Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (228) > Сторінка 1 з 4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Mounting: THT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.49 грн
14+69.36 грн
38+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.72 грн
5+110.27 грн
14+83.23 грн
38+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.87 грн
8+117.19 грн
22+110.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.35 грн
3+186.77 грн
8+140.63 грн
22+132.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+913.48 грн
2+595.51 грн
5+562.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1096.17 грн
2+742.10 грн
5+675.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.07 грн
3+181.76 грн
7+142.70 грн
19+134.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.68 грн
3+226.50 грн
7+171.24 грн
19+161.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+137.36 грн
5+114.00 грн
11+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.84 грн
5+142.06 грн
11+108.10 грн
29+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.82 грн
4+127.55 грн
10+99.65 грн
26+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.38 грн
3+158.95 грн
10+119.58 грн
26+112.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.78 грн
3+254.31 грн
5+199.30 грн
13+188.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.73 грн
3+316.91 грн
5+239.16 грн
13+225.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.27µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+395.78 грн
3+330.84 грн
4+259.09 грн
10+244.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.27µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.94 грн
3+412.28 грн
4+310.91 грн
10+293.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 672W
Kind of package: tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+688.54 грн
3+449.62 грн
6+424.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 672W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+826.25 грн
3+560.30 грн
6+509.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+369.85 грн
5+228.64 грн
14+216.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB18053FFAF7120D4&compId=DG50X12T2.pdf?ci_sign=7ad2ac27beed18285d8998085ecf9ffa3dc88c79 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.35µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 592W
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.14 грн
3+403.39 грн
7+381.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB18053FFAF7120D4&compId=DG50X12T2.pdf?ci_sign=7ad2ac27beed18285d8998085ecf9ffa3dc88c79 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.35µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 592W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+741.77 грн
3+502.68 грн
7+457.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Collector current: 75A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Collector current: 75A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+853.03 грн
3+569.24 грн
6+518.50 грн
30+517.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+651.11 грн
3+403.71 грн
8+381.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1020.96 грн
2+632.34 грн
5+597.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD1000HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFX170C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFY120C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFY120C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFU120C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFU120C8S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100PIX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100SGY120D6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1854.42 грн
2+1627.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2225.31 грн
2+2028.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: L2.5
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: L2.5
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Mounting: THT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.49 грн
14+69.36 грн
38+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.72 грн
5+110.27 грн
14+83.23 грн
38+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.87 грн
8+117.19 грн
22+110.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.35 грн
3+186.77 грн
8+140.63 грн
22+132.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+913.48 грн
2+595.51 грн
5+562.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1096.17 грн
2+742.10 грн
5+675.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.07 грн
3+181.76 грн
7+142.70 грн
19+134.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.68 грн
3+226.50 грн
7+171.24 грн
19+161.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.36 грн
5+114.00 грн
11+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.84 грн
5+142.06 грн
11+108.10 грн
29+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.82 грн
4+127.55 грн
10+99.65 грн
26+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.38 грн
3+158.95 грн
10+119.58 грн
26+112.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.78 грн
3+254.31 грн
5+199.30 грн
13+188.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.73 грн
3+316.91 грн
5+239.16 грн
13+225.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.27µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+395.78 грн
3+330.84 грн
4+259.09 грн
10+244.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.27µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.94 грн
3+412.28 грн
4+310.91 грн
10+293.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 672W
Kind of package: tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.54 грн
3+449.62 грн
6+424.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 672W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+826.25 грн
3+560.30 грн
6+509.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50X07T2 THT IGBT transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.85 грн
5+228.64 грн
14+216.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB18053FFAF7120D4&compId=DG50X12T2.pdf?ci_sign=7ad2ac27beed18285d8998085ecf9ffa3dc88c79
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.35µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 592W
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.14 грн
3+403.39 грн
7+381.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB18053FFAF7120D4&compId=DG50X12T2.pdf?ci_sign=7ad2ac27beed18285d8998085ecf9ffa3dc88c79
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.35µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 592W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.77 грн
3+502.68 грн
7+457.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Collector current: 75A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+710.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Collector current: 75A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+853.03 грн
3+569.24 грн
6+518.50 грн
30+517.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+651.11 грн
3+403.71 грн
8+381.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.96 грн
2+632.34 грн
5+597.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD1000HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFX170C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFY120C5S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFY120C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFU120C2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFU120C8S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100PIX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100SGY120D6S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1854.42 грн
2+1627.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2225.31 грн
2+2028.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: L2.5
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: L2.5
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]