Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.47 грн
10+ 153.08 грн
100+ 123.83 грн
500+ 103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.87 грн
2000+ 88.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65H5ATMA1 AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172 Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 0.16mJ (on), 0.04mJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.47 грн
10+ 153.08 грн
100+ 123.83 грн
500+ 103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.07 грн
10+ 192.42 грн
100+ 155.65 грн
500+ 129.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.02 грн
2000+ 111.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.02 грн
2000+ 111.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.07 грн
10+ 192.42 грн
100+ 155.65 грн
500+ 129.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+847.3 грн
2+ 546 грн
4+ 516.16 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1016.77 грн
2+ 680.4 грн
4+ 619.39 грн
600+ 604.74 грн
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW75N65EH5-3392669.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.36 грн
10+ 372.9 грн
25+ 293.66 грн
100+ 270.22 грн
250+ 254.59 грн
600+ 237.66 грн
1200+ 214.22 грн
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW75N65ES5-3392676.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.36 грн
10+ 372.9 грн
25+ 293.66 грн
100+ 270.22 грн
250+ 254.59 грн
600+ 237.66 грн
1200+ 214.22 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi FCB125N65S3_D-2311543.pdf MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354 грн
10+ 293.53 грн
25+ 229.85 грн
100+ 206.41 грн
250+ 194.69 грн
500+ 176.46 грн
800+ 149.76 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.73 грн
10+ 252.79 грн
100+ 204.48 грн
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi fch125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.88 грн
30+ 331.01 грн
120+ 283.73 грн
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0_D-2311582.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.47 грн
10+ 389.38 грн
30+ 287.8 грн
120+ 272.82 грн
270+ 263.06 грн
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.96 грн
10+ 321.63 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3_D-2312043.pdf MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.85 грн
10+ 281.55 грн
100+ 210.97 грн
500+ 192.73 грн
1000+ 176.46 грн
3000+ 175.81 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.39 грн
10+ 313.42 грн
100+ 253.53 грн
500+ 211.49 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3_D-2311643.pdf MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+304.62 грн
10+ 252.35 грн
50+ 207.06 грн
100+ 177.11 грн
250+ 167.34 грн
500+ 157.57 грн
1000+ 134.78 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+222.56 грн
100+ 183.71 грн
250+ 173.5 грн
500+ 153.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.03 грн
10+ 227.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+287.37 грн
50+ 219.5 грн
100+ 188.14 грн
500+ 156.94 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3_D-2311887.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.79 грн
10+ 231.38 грн
100+ 162.78 грн
500+ 144.55 грн
1000+ 113.95 грн
5000+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 onsemi fcp165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+136.58 грн
Мінімальне замовлення: 143
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 onsemi fcp165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.57 грн
50+ 193.66 грн
100+ 165.99 грн
500+ 138.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi fcpf125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.73 грн
50+ 238.67 грн
100+ 204.58 грн
500+ 170.66 грн
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 ON Semiconductor fcpf125n65s3-d.pdf N-Channel SuperFET III MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.68 грн
50+ 133.66 грн
100+ 114.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild FDPF15N65_D-2312692.pdf MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.91 грн
10+ 157.25 грн
50+ 128.92 грн
100+ 110.04 грн
250+ 104.18 грн
500+ 98.32 грн
1000+ 84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD15N65T6_DataSheet_v02_03_EN-2898625.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.95 грн
10+ 92.85 грн
100+ 64.2 грн
250+ 59.58 грн
500+ 54.04 грн
1000+ 46.3 грн
3000+ 44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW75N65H5_DS_v02_02_EN-1731575.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.66 грн
10+ 320.49 грн
25+ 263.06 грн
100+ 224.64 грн
240+ 186.87 грн
480+ 182.97 грн
1200+ 166.69 грн
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.7 грн
6+ 62.4 грн
10+ 56.3 грн
16+ 51.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.03 грн
4+ 77.76 грн
10+ 67.55 грн
16+ 61.86 грн
43+ 58.6 грн
250+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 Infineon Technologies infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
IKA15N65F5XKSA1 IKA15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.66 грн
50+ 120.32 грн
100+ 99 грн
500+ 78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.79 грн
10+ 142.84 грн
100+ 115.58 грн
500+ 96.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.18 грн
30+ 371.37 грн
120+ 332.27 грн
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.92 грн
10+ 443.29 грн
25+ 350.31 грн
100+ 287.8 грн
240+ 246.78 грн
480+ 246.13 грн
1200+ 242.87 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.68 грн
10+ 646.96 грн
25+ 550.86 грн
100+ 475.98 грн
240+ 459.05 грн
480+ 341.84 грн
