Продукція > Si4

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4004DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4008BDY

на замовлення 570 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI400CF-021

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI400CF-022

на замовлення 998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-B1-GS

RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-B1-GS

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-B1-GS

Crystal-SOC RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-B1-GS

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-B1-GSR

Crystal-SOC RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-B1-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-AS

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-ASR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-AT

RF Microcontrollers - MCU

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	533.22 грн
10+	385.69 грн
25+	312.17 грн
100+	274.55 грн
250+	260.94 грн
500+	233.73 грн
1000+	197.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube Automotive AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-ATR

RF Microcontrollers - MCU

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	465.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	340.85 грн
10+	289.96 грн
25+	225.72 грн
100+	218.52 грн
250+	204.91 грн
500+	193.70 грн
1176+	192.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

SI4010-C2-GS SI4010
кількість в упаковці: 56 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 112 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	465.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GS

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

на замовлення 3007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.38 грн
10+	314.92 грн
56+	283.92 грн
112+	255.87 грн
280+	242.82 грн
504+	234.97 грн
1008+	222.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.93 грн
10+	229.20 грн
25+	196.10 грн
100+	192.10 грн
250+	191.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	238.81 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	266.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

SI4010-C2-GSR SI4010
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.50 грн
10+	274.70 грн
25+	270.90 грн
100+	257.64 грн
250+	235.16 грн
500+	222.58 грн
1000+	219.32 грн
3000+	216.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	285.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GT

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 50 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Strip
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	335.95 грн
10+	279.73 грн
50+	253.70 грн
100+	228.57 грн
250+	216.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GT

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	360.46 грн
10+	308.37 грн
25+	243.33 грн
100+	216.92 грн
200+	207.31 грн
600+	205.71 грн
1000+	186.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GT

Crystal-SOC RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	197.03 грн
250+	185.48 грн
500+	177.79 грн
1000+	160.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 1777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	342.72 грн
10+	296.40 грн
25+	236.13 грн
100+	220.12 грн
250+	208.11 грн
500+	199.31 грн
1000+	179.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	333.13 грн
10+	291.82 грн
25+	267.58 грн
50+	228.46 грн
100+	197.03 грн
250+	185.48 грн
500+	177.79 грн
1000+	160.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	335.95 грн
10+	279.73 грн
25+	264.47 грн
100+	228.57 грн
250+	216.80 грн
500+	208.50 грн
1000+	197.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	201.81 грн
5000+	199.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	179.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2001AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2001ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2002AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2002ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2002GS

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Strip
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2003AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Automotive AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2003AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

на замовлення 48 шт:

термін постачання 70-79 дні (днів)

2+	310.03 грн
10+	275.23 грн
100+	202.51 грн
250+	194.50 грн
500+	177.70 грн
1000+	155.28 грн
2500+	149.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2003ATR

High Performance RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2003ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2004AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Automotive AEC-Q100

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2004AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2004AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Automotive AEC-Q100

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	217.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	197.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2004ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200FGT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200FGT

Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200FGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200RGT

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.41 грн
10+	117.59 грн
25+	115.76 грн
100+	109.86 грн
250+	100.10 грн
500+	94.53 грн
1000+	92.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	111.45 грн
116+	109.75 грн
118+	108.04 грн
120+	102.54 грн
250+	93.43 грн
500+	88.23 грн
1000+	86.77 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200YGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C200YGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 9984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2012GT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2020GTR

SI4010-C2020GTR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2020GTR

Silicon Laboratories

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2024GTR

SI4010-C2024GTR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2025GT

SI4010-C2025GT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2025GTR

SI4010-C2025GTR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2026GTR

SI4010-C2026GTR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2027GTR

SI4010-C2027GTR

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	251.23 грн
56+	229.27 грн
58+	219.30 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2027GTR

SI4010-C2027GTR

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.18 грн
10+	245.64 грн
25+	234.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2M0RGS

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2M0RGSR

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2M0SGS

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2M0SGSR

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.59 грн
10+	193.33 грн
25+	190.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4010-C2X-GS

SI4010-C2X-GS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30V

на замовлення 5649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C1001GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C1001GTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C1002GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C100GGTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C100JGTR

SI4011-C100JGTR SI4011
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C100MGTR

SI4011-C100MGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C100NGTR

SI4011-C100NGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-C2-GT

Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-CA-GT

SI4011-CA-GT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-CC-GT

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4011-CC-GTR

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-A0-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-A0-GT

SI4012-A0-GT SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-A0-GTR

RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GT

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.03 грн
10+	218.16 грн
100+	154.48 грн
250+	144.08 грн
500+	129.67 грн
1050+	125.67 грн
2100+	117.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GT

