT) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PF184CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 180K OHM 0804 Resistance (Ohms): 180k Tolerance: ±1% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ150CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 15 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ150CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 15 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ220CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 22 OHM 0804 Resistance (Ohms): 22 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ222CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 2.2K OHM 0804 Resistance (Ohms): 2.2k Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ300CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 30 OHM 0804 Resistance (Ohms): 30 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ330CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 33 OHM 0804 Resistance (Ohms): 33 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ360CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 36 OHM 0804 Resistance (Ohms): 36 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ390CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ390CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ3R0CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804 Resistance (Ohms): 3 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ3R0CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804 Packaging: Cut Tape (CT) Resistance (Ohms): 3 Tolerance: ±5% Power Per Element: 62.5mW Circuit Type: Isolated Number of Pins: 8 Package / Case: 0804, Concave, Long Side Terminals Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Height - Seated (Max): 0.020" (0.50mm) Number of Resistors: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ472CS | Samsung Electro-Mechanics | Res Thick Film Array 4.7K Ohm 5% ±200ppm/°C ISOL 8-Pin 0804(4 X 0402) Concave SMD T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ472CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ472CS | Samsung Electro-Mechanics | Description: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ560CS | 0402X4 | на замовлення 5480000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN104PJ560CS | на замовлення 2740000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN104PJ620CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ620CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ620CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ750CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ750CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ750CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ7R5CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ7R5CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ7R5CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ820CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ820CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN104PJ820CS | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | Description: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10A1000CT5-10 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 100 OHM 0.05% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.05% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±10ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 100 Ohms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B1000CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1002CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 10K OHM 25PPM Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1002CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 10K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 10 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B1020CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 102 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 102 Ohms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B1022CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 10.2K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B10R0CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 10 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 10 Ohms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B1100CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 110 OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1152CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 11.5K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1202CT1-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 12K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1202CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 12K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1273CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 127K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1333CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 133K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1502CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 15K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 15 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B1502CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 15K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 15 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B1823CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 182K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 182 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B2000CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 200 OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B2001CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 2K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B2001CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 2K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 2 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B2003CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 200K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B2102CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 21K OHM 0.1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B2212CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 22.1K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 22.1 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B2212CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 22.1K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 22.1 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B2262CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 22.6K OHM 25PPP Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 22.6 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B2402CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 24K OHM 0.1% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 24 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B2800CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 280 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 280 Ohms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B2801CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 2.8K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 2.8 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B30R1CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 30.1 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 30.1 Ohms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B4020CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 402 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 402 Ohms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B4750CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 475 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 475 Ohms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B47R0CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 47 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 47 Ohms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B5110CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 511 OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 511 Ohms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B5621CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 5.62K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 5.62 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B6041CT5-10 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 6.04K OHM 0.1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±10ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 6.04 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B7502CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 75K OHM 0.1% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 75 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10B8061CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 8.06K OHM 25PPP Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 80.6 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B8662CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 86.6K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 86.6 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10B8662CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .1% 86.6K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.1% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 86.6 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D1000CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 100 OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 100 Ohms | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1001CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 1K OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 1 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1002CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 10K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 10 kOhms | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1002CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 10K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 10 kOhms | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1003CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 100K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 100 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1004CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 1M OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 1 mOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1021CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 1.02K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 1.02 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1022CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 10.2K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 10.2 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1071CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 1.07K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 1.07 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D10R0CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 10 OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 10 Ohms | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1131CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 1.13K OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 1.13 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1133CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 113K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Resistance: 113 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1151CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 1.15K OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 1.15 kOhms | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1211CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 1.21K OHM 0.5% 1/10W 0805 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D1211CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 1.21K OHM 0.5% 1/10W 0805 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D1272CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 12.7K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 12.7 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1301CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 1.3K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 1.3 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D1332CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 13.3K OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 13.3 kOhms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1371CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 1.37K OHM 25PPM Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 1.37 kOhms | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D1752CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 17.5K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 17.5 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D1803CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 180K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 180 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D2002CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 20K OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 20 kOhms | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D2051CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 2.05K OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 2.05 kOhms | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D2262CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 22.6K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 22.6 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D2552CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 25.5K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 25.5 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D25R5CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 25.5 OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 25.5 Ohms | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D2612CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 26.1K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D2871CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 2.87K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 2.87 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D3121CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 3.12K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D3161CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 3.16K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D3242CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 32.4K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D3402CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 34K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D3651CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 3.65K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D3653CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 365K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 365 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D3921CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 3.92K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 3.92 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D3922CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 39.2K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D4021CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 4.02K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D4221CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 4.22K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D4531CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 4.53K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D4532CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 45.3K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D47R5CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 47.5 OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 47.5 Ohms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D4813CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 481K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D4871CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 .5% 4.87K OHM 25PPM Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Part Status: Active Resistance: 4.87 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D4991CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 4.99K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D56R0CT5-W50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 56 OHM 0.5% 1/8W 0805 Power (Watts): 0.125W, 1/8W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 56 Ohms | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D5762CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 57.6K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D6811CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 6.81K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D7151CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 7.15K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D7872CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 78.7K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D8061CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 8.06K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D80R6CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 80.6 OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D8872CT5-25 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES 88.7K OHM 0.5% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10D9092CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES 90.9K OHM 0.5% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 90.9 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10D9533CT5-25 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 953K OHM 0.5% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±0.5% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 953 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F1002CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 10K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 10 kOhms | на замовлення 115000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F1052CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 10.5K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 10.5 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F1211CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 1.21K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F1333CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 133K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 133 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F1471CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 1.47K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F2000CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 200 OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F2003CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 200K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F2212CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 