Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.10 грн
2+650.52 грн
4+614.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1135.32 грн
2+810.65 грн
4+737.57 грн
150+708.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.33 грн
5+94.87 грн
13+73.34 грн
35+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi fch125n65s3r0-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.97 грн
10+310.68 грн
120+230.36 грн
510+222.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.90 грн
10+352.93 грн
120+205.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.22 грн
10+323.88 грн
100+257.15 грн
500+226.53 грн
1000+206.64 грн
3000+198.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.18 грн
10+224.43 грн
100+177.55 грн
500+149.24 грн
1000+148.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi fcp165n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.00 грн
10+185.70 грн
100+148.47 грн
500+133.17 грн
1000+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild fcpf125n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.86 грн
10+218.27 грн
100+173.73 грн
1000+161.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.93 грн
10+198.91 грн
100+134.70 грн
500+114.03 грн
1000+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.58 грн
10+113.53 грн
100+97.96 грн
1000+90.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.74 грн
4+250.32 грн
11+236.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+548.09 грн
4+311.94 грн
11+284.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE92E3A7A2ABEFC0D5&compId=IKA15N65ET6.pdf?ci_sign=a5d0997715c8dfdacffa9de02f1033ffc16b814e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Collector current: 11A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.07 грн
10+118.22 грн
11+109.06 грн
29+103.32 грн
250+99.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB15N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3422239.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.61 грн
10+177.78 грн
25+137.76 грн
100+107.14 грн
250+102.55 грн
500+87.25 грн
1000+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.43 грн
3+360.34 грн
8+341.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN-3361992.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+740.19 грн
10+427.74 грн
100+313.78 грн
480+305.36 грн
2640+276.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.04 грн
10+444.46 грн
100+360.46 грн
480+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.80 грн
7+134.73 грн
20+127.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+243.14 грн
3+211.60 грн
7+161.67 грн
20+153.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA55N65B5Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.97 грн
10+390.77 грн
100+273.98 грн
500+243.37 грн
1000+208.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS media-3319727.pdf IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1316.09 грн
10+844.03 грн
120+629.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.69 грн
10+368.77 грн
100+277.81 грн
500+235.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+930.37 грн
10+810.59 грн
30+493.63 грн
120+446.95 грн
270+444.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi nthl095n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.61 грн
10+339.72 грн
120+280.87 грн
510+276.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi nthl095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.01 грн
10+531.59 грн
120+331.38 грн
510+320.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H onsemi nthl125n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-247
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.26 грн
10+405.73 грн
120+265.57 грн
510+235.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H NTP055N65S3H onsemi ntp055n65s3h-d.pdf MOSFETs FAST 650V TO220
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.62 грн
10+425.98 грн
100+330.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3H NTP095N65S3H onsemi ntp095n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.58 грн
10+246.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF onsemi ntp095n65s3hf-d.pdf MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.58 грн
10+320.36 грн
100+255.62 грн
500+243.37 грн
1000+229.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H NTP125N65S3H onsemi ntp125n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.25 грн
10+201.55 грн
100+172.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 142W
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 53A
Drain current: 19A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.41 грн
5+207.27 грн
13+196.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H onsemi ntpf095n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.26 грн
10+453.26 грн
100+327.56 грн
500+266.33 грн
1000+262.50 грн
2500+261.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H onsemi ntpf125n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.79 грн
10+212.11 грн
100+178.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H onsemi ntpf165n65s3h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.40 грн
10+218.27 грн
100+172.20 грн
500+150.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3F NVBG095N65S3F onsemi nvbg095n65s3f-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.97 грн
10+406.61 грн
100+279.34 грн
500+251.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 NVHL025N65S3 onsemi nvhl025n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1275.91 грн
10+1034.14 грн
120+883.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1287.52 грн
10+897.72 грн
100+717.10 грн
3000+609.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.18 грн
10+220.03 грн
100+143.11 грн
500+127.81 грн
1000+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB075N65E-GE3 SIHB075N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.33 грн
10+352.05 грн
100+247.96 грн
500+221.18 грн
1000+187.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N65E-GE3 SIHB125N65E-GE3 Vishay sihb125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.33 грн
10+463.82 грн
100+335.97 грн
500+313.78 грн
