Результат пошуку "5n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BGH75N65ZF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Power dissipation: 405W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 444nC Kind of package: tube Turn-off time: 565ns Turn-on time: 84ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DI7A5N65D2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-off time: 215ns Turn-on time: 61ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 52.5W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Turn-off time: 166ns Turn-on time: 24ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKP15N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 105W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-off time: 102ns Turn-on time: 36ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGB15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Turn-off time: 150ns Turn-on time: 40ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 627 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGF15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 30.6W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Turn-off time: 150ns Turn-on time: 40ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGP15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220 Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Turn-off time: 150ns Turn-on time: 40ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGW75N65F | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 71W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Turn-off time: 274ns Turn-on time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGW75N65FP | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 215ns Turn-off time: 225ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGW75N65S | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Turn-off time: 348ns Turn-on time: 156ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 142W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SCTW35N65G2V | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 240W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 73nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YGE5N65TMA1 | LUXIN-SEMI |
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 10A; 15A; 60W; 4,4V~6,0V; 12nC; -40°C~175°C; Similar to: IKD06N60RFATMA1; YGE5N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGE5n65tma1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YGP15N65TMA1 | LUXIN-SEMI |
Transistor IGBT ; 650V; 25V; 30A; 45A; 30,6W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C; YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGP15n65tma1 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YGW75N65FP | LUXIN-SEMI |
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Similar to: IRGP4066D; YGW75N65FP LUXIN-SEMI TYGW75n65fp кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FCB125N65S3 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCP125N65S3R0 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCP165N65S3 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 677 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCP165N65S3R0 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCPF125N65S3 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 8880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCPF165N65S3R0L | ON Semiconductor |
|
на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FDPF15N65 | FAIRCHILD |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW75N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGZ75N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKA15N65ET6 | Infineon |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKA15N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKA15N65H5XKSA1 | Infineon |
|
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKP15N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65EL5 | Infineon technologies |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65ES5 | Infineon technologies |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKZ75N65EH5 | Infineon technologies |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKZ75N65EL5 | Infineon technologies |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKZ75N65NH5 | Infineon technologies |
|
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFIB5N65A |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFIB5N65A(94-3185) |
на замовлення 10300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFIB5N65A-38 | IR | 2002 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFIB5N65APBF | VISHAY |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFIB5N65APBF | IR |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL065N65S3HF | ON Semiconductor |
|
на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL095N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL095N65S3HF | ON Semiconductor |
|
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL125N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTP055N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTP125N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NVHL025N65S3 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SCTWA35N65G2V-4 | STMicroelectronics |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPA15N65C3 |
|
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPI15N65C3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP15N65C3 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPW45N65C3 |
на замовлення 3555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP35N65M5 |
|
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BGH75N65ZF1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1218.72 грн |
| 5+ | 1053.94 грн |
| 30+ | 893.16 грн |
| 150+ | 748.46 грн |
| 600+ | 747.46 грн |
| DI7A5N65D2K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.11 грн |
| 5+ | 114.00 грн |
| 25+ | 96.80 грн |
| 100+ | 86.82 грн |
| 800+ | 83.83 грн |
| IGW75N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 397.64 грн |
| 5+ | 274.63 грн |
| 10+ | 243.50 грн |
| 30+ | 230.52 грн |
| IKP15N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.29 грн |
| 50+ | 98.45 грн |
| IKP15N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.43 грн |
| 10+ | 134.72 грн |
| 20+ | 117.76 грн |
| 50+ | 98.80 грн |
| 100+ | 88.82 грн |
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.66 грн |
| 3+ | 209.34 грн |
| 10+ | 176.64 грн |
| 50+ | 159.67 грн |
| LGEGB15N65T2 |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.11 грн |
| 10+ | 50.88 грн |
| 25+ | 43.61 грн |
| 100+ | 40.42 грн |
| 400+ | 38.02 грн |
| 800+ | 37.12 грн |
| LGEGF15N65T2 |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.03 грн |
| 7+ | 50.78 грн |
| 10+ | 43.41 грн |
| 50+ | 40.22 грн |
| 250+ | 37.72 грн |
| 1000+ | 36.92 грн |
| LGEGP15N65T2 |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.03 грн |
| 7+ | 50.78 грн |
| 10+ | 43.41 грн |
| 50+ | 40.22 грн |
| 250+ | 37.72 грн |
| 1000+ | 36.92 грн |
| LGEGW75N65F |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.23 грн |
| 3+ | 291.21 грн |
| 10+ | 246.49 грн |
| 30+ | 230.52 грн |
| 120+ | 214.56 грн |
| 240+ | 208.57 грн |
| LGEGW75N65FP |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.16 грн |
| 3+ | 290.17 грн |
| 10+ | 246.49 грн |
| 30+ | 229.53 грн |
| 120+ | 214.56 грн |
| 240+ | 208.57 грн |
| LGEGW75N65S |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.23 грн |
| 3+ | 291.21 грн |
| 10+ | 246.49 грн |
| 30+ | 230.52 грн |
| 120+ | 214.56 грн |
| 240+ | 208.57 грн |
| NTP165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.12 грн |
| 10+ | 235.51 грн |
| SCTW35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1087.60 грн |
| 5+ | 921.29 грн |
| 30+ | 805.34 грн |
| 150+ | 757.44 грн |
| STF35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 576.04 грн |
| 3+ | 499.51 грн |
| 10+ | 425.12 грн |
| 50+ | 382.21 грн |
| STF45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 638.38 грн |
| 5+ | 517.13 грн |
| STP45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 558.85 грн |
| 5+ | 436.29 грн |
| 10+ | 403.17 грн |
| YGE5N65TMA1 |
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 10A; 15A; 60W; 4,4V~6,0V; 12nC; -40°C~175°C; Similar to: IKD06N60RFATMA1; YGE5N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGE5n65tma1
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 10A; 15A; 60W; 4,4V~6,0V; 12nC; -40°C~175°C; Similar to: IKD06N60RFATMA1; YGE5N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGE5n65tma1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 23.77 грн |
| YGP15N65TMA1 |
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 25V; 30A; 45A; 30,6W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C; YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGP15n65tma1
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 650V; 25V; 30A; 45A; 30,6W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C; YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGP15n65tma1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 34.93 грн |
| YGW75N65FP |
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Similar to: IRGP4066D; YGW75N65FP LUXIN-SEMI TYGW75n65fp
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Similar to: IRGP4066D; YGW75N65FP LUXIN-SEMI TYGW75n65fp
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 134.15 грн |
| FCB125N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCH125N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCP125N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCP165N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCP165N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCPF125N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCPF165N65S3R0L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDPF15N65 |
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IGW75N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IGZ75N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKA15N65ET6 |
Виробник: Infineon
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKA15N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKA15N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKP15N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW75N65EL5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW75N65ES5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKZ75N65EH5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKZ75N65EL5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKZ75N65NH5 |
![]() |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65A(94-3185) |
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65A-38 |
Виробник: IR
2002 TO-220
2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65APBF |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NGTB35N65FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NGTB75N65FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NGTG35N65FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL065N65S3HF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL095N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL095N65S3HF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL125N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTP055N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTP125N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NVHL025N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SCTWA35N65G2V-4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]















