Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (92) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.11 грн
25+77.09 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.99 грн
5+107.30 грн
25+92.50 грн
100+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.21 грн
8+146.63 грн
22+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.20 грн
3+745.43 грн
10+655.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1068.25 грн
3+928.92 грн
10+786.27 грн
30+706.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.34 грн
5+99.23 грн
25+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.01 грн
5+123.65 грн
25+105.30 грн
100+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.13 грн
10+156.63 грн
30+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.34 грн
3+220.73 грн
10+187.96 грн
30+169.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.35 грн
5+111.53 грн
25+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.02 грн
5+138.98 грн
25+119.07 грн
100+106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.37 грн
4+123.83 грн
10+109.89 грн
30+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.04 грн
3+154.31 грн
10+131.87 грн
30+119.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.62 грн
3+247.66 грн
10+218.96 грн
30+196.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.14 грн
3+308.62 грн
10+262.75 грн
30+236.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.19 грн
10+144.33 грн
30+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.21 грн
3+203.36 грн
10+173.20 грн
30+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.19 грн
5+560.92 грн
25+495.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+805.42 грн
5+698.99 грн
25+594.38 грн
100+534.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.25 грн
3+238.64 грн
10+210.75 грн
30+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+342.30 грн
3+297.38 грн
10+252.91 грн
30+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.30 грн
3+503.52 грн
10+445.29 грн
30+400.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+722.76 грн
3+627.46 грн
10+534.35 грн
30+480.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+924.12 грн
3+561.90 грн
6+530.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.51 грн
5+419.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+603.01 грн
5+523.22 грн
25+445.78 грн
100+400.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.76 грн
3+658.51 грн
10+581.42 грн
30+522.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+945.31 грн
3+820.60 грн
10+697.71 грн
30+626.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2408.32 грн
3+1977.98 грн
10+1778.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2889.99 грн
3+2464.87 грн
10+2134.45 грн
25+1992.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2567.29 грн
3+2110.83 грн
12+1896.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3080.74 грн
3+2630.42 грн
12+2276.15 грн
24+2116.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 200A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200TLQ120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 20A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 225A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 450A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD25PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: L3.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.11 грн
25+77.09 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.99 грн
5+107.30 грн
25+92.50 грн
100+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.21 грн
8+146.63 грн
22+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.20 грн
3+745.43 грн
10+655.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.25 грн
3+928.92 грн
10+786.27 грн
30+706.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.34 грн
5+99.23 грн
25+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
5+123.65 грн
25+105.30 грн
100+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.13 грн
10+156.63 грн
30+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.34 грн
3+220.73 грн
10+187.96 грн
30+169.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.35 грн
5+111.53 грн
25+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
5+138.98 грн
25+119.07 грн
100+106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
4+123.83 грн
10+109.89 грн
30+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.04 грн
3+154.31 грн
10+131.87 грн
30+119.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.62 грн
3+247.66 грн
10+218.96 грн
30+196.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.14 грн
3+308.62 грн
10+262.75 грн
30+236.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.19 грн
10+144.33 грн
30+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.21 грн
3+203.36 грн
10+173.20 грн
30+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.19 грн
5+560.92 грн
25+495.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.42 грн
5+698.99 грн
25+594.38 грн
100+534.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.25 грн
3+238.64 грн
10+210.75 грн
30+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.30 грн
3+297.38 грн
10+252.91 грн
30+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.30 грн
3+503.52 грн
10+445.29 грн
30+400.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.76 грн
3+627.46 грн
10+534.35 грн
30+480.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.12 грн
3+561.90 грн
6+530.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.51 грн
5+419.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.01 грн
5+523.22 грн
25+445.78 грн
100+400.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.76 грн
3+658.51 грн
10+581.42 грн
30+522.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+945.31 грн
3+820.60 грн
10+697.71 грн
30+626.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2408.32 грн
3+1977.98 грн
10+1778.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2889.99 грн
3+2464.87 грн
10+2134.45 грн
25+1992.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2567.29 грн
3+2110.83 грн
12+1896.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3080.74 грн
3+2630.42 грн
12+2276.15 грн
24+2116.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 200A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200TLQ120L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 20A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 225A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 450A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD25PJY120L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: L3.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]