НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SI40021
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4004DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4004DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4008BDY
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI400CF-021
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI400CF-022
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSSilicon LaboratoriesCrystal-SOC RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GS
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSRSilicon LaboratoriesCrystal-SOC RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ASSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ASRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.85 грн
10+386.38 грн
100+275.03 грн
250+261.24 грн
500+234.39 грн
1000+198.11 грн
2500+187.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100
на замовлення 580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LabsRF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.03 грн
10+256.20 грн
100+209.72 грн
250+193.75 грн
500+191.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LaboratoriesRF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+460.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.34 грн
10+263.88 грн
56+237.95 грн
112+214.45 грн
280+203.51 грн
504+196.93 грн
1008+186.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+393.47 грн
38+321.09 грн
100+287.55 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LabsSI4010-C2-GS SI4010
кількість в упаковці: 56 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LaboratoriesRF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+460.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+177.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+218.06 грн
10+214.82 грн
25+211.50 грн
100+200.82 грн
250+182.99 грн
500+172.89 грн
1000+170.05 грн
3000+167.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+191.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsSI4010-C2-GSR SI4010
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsRF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.40 грн
10+258.70 грн
100+208.99 грн
250+201.01 грн
500+198.83 грн
2500+198.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+234.83 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LabsMSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Strip
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.97 грн
10+279.91 грн
50+253.89 грн
100+228.74 грн
250+216.97 грн
500+208.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LabsRF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.75 грн
10+324.63 грн
100+245.27 грн
250+232.21 грн
500+175.61 грн
1050+170.53 грн
2100+169.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LaboratoriesCrystal-SOC RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.53 грн
250+139.55 грн
500+138.16 грн
1000+135.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+194.91 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.97 грн
10+279.91 грн
25+264.66 грн
100+228.74 грн
250+216.97 грн
500+208.65 грн
1000+197.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.86 грн
10+198.63 грн
25+188.86 грн
50+166.30 грн
100+146.53 грн
250+139.55 грн
500+138.16 грн
1000+135.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsMSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+180.99 грн
10+172.70 грн
25+170.96 грн
100+162.97 грн
250+150.63 грн
500+144.28 грн
1000+143.96 грн
3000+143.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+172.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsRF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.89 грн
10+198.61 грн
100+164.73 грн
250+161.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2001ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2001ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2002ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2002ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2002GSSilicon LabsDescription: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Strip
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+170.89 грн
75+164.32 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.68 грн
10+152.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
на замовлення 48 шт:
термін постачання 70-79 дні (днів)
2+281.07 грн
10+249.52 грн
100+183.59 грн
250+176.34 грн
500+161.10 грн
1000+140.78 грн
2500+135.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATRSilicon LaboratoriesHigh Performance RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.68 грн
10+152.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+306.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+208.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200FGTSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200FGTSilicon LabsDescription: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200FGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTSilicon LabsDescription: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.05 грн
116+105.42 грн
118+103.78 грн
120+98.50 грн
250+89.74 грн
500+84.75 грн
1000+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.41 грн
10+97.89 грн
25+96.37 грн
100+91.46 грн
250+83.33 грн
500+78.70 грн
1000+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200YGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2012GTSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2020GTRSilicon LabsSilicon Laboratories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2020GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2020GTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2024GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2024GTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2025GTSilicon LaboratoriesSI4010-C2025GT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0RGSSilicon LaboratoriesONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0RGSRSilicon LaboratoriesONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0SGSSilicon LaboratoriesSoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0SGSRSilicon LaboratoriesSoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M20GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2M20GTR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.37 грн
10+187.25 грн
25+184.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M20GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2M20GTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M20GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2M20GTR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2X-GSSilicon LaboratoriesSI4010-C2X-GS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 30V
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C1001GTSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C1001GTRSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C1002GTSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100GGTRSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100JGTRSilicon LabsSI4011-C100JGTR SI4011