2640+ 341.19 грн
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600 Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.56 грн
30+ 343.25 грн
120+ 307.12 грн
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4624d6fc3d5014df7.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.94 грн
30+ 416.11 грн
120+ 372.33 грн
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65EL5_DataSheet_v02_02_EN-3362170.pdf IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.38 грн
10+ 464.26 грн
25+ 356.82 грн
100+ 330.77 грн
240+ 324.26 грн
480+ 286.5 грн
1200+ 272.82 грн
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.64 грн
30+ 354.03 грн
120+ 316.76 грн
510+ 262.29 грн
1020+ 236.07 грн
2010+ 221.2 грн
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.3 грн
30+ 372.98 грн
120+ 333.7 грн
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361891.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.92 грн
10+ 478.48 грн
25+ 321.66 грн
100+ 299.52 грн
240+ 297.57 грн
480+ 255.89 грн
1200+ 244.83 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.56 грн
30+ 592.28 грн
120+ 529.94 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.81 грн
10+ 670.92 грн
25+ 558.02 грн
100+ 505.28 грн
240+ 419.33 грн
480+ 406.31 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.23 грн
30+ 824.36 грн
120+ 775.86 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+987.55 грн
10+ 946.48 грн
25+ 730.57 грн
50+ 724.71 грн
100+ 696.71 грн
240+ 656.99 грн
480+ 653.08 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH75N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3235609.pdf IGBT Transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.97 грн
10+ 429.81 грн
25+ 338.59 грн
100+ 311.24 грн
240+ 293.01 грн
480+ 274.13 грн
1200+ 246.78 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EH5_DS_v02_01_EN-1731634.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.23 грн
10+ 463.51 грн
25+ 365.94 грн
100+ 335.98 грн
240+ 315.8 грн
480+ 296.92 грн
1200+ 266.96 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikz75n65eh5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65EH7_DataSheet_v01_00_EN-3235595.pdf IGBT Transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.48 грн
10+ 513.68 грн
25+ 405 грн
100+ 372.45 грн
240+ 350.31 грн
480+ 328.82 грн
1200+ 295.61 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.27 грн
30+ 577.04 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.91 грн
10+ 677.66 грн
25+ 531.32 грн
50+ 522.21 грн
100+ 474.02 грн
240+ 436.26 грн
2640+ 422.58 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1213.92 грн
10+ 1055.81 грн
25+ 842.56 грн
50+ 841.91 грн
100+ 792.43 грн
240+ 711.69 грн
480+ 671.97 грн
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.47 грн
10+ 153.08 грн
100+ 123.83 грн
500+ 103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+97.87 грн
2000+ 88.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65H5ATMA1 Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172
AIGB15N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 0.16mJ (on), 0.04mJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.47 грн
10+ 153.08 грн
100+ 123.83 грн
500+ 103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.07 грн
10+ 192.42 грн
100+ 155.65 грн
500+ 129.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+123.02 грн
2000+ 111.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+123.02 грн
2000+ 111.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.07 грн
10+ 192.42 грн
100+ 155.65 грн
500+ 129.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+847.3 грн
2+ 546 грн
4+ 516.16 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1016.77 грн
2+ 680.4 грн
4+ 619.39 грн
600+ 604.74 грн
BIDW75N65EH5 Bourns_01_17_2024_BIDW75N65EH5-3392669.pdf
BIDW75N65EH5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.36 грн
10+ 372.9 грн
25+ 293.66 грн
100+ 270.22 грн
250+ 254.59 грн
600+ 237.66 грн
1200+ 214.22 грн
BIDW75N65ES5 Bourns_01_17_2024_BIDW75N65ES5-3392676.pdf
BIDW75N65ES5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.36 грн
10+ 372.9 грн
25+ 293.66 грн
100+ 270.22 грн
250+ 254.59 грн
600+ 237.66 грн
1200+ 214.22 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3_D-2311543.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+354 грн
10+ 293.53 грн
25+ 229.85 грн
100+ 206.41 грн
250+ 194.69 грн
500+ 176.46 грн
800+ 149.76 грн
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+188.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.73 грн
10+ 252.79 грн
100+ 204.48 грн
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.88 грн
30+ 331.01 грн
120+ 283.73 грн
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0_D-2311582.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.47 грн
10+ 389.38 грн
30+ 287.8 грн
120+ 272.82 грн
270+ 263.06 грн
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.96 грн
10+ 321.63 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3_D-2312043.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.85 грн
10+ 281.55 грн
100+ 210.97 грн
500+ 192.73 грн
1000+ 176.46 грн
3000+ 175.81 грн
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+387.39 грн
10+ 313.42 грн
100+ 253.53 грн
500+ 211.49 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3_D-2311643.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.62 грн
10+ 252.35 грн
50+ 207.06 грн
100+ 177.11 грн
250+ 167.34 грн
500+ 157.57 грн
1000+ 134.78 грн
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+222.56 грн
100+ 183.71 грн
250+ 173.5 грн
500+ 153.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.03 грн
