Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (236) > Сторінка 1 з 4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.67 грн
14+68.71 грн
38+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.55 грн
5+109.25 грн
14+82.46 грн
38+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.49 грн
8+116.89 грн
22+109.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.35 грн
3+185.04 грн
8+140.27 грн
22+131.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.02 грн
2+590.00 грн
5+557.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1086.02 грн
2+735.23 грн
5+669.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.05 грн
3+180.08 грн
7+141.38 грн
19+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.26 грн
3+224.41 грн
7+169.65 грн
19+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.96 грн
3+251.95 грн
5+197.46 грн
13+187.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.35 грн
3+313.97 грн
5+236.95 грн
13+224.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+392.12 грн
3+327.78 грн
4+256.69 грн
10+242.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+470.54 грн
3+408.46 грн
4+308.03 грн
10+290.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.17 грн
3+445.46 грн
6+420.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+818.60 грн
3+555.11 грн
6+505.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+366.43 грн
5+226.52 грн
14+214.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+773.69 грн
3+478.63 грн
7+453.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.28 грн
3+450.99 грн
6+425.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+845.14 грн
3+562.00 грн
6+510.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+645.08 грн
3+399.97 грн
8+378.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.40 грн
2+522.86 грн
3+522.07 грн
5+493.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+960.48 грн
2+651.57 грн
3+626.49 грн
5+592.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: D6
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: D6
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: F1.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1837.26 грн
2+1612.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: F1.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2204.71 грн
2+2009.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: L2.5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: L2.5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.67 грн
14+68.71 грн
38+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.55 грн
5+109.25 грн
14+82.46 грн
38+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.49 грн
8+116.89 грн
22+109.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.35 грн
3+185.04 грн
8+140.27 грн
22+131.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.02 грн
2+590.00 грн
5+557.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.02 грн
2+735.23 грн
5+669.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.05 грн
3+180.08 грн
7+141.38 грн
19+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.26 грн
3+224.41 грн
7+169.65 грн
19+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.96 грн
3+251.95 грн
5+197.46 грн
13+187.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.35 грн
3+313.97 грн
5+236.95 грн
13+224.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+392.12 грн
3+327.78 грн
4+256.69 грн
10+242.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.54 грн
3+408.46 грн
4+308.03 грн
10+290.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.17 грн
3+445.46 грн
6+420.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.60 грн
3+555.11 грн
6+505.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.43 грн
5+226.52 грн
14+214.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+773.69 грн
3+478.63 грн
7+453.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+704.28 грн
3+450.99 грн
6+425.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+845.14 грн
3+562.00 грн
6+510.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+645.08 грн
3+399.97 грн
8+378.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.40 грн
2+522.86 грн
3+522.07 грн
5+493.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.48 грн
2+651.57 грн
3+626.49 грн
5+592.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: D6
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: D6
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: F1.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1837.26 грн
2+1612.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: F1.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2204.71 грн
2+2009.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: L2.5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Collector current: 10A
Case: L2.5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: Trench FS IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]