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100MGTRSilicon LabsSI4011-C100MGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100NGTRSilicon LabsSI4011-C100NGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C2-GTSilicon LabsDescription: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-CA-GTSilicon LaboratoriesSI4011-CA-GT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-CC-GTSilicon LabsDescription: IC TRANSMITTER 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-CC-GTRSilicon LabsDescription: IC TRANSMITTER 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-A0-GTSilicon LabsSI4012-A0-GT SI4012
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-A0-GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-A0-GTRSilicon LabsRF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-B1-GT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LabsMSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Strip
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
10+174.16 грн
50+157.74 грн
100+142.00 грн
250+134.55 грн
500+129.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LaboratoriesRF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10
Übertragungsstrom: 19.8
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 27
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Empfindlichkeit (dBm): -
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 960
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LabsRF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.37 грн
10+197.78 грн
100+140.05 грн
250+130.62 грн
500+117.56 грн
1050+113.93 грн
2100+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8mA
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.56 грн
10+205.95 грн
25+193.74 грн
50+168.57 грн
100+145.13 грн
250+137.46 грн
500+123.50 грн
1000+103.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsRF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 10068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.98 грн
10+214.47 грн
100+153.11 грн
250+145.13 грн
500+130.62 грн
1000+109.58 грн
2500+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 11951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
10+174.16 грн
25+164.54 грн
100+142.00 грн
250+134.55 грн
500+129.29 грн
1000+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsMSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+130.80 грн
5000+121.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4018ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...220°C
Thickness: 0.18mm
Type of heat transfer pad: silicone
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 200x200mm
Mounting: heat transfer glue
Material: glass fiber reinforced silicone
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4870.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4018ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...220°C
Thickness: 0.18mm
Type of heat transfer pad: silicone
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 200x200mm
Mounting: heat transfer glue
Material: glass fiber reinforced silicone
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4058.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4018-SALUTRONICSI4018-S Heatsinks - equipment
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1868.58 грн
2+1766.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FDISilicon LabsRF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTSilicon LabsSI4021-A1-FT SI4021
кількість в упаковці: 96 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTSilicon LabsRF Transmitter TX SubG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FT1Silicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FT1RSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021A1FTR
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTSilicon LabsSI4022-A0-FT SI4022
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A1-FT
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A1-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A1-FTSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4023-SALUTRONICSI4023-S Heatsinks - equipment
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-A0-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-A0-FMRSilicon LabsDescription: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-A0-FMRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LabsRF Transmitter TX SubG +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LaboratoriesTX SubG +13dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LaboratoriesISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LaboratoriesISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-A0-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 240MHz
Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.27 грн
10+328.87 грн
25+317.48 грн
50+284.22 грн
100+256.77 грн
250+251.89 грн
500+246.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 80mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMRSilicon LabsDescription: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4033-B2-FMSilicon LaboratoriesSI4033-B2-FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4033-B2-FMRSilicon LaboratoriesSI4033-B2-FMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4033-B2-FMRSilicon LabsSI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI4154DY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-E3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-FMSilicon LaboratoriesEasy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-FMSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transmitter
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-FMRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-ZMRSilicon LabsSI4055-B1A-ZMR SI4055
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64KB
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 500kbps
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 284MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -116dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 500Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.56 грн
10+232.82 грн
25+221.42 грн
50+194.27 грн
100+167.46 грн
250+158.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz Transmitter
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.53 грн
10+232.83 грн
100+188.67 грн
250+178.51 грн
500+155.29 грн
1000+154.57 грн
2450+151.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.93 грн
50+57.72 грн
100+39.40 грн
500+29.48 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET
на замовлення 134807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.67 грн
10+58.92 грн
100+34.98 грн
500+28.23 грн
1000+24.89 грн
2500+22.79 грн
5000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 19637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+52.84 грн
100+36.06 грн
500+26.74 грн
1000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.40 грн
500+29.48 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.71 грн
12+51.64 грн
25+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.12 грн
5000+20.41 грн
7500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.54 грн
5000+19.98 грн
7500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 46228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.54 грн
500+29.86 грн
1000+23.44 грн
5000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.60 грн
11+55.19 грн
25+54.16 грн
100+39.55 грн
250+36.25 грн
500+29.66 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VISHAYSI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI40