1000+267.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3 SIHG055N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.80 грн
10+448.86 грн
100+332.15 грн
500+281.64 грн
1000+258.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3 SIHG075N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.61 грн
10+386.37 грн
100+277.81 грн
500+234.95 грн
1000+206.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N65E-T1-GE3 SIHH125N65E-T1-GE3 Vishay sihh125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.90 грн
10+466.46 грн
100+338.27 грн
500+316.08 грн
3000+268.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N65E-T1-GE3 SIHK125N65E-T1-GE3 Vishay sihk125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.44 грн
10+481.42 грн
100+348.98 грн
500+326.03 грн
2000+277.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N65E-GE3 SIHP125N65E-GE3 Vishay sihp125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.55 грн
10+462.94 грн
100+335.21 грн
500+313.78 грн
1000+266.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.65 грн
10+227.07 грн
100+151.53 грн
500+134.70 грн
1000+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB35N65DM2 STB35N65DM2 STMicroelectronics stb35n65dm2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.68 грн
10+212.11 грн
100+179.08 грн
1000+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.09 грн
3+318.09 грн
9+300.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+596.51 грн
3+396.38 грн
9+360.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.49 грн
3+433.68 грн
6+409.76 грн
10+394.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+680.99 грн
3+540.43 грн
6+491.72 грн
10+473.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5 STL15N65M5 STMicroelectronics stl15n65m5.pdf MOSFETs N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.00 грн
10+180.42 грн
100+111.74 грн
500+101.02 грн
1000+90.31 грн
3000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.09 грн
3+418.53 грн
7+396.21 грн
25+385.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+705.71 грн
3+521.56 грн
7+475.45 грн
25+462.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5 STW45N65M5 STMicroelectronics en.DM00072250.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+733.94 грн
10+526.31 грн
100+381.13 грн
600+339.80 грн
1200+302.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 STW75N65DM6-4 STMicroelectronics stw75n65dm6-4.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1175.91 грн
10+871.31 грн
120+664.30 грн
510+629.86 грн
1020+593.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5 STWA45N65M5 STMicroelectronics en.DM00072250.pdf MOSFETs N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+690.19 грн
10+378.45 грн
100+318.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AG STWA65N65DM2AG STMicroelectronics stwa65n65dm2ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.76 грн
10+448.86 грн
100+369.65 грн
600+345.92 грн
1200+345.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.10 грн
2+650.52 грн
4+614.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1135.32 грн
2+810.65 грн
4+737.57 грн
150+708.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.33 грн
5+94.87 грн
13+73.34 грн
35+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.97 грн
10+310.68 грн
120+230.36 грн
510+222.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.90 грн
10+352.93 грн
120+205.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.22 грн
10+323.88 грн
100+257.15 грн
500+226.53 грн
1000+206.64 грн
3000+198.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.18 грн
10+224.43 грн
100+177.55 грн
500+149.24 грн
1000+148.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 fcp165n65s3-d.pdf
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.00 грн
10+185.70 грн
100+148.47 грн
500+133.17 грн
1000+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.86 грн
10+218.27 грн
100+173.73 грн
1000+161.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.93 грн
10+198.91 грн
100+134.70 грн
500+114.03 грн
1000+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.58 грн
10+113.53 грн
100+97.96 грн
1000+90.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.74 грн
4+250.32 грн
11+236.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.09 грн
4+311.94 грн
11+284.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65ET6XKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE92E3A7A2ABEFC0D5&compId=IKA15N65ET6.pdf?ci_sign=a5d0997715c8dfdacffa9de02f1033ffc16b814e
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Collector current: 11A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+309.07 грн
10+118.22 грн
11+109.06 грн
29+103.32 грн
250+99.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon_IKB15N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3422239.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.61 грн
10+177.78 грн
25+137.76 грн
100+107.14 грн
250+102.55 грн
500+87.25 грн
1000+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.43 грн
3+360.34 грн
8+341.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN-3361992.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+740.19 грн
10+427.74 грн
100+313.78 грн
480+305.36 грн
2640+276.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.04 грн
10+444.46 грн
100+360.46 грн
480+339.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.80 грн
7+134.73 грн
20+127.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.14 грн
3+211.60 грн
7+161.67 грн
20+153.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA55N65B5Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.97 грн
10+390.77 грн
100+273.98 грн
500+243.37 грн
1000+208.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 media-3319727.pdf
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1316.09 грн
10+844.03 грн
120+629.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
NTB095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.69 грн
10+368.77 грн
100+277.81 грн
500+235.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.37 грн
10+810.59 грн
30+493.63 грн
120+446.95 грн
270+444.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
NTHL095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.61 грн
10+339.72 грн