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10
Übertragungsstrom: 19.8
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 27
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Empfindlichkeit (dBm): -
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 960
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Strip
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.46 грн
10+	179.93 грн
50+	162.92 грн
100+	146.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GTR

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8mA
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.82 грн
10+	214.60 грн
25+	202.93 грн
50+	181.76 грн
100+	160.86 грн
250+	151.62 грн
500+	143.15 грн
1000+	121.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	135.09 грн
5000+	125.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 11537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.46 грн
10+	179.93 грн
25+	169.96 грн
100+	146.67 грн
250+	138.97 грн
500+	133.53 грн
1000+	126.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GTR

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 7821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.52 грн
10+	197.91 грн
25+	162.49 грн
100+	149.68 грн
250+	141.68 грн
500+	133.67 грн
1000+	113.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4018

ALUTRONIC

SI4018 Heatsinks - equipment

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	4990.67 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4018-S

ALUTRONIC

SI4018-S Heatsinks - equipment

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2129.14 грн
2+	2013.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4020

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4020-I1-FT

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020
кількість в упаковці: 96 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4020-I1-FT

Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4020-I1-FTR

Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4020-I1-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FDI

RF Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FT

SI4021-A1-FT SI4021
кількість в упаковці: 96 шт

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FT

RF Transmitter TX SubG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FT1

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FT1R

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FTR

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FTR

TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021-A1-FTR

RF Transmitter TX SubG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4021A1FTR

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A0-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A0-FT

SI4022-A0-FT SI4022
кількість в упаковці: 96 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A0-FTR

RF Transmitter TX SubG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A0-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A0-FTR

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A1-FT

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A1-FT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4022-A1-FT

RF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-A0-FMR

Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-A0-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FM

TX SubG +13dBm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FM

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FM

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FMR

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4030-B1-FMR

QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4031-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FM

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 91 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FMR

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FM

Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transmitter
Frequenz, min.: 240MHz
Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 3204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.41 грн
10+	330.43 грн
25+	321.45 грн
50+	290.16 грн
100+	262.45 грн
250+	257.06 грн
500+	251.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032
кількість в упаковці: 91 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FMR

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-V2-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 80mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-V2-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-V2-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4032-V2-FMR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4033-B2-FM

SI4033-B2-FM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4033-B2-FMR

SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4033-B2-FMR

SI4033-B2-FMR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4038DY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SI4154DY-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4048DY-T1-E3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4048DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4048DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-B1A-FM

Easy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-B1A-FM

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4055-B1A-FMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-B1A-ZMR

SI4055-B1A-ZMR SI4055
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-AM

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-AMR

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter Sub-GHz Transmitter

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.09 грн
10+	254.98 грн
25+	204.11 грн
100+	194.50 грн
250+	181.70 грн
500+	169.69 грн
1000+	158.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Sender
Frequenz, min.: 284MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -116dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 500Kbps
Frequenzgang HF, max.: 960MHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 284MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	286.44 грн
10+	250.52 грн
25+	229.87 грн
50+	196.77 грн
100+	173.17 грн
250+	162.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GM

Description: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64KB
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 500kbps
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GMR

Description: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64KB
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 500kbps
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4055-C2A-GMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.69 грн
50+	67.43 грн
100+	45.34 грн
500+	33.27 грн
1000+	27.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

MOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

на замовлення 126953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.79 грн
10+	63.05 грн
100+	36.18 грн
500+	28.18 грн
1000+	25.61 грн
2500+	22.73 грн
5000+	22.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	72.92 грн
12+	62.03 грн
25+	61.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 16341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.24 грн
10+	57.36 грн
100+	37.80 грн
500+	27.61 грн
1000+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

на замовлення 706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.34 грн
500+	33.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.72 грн
5000+	22.00 грн
7500+	21.08 грн
12500+	18.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.60 грн
11+	66.30 грн
25+	65.06 грн
100+	47.51 грн
250+	43.55 грн
500+	35.62 грн
1000+	26.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.80 грн
5000+	22.08 грн
7500+	21.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 43543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.12 грн
500+	30.27 грн
1000+	25.17 грн
5000+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

на замовлення 7549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.38 грн
10+	57.28 грн
100+	37.85 грн
500+	27.67 грн
1000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

на замовлення 43543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	79.29 грн
16+	59.26 грн
100+	41.12 грн
500+	30.27 грн
1000+	25.17 грн
5000+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4056DY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SI40

на замовлення 14760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.66 грн
10+	63.61 грн
100+	36.66 грн
500+	28.82 грн
1000+	26.01 грн
2500+	22.73 грн
5000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si4058DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	64.29 грн
21+	42.83 грн
100+	29.45 грн
500+	25.85 грн
1000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.10 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si4058DY-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 105927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.18 грн
10+	42.80 грн
100+	25.61 грн
500+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3
Код товару: 182910