на замовлення 49962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.89 грн
10+59.00 грн
100+37.08 грн
500+28.88 грн
1000+26.27 грн
2500+23.95 грн
5000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 10806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.65 грн
10+52.01 грн
100+35.46 грн
500+26.13 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 46228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.83 грн
14+59.51 грн
100+40.54 грн
500+29.86 грн
1000+23.44 грн
5000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.70 грн
500+23.43 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 10.3A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 105927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.09 грн
10+38.80 грн
100+23.22 грн
500+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3
Код товару: 182910
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.29 грн
21+38.83 грн
100+26.70 грн
500+23.43 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 10.3A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.29 грн
10+41.80 грн
100+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayN-Channel 100 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4060QFN
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMRSilicon LaboratoriesSI4060-B0B-FMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.67 грн
10+293.36 грн
25+277.45 грн
80+243.00 грн
230+228.63 грн
490+219.11 грн
980+207.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+208.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+211.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.78 грн
10+329.63 грн
100+258.34 грн
250+232.21 грн
500+196.65 грн
1000+195.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.57 грн
10+226.30 грн
25+218.98 грн
50+196.53 грн
100+175.14 грн
250+156.99 грн
500+132.57 грн
1000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.65 грн
10+206.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DYVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.77 грн
10+96.80 грн
100+61.61 грн
500+51.09 грн
1000+47.24 грн
5000+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.33 грн
10+132.69 грн
25+118.85 грн
50+98.27 грн
100+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.26 грн
10+80.05 грн
100+65.73 грн
500+49.27 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3
Код товару: 209529
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMRSilicon LaboratoriesSI4063-B0B-FMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FM
Код товару: 170485
Додати до обраних Обраний товар

Модульні елементи > Радіомодулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.73 грн
10+360.11 грн
25+340.73 грн
100+294.73 грн
250+279.73 грн
500+269.15 грн
1000+254.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.18 грн
10+349.66 грн
100+268.50 грн
250+250.35 грн
500+217.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+117.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+227.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+126.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.84 грн
10+463.99 грн
100+313.49 грн
250+281.56 грн
500+237.29 грн
1000+233.66 грн
2450+227.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+146.87 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.60 грн
10+454.24 грн
25+431.44 грн
50+379.46 грн
100+272.82 грн
250+244.21 грн
500+205.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+268.75 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.55 грн
10+232.45 грн
25+230.11 грн
100+202.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+547.88 грн
26+485.81 грн
28+436.96 грн
100+378.55 грн
250+314.94 грн
500+268.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI407DNPLCCVISHAY
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.05 грн
10+81.11 грн
100+60.24 грн
500+43.99 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3VISHAYSI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 11899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VISHAYSI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.46 грн
10+96.06 грн
100+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+103.85 грн
10+88.40 грн
25+82.60 грн
100+61.75 грн
250+56.61 грн
500+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI40SL0116-70T
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI40SL0416-75T
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI41IDECEnclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI410SIEMENS01+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3VISHAYSI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 28185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.94 грн
10+85.34 грн
100+57.40 грн
500+42.64 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 16317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.86 грн
5000+34.85 грн
7500+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.98 грн
10+89.29 грн
100+61.10 грн
500+51.74 грн
1000+40.85 грн
2500+38.10 грн
5000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.97 грн
11+77.66 грн
100+54.54 грн
500+45.35 грн
1000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
10+67.65 грн
100+47.19 грн
500+40.39 грн
1000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYSI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.54 грн
500+45.35 грн
1000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+55.32 грн
222+55.03 грн
270+45.13 грн
308+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.63 грн
12+51.36 грн
25+51.10 грн
100+40.41 грн
250+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.48 грн
500+26.23 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+64.01 грн
193+63.28 грн
255+46.20 грн
257+42.35 грн
500+31.66 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYSI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 93478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.06 грн
10+56.41 грн
100+29.39 грн
500+25.40 грн
1000+23.95 грн
2500+21.12 грн
5000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.19 грн
17+36.63 грн
25+35.38 грн
100+28.50 грн
250+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.07 грн
10+57.98 грн
100+37.68 грн
500+28.33 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.93 грн
50+52.02 грн
100+32.48 грн
500+26.23 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+39.44 грн
320+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.60 грн
500+26.53 грн
1000+21.14 грн
5000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYSI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.93 грн
17+50.39 грн
100+34.60 грн
500+26.53 грн
1000+21.14 грн
5000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.29 грн
10+46.71 грн
100+33.67 грн
500+24.89 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 116201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.25 грн
10+47.15 грн
100+30.04 грн
500+25.11 грн
1000+21.41 грн
2500+18.94 грн
5000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI410A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110-KT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-E3VishayPN may be NE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3
на замовлення 124200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110KTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BM
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BT
Код товару: 47301