120+280.87 грн
510+276.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
NTHL095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+725.01 грн
10+531.59 грн
120+331.38 грн
510+320.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
NTHL125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-247
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.26 грн
10+405.73 грн
120+265.57 грн
510+235.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H ntp055n65s3h-d.pdf
NTP055N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs FAST 650V TO220
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.62 грн
10+425.98 грн
100+330.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3H ntp095n65s3h-d.pdf
NTP095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.58 грн
10+246.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF ntp095n65s3hf-d.pdf
NTP095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.58 грн
10+320.36 грн
100+255.62 грн
500+243.37 грн
1000+229.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H ntp125n65s3h-d.pdf
NTP125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.25 грн
10+201.55 грн
100+172.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 142W
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 53A
Drain current: 19A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.41 грн
5+207.27 грн
13+196.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF095N65S3H ntpf095n65s3h-d.pdf
NTPF095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+631.26 грн
10+453.26 грн
100+327.56 грн
500+266.33 грн
1000+262.50 грн
2500+261.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H ntpf125n65s3h-d.pdf
NTPF125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.79 грн
10+212.11 грн
100+178.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H ntpf165n65s3h-d.pdf
NTPF165N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.40 грн
10+218.27 грн
100+172.20 грн
500+150.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3F nvbg095n65s3f-d.pdf
NVBG095N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.97 грн
10+406.61 грн
100+279.34 грн
500+251.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 nvhl025n65s3-d.pdf
NVHL025N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.91 грн
10+1034.14 грн
120+883.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 40 A
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1287.52 грн
10+897.72 грн
100+717.10 грн
3000+609.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 siha15n65e.pdf
SIHA15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.18 грн
10+220.03 грн
100+143.11 грн
500+127.81 грн
1000+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB075N65E-GE3
SIHB075N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.33 грн
10+352.05 грн
100+247.96 грн
500+221.18 грн
1000+187.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N65E-GE3 sihb125n65e.pdf
SIHB125N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.33 грн
10+463.82 грн
100+335.97 грн
500+313.78 грн
1000+267.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3
SIHG055N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.80 грн
10+448.86 грн
100+332.15 грн
500+281.64 грн
1000+258.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3
SIHG075N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.61 грн
10+386.37 грн
100+277.81 грн
500+234.95 грн
1000+206.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N65E-T1-GE3 sihh125n65e.pdf
SIHH125N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.90 грн
10+466.46 грн
100+338.27 грн
500+316.08 грн
3000+268.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK125N65E-T1-GE3 sihk125n65e.pdf
SIHK125N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.44 грн
10+481.42 грн
100+348.98 грн
500+326.03 грн
2000+277.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N65E-GE3 sihp125n65e.pdf
SIHP125N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+645.55 грн
10+462.94 грн
100+335.21 грн
500+313.78 грн
1000+266.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.65 грн
10+227.07 грн
100+151.53 грн
500+134.70 грн
1000+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB35N65DM2 stb35n65dm2.pdf
STB35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.68 грн
10+212.11 грн
100+179.08 грн
1000+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.09 грн
3+318.09 грн
9+300.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.51 грн
3+396.38 грн
9+360.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.49 грн
3+433.68 грн
6+409.76 грн
10+394.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.99 грн
3+540.43 грн
6+491.72 грн
10+473.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5 stl15n65m5.pdf
STL15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.00 грн
10+180.42 грн
100+111.74 грн
500+101.02 грн
1000+90.31 грн
3000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STP45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.09 грн
3+418.53 грн
7+396.21 грн
25+385.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP45N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E972B5DB7CE745&compId=STF45N65M5.pdf?ci_sign=46e151def6ce9b3a5f8b8bcb10528c54b707480a
STP45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Gate-source voltage: ±25V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.71 грн
3+521.56 грн
7+475.45 грн
25+462.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45N65M5 en.DM00072250.pdf
STW45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+733.94 грн
10+526.31 грн
100+381.13 грн
600+339.80 грн
1200+302.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 stw75n65dm6-4.pdf
STW75N65DM6-4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1175.91 грн
10+871.31 грн
120+664.30 грн
510+629.86 грн
1020+593.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5 en.DM00072250.pdf
STWA45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.19 грн
10+378.45 грн
100+318.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AG stwa65n65dm2ag.pdf
STWA65N65DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.76 грн
10+448.86 грн
100+369.65 грн
600+345.92 грн
1200+345.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]