Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (111) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.28 грн
14+68.41 грн
38+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.99 грн
5+108.77 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.83 грн
8+116.38 грн
22+109.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.40 грн
3+184.22 грн
8+139.66 грн
22+131.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+901.04 грн
2+587.40 грн
5+555.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1081.24 грн
2+732.00 грн
5+666.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.41 грн
12+93.42 грн
33+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.10 грн
3+179.29 грн
7+140.76 грн
19+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.12 грн
3+223.42 грн
7+168.91 грн
19+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.72 грн
11+106.63 грн
29+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2 THT IGBT transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.03 грн
10+117.95 грн
26+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.63 грн
3+250.85 грн
5+196.59 грн
13+186.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.75 грн
3+312.59 грн
5+235.91 грн
13+223.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.99 грн
8+154.75 грн
20+146.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+390.39 грн
3+326.34 грн
4+255.56 грн
10+241.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+468.47 грн
3+406.66 грн
4+306.68 грн
10+289.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.16 грн
3+443.50 грн
6+419.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+815.00 грн
3+552.67 грн
6+502.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+364.82 грн
5+225.53 грн
14+213.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.18 грн
3+449.01 грн
6+423.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+841.42 грн
3+559.53 грн
6+508.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+642.24 грн
3+398.21 грн
8+376.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+796.88 грн
2+520.56 грн
3+519.78 грн
5+491.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+956.25 грн
2+648.70 грн
3+623.73 грн
5+589.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Topology: H-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: D6
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S IGBT modules
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2038.22 грн
2+1926.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C3 130mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 2.8kA
Case: P2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Topology: H-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F2.0
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F4.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F5.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2461.76 грн
3+2024.07 грн
12+1818.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.28 грн
14+68.41 грн
38+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Power dissipation: 196W
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.99 грн
5+108.77 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.83 грн
8+116.38 грн
22+109.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.40 грн
3+184.22 грн
8+139.66 грн
22+131.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+901.04 грн
2+587.40 грн
5+555.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1081.24 грн
2+732.00 грн
5+666.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.41 грн
12+93.42 грн
33+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.10 грн
3+179.29 грн
7+140.76 грн
19+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.12 грн
3+223.42 грн
7+168.91 грн
19+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T1 THT IGBT transistors
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.72 грн
11+106.63 грн
29+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T2 THT IGBT transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.03 грн
10+117.95 грн
26+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.63 грн
3+250.85 грн
5+196.59 грн
13+186.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.75 грн
3+312.59 грн
5+235.91 грн
13+223.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.99 грн
8+154.75 грн
20+146.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+390.39 грн
3+326.34 грн
4+255.56 грн
10+241.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.47 грн
3+406.66 грн
4+306.68 грн
10+289.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.16 грн
3+443.50 грн
6+419.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+815.00 грн
3+552.67 грн
6+502.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.82 грн
5+225.53 грн
14+213.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+701.18 грн
3+449.01 грн
6+423.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+841.42 грн
3+559.53 грн
6+508.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+642.24 грн
3+398.21 грн
8+376.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+796.88 грн
2+520.56 грн
3+519.78 грн
5+491.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+956.25 грн
2+648.70 грн
3+623.73 грн
5+589.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Collector current: 1kA
Pulsed collector current: 2kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C5 45mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Topology: H-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: D6
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S IGBT modules
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2038.22 грн
2+1926.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C3 130mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 2.8kA
Case: P2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C1 34mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C2 62mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: C8 48mm
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Electrical mounting: Press-in PCB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Topology: H-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F2.0
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F4.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F5.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2461.76 грн
3+2024.07 грн
12+1818.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]