Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.80 грн
2+645.86 грн
4+611.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1221.36 грн
2+804.84 грн
4+733.34 грн
600+722.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.24 грн
5+93.96 грн
13+72.64 грн
36+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.02 грн
10+277.19 грн
120+211.48 грн
510+210.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi FCH165N65S3R0-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.99 грн
10+333.85 грн
120+194.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.71 грн
10+306.83 грн
100+238.76 грн
500+214.51 грн
1000+209.96 грн
3000+187.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.68 грн
10+275.45 грн
100+208.44 грн
500+137.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.76 грн
10+206.59 грн
100+168.27 грн
500+141.74 грн
1000+140.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.85 грн
10+171.72 грн
100+140.23 грн
500+122.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild FCPF125N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.29 грн
10+199.61 грн
100+164.48 грн
500+153.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.82 грн
10+188.28 грн
100+128.10 грн
500+107.63 грн
1000+93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild FDPF15N65-D.PDF MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.53 грн
10+108.09 грн
100+86.41 грн
500+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.61 грн
5+220.29 грн
6+181.60 грн
15+171.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+397.94 грн
5+274.51 грн
6+217.92 грн
15+205.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKA15N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d635e5280 IKA15N65ET6 THT IGBT transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.52 грн
11+108.01 грн
29+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.19 грн
10+139.47 грн
100+84.89 грн
500+70.42 грн
1000+63.06 грн
2000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.20 грн
3+356.88 грн
8+337.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.93 грн
10+587.51 грн
100+497.23 грн
480+458.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EL5-DataSheet-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.61 грн
10+346.05 грн
100+231.18 грн
480+218.30 грн
1200+216.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.68 грн
10+368.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.18 грн
7+133.44 грн
20+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.80 грн
3+209.57 грн
7+160.12 грн
20+151.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYA55N65B5-Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.81 грн
10+380.92 грн
100+267.57 грн
500+238.00 грн
1000+203.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH75N65C3H1-Datasheet.PDF IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1306.12 грн
10+752.25 грн
120+630.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.77 грн
11+39.40 грн
25+34.98 грн
30+31.27 грн
82+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.48 грн
12+34.98 грн
30+31.27 грн
82+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.48 грн
12+34.98 грн
30+31.27 грн
82+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.44 грн
3+221.08 грн
6+172.91 грн
15+163.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F73B7F2EC840E1&compId=LGEGW75N65FP.pdf?ci_sign=24299b571d17b2b0aaf072aeb1e60a71979dc684 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.44 грн
3+221.08 грн
6+172.91 грн
15+163.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D576AE8BA020DF&compId=LGEGW75N65S.pdf?ci_sign=fb1e9622f07ee67d8300f38c89e2392346fc9694 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.44 грн
3+221.08 грн
6+172.91 грн
15+163.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi NTB095N65S3HF-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.63 грн
10+348.67 грн
100+262.26 грн
500+222.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi NTHL095N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.97 грн
10+317.29 грн
120+261.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi NTHL095N65S3HF-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.34 грн
10+502.96 грн
120+313.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H onsemi NTHL125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-247
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.24 грн
10+343.44 грн
120+222.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi NTMT125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, Power88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.46 грн
10+394.00 грн
100+286.52 грн
500+257.71 грн
1000+234.97 грн
3000+218.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H NTP055N65S3H onsemi NTP055N65S3H-D.PDF MOSFETs FAST 650V TO220
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.07 грн
10+366.10 грн
100+312.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3H NTP095N65S3H onsemi NTP095N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.27 грн
10+232.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF onsemi NTP095N65S3HF-D.PDF MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.52 грн
10+296.37 грн
100+241.79 грн
500+220.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H NTP125N65S3H onsemi NTP125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.99 грн
5+205.29 грн
13+194.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H onsemi NTP165N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.79 грн
10+173.46 грн
100+148.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H onsemi NTPF095N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.91 грн
10+428.86 грн
100+310.01 грн
500+247.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H onsemi NTPF125N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.25 грн
