Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (150188) > Сторінка 2486 з 2504

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2500 2504  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XMC4800F100F1536AAXQMA1 XMC4800F100F1536AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F100F2048AAXQMA1 XMC4800F100F2048AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LQFP-100
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F100K1536AAXQMA1 XMC4800F100K1536AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F144F1024ACXQMA1 XMC4500F144F1024ACXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Number of inputs/outputs: 91
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4500
Number of 16bit timers: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F144K1024ACXQMA1 XMC4500F144K1024ACXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Number of inputs/outputs: 91
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4500
Number of 16bit timers: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700F144F2048AAXQMA1 XMC4700F144F2048AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LQFP-144
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4700
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 119
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700F144K2048AAXQMA1 XMC4700F144K2048AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Number of inputs/outputs: 119
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4700
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F100K2048AAXQMA1 XMC4800F100K2048AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F144K2048AAXQMA1 XMC4800F144K2048AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Number of inputs/outputs: 119
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196F2048AAXQMA1 XMC4800E196F2048AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LFBGA-196
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 155
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files description Category: 8-bit PIC family
Description: IC: PIC microcontroller
Type of integrated circuit: PIC microcontroller
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
66+276.31 грн
132+230.99 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C21323-24PVXIT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+248.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C27443-24PVXIT
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+741.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC031N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF IRF7379TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A123F0D391F1A303005056AB0C4F&compId=irf7379pbf.pdf?ci_sign=dcd81d555b016082d976d83dba1dd0223787cfe8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 12V; 9.2A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRF7328TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F99701188F1A303005056AB0C4F&compId=irf7328pbf.pdf?ci_sign=1056fd32db11150a9acdcdcd1953f3b20c8dc7dd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTR AUIRF7379QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7464F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7379q.pdf?ci_sign=b23d50bc5b963af5978a81d146c110175c10ccaf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38/70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA431C5A27B2143&compId=IPD30N03S4L09.pdf?ci_sign=438adb46aa105baf766359ee5aef619066f5ec53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E467F845CC11C&compId=BSZ130N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=4efa016b36e3e919650f3576dd46577ae855e941 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD030N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 30W
Breakdown voltage: 6.1V
Leakage current: 20nA
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.56 грн
33+12.01 грн
41+9.61 грн
100+6.74 грн
172+5.35 грн
472+5.04 грн
1300+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA BTS5180-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698775F8CE50469&compId=BTS5180-2EKA.pdf?ci_sign=dcbfa526d3bc10e800b4f1d73c4a0cc27042a66a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.33Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.61 грн
10+95.34 грн
12+75.96 грн
33+71.31 грн
100+70.54 грн
250+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 BTS70302EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 4.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Technology: PROFET™+2
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 4.1...28V DC
On-state resistance: 25mΩ
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.39 грн
10+87.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344c70fc64cc8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+343.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.87 грн
29+13.49 грн
36+10.88 грн
50+9.21 грн
100+7.73 грн
212+4.26 грн
583+4.03 грн
2500+3.90 грн
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF IR2010SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA94E7C0F02143&compId=IPP60R360P7.pdf?ci_sign=0b12d4d4fd5f2cf02bb1bb741529ca54afdbe158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP236-PS2GO-KIT KP236-PS2GO-KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1100; prototype board
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1100
Kit contents: prototype board
Components: XMC1100; XMC4200
Kind of connector: pin strips; USB micro
Application: for pressure sensors
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M0
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2162.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 54A
Gate charge: 27nC
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.42 грн
5+224.79 грн
12+213.16 грн
25+212.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD12G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 12A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 12A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 51A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD06G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 6A; 73W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 73W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.6µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 6A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD08G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 8A; 90W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 90W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.8µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD10G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 105W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD16G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 16A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 141W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.6µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 16A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 65A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD04G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD04G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 4A; 56W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 56W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.4µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 23A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD20G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 169W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R050G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R102G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R150G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R080G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDM10G120C5-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 223W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 4µA
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 223W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212006-01 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBLE-212006-01_CYBLE-202007-01_CYBLE-202013-11_EZ-BLE_Creator_XR_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee303b069f4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth
Type of communications module: Bluetooth
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+500.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-416045-02 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+806.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2127STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356768e7a27c0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F100F1536AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4800F100F1536AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F100F2048AAXQMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a
XMC4800F100F2048AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LQFP-100
