Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника STARPOWER SEMICONDUCTOR (126) > Сторінка 1 з 3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 196W
Gate charge: 70nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 21ns
Kind of package: tube
Case: TO220
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.50 грн
14+73.71 грн
37+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 96W
Gate charge: 80nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 37ns
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 493ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.74 грн
8+124.54 грн
22+117.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
Gate charge: 0.86µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 360A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 282ns
Kind of package: tube
Case: TO247PLUS
Turn-off time: 334ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1021.84 грн
2+632.85 грн
5+598.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 484ns
Turn-on time: 103ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.99 грн
10+161.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.77 грн
5+115.22 грн
25+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.28 грн
4+127.93 грн
10+113.52 грн
30+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 348W
Gate charge: 0.19µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+313.85 грн
3+261.78 грн
5+211.80 грн
13+199.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 668ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 468W
Gate charge: 0.27µC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 198ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+397.79 грн
3+332.95 грн
10+293.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 338ns
Turn-on time: 172ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+693.39 грн
5+579.48 грн
25+511.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate charge: 0.35µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 36ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.08 грн
3+251.62 грн
5+202.48 грн
14+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 607ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 592W
Gate charge: 0.35µC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 180ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+622.23 грн
3+520.18 грн
10+460.02 грн
30+413.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+716.20 грн
3+598.12 грн
10+528.65 грн
30+475.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+519.13 грн
5+433.76 грн
25+383.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Turn-on time: 163ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+813.82 грн
3+680.29 грн
10+600.66 грн
30+539.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: D6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1970.70 грн
2+1729.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: L2.5
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Case: F4.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: P2.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 150A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 150A
Case: L3.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1SGD15PJY120F1S
GD15PJY120F1SGD15PJY120F1S
 GD15PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2273.60 грн
2+1995.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2100.25 грн
2+1844.33 грн
3+1843.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.2kA
Electrical mounting: screw
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Topology: IGBT x2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200TLQ120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 450A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGX170C4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4.8kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1.pdf
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 196W
Gate charge: 70nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 21ns
Kind of package: tube
Case: TO220
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.50 грн
14+73.71 грн
37+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2.pdf
DG10X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 96W
Gate charge: 80nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 37ns
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 493ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.74 грн
8+124.54 грн
22+117.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2.pdf
DG120X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
Gate charge: 0.86µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 360A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 282ns
Kind of package: tube
Case: TO247PLUS
Turn-off time: 334ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1021.84 грн
2+632.85 грн
5+598.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2.pdf
DG15X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 484ns
Turn-on time: 103ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.99 грн
10+161.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T1 DG20X06T1.pdf
DG20X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.77 грн
5+115.22 грн
25+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG20X06T2 DG20X06T2.pdf
DG20X06T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 26ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.28 грн
4+127.93 грн
10+113.52 грн
30+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 348W
Gate charge: 0.19µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 36ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.85 грн
3+261.78 грн
5+211.80 грн
13+199.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 668ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 468W
Gate charge: 0.27µC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 198ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+397.79 грн
3+332.95 грн
10+293.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 338ns
Turn-on time: 172ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+693.39 грн
5+579.48 грн
25+511.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate charge: 0.35µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 36ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.08 грн
3+251.62 грн
5+202.48 грн
14+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 607ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 592W
Gate charge: 0.35µC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 180ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+622.23 грн
3+520.18 грн
10+460.02 грн
30+413.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75H12T2
DG75H12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+716.20 грн
3+598.12 грн
10+528.65 грн
30+475.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L DG75X07T2L.pdf
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+519.13 грн
5+433.76 грн
25+383.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X12T2 DG75X12T2.pdf
DG75X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Turn-on time: 163ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+813.82 грн
3+680.29 грн
10+600.66 грн
30+539.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1000HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX170C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFX65C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C5S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C5 45mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFU120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX170C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIX65C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD100SGY120D6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: D6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1970.70 грн
2+1729.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: L2.5
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120F4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Case: F4.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200HFY120C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.4kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1200SGX170C3SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFX170P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P2.0
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD1400HFY120P2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: P2.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.8kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFX65C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 150A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C1 34mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HFY120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150HHU120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD150MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 150A
Case: L3.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120F1S
GD15PJY120F1SGD15PJY120F1S
GD15PJY120F1SGD15PJY120F1S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: F1.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2273.60 грн
2+1995.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2100.25 грн
2+1844.33 грн
3+1843.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD1600SGX170C3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.2kA
Electrical mounting: screw
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Topology: IGBT x2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C8S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200TLQ120L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFY120C6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 450A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2400SGX170C4S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4.8kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.