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si4058DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	46.11 грн
100+	30.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4058DY-T1-GE3

на замовлення 4921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.45 грн
500+	25.85 грн
1000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4060QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B0B-FMR

SI4060-B0B-FMR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B0B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.90 грн
10+	323.59 грн
25+	306.03 грн
80+	268.04 грн
230+	252.19 грн
490+	241.69 грн
980+	228.83 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FM

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	230.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	233.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	477.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.39 грн
10+	363.59 грн
100+	284.95 грн
250+	256.14 грн
500+	216.92 грн
1000+	216.12 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	464.22 грн
10+	358.27 грн
25+	291.82 грн
50+	249.30 грн
100+	209.34 грн
250+	198.57 грн
500+	188.56 грн
1000+	182.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	147.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GMR

RF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 5659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.11 грн
2500+	207.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.38 грн
10+	146.36 грн
25+	131.10 грн
50+	108.39 грн
100+	86.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25.7A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 14631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	182.10 грн
10+	115.98 грн
100+	68.12 грн
500+	54.35 грн
1000+	51.63 грн
2500+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3
Код товару: 209529

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V

на замовлення 3911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	167.11 грн
10+	102.81 грн
100+	69.94 грн
500+	52.42 грн
1000+	50.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B0B-FMR

SI4063-B0B-FMR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B0B-FMR

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FM
Код товару: 170485

Додати до обраних Обраний товар

Модульні елементи > Радіомодулі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	141.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	132.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	250.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 6423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.77 грн
10+	278.91 грн
25+	240.93 грн
100+	224.92 грн
250+	223.32 грн
500+	217.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 14883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	476.22 грн
10+	397.21 грн
25+	375.83 грн
100+	325.09 грн
250+	308.55 грн
500+	296.88 грн
1000+	281.19 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	621.93 грн
10+	511.79 грн
100+	345.79 грн
250+	310.57 грн
500+	261.74 грн
1000+	257.74 грн
2450+	251.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	152.90 грн

Мінімальне замовлення: 83

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	395.98 грн
10+	343.90 грн
25+	303.50 грн
50+	259.31 грн
100+	225.51 грн
250+	216.27 грн
500+	207.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	279.78 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.77 грн
10+	279.22 грн
25+	276.42 грн
100+	243.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	570.38 грн
26+	505.76 грн
28+	454.90 грн
100+	394.10 грн
250+	327.87 грн
500+	279.64 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 4262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	524.81 грн
10+	407.78 грн
25+	333.78 грн
500+	324.97 грн
1000+	304.16 грн
2500+	219.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI407DNPLCC

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V

на замовлення 2611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	112.56 грн
10+	89.46 грн
100+	66.44 грн
500+	48.53 грн
1000+	44.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.93 грн
10+	91.88 грн
100+	62.09 грн
500+	46.31 грн
1000+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	124.75 грн
10+	106.19 грн
25+	99.22 грн
100+	74.18 грн
250+	68.00 грн
500+	56.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4090DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	143.67 грн
10+	105.95 грн
100+	74.26 грн
500+	55.20 грн
1000+	47.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4090DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 11899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI40SL0116-70T

на замовлення 212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI40SL0416-75T

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI41

IDEC

Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI410

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 28185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.26 грн
10+	94.13 грн
100+	63.31 грн
500+	47.03 грн
1000+	43.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-E3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 16317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.87 грн
5000+	38.44 грн
7500+	37.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 7802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.80 грн
10+	98.49 грн
100+	67.40 грн
500+	57.07 грн
1000+	45.06 грн
2500+	42.02 грн
5000+	40.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	57.59 грн
222+	57.29 грн
270+	46.99 грн
308+	39.69 грн

Мінімальне замовлення: 221

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 3625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.83 грн
10+	74.62 грн
100+	52.05 грн
500+	44.55 грн
1000+	41.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.16 грн
500+	50.03 грн
1000+	39.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	72.82 грн
12+	61.70 грн
25+	61.38 грн
100+	48.54 грн
250+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	125.71 грн
11+	85.66 грн
100+	60.16 грн
500+	50.03 грн
1000+	39.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI4100DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

191+	66.64 грн
193+	65.88 грн
255+	48.09 грн
257+	44.09 грн
500+	32.96 грн
1000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 191

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 10290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.83 грн
500+	28.93 грн
1000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	49.47 грн
17+	44.00 грн
25+	42.50 грн
100+	34.24 грн
250+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