22.1K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 22.1 kOhms | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F2262CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 22.6K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 22.6 kOhms | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F2263CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 226K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 226 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F24R3CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 24.3 OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F2613CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 261K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F3012CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 30.1K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F3013CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 301K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F3401CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 3.4K OHM 1% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 3.4 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F3652CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 36.5K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F4752CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 47.5K OHM 1% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 47.5 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F4991CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 4.99K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 4.99 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F51R1CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 51.1 OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 51.1 Ohms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F5231CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 5.23K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F5362CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 53.6K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 53.6 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F5622CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 56.2K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 56.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F6201CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: THINRES 0805 1% 6.2K OHM 50P Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F6342CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 63.4K OHM 1% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 63.4 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F6983CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 698K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F7502CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 75K OHM 1% 1/10W 0805 Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 75 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F7682CT5-50 | Cal-Chip Electronics, Inc. | Description: RES SMD 76.8K OHM 1% 1/10W 0805 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.1W, 1/10W Tolerance: ±1% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Part Status: Active Resistance: 76.8 kOhms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN10F8872CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 88.7K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN10F9092CT5-50 | CAL-CHIP ELECTRONICS, INC. | Description: RES SMD 90.9K OHM 1% 1/10W 0805 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN110-90 Код товару: 132237
Додати до обраних
Обраний товар
| Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1101 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101 | TOSHIBA | 01+ SOT523 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101(T5L,F,T) | Toshiba | Digital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 1765 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CB | Toshiba | RN1101,LF(CB | на замовлення 7873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor | на замовлення 21082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101,LXHF(CT Код товару: 191959
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1101,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101/XA | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 50 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101F | TOS | 10 SOT-523 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101FS | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101FT | TOS | 10 SOT-723 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101FT 4000 | TOS | 04+ SOT523 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F(CT | Toshiba | Digital Transistors 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V | на замовлення 10646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1101MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F(CT | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications | на замовлення 13851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 15250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1101MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) | на замовлення 12480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1101TE85L(XA) | на замовлення 375000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1102 | TOSHIBA | 07+ SOP | на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102 | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 2846 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102 | TOSHIBA | на замовлення 7743 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1102 | TOSHIBA | SOT-523 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102(T5L,F,T) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102(TE85L,F) | TOSH | SOT23 | на замовлення 670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CB | Toshiba | RN1102,LF(CB | на замовлення 6155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 48445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 5511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 48445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102/XB | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102F | TOS | 10 SOT-523 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102FS | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1102FS(TPL3) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 20V 50mA 3-Pin fSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102FT | TOS | 10 SOT-723 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102FT/XB | на замовлення 8749 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1102FV | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 7018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN VESM | на замовлення 6679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV(TL3T | TOS | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1102MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 22696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 27430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F(CB | Toshiba | RN1102MFV,L3F(CB | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3F(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 8001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) | на замовлення 7105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1102T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1102TE85L(XB) | на замовлення 396 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1103 | TOS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1103(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 205 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103,LF(CB | Toshiba | RN1103,LF(CB | на замовлення 5434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1103,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1103,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor | на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1103,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1103,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103F | TOS | 10 SOT-523 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103F-TPL3 | на замовлення 13538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1103FS | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1103FT | TOS | 10 SOT-723 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | на замовлення 15680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | на замовлення 15680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1103MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1103MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) | на замовлення 15880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104(T5L,F,T) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 4282 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | на замовлення 9320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104,LF(CT | Toshiba | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 8457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K, | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K, | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 11616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104/XD | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1104ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104F | TOS | 10 SOT-523 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104FS | TOSHIBA | SOT-723 | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104FS | TOSHIBA | 2004PB | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104FSTPL3 | на замовлення 11227 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1104FT | TOSHIBA | 10+ SOT-723 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFU(TP3) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 13598 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors 150mW TRANSISTOR | на замовлення 32664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 7889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F(CB | Toshiba | RN1104MFV,L3F(CB | на замовлення 4378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F(CT | Toshiba | Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT723 50V | на замовлення 14962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 23791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 21500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) | на замовлення 15980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1104SOT416-XD | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1104T5L(XD) | на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1104T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104T5LFT | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1104TE85L | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1104TE85L(XD) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1105 | TOS | на замовлення 270000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1105(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN SSM | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN SSM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CB | Toshiba | RN1105,LF(CB | на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 6339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105/TE85R | TOSHIBA | SOT-523 03+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105/XE | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1105ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 9997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 9997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105FSL4 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1105FT | на замовлення 3035 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1105MFV | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1105MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | на замовлення 9366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | на замовлення 9366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz | на замовлення 3033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 26586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F(CT | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications | на замовлення 5308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F(CT | Toshiba | Digital Transistors 2.2kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V | на замовлення 14889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F(CT | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3F(CT | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications | на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) | на замовлення 5517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1105TE85L | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1105TE85L(XE) | на замовлення 815 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1106 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106 | T | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CB | Toshiba | RN1106,LF(CB | на замовлення 8095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 5828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 18108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LXGF(T | Toshiba | RN1106,LXGF(T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 9803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106/XK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1106ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106ACT(TPL3) | Toshiba | RN1106ACT(TPL3) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 50 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 50 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106F | TOS | 10 SOT-523 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106F(T3SONY,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106F(T5LMAT-VF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106F(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106F(TH3MAT-VF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106FS | на замовлення 9568 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1106FS | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50mA 20volts 4.7K x 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106FS(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50mA 20volts 3Pin 4.7K x 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106FT | TOSHIBA | 10+ SOT-723 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106FV | TOSHIBA | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1106MFV | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 4.7K x 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 27093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F(CB | Toshiba | RN1106MFV,L3F(CB | на замовлення 6989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F(CT | Toshiba | NPN Epitaxial Digital BJT | на замовлення 45177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F(CT | Toshiba | NPN Epitaxial Digital BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F(CT | Toshiba | Digital Transistors 4.7kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V | на замовлення 26328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3F(T | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) | на замовлення 42330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106MFV,L3XHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1106T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1106TE85R(XF) | на замовлення 193414 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1107 | TOSHIBA | 04+ SOT0603 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107(TE85L) | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1107(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107(TE85LF) | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107,LF(CB | Toshiba | RN1107,LF(CB | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107,LF(CB | Toshiba | RN1107,LF(CB | на замовлення 5826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 25821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K, | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K, | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 9440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107ACT(TPL3) | Toshiba | RN1107ACT(TPL3) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107FT | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 12618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107FV | TOSHIBA | на замовлення 192000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1107MFV | TOSHIBA | SOT723 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107MFV | TOSHIBA | SOD523 | на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1107MFV,L3F(CT | Toshiba | Transistor Silicon NPN PCT Process Bias Resistor built-in Transistor | на замовлення 8001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107MFV,L3F(CT | Toshiba | Digital Transistors 10kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V | на замовлення 4356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107MFV,L3XHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1107MFVTPL3 | на замовлення 21340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1108 | TOSHIBA | 11+ROHS SOT-523 | на замовлення 552352 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108 | TOS | на замовлення 981000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1108 | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 1011000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | на замовлення 2198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | на замовлення 2198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108,LF(CT | Toshiba | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1108,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1108ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 9940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108ACT(TPL3) | Toshiba | RN1108ACT(TPL3) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1108CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM | на замовлення 31576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1108MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1108MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 23610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1108MFV,L3F(B | Toshiba | RN1108MFV,L3F(B | на замовлення 7780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1108MFV,L3F(T | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1108T5L(XI) | на замовлення 7995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1108TE85L(XI) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1109 | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 18018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 5674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1109ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109F | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1109MFV | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1109MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1109MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110 | на замовлення 3679 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110MFV | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1110MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1110MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | на замовлення 15234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1110MFV,L3F(B | Toshiba | RN1110MFV,L3F(B | на замовлення 7982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1110MFV,L3F(T | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) | на замовлення 7678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors Gen Purp Trans NPN SSM, 50V, 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors SSM TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 11076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1111,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1111,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111FS | на замовлення 49628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1111FT | TOSHIBA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1111MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1111N491A-TR | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1111TE85L(XM) | на замовлення 303 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1111TE85L.F | на замовлення 188000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1112 | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 50V 0.1A SOT-416 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1112ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms | на замовлення 9945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1112ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112MFV(TL3,T) | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 22Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1112MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 50V 0.1A SOT-723 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1112MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1113 | на замовлення 3515 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1113(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1113(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1113,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 50V 0.1A SOT-416 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1113/XP | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1113ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1113ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 47Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113MFV,L37F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1113MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1114(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114(TE85L) | TOSHIBA | SOT423-XQ | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114(TE85L) SOT423-XQ | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1114(TE85L)SOT416-XQ | TOSHIBA | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1114,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1kohm 10kohm 50V .1A SOT-416 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1114MFV,L3F(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1114TE85LSOT416-XQ | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN1115,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor | на замовлення 11609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1115,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115,LF(CT | Toshiba | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1115,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 2.2Kohms x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR | на замовлення 8805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1115MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1115MFV,L3F(B | Toshiba | RN1115MFV,L3F(B | на замовлення 10190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116 | TOSHIBA | 07+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 7390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 10170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116-XT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1116F | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN1116MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 4.7kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV,L3F(T | Toshiba | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1116MFV,L3XGF(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VESM T/R | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1116XT | TOSHIBA | SOT-423 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117(T5L,F,T) | Toshiba | Digital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 10kohm 4.7kohm 0.1A SOT-416 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV(TL3,T) | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1117MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1117MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1117MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 10kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1118(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 10kohm 0.1A SOT-416 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV(TL3,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1118MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV,L37F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1119MFV,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft | Phone Connectors 2C ENCLOSED 1/4" | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN111PC | Switchcraft Inc. | Description: CONN JACK MONO 6.35MM R/A Packaging: Bulk Features: Mounting Hardware Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 2 Contacts Internal Switch(s): Does Not Contain Switch Signal Lines: Mono Termination: Solder Industry Recognized Mating Diameter: 6.35mm (0.250", 1/4") - Headphone Part Status: Active | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 39MH 400MA 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 400mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 1.67Ohm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 39 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.4A 39mH/path CURRENT-COMPENSATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 27MH 400MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 400mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.4Ohm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.4A 1.4Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | SCHAFFNER | RN112-0.4-02-27M Toroidal inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.4A 27mH 1400mOhm Horizontal Choke | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.4A 1.4Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.4A 39mH 1500mOhm Horizontal Choke | на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | SCHAFFNER | Inductor; THT; 39mH; -30%, +50%; 0.4A; 1.5R; dimensions: 15x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 112-0.4-02-39M Schaffner Inductor D RN112-0.4-02-39M кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 93 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 39MH 400MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 400mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.5Ohm (Typ) Inductance @ Frequency: 39 mH @ 10 kHz | на замовлення 3081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.4A 1.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M | SCHAFFNER | RN112-0.4-02-39M Toroidal inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.4-02-39M. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-0.4-02-39M. - FILTER, COMMON MODE, 39MH, 0.4A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: No Induktivität: 39mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 400mA hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 27MH 500MA 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 500mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 1.25Ohm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN112-0.5/02 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-15M | SCHAFFNER | RN112-0.5-02-15M Toroidal inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.5A 15mH 700mOhm Horizontal Choke | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.5A 0.7Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.5A 0.7Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-15M | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 15MH 500MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 500mA DC Resistance (DCR) (Max): 700mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 15 mH @ 10 kHz | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-18M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 18000uH 10kHz 0.5A 1.1Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-18M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 500mA; 1100mΩ Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 0.5A Resistance: 1.1Ω Inductance of individual winding: 18mH Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 15x10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-18M | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 18MH 500MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 500mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.1Ohm (Typ) Inductance @ Frequency: 18 mH @ 10 kHz | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-18M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 