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BTSILICONIX0544
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.68 грн
10+438.95 грн
25+313.49 грн
100+301.15 грн
250+286.64 грн
490+256.88 грн
980+256.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.95 грн
10+383.37 грн
25+329.57 грн
80+306.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.19 грн
10+401.53 грн
25+380.01 грн
80+333.10 грн
230+313.65 грн
490+300.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+466.25 грн
30+412.86 грн
35+354.92 грн
80+330.20 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.85 грн
10+475.67 грн
25+376.62 грн
100+331.63 грн
250+308.41 грн
500+289.54 грн
1000+267.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+295.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSilicon LabsMLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSilicon LabsClock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+343.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.49 грн
10+388.53 грн
25+367.64 грн
100+318.15 грн
250+302.04 грн
500+290.67 грн
1000+275.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LabsSI4112
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.42 грн
10+321.26 грн
62+288.18 грн
124+259.85 грн
310+246.78 грн
558+238.91 грн
1054+227.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LaboratoriesRF Synthesizer with IF OUs
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4112
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsRF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112BTSILICON
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112G-BM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsMLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4112
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsRF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-BMR
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.50 грн
10+700.99 грн
25+581.26 грн
100+504.34 грн
250+481.84 грн
490+424.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSilicon LabsQFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+500.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+770.41 грн
10+685.97 грн
25+568.92 грн
100+520.30 грн
248+507.96 грн
558+485.47 грн
1054+435.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSilicon LabsSLLSI4113-D-GT SI4113
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSkyworks SolutionsIC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-ZT1Skyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113G-BTSI
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113GMSIO6
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsMLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113ZT1N/A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.38 грн
10+92.60 грн
100+71.89 грн
500+57.87 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VISHAYSI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.14 грн
5000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VISHAYSI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.38 грн
10+115.16 грн
100+80.55 грн
500+66.62 грн
1000+54.71 грн
2500+50.94 грн
5000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 281001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.70 грн
10+69.39 грн
100+58.73 грн
500+54.56 грн
1000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.88 грн
24+25.22 грн
25+23.92 грн
100+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMSilicon LabsDescription: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMRSI03+ CLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114GM-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL SI4114G-BM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMSilicon LabsDescription: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMRSILICON
на замовлення 67790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.02 грн
10+48.83 грн
100+40.80 грн
500+33.57 грн
1000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+22.55 грн
549+22.19 грн
558+21.84 грн
567+20.72 грн
576+18.87 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 540
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.89 грн
29+20.94 грн
30+19.87 грн
100+18.11 грн
250+17.10 грн
500+16.82 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
4+110.06 грн
10+97.64 грн
100+66.11 грн
500+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.04 грн
500+49.81 грн
1000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.54 грн
10+72.49 грн
100+53.22 грн
500+39.46 грн
1000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.75 грн
10+74.94 грн
100+45.79 грн
500+37.01 грн
1000+34.18 грн
2500+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.62 грн
10+83.85 грн
100+65.04 грн
500+49.81 грн
1000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.49 грн
5000+32.17 грн
7500+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120-KT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120KTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSI
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTR
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+839.83 грн
10+747.72 грн
25+513.77 грн
100+470.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+556.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.96 грн
2500+453.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+460.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+496.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122BTSILICON
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.32 грн
10+136.52 грн
100+100.62 грн
500+76.60 грн
1000+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.23 грн
132+92.89 грн
250+89.16 грн
500+82.87 грн
1000+74.23 грн
2500+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.52 грн
500+81.64 грн
1000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 9522 шт:
термін постачання 319-328 дні (днів)
2+186.25 грн
10+152.72 грн
100+105.95 грн
250+97.96 грн
500+88.53 грн
1000+76.19 грн
2500+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.42 грн
10+135.13 грн
100+96.87 грн
500+71.28 грн
1000+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122G-BMRSI2000
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsMLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+646.11 грн
100+619.74 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.42 грн
10+575.09 грн
25+544.67 грн
80+477.95 грн
230+450.52 грн
490+432.36 грн
980+409.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+646.11 грн
100+619.74 грн
500+593.37 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
кількість в упаковці: 490 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.98 грн
10+727.69 грн
25+603.03 грн
100+523.93 грн
250+499.98 грн
490+455.72 грн
980+415.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSilicon LabsClock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSilicon LaboratoriesRF synthesizer with RF1/IF OUT
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.00 грн
10+603.17 грн
25+575.27 грн
100+532.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.44 грн
10+557.10 грн
62+500.49 грн
124+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 62 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+789.88 грн
10+663.44 грн
25+519.57 грн
100+465.88 грн
248+412.90 грн
558+383.15 грн