309+	41.06 грн
320+	39.67 грн

Мінімальне замовлення: 309

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 5483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.32 грн
10+	63.95 грн
100+	41.56 грн
500+	31.25 грн
1000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

на замовлення 10290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	84.85 грн
50+	57.38 грн
100+	35.83 грн
500+	28.93 грн
1000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI4101DY-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 78660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	93.20 грн
10+	63.61 грн
100+	36.66 грн
500+	28.82 грн
1000+	26.01 грн
2500+	23.85 грн
5000+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4102DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4102DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4102DY-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4102DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4103DY-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 111403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.77 грн
10+	57.25 грн
100+	32.74 грн
500+	25.29 грн
1000+	23.45 грн
2500+	21.37 грн
5000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4103DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	79.56 грн
16+	56.39 грн
100+	36.99 грн
500+	24.51 грн
1000+	20.55 грн
5000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	51.53 грн
100+	37.14 грн
500+	27.46 грн
1000+	24.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4103DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4103DY-T1-GE3

на замовлення 9044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.99 грн
500+	24.51 грн
1000+	20.55 грн
5000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4104DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4104DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4104DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4108DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4108DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4108DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI410A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4110-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4110DY-T1-E3

PN may be NE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4110DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4110DY-T1-GE3

на замовлення 124200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4110DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4110KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112-BM

Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-BM

на замовлення 434 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112-BT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-BT

SILICONIX

0544

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112-BT
Код товару: 47301

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.25 грн
10+	404.10 грн
25+	330.58 грн
100+	307.36 грн
250+	304.96 грн
490+	282.55 грн
980+	248.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	485.40 грн
30+	429.81 грн
35+	369.50 грн
80+	343.76 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	530.76 грн
10+	442.90 грн
25+	419.16 грн
80+	367.42 грн
230+	345.97 грн
490+	331.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	520.07 грн
10+	460.51 грн
25+	395.89 грн
80+	368.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	325.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	379.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GMR

MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GMR

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 6026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	634.07 грн
10+	524.68 грн
25+	415.42 грн
100+	365.80 грн
250+	340.18 грн
500+	319.37 грн
1000+	295.36 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 4618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	513.45 грн
10+	428.56 грн
25+	405.52 грн
100+	350.93 грн
250+	333.16 грн
500+	320.62 грн
1000+	303.74 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GMR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 6610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.13 грн
10+	354.36 грн
62+	317.87 грн
124+	286.62 грн
310+	272.20 грн
558+	263.53 грн
1054+	251.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GT

SI4112
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GTR

TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GTR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-EVB

TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112BT

на замовлення 235 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112G-BM

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4112M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112M-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4112M-EVB

MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-BMR

на замовлення 7280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4113-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GM

QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	913.29 грн
10+	699.57 грн
25+	580.31 грн
100+	504.27 грн
250+	453.04 грн
490+	424.23 грн
980+	381.00 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	551.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GMR

RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GT

SLLSI4113-D-GT SI4113
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	849.79 грн
10+	756.65 грн
25+	627.54 грн
100+	573.91 грн
248+	560.30 грн
558+	535.49 грн
1054+	480.26 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GTR

Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GTR

IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-D-ZT1

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-EVB

TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113G-BT

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4113GM

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4113M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4113M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4113ZT1

N/A

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

на замовлення 10990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	102.14 грн
100+	79.30 грн
500+	63.83 грн
1000+	53.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.51 грн
5000+	54.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-E3

MOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 7452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	177.43 грн
10+	112.30 грн
100+	67.32 грн
500+	57.07 грн
1000+	47.63 грн
2500+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

на замовлення 276862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.00 грн
10+	61.37 грн
100+	61.35 грн
500+	57.40 грн
1000+	56.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

203+	62.43 грн

Мінімальне замовлення: 203

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	56.32 грн
24+	30.29 грн
25+	28.73 грн
100+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 12468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.81 грн
10+	127.03 грн
100+	88.85 грн
500+	73.48 грн
1000+	60.35 грн
2500+	56.19 грн
5000+	51.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

на замовлення 275000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	82.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4114DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4114G-B-GM

Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4114G-BM

Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4114G-BMR

03+ CLCC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4114GM-EVB

Description: BOARD EVAL SI4114G-BM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4115G-BM

Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4115G-BMR

на замовлення 67790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	45.76 грн
10+	44.92 грн
500+	36.98 грн
1000+	34.74 грн
2500+	32.74 грн
5000+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

540+	23.48 грн
549+	23.10 грн
558+	22.74 грн
567+	21.57 грн
576+	19.65 грн
1000+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 540