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F100K1536AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4800F100K1536AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F144F1024ACXQMA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500F144F1024ACXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Number of inputs/outputs: 91
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4500
Number of 16bit timers: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F144K1024ACXQMA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500F144K1024ACXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Number of inputs/outputs: 91
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4500
Number of 16bit timers: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700F144F2048AAXQMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a
XMC4700F144F2048AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LQFP-144
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4700
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 119
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700F144K2048AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4700F144K2048AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Number of inputs/outputs: 119
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4700
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F100K2048AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4800F100K2048AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-100; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-100
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Number of inputs/outputs: 75
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 18
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800F144K2048AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4800F144K2048AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-144; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-144
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Number of inputs/outputs: 119
Supply voltage: 3.3V DC
Operating temperature: -40...125°C
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196F2048AAXQMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68BC2183DDA5EEFA8&compId=XMC4700-4800-DTE.pdf?ci_sign=ee0b2cda1a283a5cda4f3ba26c587e77723a3a0a
XMC4800E196F2048AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 352kBSRAM,2048kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Memory: 352kB SRAM; 2MB FLASH
Case: PG-LFBGA-196
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 155
Supply voltage: 3.3V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXI description Infineon-CY8C21123_CY8C21223_CY8C21323_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v30_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec69ee13cf9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: 8-bit PIC family
Description: IC: PIC microcontroller
Type of integrated circuit: PIC microcontroller
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
66+276.31 грн
132+230.99 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C21323-24PVXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C21323-24PVXIT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+248.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXIT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY8C27443-24PVXIT
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+741.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3G-DTE.pdf
BSC031N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A123F0D391F1A303005056AB0C4F&compId=irf7379pbf.pdf?ci_sign=dcd81d555b016082d976d83dba1dd0223787cfe8
IRF7379TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 12V; 9.2A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219F99701188F1A303005056AB0C4F&compId=irf7328pbf.pdf?ci_sign=1056fd32db11150a9acdcdcd1953f3b20c8dc7dd
IRF7328TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7464F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7379q.pdf?ci_sign=b23d50bc5b963af5978a81d146c110175c10ccaf
AUIRF7379QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38/70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d
IRFU220NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA431C5A27B2143&compId=IPD30N03S4L09.pdf?ci_sign=438adb46aa105baf766359ee5aef619066f5ec53
IPD30N03S4L09ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E467F845CC11C&compId=BSZ130N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=4efa016b36e3e919650f3576dd46577ae855e941
BSZ130N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD030N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402
ESD101B102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 30W
Breakdown voltage: 6.1V
Leakage current: 20nA
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.56 грн
33+12.01 грн
41+9.61 грн
100+6.74 грн
172+5.35 грн
472+5.04 грн
1300+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698775F8CE50469&compId=BTS5180-2EKA.pdf?ci_sign=dcbfa526d3bc10e800b4f1d73c4a0cc27042a66a
BTS5180-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.33Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.61 грн
10+95.34 грн
12+75.96 грн
33+71.31 грн
100+70.54 грн
250+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f
BTS70302EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 4.5A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Technology: PROFET™+2
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 4.1...28V DC
On-state resistance: 25mΩ
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.39 грн
10+87.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 Infineon-2ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344c70fc64cc8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+343.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.87 грн
29+13.49 грн
36+10.88 грн
50+9.21 грн
100+7.73 грн
212+4.26 грн
583+4.03 грн
2500+3.90 грн
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49
IPP60R360CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA94E7C0F02143&compId=IPP60R360P7.pdf?ci_sign=0b12d4d4fd5f2cf02bb1bb741529ca54afdbe158
IPP60R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP236-PS2GO-KIT
KP236-PS2GO-KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1100; prototype board
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1100
Kit contents: prototype board
Components: XMC1100; XMC4200
Kind of connector: pin strips; USB micro
Application: for pressure sensors
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M0
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2162.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 54A
Gate charge: 27nC
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.42 грн
5+224.79 грн
12+213.16 грн
25+212.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 12A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 12A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 51A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 6A; 73W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 73W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.6µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 6A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 8A; 90W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 90W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.8µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 105W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 16A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 141W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.6µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 16A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 65A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD04G65C6XTMA1 IDDD04G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 4A; 56W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 56W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.4µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 23A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 169W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 278W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1 IPDD60R102G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 IPDD60R080G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5-DTE.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 223W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 4µA
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 223W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212006-01 Infineon-CYBLE-212006-01_CYBLE-202007-01_CYBLE-202013-11_EZ-BLE_Creator_XR_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee303b069f4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth
Type of communications module: Bluetooth
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+500.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-416045-02 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+806.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2127STRPBF irs2127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356768e7a27c0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2500 2504  [ Наступна Сторінка >> ]