10+193.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H onsemi NTPF165N65S3H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+343.99 грн
10+198.74 грн
100+162.96 грн
500+140.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3F NVBG095N65S3F onsemi NVBG095N65S3F-D.PDF MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.20 грн
10+384.41 грн
100+259.23 грн
500+247.86 грн
800+237.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 NVHL025N65S3 onsemi NVHL025N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1207.96 грн
10+971.04 грн
120+835.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1218.57 грн
10+849.01 грн
100+678.39 грн
500+677.63 грн
3000+576.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+928.52 грн
2+659.28 грн
4+622.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V SCTWA35N65G2V STMicroelectronics sctwa35n65g2v.pdf SiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+735.74 грн
10+573.56 грн
600+456.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.66 грн
10+210.07 грн
100+135.68 грн
500+120.52 грн
1000+107.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N65E-GE3 SIHB065N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.79 грн
10+370.46 грн
100+260.74 грн
500+233.46 грн
1000+197.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3 SIHG055N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+593.37 грн
10+425.38 грн
100+314.56 грн
500+266.81 грн
1000+244.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N65E-GE3 SIHG065N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.69 грн
10+402.71 грн
100+288.79 грн
500+244.83 грн
1000+215.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3 SIHG075N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.60 грн
10+366.10 грн
100+263.02 грн
500+222.09 грн
1000+195.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N65E-GE3 SIHG125N65E-GE3 Vishay sihg125n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.11 грн
10+493.37 грн
100+375.20 грн
500+319.11 грн
1000+284.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3 SIHP065N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.55 грн
10+372.20 грн
100+261.50 грн
500+234.21 грн
1000+197.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.31 грн
10+215.30 грн
100+143.26 грн
500+128.10 грн
1000+103.08 грн
2000+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.32 грн
3+315.03 грн
9+297.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+590.78 грн
3+392.58 грн
9+357.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1017.80 грн
2+645.86 грн
4+611.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1221.36 грн
2+804.84 грн
4+733.34 грн
600+722.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.24 грн
5+93.96 грн
13+72.64 грн
36+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-D.PDF
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.02 грн
10+277.19 грн
120+211.48 грн
510+210.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-D.PDF
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.99 грн
10+333.85 грн
120+194.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3-D.PDF
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.71 грн
10+306.83 грн
100+238.76 грн
500+214.51 грн
1000+209.96 грн
3000+187.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.68 грн
10+275.45 грн
100+208.44 грн
500+137.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.76 грн
10+206.59 грн
100+168.27 грн
500+141.74 грн
1000+140.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.85 грн
10+171.72 грн
100+140.23 грн
500+122.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3-D.PDF
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.29 грн
10+199.61 грн
100+164.48 грн
500+153.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-D.PDF
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.82 грн
10+188.28 грн
100+128.10 грн
500+107.63 грн
1000+93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65-D.PDF
FDPF15N65
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.53 грн
10+108.09 грн
100+86.41 грн
500+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.61 грн
5+220.29 грн
6+181.60 грн
15+171.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.94 грн
5+274.51 грн
6+217.92 грн
15+205.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65ET6XKSA2 Infineon-IKA15N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d635e5280
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IKA15N65ET6 THT IGBT transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.52 грн
11+108.01 грн
29+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.19 грн
10+139.47 грн
100+84.89 грн
500+70.42 грн
1000+63.06 грн
2000+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.20 грн
3+356.88 грн
8+337.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.93 грн
10+587.51 грн
100+497.23 грн
480+458.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EL5-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.61 грн
10+346.05 грн
100+231.18 грн
480+218.30 грн
1200+216.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.68 грн
10+368.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.18 грн
7+133.44 грн
20+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.80 грн
3+209.57 грн
7+160.12 грн
20+151.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYA55N65B5-Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.81 грн
10+380.92 грн
100+267.57 грн
500+238.00 грн
1000+203.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH75N65C3H1-Datasheet.PDF
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1306.12 грн
10+752.25 грн
120+630.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.77 грн
11+39.40 грн
25+34.98 грн
30+31.27 грн