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.91 грн
29+	25.15 грн
30+	23.87 грн
100+	21.75 грн
250+	20.54 грн
500+	20.21 грн
1000+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	56.28 грн
10+	53.86 грн
100+	45.00 грн
500+	37.03 грн
1000+	35.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

на замовлення 9630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.62 грн
10+	79.96 грн
100+	58.70 грн
500+	43.53 грн
1000+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.57 грн
500+	46.94 грн
1000+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.04 грн
5000+	35.48 грн
7500+	34.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.10 грн
10+	94.28 грн
100+	63.57 грн
500+	46.94 грн
1000+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 12774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.27 грн
10+	89.47 грн
100+	52.59 грн
500+	41.54 грн
1000+	38.02 грн
2500+	34.10 грн
5000+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4116DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4120

на замовлення 363 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4120-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4120KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122-BT

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-BTR

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	926.36 грн
10+	824.76 грн
25+	566.70 грн
100+	519.48 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	620.99 грн
2500+	545.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GMR

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	579.59 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GMR

RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	516.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4122-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	553.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4122-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122BT

на замовлення 238 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	80.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	79.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.14 грн
500+	86.71 грн
1000+	78.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

10+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	101.23 грн
132+	96.70 грн
250+	92.82 грн
500+	86.27 грн
1000+	77.28 грн
2500+	72.00 грн

Мінімальне замовлення: 126

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

на замовлення 10507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	210.11 грн
10+	157.14 грн
100+	113.14 грн
500+	86.71 грн
1000+	78.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 3307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.26 грн
10+	163.85 грн
100+	100.05 грн
500+	84.85 грн
2500+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.13 грн
10+	150.58 грн
100+	110.98 грн
500+	84.50 грн
1000+	78.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	74.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4122DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122G-BMR

2000

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4122M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4122M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-BM

Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-BT

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	759.35 грн
10+	634.34 грн
25+	600.79 грн
80+	527.19 грн
230+	496.94 грн
490+	476.91 грн
980+	452.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	672.64 грн
100+	645.19 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	901.15 грн
10+	802.67 грн
25+	665.16 грн
100+	577.91 грн
250+	551.50 грн
490+	502.67 грн
980+	458.65 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	672.64 грн
100+	645.19 грн
500+	617.73 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	782.00 грн
10+	724.54 грн
25+	691.03 грн
100+	639.74 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GMR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 1897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	871.27 грн
10+	731.79 грн
25+	573.11 грн
100+	513.88 грн
248+	455.44 грн
558+	422.63 грн
1054+	421.83 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	735.11 грн
10+	614.50 грн
62+	552.06 грн
124+	498.11 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 62 шт

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GTR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123BM

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4123BM

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4123M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4123M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-E3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 384-393 дні (днів)

2+	202.64 грн
10+	180.42 грн
25+	155.28 грн
100+	125.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.59 грн
10+	101.63 грн
25+	100.61 грн
100+	84.82 грн
250+	77.80 грн
500+	66.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	112.55 грн
134+	94.86 грн
135+	93.90 грн
155+	79.16 грн
250+	72.61 грн
500+	62.21 грн

Мінімальне замовлення: 113

В кошику од. на суму грн.

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V

на замовлення 2507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.15 грн
10+	132.99 грн
100+	99.44 грн
500+	75.26 грн
1000+	69.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4124DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126

O246+ QFN

на замовлення 1345 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126-BM

Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-BM

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126-BMR

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126-BMR

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126-BMR

03+

на замовлення 4105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-BM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-BMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-GM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-GMR

RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-F-GMR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126-GM

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126BM

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126BM

N/A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-E3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 12689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.47 грн
10+	148.75 грн
100+	103.21 грн
500+	82.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-GE3

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.88 грн
10+	98.59 грн
25+	98.31 грн
100+	94.53 грн
250+	87.28 грн
500+	83.55 грн
1000+	83.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	74.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	92.02 грн
139+	88.23 грн
250+	81.46 грн
500+	77.98 грн
1000+	77.75 грн

Мінімальне замовлення: 138

В кошику од. на суму грн.