500mA; 1100mΩ Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 0.5A Resistance: 1.1Ω Inductance of individual winding: 18mH Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 15x10mm кількість в упаковці: 500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-18M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.5A 18mH 1100mOhm Horizontal Choke | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-18M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 18000uH 10kHz 0.5A 1.1Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 27MH 500MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 500mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.2Ohm (Typ) Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 500mA; 1200mΩ Mounting: THT Operating current: 0.5A Inductance of individual winding: 27mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 15x10mm Resistance: 1.2Ω кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.5A 27mH 1200mOhm Horizontal Choke | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 500mA; 1200mΩ Mounting: THT Operating current: 0.5A Inductance of individual winding: 27mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 15x10mm Resistance: 1.2Ω | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.5A 1.2Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.5-02-27M | SCHAFFNER | Inductor; THT; 27mH; -30%, +50%; 0,5A; 1.2R; dimensions: 15x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 112-0.5-02-27M Schaffner Inductor D RN112-0.5-02-27M кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN112-0.6/02 | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 15MH 600MA 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 600mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 465mOhm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 15 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | SCHAFFNER | Inductor; THT; 15mH; -30%, +50%; 0,6A; 490mR; dimensions: 15x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 112-0.6-02-15M Schaffner Inductor D RN112-0.6-02-15M кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 15MH 600MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 600mA DC Resistance (DCR) (Max): 490mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 15 mH @ 10 kHz | на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | SCHAFFNER | RN112-0.6-02-15M Toroidal inductors | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.6A 15mH 490mOhm Horizontal Choke | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-0.6-02-15M - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 15mH, 600mA, Produktreihe RN, radial tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 15mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 0.6A 0.49Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M-1 | TE Connectivity / Schaffner | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN112-0.6-02-15M. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-0.6-02-15M. - FILTER, COMMON MODE, 15MH, 0.6A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Induktivität: 15mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 600mA hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 10MH 800MA 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 800mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 370mOhm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 10 mH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN112-0.8/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 10000uH 10kHz 0.8A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 10000uH 10kHz 0.8A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | SCHAFFNER | Inductor; THT; 10mH; -30%, +50%; 0,8A; 380mR; dimensions: 15x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 112-0.8-02-10M Schaffner Inductor D RN112-0.8-02-10M кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 10MH 800MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 800mA DC Resistance (DCR) (Max): 380mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 10 mH @ 10 kHz | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 10000uH 10kHz 0.8A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.8A 10mH 380mOhm Horizontal Choke | на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 800mA; 380mΩ; 10mH Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT Type of inductor: wire with current compensation Terminal pitch: 15x10mm Inductance of individual winding: 10mH Resistance: 0.38Ω Operating current: 0.8A | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 10000uH 10kHz 0.8A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 10000uH 10kHz 0.8A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 800mA; 380mΩ; 10mH Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT Type of inductor: wire with current compensation Terminal pitch: 15x10mm Inductance of individual winding: 10mH Resistance: 0.38Ω Operating current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 10000uH 10kHz 0.8A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-0.8-02-10M - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 10mH, 800mA, Produktreihe RN, radial tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 10mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 10000uH 10kHz 0.8A 0.38Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-0.8-02-10M. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-0.8-02-10M. - FILTER, COMMON MODE, 10MH, 0.8A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Induktivität: 10mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 800mA hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02 Код товару: 111031
Додати до обраних
Обраний товар
| Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN112-1.2/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 6.8MH 1.2A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 1.2A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 245mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 6.8 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-1.2-02-6M8 - Gleichtaktdrossel / stromkompensierte Drossel, 6.8mH, 1.2A, Produktreihe RN, radial tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 6.8mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 6.8mH; -30%, +50%; 1,2A; 250mR; dimensions: 15x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 112-1.2-02-6M8 Schaffner Inductor D RN112-1.2-02-6M8 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1.2A; 250mΩ; 6.8mH Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1.2A Resistance: 0.25Ω Inductance of individual winding: 6.8mH Terminal pitch: 15x10mm Kind of inductor: common mode; toroidal | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 26500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.2A 6.8mH 250mOhm Horizontal Choke | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6.8mH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 26500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner EMC Inc. | Filters 1.2A 6.8mH 250mOhm Horizontal Choke | на замовлення 24 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 6.8MH 1.2A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 1.2A DC Resistance (DCR) (Max): 250mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 6.8 mH @ 10 kHz | на замовлення 5115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 Код товару: 127834
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.2A 6.8mH 250mOhm Horizontal Choke | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1.2A; 250mΩ; 6.8mH Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1.2A Resistance: 0.25Ω Inductance of individual winding: 6.8mH Terminal pitch: 15x10mm Kind of inductor: common mode; toroidal кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 26500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 6800uH 10kHz 1.2A 0.25Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.2-02-6M8. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-1.2-02-6M8. - FILTER, COMMON MODE, 6.8MH, 1.2A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Induktivität: 6.8mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 1.2A hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 3.3MH 1.5A 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 1.5A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 135mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 3.3 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02 Код товару: 104728
Додати до обраних
Обраний товар
| Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-1.5-02-3M3 - FILTER, COMMON MODE, 3.3MH, 1.5A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series | на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.5A 3.3mH 102mOhm Horizontal Choke | на замовлення 8177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1.5A; 102mΩ; 3.3mH Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1.5A Resistance: 0.102Ω Inductance of individual winding: 3.3mH Terminal pitch: 15x10mm Kind of inductor: common mode; toroidal кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 1.5A; 102mΩ; 3.3mH Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 1.5A Resistance: 0.102Ω Inductance of individual winding: 3.3mH Terminal pitch: 15x10mm Kind of inductor: common mode; toroidal | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 3.3MH 1.5A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 1.5A DC Resistance (DCR) (Max): 102mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 3.3 mH @ 10 kHz | на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.5A 3.3mH 102mOhm Horizontal Choke | на замовлення 9643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-1.5-02-3M3 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 3300uH 10kHz 1.5A 0.102Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN112-2/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 1.8MH 2A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 2A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 75mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 1.8 mH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M0 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 2A 1mH 70mOhm Horizontal Choke | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M0 | SCHAFFNER | RN112-2-02-1M0 Toroidal inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M0 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1000uH 10kHz 2A 0.07Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M0 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1000uH 10kHz 2A 0.07Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M0 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 2A 1mH 70mOhm Horizontal Choke | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M0 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 1MH 2A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 2A DC Resistance (DCR) (Max): 70mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 1 mH @ 10 kHz | на замовлення 7233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 2A 0.074Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 2A 0.074Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 2A 1.8mH 74mOhm Horizontal Choke | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 2A 0.074Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 1.8MH 2A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 2A DC Resistance (DCR) (Max): 74mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 1.8 mH @ 10 kHz | на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 2A 0.074Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 2A 1.8mH 74mOhm Horizontal Choke | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-2-02-1M8 - FILTER, COMMON MODE, 1.8MH, 2A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | SCHAFFNER | RN112-2-02-1M8 Toroidal inductors | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2-02-1M8 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 1800uH 10kHz 2A 0.074Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2.6-02-0M4 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 400UH 2.6A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 2.6A DC Resistance (DCR) (Max): 40mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 400 µH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 400uH 10kHz 2.6A 0.04Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-2.6-02-0M4 | SCHAFFNER | RN112-2.6-02-0M4 Toroidal inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 400uH 10kHz 2.6A 0.04Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 2.6A 0.4mH 40mOhm Horizontal Choke | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-2/02 | на замовлення 2277 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 400uH 10kHz 3.6A 0.027Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 400uH 10kHz 3.6A 0.027Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 400uH 10kHz 3.6A 0.027Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 3.6A 0.4mH 27mOhm Horizontal Choke | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 400uH 10kHz 3.6A 0.027Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | SCHAFFNER | RN112-3.6-02-0M4 Toroidal inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 400uH 10kHz 3.6A 0.027Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-3.6-02-0M4 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 400UH 3.6A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 3.6A DC Resistance (DCR) (Max): 27mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 400 µH @ 10 kHz | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN112-4/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-4-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 700UH 4A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 4A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 27mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 700 µH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-4-02(CHOKE COMPENSATED .7MH 4A HORZ) Код товару: 95883
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 700uH 10kHz 4A 0.024Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 700uH 10kHz 4A 0.024Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 4A; 24mΩ; 15x10mm Terminal pitch: 15x10mm Resistance: 24mΩ Operating current: 4A Inductance of individual winding: 0.7mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 557 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 4A; 24mΩ; 15x10mm Terminal pitch: 15x10mm Resistance: 24mΩ Operating current: 4A Inductance of individual winding: 0.7mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Mounting: THT | на замовлення 557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 700uH 10kHz 4A 0.024Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 700uH 10kHz 4A 0.024Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 700uH 10kHz 4A 0.024Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 4A 0.7mH 24mOhm Horizontal Choke | на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 700uH 10kHz 4A 0.024Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | SCHAFFNER | Inductor; THT; 0.7mH; -30%, +50%; 4A; 24mR; dimensions: 15x10mm; operating temperature: -40°C~100°C RN 112-4-02-0M7 Schaffner Inductor D RN112-4-02-0M7 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 49 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 700UH 4A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.697" L x 0.673" W (17.70mm x 17.10mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.508" (12.90mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 4A DC Resistance (DCR) (Max): 24mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 700 µH @ 10 kHz | на замовлення 2511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 700uH 10kHz 4A 0.024Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4-02-0M7. | SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY | Description: SCHAFFNER - TE CONNECTIVITY - RN112-4-02-0M7. - FILTER, COMMON MODE, 700UH, 4A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Induktivität: 700µH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 4A hazardous: false directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112-4/02 | 00+ | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| RN112-4/02 | на замовлення 535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN112APC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112APC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112APC | Switchcraft | Phone Connectors 2C ENCLOSED 1/4" | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112APC | Switchcraft Inc. | Description: CONN JACK MONO 6.35MM R/A Features: Mounting Hardware Packaging: Bulk Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 2 Conductors, 3 Contacts Internal Switch(s): Single Switch Signal Lines: Mono Termination: Solder Industry Recognized Mating Diameter: 6.35mm (0.250", 1/4") - Headphone Part Status: Active | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112APC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112APC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112APC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 2 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112BPC | SWITCHCRAFT/CONXALL | Description: SWITCHCRAFT/CONXALL - RN112BPC - CONNECTOR, PHONE AUDIO, JACK, 3 POSITION tariffCode: 85366990 productTraceability: No Kontaktüberzug: Silver Plated Contacts rohsCompliant: YES Ausführung: Jack Anzahl der Kontakte: 3Kontakt(e) euEccn: NLR Steckverbindermaterial: Plastic Body hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Pindurchmesser: 1/4" usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: PCB Mount Produktpalette: - | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112BPC | Switchcraft Inc. | Description: CONN JACK STEREO 6.35MM R/A Features: Mounting Hardware Packaging: Bulk Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 3 Contacts Internal Switch(s): Does Not Contain Switch Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS) Termination: Solder Industry Recognized Mating Diameter: 6.35mm (0.250", 1/4") - Headphone Part Status: Active | на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112BPC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 3 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 3 Terminal 1 Port | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112BPC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 3 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 3 Terminal 1 Port | на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112BPC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 3 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN112BPC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 3 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 3 Terminal 1 Port | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN112BPC | Switchcraft | Phone