1054+382.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123BMQFN
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123BM
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123M-EVBSilicon LabsMLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VISHAYSI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.54 грн
10+120.57 грн
100+90.15 грн
500+68.23 грн
1000+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.39 грн
10+84.61 грн
25+83.76 грн
100+70.61 грн
250+64.77 грн
500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.11 грн
134+91.12 грн
135+90.20 грн
155+76.04 грн
250+69.75 грн
500+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VISHAYSI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 384-393 дні (днів)
2+183.71 грн
10+163.56 грн
25+140.78 грн
100+113.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126VISHAY
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126SILICONO246+ QFN
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMSILICON
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMRSILICON03+
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMRSILICON
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMRst
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-BMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-BMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMSilicon LabsQFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMSilicon LabsRF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-GM
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126BMN/A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126BMVISHAY
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-E3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VISHAYSI4126DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 7132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.03 грн
10+142.26 грн
100+100.62 грн
500+82.04 грн
1000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.27 грн
10+140.20 грн
100+88.53 грн
500+72.57 грн
1000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+96.67 грн
134+91.01 грн
135+90.82 грн
136+86.69 грн
250+79.44 грн
500+75.47 грн
1000+74.68 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.76 грн
10+84.51 грн
25+84.34 грн
100+80.50 грн
250+73.77 грн
500+70.08 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126M-EVBSilicon LabsMLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.09 грн
5000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.00 грн
10+40.72 грн
100+24.60 грн
500+20.54 грн
1000+17.49 грн
2500+15.24 грн
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.08 грн
10+42.41 грн
100+28.02 грн
500+20.49 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.29 грн
19+43.63 грн
100+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.36 грн
5000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VISHAYSI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 33193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.99 грн
10+41.56 грн
100+23.51 грн
500+19.74 грн
1000+17.05 грн
2500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.01 грн
10+39.91 грн
100+28.33 грн
500+20.49 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-TI-GE3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-BTSILICON
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-KT
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-KT09+
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-SBSILICON
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132BTSILICON
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132KTSILICON
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132SBSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BMRSILICONI00+ CLCC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BTSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BTSILICON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BT/GT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+839.92 грн
10+702.23 грн
25+665.34 грн
80+584.19 грн
230+551.00 грн
490+529.02 грн
980+501.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 490 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.84 грн
10+596.68 грн
25+454.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+680.15 грн
19+645.83 грн
25+633.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.45 грн
10+679.40 грн
25+643.72 грн
100+558.17 грн
250+530.67 грн
500+511.27 грн
1000+484.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks Solutions, Inc.RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+662.22 грн
124+633.49 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+845.76 грн
10+755.23 грн
25+605.20 грн
100+552.96 грн
248+518.12 грн
558+483.29 грн
1054+458.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+614.92 грн
124+588.24 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.45 грн
10+679.40 грн
62+611.00 грн
124+551.52 грн
310+524.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks Solutions, Inc.Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Frequency: 900MHz ~ 1.8GHz, 750MHz ~ 1.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SI4133
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSilicon LabsSLLSI4133-EVB SI4133
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSkyworks Solutions, Inc.RF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSkyworks SolutionsSi4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-GM
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133B-BM
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4133BM
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133F-BMRVISHAY03+
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BMSILICON
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BTSILCON
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BTRSILICON0050
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BTRSILI
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-XM2SILICON
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-XM2RSILICON2003
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-XMZ
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBMSILICON
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBMRSLAB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBMRSLAB0011
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GM
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GM-EVBSkyworks Solutions, Inc.Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GX2-BMSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GX2M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133GX2M
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SI4133GX2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GXM2SILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EBSkyworks Solutions Inc.Description: IC
Packaging: Box
For Use With/Related Products: SI4123
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EBSkyworks Solutions, Inc.RF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSilicon LabsMLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSkyworks SolutionsSi4133-BM PLL Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSkyworks SolutionsSi4133-BM PLL Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSilicon09+
на замовлення 350018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSI04+ CLCC
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSILICONQFN??