SI4126DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 6851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.38 грн
10+	162.93 грн
100+	100.05 грн
500+	84.85 грн
1000+	80.84 грн
2500+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4126M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4126M-EVB

MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4128BDY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.95 грн
10+	44.92 грн
100+	27.13 грн
500+	22.65 грн
1000+	19.29 грн
2500+	16.81 грн
5000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 8157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.19 грн
10+	46.78 грн
100+	30.91 грн
500+	22.60 грн
1000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.96 грн
5000+	17.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-E3

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 11442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.88 грн
10+	48.60 грн
100+	28.02 грн
500+	21.61 грн
1000+	19.53 грн
2500+	18.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.14 грн
5000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 6190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	68.40 грн
10+	44.02 грн
100+	31.25 грн
500+	22.60 грн
1000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.69 грн
18+	52.80 грн
100+	35.02 грн
500+	25.10 грн
1000+	20.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI4128DY-TI-GE3

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4132-BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4132-KT

09+

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4132-KT

на замовлення 714 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4132-SB

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4132BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4132KT

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4132SB

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133-BMR

SILICONI

00+ CLCC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133-BT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-BT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133-BT/GT

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	765.74 грн
10+	655.39 грн
25+	539.49 грн
100+	498.67 грн
250+	457.85 грн
490+	453.84 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GM

MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	708.08 грн
19+	672.34 грн
25+	659.50 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	926.46 грн
10+	774.58 грн
25+	733.89 грн
80+	644.38 грн
230+	607.78 грн
490+	583.53 грн
980+	553.44 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	896.15 грн
10+	749.40 грн
25+	710.05 грн
100+	615.68 грн
250+	585.35 грн
500+	563.95 грн
1000+	534.88 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GMR

RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

на замовлення 1736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	689.41 грн
124+	659.50 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	738.65 грн
124+	706.61 грн

Мінімальне замовлення: 62

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	853.73 грн
10+	714.30 грн
62+	642.39 грн
124+	579.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	901.15 грн
10+	772.29 грн
25+	603.52 грн
100+	569.10 грн
248+	545.09 грн
558+	513.88 грн
1054+	488.26 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GT

TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GTR

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GTR

Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-EVB

SLLSI4133-EVB SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-EVB

Si4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Frequency: 900MHz ~ 1.8GHz, 750MHz ~ 1.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SI4133

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-EVB

RF Development Tools

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133-GM

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133B-BM

на замовлення 219 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Si4133BM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133F-BMR

03+

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133G-BM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133G-BT

SILCON

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133G-BTR

SILI

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133G-BTR

0050

на замовлення 848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133G-XM2

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133G-XM2R

2003

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133G-XMZ

на замовлення 546 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133GBM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133GBMR

SLAB

0011

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133GBMR

SLAB

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133GBT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133GM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133GM-EVB

Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133GX2-BM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133GX2M-EVB

Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133GX2M
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SI4133GX2M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133GXM2

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133M-EB

RF Development Tools

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133M-EB

Description: IC
Packaging: Box
For Use With/Related Products: SI4123
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133M-EVB

Si4133-BM PLL Evaluation Board

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133M-EVB

Si4133-BM PLL Evaluation Board

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-BM

04+ CLCC

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-BM

QFN??

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-BM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-BM

09+

на замовлення 350018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-BMR

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-BMR

2004

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-GM

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4133T-MB

2004

на замовлення 179 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133TBM

03+

на замовлення 2066 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133W-BM

на замовлення 390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133W-BMR

2002

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133W-D-GM

0602

на замовлення 78 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4133WM-EVB

Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133W-BM
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY

на замовлення 163 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-E3

1027+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 3214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	54.03 грн
100+	36.89 грн
500+	27.93 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-E3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 60339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.38 грн
10+	45.01 грн
100+	30.82 грн
500+	25.77 грн
1000+	23.29 грн
2500+	18.09 грн
5000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 11760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.12 грн
500+	30.27 грн
1000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Siliconix

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 3959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	84.85 грн
10+	53.95 грн
100+	38.35 грн
500+	27.93 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

340+	37.34 грн
500+	29.06 грн
1000+	26.36 грн
2500+	23.05 грн

Мінімальне замовлення: 340

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 11760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	98.77 грн
50+	62.58 грн
100+	41.12 грн
500+	30.27 грн
1000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 6871 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	92.13 грн
59+	20.21 грн
163+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 13914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.02 грн
10+	54.59 грн
100+	33.86 грн
500+	28.26 грн
1000+	24.09 грн
2500+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-BM

QFN32

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-BM

09+

на замовлення 318 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-BM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-BMR

QFN

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-BMR

QFN??

