Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (62) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+87.25 грн
25+78.11 грн
100+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector current: 10A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+147.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+902.05 грн
3+755.35 грн
10+663.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
Collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.91 грн
5+100.55 грн
25+88.91 грн
100+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 484ns
Power dissipation: 138W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 103ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.49 грн
10+158.71 грн
30+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.13 грн
5+113.01 грн
25+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.34 грн
4+125.48 грн
10+111.35 грн
30+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Turn-on time: 36ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.58 грн
3+250.95 грн
10+221.87 грн
30+199.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.36 грн
10+146.25 грн
30+131.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 668ns
Power dissipation: 468W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Turn-on time: 198ns
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+390.17 грн
3+326.57 грн
10+288.35 грн
30+259.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 338ns
Power dissipation: 672W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Turn-on time: 172ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+680.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.05 грн
3+241.81 грн
10+213.56 грн
30+191.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+702.49 грн
3+586.66 грн
10+518.52 грн
30+466.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Collector current: 75A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Power dissipation: 852W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Turn-on time: 163ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+798.24 грн
3+667.27 грн
10+589.15 грн
30+529.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2440.36 грн
3+2004.29 грн
10+1802.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Max. off-state voltage: 650V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2818.89 грн
3+2310.92 грн
10+2079.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F2.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F4.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F5.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2601.43 грн
3+2138.91 грн
12+1922.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 3.2kA
Case: C3 130mm
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Topology: IGBT x2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C8SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HTY120C7S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Case: C7
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300SGY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: single transistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120F2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: F2.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120L3S GD35PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L3.0
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4051.15 грн
4+3320.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD40PIY120C5S GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5645.84 грн
3+4636.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFU120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HHU120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MD120HFR120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR md120hfr120c2s.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 120A; C2 62mm; Idm: 548A; SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-source voltage: -4...20V
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 548A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MD200HFR120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR MD200HFR120C2S.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 822A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MD300HFR120B3S STARPOWER SEMICONDUCTOR MD300HFR120B3S.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; B3.7; Idm: 1.096kA; SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: B3.7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 300A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 1.096kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1.pdf
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+87.25 грн
25+78.11 грн
100+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2.pdf
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector current: 10A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 493ns
Power dissipation: 96W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Turn-on time: 37ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2.pdf
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+902.05 грн
3+755.35 грн
10+663.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 DG15X06T1.pdf
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
Collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.91 грн
5+100.55 грн
25+88.91 грн
100+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2.pdf
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 484ns
Power dissipation: 138W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 103ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+179.49 грн
10+158.71 грн
30+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1.pdf
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.13 грн
5+113.01 грн
25+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2.pdf
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.34 грн
4+125.48 грн
10+111.35 грн
30+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Turn-on time: 36ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.58 грн
3+250.95 грн
10+221.87 грн
30+199.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2.pdf
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.36 грн
10+146.25 грн
30+131.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 668ns
Power dissipation: 468W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Turn-on time: 198ns
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+390.17 грн
3+326.57 грн
10+288.35 грн
30+259.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 338ns
Power dissipation: 672W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Turn-on time: 172ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+680.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.05 грн
3+241.81 грн
10+213.56 грн
30+191.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+702.49 грн
3+586.66 грн
10+518.52 грн
30+466.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2.pdf
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Collector current: 75A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Power dissipation: 852W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Turn-on time: 163ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+798.24 грн
3+667.27 грн
10+589.15 грн
30+529.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2440.36 грн
3+2004.29 грн
10+1802.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Max. off-state voltage: 650V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2818.89 грн
3+2310.92 грн
10+2079.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F2.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F4.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F5.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2601.43 грн
3+2138.91 грн
12+1922.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 3.2kA
Case: C3 130mm
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: screw
Topology: IGBT x2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C8SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HTY120C7S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Case: C7
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300SGY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: single transistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120F2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: F2.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD35PJY120L3S
GD35PJY120L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L3.0
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4051.15 грн
4+3320.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD40PIY120C5S
GD40PIY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C5 45mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5645.84 грн
3+4636.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120P1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFU120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HHU120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MD120HFR120C2S md120hfr120c2s.pdf
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 120A; C2 62mm; Idm: 548A; SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-source voltage: -4...20V
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 548A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MD200HFR120C2S MD200HFR120C2S.pdf
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 822A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MD300HFR120B3S MD300HFR120B3S.pdf
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; B3.7; Idm: 1.096kA; SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: B3.7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 300A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 1.096kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]