Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128803) > Сторінка 2130 з 2147

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R140CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 13.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R199CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R250CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB50R299CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.24 грн
10+115.50 грн
100+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R120P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R080P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R125C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R199CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac25385ea1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R099CPA-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a304328c6bd5c0128ee28d90159e0&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R105CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb24e552a198a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb28e6de719c4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2979db419c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R160C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB60R210CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2a0bf0c1ac0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R280C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R299CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q048X0064AAXUMA1 XMC1403Q048X0064AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q048X0200AAXUMA1 XMC1403Q048X0200AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q064X0064AAXUMA1 XMC1403Q064X0064AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q064X0128AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q064X0200AAXUMA1 XMC1403Q064X0200AAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC1400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD150-B1-W0201-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01790dcd03eb4818 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5050NSPBFPVI5050NSPBF
PVI5050NSPBFPVI5050NSPBF
 PVI5050NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; Gull wing 8; PVI-NPbF
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 4kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp196w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+474.29 грн
10+277.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP075N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI075N15N3GXKSA1 IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI075N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R048CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba294542255a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R07W3S5B59BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L400R07W3S5_B59-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c72fb9a017c7ef605751310 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 255A; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 255A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files description Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.15 грн
10+128.80 грн
50+78.11 грн
100+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP019N08NF2S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.67 грн
50+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+315.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.63 грн
50+138.77 грн
100+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.14 грн
10+147.91 грн
50+96.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC037N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC061N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC057N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f69332aa1057 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 196A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 196A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP-DTE.pdf
IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962&ack=t
IPB50N10S3L16ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 100W; D2PAK,TO263
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 13.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50N10S3L16ATMA2 Infineon-IPP_B_I50N10S3L_16-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9090a32c5962
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CP-DTE.pdf
IPB50R199CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CP-DTE.pdf
IPB50R250CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CP-DTE.pdf
IPB50R299CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+185.24 грн
10+115.50 грн
100+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7.pdf
IPB60R120P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CP-DTE.pdf
IPB60R099CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6-DTE.pdf
IPB60R125C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CP-DTE.pdf
IPB60R199CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C7ATMA1 IPB60R099C7.pdf
IPB60R099C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040C7ATMA1 Infineon-IPB60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101591799c3465e8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R060C7ATMA1 Infineon-IPB60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac25385ea1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
IPB60R099C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R099CPAATMA1 Infineon-IPB60R099CPA-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a304328c6bd5c0128ee28d90159e0&ack=t
IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R105CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R105CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb24e552a198a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R125CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb28e6de719c4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R145CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2979db419c7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160C6ATMA1 IPB60R160C6-DTE.pdf
IPB60R160C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R160P6ATMA1 Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R210CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R210CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2a0bf0c1ac0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6-DTE.pdf
IPB60R280C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P6ATMA1 Infineon-IPX60R280P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP-DTE.pdf
IPB60R299CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q048X0064AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q048X0064AAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q048X0200AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q048X0200AAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-48; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-48
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 42
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q064X0064AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q064X0064AAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q064X0128AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1403Q064X0200AAXUMA1 XMC1400-DTE.pdf
XMC1403Q064X0200AAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD150B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD150-B1-W0201-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01790dcd03eb4818
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5050NSPBF Infineon-PVI1050N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
PVI5050NSPBFPVI5050NSPBF
PVI5050NSPBFPVI5050NSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; Gull wing 8; PVI-NPbF
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 4kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327XTSA1 bfp196w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3G-DTE.pdf
IPA075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+474.29 грн
10+277.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3G-DTE.pdf
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI075N15N3GXKSA1 IPI075N15N3G-DTE.pdf
IPI075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R048CFDAFKSA1 Infineon-IPW65R048CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba294542255a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R07W3S5B59BPSA1 Infineon-F3L400R07W3S5_B59-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c72fb9a017c7ef605751310
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 255A; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 255A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXI description Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXIT Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G-DTE.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.15 грн
10+128.80 грн
50+78.11 грн
100+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2S.pdf
IPP019N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.67 грн
50+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5-DTE.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+315.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5-DTE.pdf
IPP023N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+326.63 грн
50+138.77 грн
100+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3G-DTE.pdf
IPA057N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.14 грн
10+147.91 грн
50+96.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5-DTE.pdf
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5-DTE.pdf
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5-DTE.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3G-DTE.pdf
BSC057N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3G-DTE.pdf
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5-DTE.pdf
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f69332aa1057
IPP016N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 196A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 196A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6
IPP055N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.