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-GM

09+

на замовлення 9018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-GM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4134T-GMR

04+

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136-BM

Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-BM

09+

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136-Bt

Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-BT

Clock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-Bt

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4136
Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-EVB

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136-EVB

TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-BM

Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-BT

Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GMR

Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GT

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1032.96 грн
10+	911.65 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GT

RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GT

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GTR

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GTR

RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-F-GTR

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136-GM

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136-XM-GT

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136BM

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V

на замовлення 1581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.11 грн
10+	69.37 грн
100+	55.96 грн
500+	50.49 грн
1000+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-GE3

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 11151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	123.27 грн
10+	91.87 грн
100+	58.35 грн
500+	51.79 грн
1000+	48.59 грн
2500+	44.90 грн
5000+	43.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.13 грн
10+	85.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136M-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136M-EVB

MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4136XM-BT

SILCON

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136XM-BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136XM-BT

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136XM-BTR

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4136XM-GT

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4137-BM

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4137BM

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.26 грн
5000+	19.78 грн
7500+	18.93 грн
12500+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 16912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	79.11 грн
50+	57.65 грн
100+	39.33 грн
500+	30.10 грн
1000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

на замовлення 16912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.33 грн
500+	30.10 грн
1000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 125585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.48 грн
10+	56.98 грн
100+	32.74 грн
500+	25.69 грн
1000+	23.29 грн
2500+	20.57 грн
10000+	19.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

на замовлення 12630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.52 грн
10+	52.19 грн
100+	34.29 грн
500+	24.96 грн
1000+	22.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4148DY-T1

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI415

01+ SOP

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI415

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.33 грн
10+	89.96 грн
100+	60.43 грн
500+	44.81 грн
1000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

MOSFETs SO8 P-CH 30V 15.2A

на замовлення 7908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.54 грн
10+	81.56 грн
100+	52.35 грн
500+	41.38 грн
1000+	37.86 грн
2500+	33.62 грн
5000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.48 грн
500+	42.19 грн
1000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	38.14 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4151DY-T1-GE3

Micro Commercial Components

Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	144.56 грн
10+	94.28 грн
100+	63.48 грн
500+	42.19 грн
1000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SI4153-TP

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4153-TP

Micro Commercial Components (MCC)

MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.38 грн
50+	58.54 грн
100+	38.43 грн
500+	27.51 грн
1000+	23.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 9914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.66 грн
10+	48.28 грн
100+	31.63 грн
500+	22.96 грн
1000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

MOSFETs SO8 P CHAN 30V

на замовлення 14340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.32 грн
10+	58.64 грн
100+	33.62 грн
500+	26.25 грн
1000+	23.45 грн
2500+	20.81 грн
5000+	19.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.41 грн
5000+	18.11 грн
7500+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.43 грн
500+	27.51 грн
1000+	23.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4153DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 22941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.42 грн
10+	76.03 грн
100+	50.51 грн
500+	44.18 грн
1000+	42.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	62.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	61.32 грн
208+	60.97 грн
233+	54.40 грн
250+	52.44 грн
500+	43.47 грн
1000+	39.93 грн

Мінімальне замовлення: 207

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V

на замовлення 11334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.17 грн
10+	77.62 грн
100+	62.18 грн
500+	52.07 грн
1000+	47.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.93 грн
500+	59.11 грн
1000+	54.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.56 грн
12+	65.70 грн
25+	65.33 грн
100+	56.21 грн
250+	52.03 грн
500+	44.72 грн
1000+	42.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	73.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3
Код товару: 184243

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.98 грн
5000+	42.81 грн
7500+	42.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	162.52 грн
50+	73.18 грн
100+	57.56 грн
500+	43.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.71 грн
17+	53.25 грн
100+	43.91 грн
500+	35.10 грн
1000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI4155DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V

на замовлення 2554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.71 грн
10+	59.78 грн
100+	54.22 грн
500+	49.54 грн
1000+	45.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4155DY-T1-GE3

на замовлення 3694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.91 грн
500+	35.10 грн
1000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-E3

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 4627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.38 грн
10+	61.28 грн
100+	45.08 грн
500+	35.58 грн
1000+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 56734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.05 грн
10+	66.00 грн
100+	40.02 грн
500+	34.66 грн
1000+	29.70 грн
2500+	26.81 грн
5000+	26.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4156DY-T1-GE3

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4158DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4158DY-T1-GE3

MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4158DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-EG3

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.79 грн
12+	78.30 грн
100+	57.65 грн
500+	44.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.15 грн
10+	86.71 грн
100+	48.33 грн
500+	43.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-GE3

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 14229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.60 грн
10+	104.94 грн
100+	70.84 грн
500+	58.51 грн
1000+	46.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4160DY-TI-GE3

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.57 грн
30000+	24.28 грн
45000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.00 грн
10+	67.47 грн
100+	40.66 грн
500+	33.94 грн
1000+	28.90 грн
2500+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 829 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	78.98 грн
44+	27.51 грн
119+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 70118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.36 грн
500+	30.85 грн
1000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 25976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.91 грн
10+	66.29 грн
100+	44.18 грн
500+	32.35 грн
1000+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4162DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 70118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.89 грн
50+	60.88 грн
100+	44.36 грн
500+	30.85 грн
1000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 27887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.21 грн
10+	110.46 грн
100+	64.91 грн
500+	51.79 грн
1000+	48.59 грн
2500+	42.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.34 грн
10+	118.52 грн
100+	81.26 грн
500+	60.12 грн
1000+	52.10 грн
5000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3
Код товару: 186845