Connectors RT ANGLE HIGH D JACK | на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1130MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1130MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1130MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1130MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1130MFV,L3F(B | Toshiba | RN1130MFV,L3F(B | на замовлення 5964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1131MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1131MFV(TL3,T) | Toshiba | Digital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1131MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1131MFV(TPL3) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 0ohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1131MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1131MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1131MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors 100kohm 50V 0.1A SOT-723 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1132MFV(TL3,T) | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 200kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1132MFV(TPL3) | Toshiba | Digital Transistors 50volts 100mA 3Pin 200Kohms x 0ohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1132MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1132MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 200 kOhms | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN1132MFV,L3F | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 200kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1132MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 200 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN1133GQW | на замовлення 4858 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| RN113BPC | Switchcraft Inc. | Description: CONN JACK STEREO 6.35MM R/A Features: Mounting Hardware Packaging: Bulk Connector Type: Phone Jack Gender: Female Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Unshielded Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 4 Contacts Internal Switch(s): Single Switch Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS) Termination: Solder Industry Recognized Mating Diameter: 6.35mm (0.250", 1/4") - Headphone Part Status: Active | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN113BPC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 3 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN113BPC | Switchcraft | Phone Connectors 3C RT ANG 1/4" | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN113BPC | SWITCHCRAFT/CONXALL | Description: SWITCHCRAFT/CONXALL - RN113BPC - CONNECTOR, RCA/PHONO, JACK, 4 POSITION tariffCode: 85366930 productTraceability: No Kontaktüberzug: Silver Plated Contacts rohsCompliant: YES Ausführung: Jack Anzahl der Kontakte: 4Contacts euEccn: NLR Steckverbindermaterial: Plastic Body hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Pindurchmesser: - usEccn: EAR99 Steckverbindermontage: PCB Mount Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN113BPC | Switchcraft | Conn 1/4" Phone Jack F 3 POS 7.62mm Solder RA Thru-Hole 5 Terminal 1 Port | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN113FPC | Switchcraft | Phone Connectors 3C TIP OPEN RNG CLSD 1/4" R/A HD JK | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 47000uH 10kHz 0.3A 1.75Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02 | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters RN114-0.3/02 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 47MH 300MA 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.886" L x 0.846" W (22.50mm x 21.50mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.531" (13.50mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 300mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 1.75Ohm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 47 mH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02-47M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 47000uH 10kHz 0.3A 1.7Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02-47M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.3A 47mH 1700mOhm Horizontal Choke | на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02-47M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 300mA; 1700mΩ Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 0.3A Resistance: 1.7Ω Terminal pitch: 20.1x12.5mm Inductance of individual winding: 47mH Kind of inductor: common mode; toroidal кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02-47M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 47MH 300MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.886" L x 0.846" W (22.50mm x 21.50mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.531" (13.50mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 300mA DC Resistance (DCR) (Max): 1.7Ohm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 47 mH @ 10 kHz | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02-47M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 47000uH 10kHz 0.3A 1.7Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02-47M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 300mA; 1700mΩ Type of inductor: wire with current compensation Mounting: THT Operating current: 0.3A Resistance: 1.7Ω Terminal pitch: 20.1x12.5mm Inductance of individual winding: 47mH Kind of inductor: common mode; toroidal | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.3-02-47M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 47000uH 10kHz 0.3A 1.7Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.5-02 | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.5A 0.81Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.5-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 39MH 500MA 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.886" L x 0.846" W (22.50mm x 21.50mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.531" (13.50mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 500mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 810mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 39 mH @ 1 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.5-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 39000uH 10kHz 0.5A 0.83Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.5-02-39M | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 39MH 500MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.886" L x 0.846" W (22.50mm x 21.50mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.531" (13.50mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 500mA DC Resistance (DCR) (Max): 830mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 39 mH @ 10 kHz | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.5-02-39M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.5A 39mH 830mOhm Horizontal Choke | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.5-02-39M | SCHAFFNER | RN114-0.5-02-39M Toroidal inductors | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 27MH 800MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.886" L x 0.846" W (22.50mm x 21.50mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 0.531" (13.50mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 800mA (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 500mOhm (Typ) Part Status: Obsolete Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.8A 27mH 500mOhm Horizontal Choke | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 800mA; 500mΩ; 27mH Mounting: THT Resistance: 0.5Ω Operating current: 0.8A Inductance of individual winding: 27mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 20.1x12.5mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | SCHAFFNER | Category: Inductors Description: Inductor: wire with current compensation; THT; 800mA; 500mΩ; 27mH Mounting: THT Resistance: 0.5Ω Operating current: 0.8A Inductance of individual winding: 27mH Type of inductor: wire with current compensation Kind of inductor: common mode; toroidal Terminal pitch: 20.1x12.5mm | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 27MH 800MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 0.886" L x 0.846" W (22.50mm x 21.50mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 0.531" (13.50mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 800mA DC Resistance (DCR) (Max): 500mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz | на замовлення 18717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-0.8-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 0.8A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-1-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 15MH 1A 2LN TH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-1-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 1A 0.37Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-1-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 1A 0.37Ohm DCR Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RN114-1-02-15M | SCHAFFNER | Description: SCHAFFNER - RN114-1-02-15M - FILTER, COMMON MODE, 15MH, 1A, RAD tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivität: 15mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: RN Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-1-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 1A 0.37Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RN114-1-02-15M | Schaffner | Common Mode Chokes Dual 15000uH 10kHz 1A 0.37Ohm DCR Thru-Hole | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|