Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (212) > Сторінка 1 з 4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.72 грн
8+113.14 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.47 грн
3+179.10 грн
8+135.77 грн
22+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.99 грн
2+571.07 грн
3+570.31 грн
5+539.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1051.18 грн
2+711.64 грн
3+684.37 грн
5+647.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.78 грн
7+164.21 грн
19+155.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.73 грн
5+109.32 грн
11+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.07 грн
5+136.23 грн
11+103.66 грн
29+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.55 грн
4+122.32 грн
10+95.56 грн
26+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.86 грн
3+152.43 грн
10+114.67 грн
26+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.27 грн
3+243.87 грн
5+191.12 грн
13+181.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.72 грн
3+303.90 грн
5+229.35 грн
13+217.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.54 грн
8+124.61 грн
21+118.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.18 грн
3+200.06 грн
8+149.53 грн
21+142.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+379.54 грн
3+317.26 грн
4+248.46 грн
10+234.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.45 грн
3+395.36 грн
4+298.15 грн
10+281.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+833.83 грн
3+516.49 грн
6+488.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.74 грн
3+234.70 грн
5+182.71 грн
14+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+336.89 грн
3+292.47 грн
5+219.26 грн
14+207.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+748.87 грн
3+463.28 грн
7+438.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+861.50 грн
3+525.66 грн
6+496.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+624.39 грн
3+387.14 грн
8+366.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+979.06 грн
2+606.39 грн
5+573.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD1000HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFX170C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFY120C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFY120C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFU120C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFU120C8S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFY120C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100PIX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100SGY120D6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1777.49 грн
2+1561.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2132.99 грн
2+1945.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150FFX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150FFY120C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFU120C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFX170C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.72 грн
8+113.14 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.47 грн
3+179.10 грн
8+135.77 грн
22+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.99 грн
2+571.07 грн
3+570.31 грн
5+539.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1051.18 грн
2+711.64 грн
3+684.37 грн
5+647.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.78 грн
7+164.21 грн
19+155.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.73 грн
5+109.32 грн
11+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.07 грн
5+136.23 грн
11+103.66 грн
29+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.55 грн
4+122.32 грн
10+95.56 грн
26+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.86 грн
3+152.43 грн
10+114.67 грн
26+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.27 грн
3+243.87 грн
5+191.12 грн
13+181.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.72 грн
3+303.90 грн
5+229.35 грн
13+217.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2.pdf
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.54 грн
8+124.61 грн
21+118.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2.pdf
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.18 грн
3+200.06 грн
8+149.53 грн
21+142.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+379.54 грн
3+317.26 грн
4+248.46 грн
10+234.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.45 грн
3+395.36 грн
4+298.15 грн
10+281.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50Q12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+833.83 грн
3+516.49 грн
6+488.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.74 грн
3+234.70 грн
5+182.71 грн
14+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.89 грн
3+292.47 грн
5+219.26 грн
14+207.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.87 грн
3+463.28 грн
7+438.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.50 грн
3+525.66 грн
6+496.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.39 грн
3+387.14 грн
8+366.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.06 грн
2+606.39 грн
5+573.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD1000HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFX170C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFY120C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFY120C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFU120C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFU120C8S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFY120C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100PIX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100SGY120D6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1777.49 грн
2+1561.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2132.99 грн
2+1945.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150FFX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150FFY120C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFU120C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFX170C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]