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMRSILICON2004
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMRSI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-GMSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-GM
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-MBVISHAY2004
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133TBMSilicon03+
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133W-BM
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133W-BMRSILICON2002
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133W-D-GMSilicon Labs0602
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133WM-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133W-BM
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 66782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.62 грн
10+52.91 грн
100+31.35 грн
500+25.83 грн
1000+22.35 грн
2500+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.29 грн
10+48.98 грн
100+33.45 грн
500+25.32 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VISHAY1027+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6892 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.10 грн
10+56.24 грн
59+18.32 грн
163+17.33 грн
2500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+35.87 грн
500+27.91 грн
1000+25.32 грн
2500+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 6892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.75 грн
10+45.13 грн
59+15.27 грн
163+14.44 грн
2500+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.93 грн
10+48.91 грн
100+34.77 грн
500+25.32 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.47 грн
50+50.55 грн
100+37.53 грн
500+27.06 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 13914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.86 грн
10+49.49 грн
100+30.70 грн
500+25.62 грн
1000+21.84 грн
2500+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMSilicon09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMSILICONQFN32
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMRSILICONQFN??
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMRSILICONQFN
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-GMSilicon09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-GMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-GMRSILICON04+
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BMSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BMSilicon09+
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-Bt
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BtSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSilicon LabsRF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4136
Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSkyworks SolutionsISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-BMSilicon LabsDescription: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-BTSilicon LabsDescription: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMSilicon LabsQFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMSilicon LabsRF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMRSilicon LabsClock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTSilicon LabsRF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+936.47 грн
10+826.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTRSilicon LabsRF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-GM
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-XM-GT
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136BM
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136BTSILICON09+ TSSOP24
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-E3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VISHAYSI4136DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 21393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.29 грн
10+86.79 грн
100+59.94 грн
500+51.23 грн
1000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.05 грн
10+69.24 грн
100+58.81 грн
500+50.80 грн
1000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.01 грн
10+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsMLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsRF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTSILCON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTSILICON09+ TSSOP24
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTSILICON
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTR
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-GT
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4137-BM09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4137BMSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 61349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.21 грн
10+51.70 грн
100+34.57 грн
500+25.16 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.82 грн
500+26.23 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 8611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.09 грн
10+50.57 грн
100+30.48 грн
500+25.47 грн
1000+21.70 грн
2500+19.23 грн
5000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.44 грн
5000+19.94 грн
7500+19.09 грн
12500+17.01 грн
17500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYSI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.22 грн
50+53.08 грн
100+35.82 грн
500+26.23 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4148DY-T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI415VISHAY
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI415SIEMENS01+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET
на замовлення 15455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.97 грн
10+75.86 грн
100+51.30 грн
500+49.35 грн
2500+41.94 грн
5000+41.07 грн
10000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.66 грн
10+81.56 грн
100+54.79 грн
500+40.62 грн
1000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.06 грн
10+85.47 грн
100+57.55 грн
500+38.25 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYSI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.55 грн
500+38.25 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.84 грн
500+24.94 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CH 30-V MSFT
