Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (34) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+138.43 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.67 грн
10+130.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+211.90 грн
3+182.77 грн
10+156.22 грн
30+140.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1192.60 грн
2+736.63 грн
5+697.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.66 грн
12+97.89 грн
33+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.98 грн
10+157.38 грн
30+141.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+255.56 грн
3+221.79 грн
10+188.85 грн
30+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+178.89 грн
11+111.73 грн
29+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2 THT IGBT transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+199.12 грн
10+123.60 грн
27+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.04 грн
3+248.84 грн
10+220.00 грн
30+197.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+358.85 грн
3+310.09 грн
10+264.00 грн
30+237.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.45 грн
8+161.17 грн
20+153.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+386.89 грн
3+323.82 грн
10+285.92 грн
30+257.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+464.26 грн
3+403.53 грн
10+343.10 грн
30+308.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.39 грн
5+563.60 грн
25+497.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+809.27 грн
5+702.33 грн
25+597.21 грн
100+536.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.62 грн
3+239.78 грн
10+211.76 грн
30+190.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+343.94 грн
3+298.80 грн
10+254.11 грн
30+228.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.17 грн
3+505.92 грн
10+447.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+726.21 грн
3+630.45 грн
10+536.90 грн
30+482.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+696.57 грн
3+581.72 грн
10+514.16 грн
30+462.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+835.89 грн
3+724.92 грн
10+616.99 грн
30+554.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+672.97 грн
3+416.27 грн
8+393.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.52 грн
3+661.65 грн
10+584.20 грн
30+524.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+949.82 грн
3+824.52 грн
10+701.03 грн
30+629.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S IGBT modules
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2131.78 грн
2+2015.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120L2S IGBT modules
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2272.18 грн
2+2148.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGX170C4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; Urmax: 1200V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGY120C4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120L3S IGBT modules
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3392.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD40PIY120C5S IGBT modules
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4661.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD200HFR120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR MD200HFR120C2S.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 822A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.43 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2.pdf
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.67 грн
10+130.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2.pdf
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.90 грн
3+182.77 грн
10+156.22 грн
30+140.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG120X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1192.60 грн
2+736.63 грн
5+697.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.66 грн
12+97.89 грн
33+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2.pdf
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.98 грн
10+157.38 грн
30+141.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2.pdf
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.56 грн
3+221.79 грн
10+188.85 грн
30+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.89 грн
11+111.73 грн
29+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T2 THT IGBT transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.12 грн
10+123.60 грн
27+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.04 грн
3+248.84 грн
10+220.00 грн
30+197.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.85 грн
3+310.09 грн
10+264.00 грн
30+237.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.45 грн
8+161.17 грн
20+153.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+386.89 грн
3+323.82 грн
10+285.92 грн
30+257.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.26 грн
3+403.53 грн
10+343.10 грн
30+308.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.39 грн
5+563.60 грн
25+497.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+809.27 грн
5+702.33 грн
25+597.21 грн
100+536.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.62 грн
3+239.78 грн
10+211.76 грн
30+190.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.94 грн
3+298.80 грн
10+254.11 грн
30+228.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.17 грн
3+505.92 грн
10+447.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+726.21 грн
3+630.45 грн
10+536.90 грн
30+482.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.57 грн
3+581.72 грн
10+514.16 грн
30+462.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.89 грн
3+724.92 грн
10+616.99 грн
30+554.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.97 грн
3+416.27 грн
8+393.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2.pdf
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+791.52 грн
3+661.65 грн
10+584.20 грн
30+524.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2.pdf
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+949.82 грн
3+824.52 грн
10+701.03 грн
30+629.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S IGBT modules
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2131.78 грн
2+2015.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S IGBT modules
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2272.18 грн
2+2148.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGX170C4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; Urmax: 1200V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGY120C4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S IGBT modules
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3392.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD40PIY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD40PIY120C5S IGBT modules
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4661.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD200HFR120C2S MD200HFR120C2S.pdf
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 822A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.