Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 405W
Gate charge: 444nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1021.90 грн
5+851.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5 Bourns Bourns_01-17-2024_BIDW75N65EH5.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 Bourns Bourns_01-17-2024_BIDW75N65ES5.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CXG75N65HS CXG75N65HS Createk Microelectronics TCXG75n65hs_CREATEK_0001.pdf Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+169.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR di7a5n65d2k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 18.4nC
Version: ESD
Drain current: 4.7A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.05 грн
25+81.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.46 грн
30+295.04 грн
120+247.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi FCH165N65S3R0-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi FCH165N65S3R0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.83 грн
10+322.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.29 грн
10+337.69 грн
100+245.87 грн
500+221.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 7865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.51 грн
50+200.81 грн
100+183.36 грн
500+143.40 грн
1000+137.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.69 грн
50+196.76 грн
100+179.59 грн
500+140.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi FCPF125N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.36 грн
50+219.27 грн
100+200.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.74 грн
10+241.82 грн
100+172.66 грн
500+144.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Gate charge: 63nC
Drain current: 9.5A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.42 грн
10+149.78 грн
50+131.37 грн
100+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.20 грн
50+136.99 грн
100+124.24 грн
500+95.63 грн
1000+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 42W
Gate charge: 52nC
Drain current: 25A
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.80 грн
10+131.37 грн
50+115.48 грн
200+107.11 грн
500+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74 Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.63 грн
10+95.95 грн
100+65.02 грн
500+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.25 грн
30+211.04 грн
120+174.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5XKSA1 IKA15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b Description: IGBT 650V 14A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.03 грн
50+99.45 грн
100+89.60 грн
500+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.06 грн
10+145.80 грн
100+101.17 грн
500+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+741.40 грн
30+423.22 грн
120+359.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600 Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.23 грн
30+268.53 грн
120+224.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.19 грн
30+300.86 грн
120+252.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+337.93 грн
10+271.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.11 грн
30+274.63 грн
120+229.66 грн
510+195.68 грн
1020+183.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.16 грн
30+370.30 грн
120+312.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a1b4519202d Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.60 грн
30+285.15 грн
120+238.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9 Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.56 грн
30+317.21 грн
120+266.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+397.58 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.03 грн
10+148.11 грн
50+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH75N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.37 грн
10+42.93 грн
25+38.16 грн
100+35.40 грн
400+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 30.6W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.37 грн
10+42.93 грн
12+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.37 грн
10+42.93 грн
11+38.16 грн
50+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 71W
Gate charge: 192nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.27 грн
3+241.83 грн
10+214.22 грн
30+199.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 500W
Gate charge: 130nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+296.48 грн
3+248.52 грн
10+219.24 грн
30+204.17 грн
120+190.79 грн
240+184.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 340nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.27 грн
3+241.83 грн
10+214.22 грн
30+199.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG ONSEMI ngtb35n65fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 150W
Gate charge: 125nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+441.56 грн
10+333.04 грн
20+278.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG NGTB75N65FL2WG onsemi ngtb75n65fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.84 грн
30+386.14 грн
120+327.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.36 грн
10+401.55 грн
100+295.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H NTH4LN095N65S3H onsemi nth4ln095n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.09 грн
30+389.88 грн
120+330.79 грн
510+284.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H NTH4LN095N65S3H onsemi nth4ln095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.69 грн
30+521.37 грн
120+446.85 грн
510+403.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF NTHL065N65S3HF onsemi nthl065n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi nthl095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi nthl095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi nthl095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.58 грн
30+382.58 грн
120+324.39 грн
510+278.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H onsemi nthl125n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3H NTMT095N65S3H onsemi ntmt095n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+270.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 405W
Gate charge: 444nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1021.90 грн
5+851.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5 Bourns_01-17-2024_BIDW75N65EH5.pdf
BIDW75N65EH5
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5 Bourns_01-17-2024_BIDW75N65ES5.pdf
BIDW75N65ES5
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CXG75N65HS TCXG75n65hs_CREATEK_0001.pdf
CXG75N65HS
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+169.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K di7a5n65d2k.pdf
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 18.4nC
Version: ESD
Drain current: 4.7A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.05 грн
25+81.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-D.PDF
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+529.46 грн
30+295.04 грн
120+247.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-D.PDF
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-D.PDF
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.83 грн
10+322.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3-D.PDF
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+519.29 грн
10+337.69 грн
100+245.87 грн
500+221.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 7865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.51 грн
50+200.81 грн
100+183.36 грн
500+143.40 грн
1000+137.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+388.69 грн
50+196.76 грн
100+179.59 грн
500+140.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3-D.PDF
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+429.36 грн
50+219.27 грн
100+200.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-D.PDF
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+377.74 грн
10+241.82 грн
100+172.66 грн
500+144.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Gate charge: 63nC
Drain current: 9.5A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.42 грн
10+149.78 грн
50+131.37 грн
100+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.20 грн
50+136.99 грн
100+124.24 грн
500+95.63 грн
1000+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 42W
Gate charge: 52nC
Drain current: 25A
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.80 грн
10+131.37 грн
50+115.48 грн
200+107.11 грн
500+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.63 грн
10+95.95 грн
100+65.02 грн
500+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.25 грн
30+211.04 грн
120+174.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5XKSA1 DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b
IKA15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 14A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.03 грн
50+99.45 грн
100+89.60 грн
500+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.06 грн
10+145.80 грн
100+101.17 грн
500+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+741.40 грн
30+423.22 грн
120+359.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+487.23 грн
30+268.53 грн
120+224.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+541.19 грн
30+300.86 грн
120+252.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+337.93 грн
10+271.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+527.11 грн
30+274.63 грн
120+229.66 грн
510+195.68 грн
1020+183.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+656.16 грн
30+370.30 грн
120+312.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a1b4519202d
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+514.60 грн
30+285.15 грн
120+238.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+568.56 грн
30+317.21 грн
120+266.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+397.58 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+702.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.03 грн
10+148.11 грн
50+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH75N65C3H1_Datasheet.PDF
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.37 грн
10+42.93 грн
25+38.16 грн
100+35.40 грн
400+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 30.6W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.37 грн
10+42.93 грн
12+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.37 грн
10+42.93 грн
11+38.16 грн
50+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F.pdf
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 71W
Gate charge: 192nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.27 грн
3+241.83 грн
10+214.22 грн
30+199.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP.pdf
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 500W
Gate charge: 130nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.48 грн
3+248.52 грн
10+219.24 грн
30+204.17 грн
120+190.79 грн
240+184.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S.pdf
LGEGW75N65S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 340nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.27 грн
3+241.83 грн
10+214.22 грн
30+199.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ngtb35n65fl2w-d.pdf
NGTB35N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 150W
Gate charge: 125nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+441.56 грн
10+333.04 грн
20+278.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG ngtb75n65fl2w-d.pdf
NGTB75N65FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+678.84 грн
30+386.14 грн
120+327.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
NTB095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
NTB095N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+612.36 грн
10+401.55 грн
100+295.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H nth4ln095n65s3h-d.pdf
NTH4LN095N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.09 грн
30+389.88 грн
120+330.79 грн
510+284.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H nth4ln095n65s3h-d.pdf
NTH4LN095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+894.69 грн
30+521.37 грн
120+446.85 грн
510+403.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
NTHL065N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
NTHL095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
NTHL095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
NTHL095N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+672.58 грн
30+382.58 грн
120+324.39 грн
510+278.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
NTHL125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3H ntmt095n65s3h-d.pdf
NTMT095N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+270.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]