Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (25) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+138.11 грн
14+85.82 грн
38+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+234.78 грн
8+146.98 грн
22+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1189.84 грн
2+736.89 грн
5+696.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.29 грн
12+97.66 грн
33+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+283.65 грн
7+176.58 грн
19+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+178.48 грн
11+111.47 грн
29+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2 THT IGBT transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.66 грн
10+123.31 грн
27+116.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.34 грн
3+248.26 грн
10+219.49 грн
30+197.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+358.01 грн
3+309.37 грн
10+263.39 грн
30+236.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+261.34 грн
8+161.78 грн
20+152.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+515.24 грн
4+320.60 грн
11+302.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.82 грн
5+562.29 грн
25+496.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+807.39 грн
5+700.70 грн
25+595.83 грн
100+535.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.95 грн
3+239.22 грн
10+211.27 грн
30+189.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+343.14 грн
3+298.10 грн
10+253.52 грн
30+227.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.77 грн
3+504.74 грн
10+446.38 грн
30+401.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+724.52 грн
3+628.99 грн
10+535.65 грн
30+481.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+926.37 грн
3+563.27 грн
6+532.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+671.41 грн
3+416.29 грн
8+393.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1052.79 грн
2+653.04 грн
5+617.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S IGBT modules
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2130.78 грн
2+2015.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120L2S IGBT modules
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2271.84 грн
2+2148.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120L3S IGBT modules
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3401.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD40PIY120C5S IGBT modules
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4661.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.11 грн
14+85.82 грн
38+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.78 грн
8+146.98 грн
22+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG120X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1189.84 грн
2+736.89 грн
5+696.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.29 грн
12+97.66 грн
33+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.65 грн
7+176.58 грн
19+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.48 грн
11+111.47 грн
29+105.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T2 THT IGBT transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.66 грн
10+123.31 грн
27+116.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.34 грн
3+248.26 грн
10+219.49 грн
30+197.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.01 грн
3+309.37 грн
10+263.39 грн
30+236.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.34 грн
8+161.78 грн
20+152.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG40X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.24 грн
4+320.60 грн
11+302.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.82 грн
5+562.29 грн
25+496.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+807.39 грн
5+700.70 грн
25+595.83 грн
100+535.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.95 грн
3+239.22 грн
10+211.27 грн
30+189.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.14 грн
3+298.10 грн
10+253.52 грн
30+227.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.77 грн
3+504.74 грн
10+446.38 грн
30+401.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.52 грн
3+628.99 грн
10+535.65 грн
30+481.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+926.37 грн
3+563.27 грн
6+532.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.41 грн
3+416.29 грн
8+393.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1052.79 грн
2+653.04 грн
5+617.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S IGBT modules
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2130.78 грн
2+2015.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S IGBT modules
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2271.84 грн
2+2148.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S IGBT modules
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3401.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD40PIY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD40PIY120C5S IGBT modules
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4661.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.