10+ 227.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+287.37 грн
50+ 219.5 грн
100+ 188.14 грн
500+ 156.94 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3_D-2311887.pdf
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.79 грн
10+ 231.38 грн
100+ 162.78 грн
500+ 144.55 грн
1000+ 113.95 грн
5000+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 fcp165n65s3r0-d.pdf
FCP165N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+136.58 грн
Мінімальне замовлення: 143
FCP165N65S3R0 fcp165n65s3r0-d.pdf
FCP165N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.57 грн
50+ 193.66 грн
100+ 165.99 грн
500+ 138.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.73 грн
50+ 238.67 грн
100+ 204.58 грн
500+ 170.66 грн
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: ON Semiconductor
N-Channel SuperFET III MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.68 грн
50+ 133.66 грн
100+ 114.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65_D-2312692.pdf
FDPF15N65
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.91 грн
10+ 157.25 грн
50+ 128.92 грн
100+ 110.04 грн
250+ 104.18 грн
500+ 98.32 грн
1000+ 84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 Infineon_IGD15N65T6_DataSheet_v02_03_EN-2898625.pdf
IGD15N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.95 грн
10+ 92.85 грн
100+ 64.2 грн
250+ 59.58 грн
500+ 54.04 грн
1000+ 46.3 грн
3000+ 44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 Infineon_IGW75N65H5_DS_v02_02_EN-1731575.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.66 грн
10+ 320.49 грн
25+ 263.06 грн
100+ 224.64 грн
240+ 186.87 грн
480+ 182.97 грн
1200+ 166.69 грн
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.7 грн
6+ 62.4 грн
10+ 56.3 грн
16+ 51.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.03 грн
4+ 77.76 грн
10+ 67.55 грн
16+ 61.86 грн
43+ 58.6 грн
250+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA15N65ET6XKSA2 infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
IKA15N65F5XKSA1 DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b
IKA15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.66 грн
50+ 120.32 грн
100+ 99 грн
500+ 78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.79 грн
10+ 142.84 грн
100+ 115.58 грн
500+ 96.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+483.18 грн
30+ 371.37 грн
120+ 332.27 грн
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.92 грн
10+ 443.29 грн
25+ 350.31 грн
100+ 287.8 грн
240+ 246.78 грн
480+ 246.13 грн
1200+ 242.87 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf
IKFW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+702.68 грн
10+ 646.96 грн
25+ 550.86 грн
100+ 475.98 грн
240+ 459.05 грн
480+ 341.84 грн
2640+ 341.19 грн
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.56 грн
30+ 343.25 грн
120+ 307.12 грн
IKW75N65EH5XKSA1 infineon-ikw75n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4624d6fc3d5014df7.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+540.94 грн
30+ 416.11 грн
120+ 372.33 грн
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon_IKW75N65EL5_DataSheet_v02_02_EN-3362170.pdf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.38 грн
10+ 464.26 грн
25+ 356.82 грн
100+ 330.77 грн
240+ 324.26 грн
480+ 286.5 грн
1200+ 272.82 грн
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.64 грн
30+ 354.03 грн
120+ 316.76 грн
510+ 262.29 грн
1020+ 236.07 грн
2010+ 221.2 грн
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+485.3 грн
30+ 372.98 грн
120+ 333.7 грн
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361891.pdf
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.92 грн
10+ 478.48 грн
25+ 321.66 грн
100+ 299.52 грн
240+ 297.57 грн
480+ 255.89 грн
1200+ 244.83 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+770.56 грн
30+ 592.28 грн
120+ 529.94 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+771.81 грн
10+ 670.92 грн
25+ 558.02 грн
100+ 505.28 грн
240+ 419.33 грн
480+ 406.31 грн
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1057.23 грн
30+ 824.36 грн
120+ 775.86 грн
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+987.55 грн
10+ 946.48 грн
25+ 730.57 грн
50+ 724.71 грн
100+ 696.71 грн
240+ 656.99 грн
480+ 653.08 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon_IKWH75N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3235609.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.97 грн
10+ 429.81 грн
25+ 338.59 грн
100+ 311.24 грн
240+ 293.01 грн
480+ 274.13 грн
1200+ 246.78 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EH5_DS_v02_01_EN-1731634.pdf
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+549.23 грн
10+ 463.51 грн
25+ 365.94 грн
100+ 335.98 грн
240+ 315.8 грн
480+ 296.92 грн
1200+ 266.96 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 infineon-ikz75n65eh5-ds-v02_01-en.pdf
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon_IKZA75N65EH7_DataSheet_v01_00_EN-3235595.pdf
IKZA75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.48 грн
10+ 513.68 грн
25+ 405 грн
100+ 372.45 грн
240+ 350.31 грн
480+ 328.82 грн
1200+ 295.61 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+740.27 грн
30+ 577.04 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+720.91 грн
10+ 677.66 грн
25+ 531.32 грн
50+ 522.21 грн
100+ 474.02 грн
240+ 436.26 грн
2640+ 422.58 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1213.92 грн
10+ 1055.81 грн
25+ 842.56 грн
50+ 841.91 грн
100+ 792.43 грн
240+ 711.69 грн
480+ 671.97 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]