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

1+	68.00 грн
10+	62.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 25261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.80 грн
10+	99.30 грн
100+	67.39 грн
500+	50.41 грн
1000+	48.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4164DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

на замовлення 7727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.18 грн
10+	73.04 грн
100+	55.79 грн
500+	47.29 грн
1000+	42.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.16 грн
17+	44.66 грн
25+	44.21 грн
100+	42.35 грн
250+	38.94 грн
500+	37.14 грн
1000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.50 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.89 грн
5000+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.28 грн
100+	55.51 грн
500+	44.26 грн
1000+	43.46 грн
2500+	38.90 грн
5000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	71.12 грн
15+	63.30 грн
100+	51.72 грн
500+	44.77 грн
1000+	40.10 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

305+	41.68 грн
308+	41.27 грн
310+	40.99 грн
312+	39.26 грн
500+	36.11 грн
1000+	34.42 грн

Мінімальне замовлення: 305

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	66.31 грн
13+	55.93 грн
25+	55.91 грн
100+	45.97 грн
250+	42.31 грн
500+	36.66 грн
1000+	33.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	52.18 грн
285+	44.49 грн
287+	42.64 грн
500+	35.64 грн
1000+	31.57 грн

Мінімальне замовлення: 243

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 26145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.50 грн
10+	70.79 грн
100+	53.19 грн
500+	42.93 грн
1000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.39 грн
5000+	34.46 грн
7500+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	58.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI417

01+ SOP

на замовлення 159 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4170DYT1E3

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4172DT-T1-GE3

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	28.14 грн
27+	27.71 грн
50+	26.30 грн
100+	23.96 грн
250+	22.63 грн
500+	22.26 грн
1000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-E3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	97.30 грн
34+	36.02 грн
91+	34.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	110.44 грн
13+	69.14 грн
100+	45.70 грн
500+	33.52 грн
1000+	27.86 грн
5000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 23147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.55 грн
10+	62.41 грн
100+	38.90 грн
500+	32.50 грн
1000+	27.69 грн
2500+	23.85 грн
5000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 9408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.24 грн
10+	63.95 грн
100+	42.74 грн
500+	31.25 грн
1000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.94 грн
5000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.24 грн
5000+	27.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.37 грн
5000+	24.32 грн
7500+	23.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4176DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4176DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4176DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4176DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4176DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY

на замовлення 3310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Siliconix

N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	19.55 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 4372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.69 грн
10+	34.18 грн
100+	29.18 грн
500+	22.82 грн
1000+	20.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

499+	25.40 грн
595+	21.30 грн
601+	21.09 грн
647+	18.90 грн
1000+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 499

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.88 грн
500+	20.76 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 20329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.15 грн
11+	33.78 грн
100+	21.45 грн
500+	18.01 грн
1000+	16.97 грн
2500+	14.81 грн
5000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	34.59 грн
53+	22.71 грн
144+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	27.22 грн
100+	22.01 грн
250+	20.18 грн
500+	18.00 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	30.71 грн
50+	25.41 грн
100+	23.88 грн
500+	20.76 грн
1000+	19.01 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-E3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.66 грн
5000+	34.63 грн
7500+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 33613 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.60 грн
10+	80.08 грн
100+	53.55 грн
500+	42.50 грн
1000+	38.34 грн
2500+	33.78 грн
5000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 12485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.83 грн
10+	74.79 грн
100+	57.41 грн
500+	42.76 грн
1000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4186DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI419

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI419

SOP-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	119.42 грн
10+	104.16 грн
100+	93.38 грн
500+	75.12 грн
1000+	68.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	127.82 грн
10+	103.43 грн
25+	102.74 грн
100+	82.52 грн
250+	75.78 грн
500+	63.49 грн
1000+	59.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	119.30 грн
132+	96.53 грн
133+	95.89 грн
159+	77.02 грн
250+	70.73 грн
500+	59.26 грн
1000+	55.66 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	73.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.38 грн
500+	75.12 грн
1000+	68.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.47 грн
10+	112.30 грн
100+	80.84 грн
500+	66.28 грн
1000+	65.23 грн
2500+	59.23 грн
5000+	58.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	167.11 грн
10+	115.14 грн
100+	88.38 грн
500+	68.57 грн
1000+	63.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	68.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4190BDY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4190BDY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0077 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.4W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.34 грн
500+	83.38 грн
1000+	70.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

Si4190BDY-T1-GE3