82+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+39.48 грн
12+34.98 грн
30+31.27 грн
82+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+39.48 грн
12+34.98 грн
30+31.27 грн
82+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.44 грн
3+221.08 грн
6+172.91 грн
15+163.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F73B7F2EC840E1&compId=LGEGW75N65FP.pdf?ci_sign=24299b571d17b2b0aaf072aeb1e60a71979dc684
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.44 грн
3+221.08 грн
6+172.91 грн
15+163.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D576AE8BA020DF&compId=LGEGW75N65S.pdf?ci_sign=fb1e9622f07ee67d8300f38c89e2392346fc9694
LGEGW75N65S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.44 грн
3+221.08 грн
6+172.91 грн
15+163.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF-D.PDF
NTB095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.63 грн
10+348.67 грн
100+262.26 грн
500+222.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H-D.PDF
NTHL095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.97 грн
10+317.29 грн
120+261.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF-D.PDF
NTHL095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.34 грн
10+502.96 грн
120+313.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H-D.PDF
NTHL125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-247
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.24 грн
10+343.44 грн
120+222.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H-D.PDF
NTMT125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, Power88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.46 грн
10+394.00 грн
100+286.52 грн
500+257.71 грн
1000+234.97 грн
3000+218.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H NTP055N65S3H-D.PDF
NTP055N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs FAST 650V TO220
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.07 грн
10+366.10 грн
100+312.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3H NTP095N65S3H-D.PDF
NTP095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.27 грн
10+232.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF-D.PDF
NTP095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.52 грн
10+296.37 грн
100+241.79 грн
500+220.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H NTP125N65S3H-D.PDF
NTP125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.99 грн
5+205.29 грн
13+194.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H-D.PDF
NTP165N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.79 грн
10+173.46 грн
100+148.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H-D.PDF
NTPF095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-220F
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.91 грн
10+428.86 грн
100+310.01 грн
500+247.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H-D.PDF
NTPF125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mohm, TO-220F
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.25 грн
10+193.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H-D.PDF
NTPF165N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 19 A, 165 mohm, TO-220F
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+343.99 грн
10+198.74 грн
100+162.96 грн
500+140.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3F NVBG095N65S3F-D.PDF
NVBG095N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.20 грн
10+384.41 грн
100+259.23 грн
500+247.86 грн
800+237.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 NVHL025N65S3-D.PDF
NVHL025N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1207.96 грн
10+971.04 грн
120+835.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.57 грн
10+849.01 грн
100+678.39 грн
500+677.63 грн
3000+576.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
SCTW35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+928.52 грн
2+659.28 грн
4+622.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V sctwa35n65g2v.pdf
SCTWA35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+735.74 грн
10+573.56 грн
600+456.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 siha15n65e.pdf
SIHA15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.66 грн
10+210.07 грн
100+135.68 грн
500+120.52 грн
1000+107.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N65E-GE3
SIHB065N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.79 грн
10+370.46 грн
100+260.74 грн
500+233.46 грн
1000+197.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3
SIHG055N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.37 грн
10+425.38 грн
100+314.56 грн
500+266.81 грн
1000+244.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N65E-GE3
SIHG065N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.69 грн
10+402.71 грн
100+288.79 грн
500+244.83 грн
1000+215.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3
SIHG075N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.60 грн
10+366.10 грн
100+263.02 грн
500+222.09 грн
1000+195.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N65E-GE3 sihg125n65e.pdf
SIHG125N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.11 грн
10+493.37 грн
100+375.20 грн
500+319.11 грн
1000+284.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3
SIHP065N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.55 грн
10+372.20 грн
100+261.50 грн
500+234.21 грн
1000+197.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.31 грн
10+215.30 грн
100+143.26 грн
500+128.10 грн
1000+103.08 грн
2000+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.32 грн
3+315.03 грн
9+297.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7D5867FC0D2&compId=stf35n65dm2.pdf?ci_sign=412b8094cba30e1a539718aedb388b0e763a9819
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.78 грн
3+392.58 грн
9+357.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]