на замовлення 15638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.35 грн
10+46.90 грн
100+27.79 грн
500+23.29 грн
1000+20.39 грн
2500+17.20 грн
5000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.79 грн
10+45.35 грн
100+29.73 грн
500+21.58 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYSI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.66 грн
50+53.08 грн
100+34.84 грн
500+24.94 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.60 грн
5000+38.81 грн
7500+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.07 грн
12+54.70 грн
25+54.39 грн
100+46.79 грн
250+43.31 грн
500+37.23 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3
Код товару: 184243
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.63 грн
10+70.37 грн
100+56.37 грн
500+47.20 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 27274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.22 грн
10+84.29 грн
100+53.77 грн
500+44.70 грн
1000+41.22 грн
2500+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+58.90 грн
208+58.57 грн
233+52.26 грн
250+50.37 грн
500+41.76 грн
1000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.96 грн
21+40.21 грн
100+39.16 грн
500+35.38 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.49 грн
10+54.20 грн
100+49.16 грн
500+44.91 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.16 грн
500+35.38 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-E3
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.56 грн
10+55.56 грн
100+40.87 грн
500+32.26 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 24A 8SO
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 56734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.89 грн
10+59.83 грн
100+36.28 грн
500+31.42 грн
1000+26.92 грн
2500+24.31 грн
5000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYSI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-E3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-EG3
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VISHAYSI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.52 грн
10+95.13 грн
100+64.22 грн
500+53.05 грн
1000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.40 грн
12+70.98 грн
100+52.26 грн
500+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.18 грн
10+78.61 грн
100+43.81 грн
500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-TI-GE3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYSI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.05 грн
43+24.94 грн
118+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.62 грн
10+61.17 грн
100+36.86 грн
500+30.77 грн
1000+26.20 грн
2500+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 74321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.22 грн
13+63.01 грн
100+43.23 грн
500+28.80 грн
1000+24.21 грн
5000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.52 грн
30000+23.32 грн
45000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 74321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.23 грн
500+28.80 грн
1000+24.21 грн
5000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 25976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.42 грн
10+60.09 грн
100+40.06 грн
500+29.32 грн
1000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 31217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.03 грн
10+91.09 грн
100+68.06 грн
500+52.20 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.25 грн
10+88.73 грн
100+70.41 грн
500+54.27 грн
1000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 30937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.30 грн
10+102.65 грн
100+65.02 грн
500+51.81 грн
1000+47.53 грн
2500+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3
Код товару: 186845
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+68.00 грн
10+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.21 грн
12+72.61 грн
100+56.09 грн
500+44.37 грн
1000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 7727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.85 грн
10+66.22 грн
100+50.58 грн
500+42.87 грн
1000+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.36 грн
10+64.93 грн
100+47.10 грн
500+42.09 грн
1000+37.30 грн
2500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+41.32 грн
298+40.91 грн
307+39.70 грн
311+37.76 грн
500+34.70 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VISHAYSI4166DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.60 грн
5000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.37 грн
25+37.99 грн
100+35.55 грн
250+32.47 грн
500+30.94 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.20 грн
13+46.56 грн
25+46.54 грн
100+38.27 грн
250+35.22 грн
500+30.52 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+50.12 грн
285+42.74 грн
287+40.96 грн
500+34.23 грн
1000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.55 грн
10+64.18 грн
100+48.22 грн
500+38.92 грн
1000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VISHAYSI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.89 грн
5000+31.24 грн
7500+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI417SIEMENS01+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DT-T1-GE3
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.43 грн
27+23.06 грн
50+21.89 грн
100+19.95 грн
250+18.84 грн
500+18.53 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-E3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.81 грн
5000+22.05 грн
7500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.49 грн
10+56.58 грн
100+35.27 грн
500+29.46 грн
1000+25.11 грн
2500+21.62 грн
5000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VISHAYSI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.82 грн
32+33.65 грн
87+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.35 грн
10+57.98 грн
100+38.75 грн
500+28.33 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.66 грн
16+52.10 грн
100+36.14 грн
500+29.33 грн
1000+23.93 грн
5000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.83 грн
5000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.17 грн
5000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.