Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (112) > Сторінка 1 з 2

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.91 грн
25+76.02 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.27 грн
5+105.81 грн
25+91.22 грн
100+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 493ns
Turn-on time: 37ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.94 грн
10+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 493ns
Turn-on time: 37ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.97 грн
3+179.38 грн
10+153.33 грн
30+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+877.85 грн
3+735.09 грн
10+646.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1053.42 грн
3+916.03 грн
10+775.36 грн
30+696.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.70 грн
5+97.85 грн
25+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.04 грн
5+121.94 грн
25+103.83 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.67 грн
10+154.46 грн
30+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+250.81 грн
3+217.67 грн
10+185.35 грн
30+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.50 грн
5+109.98 грн
25+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.80 грн
5+137.05 грн
25+117.42 грн
100+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.31 грн
4+122.11 грн
10+108.36 грн
30+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.57 грн
3+152.17 грн
10+130.04 грн
30+117.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.49 грн
3+244.22 грн
10+215.92 грн
30+194.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.18 грн
3+304.34 грн
10+259.10 грн
30+232.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.93 грн
10+142.33 грн
30+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.96 грн
3+200.54 грн
10+170.79 грн
30+153.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 668ns
Turn-on time: 198ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+379.70 грн
3+317.81 грн
10+280.61 грн
30+252.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 668ns
Turn-on time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.65 грн
3+396.04 грн
10+336.73 грн
30+302.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.87 грн
5+553.13 грн
25+488.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+794.24 грн
5+689.29 грн
25+586.13 грн
100+526.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63545E3E960D4&compId=DG50X07T2.pdf?ci_sign=d6996edcf871c1d889355af7ff18007a6b67d526 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.30 грн
3+235.32 грн
10+207.83 грн
30+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63545E3E960D4&compId=DG50X07T2.pdf?ci_sign=d6996edcf871c1d889355af7ff18007a6b67d526 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.55 грн
3+293.25 грн
10+249.40 грн
30+224.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+911.29 грн
3+554.11 грн
6+523.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.53 грн
5+414.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+594.64 грн
5+515.96 грн
25+439.60 грн
100+394.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.83 грн
3+649.37 грн
10+573.35 грн
30+515.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+932.19 грн
3+809.21 грн
10+688.02 грн
30+618.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2374.90 грн
3+1950.53 грн
10+1754.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2849.88 грн
3+2430.66 грн
10+2104.82 грн
25+1965.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F2.0
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F4.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F5.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2531.66 грн
3+2081.53 грн
12+1870.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3037.99 грн
3+2593.91 грн
12+2244.56 грн
24+2087.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 200A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.91 грн
25+76.02 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 208ns
Turn-on time: 21ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.27 грн
5+105.81 грн
25+91.22 грн
100+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 493ns
Turn-on time: 37ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.94 грн
10+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 493ns
Turn-on time: 37ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.97 грн
3+179.38 грн
10+153.33 грн
30+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.85 грн
3+735.09 грн
10+646.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Gate charge: 0.86µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1053.42 грн
3+916.03 грн
10+775.36 грн
30+696.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.70 грн
5+97.85 грн
25+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286
DG15X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.04 грн
5+121.94 грн
25+103.83 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.67 грн
10+154.46 грн
30+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.81 грн
3+217.67 грн
10+185.35 грн
30+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.50 грн
5+109.98 грн
25+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.80 грн
5+137.05 грн
25+117.42 грн
100+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.31 грн
4+122.11 грн
10+108.36 грн
30+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.57 грн
3+152.17 грн
10+130.04 грн
30+117.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.49 грн
3+244.22 грн
10+215.92 грн
30+194.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.18 грн
3+304.34 грн
10+259.10 грн
30+232.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.93 грн
10+142.33 грн
30+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba
DG30X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.96 грн
3+200.54 грн
10+170.79 грн
30+153.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 668ns
Turn-on time: 198ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+379.70 грн
3+317.81 грн
10+280.61 грн
30+252.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6378EB14100D4&compId=DG40X12T2.pdf?ci_sign=919da85bdc36ec01c9be7a305e356d60beea1c4d
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 668ns
Turn-on time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.65 грн
3+396.04 грн
10+336.73 грн
30+302.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.87 грн
5+553.13 грн
25+488.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+794.24 грн
5+689.29 грн
25+586.13 грн
100+526.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63545E3E960D4&compId=DG50X07T2.pdf?ci_sign=d6996edcf871c1d889355af7ff18007a6b67d526
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.30 грн
3+235.32 грн
10+207.83 грн
30+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63545E3E960D4&compId=DG50X07T2.pdf?ci_sign=d6996edcf871c1d889355af7ff18007a6b67d526
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.55 грн
3+293.25 грн
10+249.40 грн
30+224.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75H12T2 THT IGBT transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+911.29 грн
3+554.11 грн
6+523.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.53 грн
5+414.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C632D83F9900D4&compId=DG75X07T2L.pdf?ci_sign=ff918048635917084b8452da1b3fd600b0afa0d1
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.64 грн
5+515.96 грн
25+439.60 грн
100+394.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+776.83 грн
3+649.37 грн
10+573.35 грн
30+515.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.19 грн
3+809.21 грн
10+688.02 грн
30+618.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2374.90 грн
3+1950.53 грн
10+1754.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2849.88 грн
3+2430.66 грн
10+2104.82 грн
25+1965.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Pulsed collector current: 2.4kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C8 48mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Case: L3.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD150PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: C6 62mm
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: L2.2
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F1.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F2.0
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F4.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: F5.1
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2531.66 грн
3+2081.53 грн
12+1870.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3037.99 грн
3+2593.91 грн
12+2244.56 грн
24+2087.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 200A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]