Результат пошуку "5n65" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKB15N65EH5ATMA1
Код товару: 223978
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
очікується: 4 шт
  • 4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1007.86 грн
5+839.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5 Bourns Bourns_01-17-2024_BIDW75N65EH5.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CXG75N65HS CXG75N65HS Createk Microelectronics TCXG75n65hs_CREATEK_0001.pdf Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+170.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR di7a5n65d2k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 25A
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.78 грн
25+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.50 грн
30+292.22 грн
60+266.86 грн
120+230.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi FCH165N65S3R0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.56 грн
10+301.71 грн
50+239.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi FCH165N65S3R0-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.44 грн
10+345.60 грн
50+274.54 грн
100+236.18 грн
500+226.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.60 грн
10+252.61 грн
50+198.89 грн
100+170.43 грн
500+142.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.29 грн
10+233.67 грн
50+183.86 грн
100+157.48 грн
500+131.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.58 грн
10+210.50 грн
50+164.91 грн
100+140.99 грн
500+116.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi FCPF125N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi FCPF125N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.86 грн
10+259.30 грн
50+204.90 грн
100+175.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.06 грн
10+233.00 грн
50+182.54 грн
100+156.08 грн
500+139.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 63nC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+224.86 грн
10+123.79 грн
15+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SJ-MOSFET
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 911 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.98 грн
10+127.09 грн
50+112.24 грн
200+103.99 грн
500+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74 Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.89 грн
10+97.89 грн
100+66.39 грн
500+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+353.73 грн
5+265.74 грн
10+235.21 грн
30+195.59 грн
60+176.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.63 грн
30+203.29 грн
120+168.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5 IKA15N65F5 Infineon Technologies Infineon_IKA15N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5XKSA1 IKA15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b Description: IGBT 650V 14A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.54 грн
50+95.80 грн
100+86.31 грн
500+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.45 грн
100+97.46 грн
500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+459.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.18 грн
30+290.52 грн
120+243.76 грн
510+196.61 грн
1020+186.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5 IKW75N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+444.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.25 грн
30+253.80 грн
120+211.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.51 грн
30+378.11 грн
120+319.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a1b4519202d Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.96 грн
30+274.67 грн
120+230.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikz75n65eh5_ds_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9 Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.64 грн
30+305.57 грн
120+256.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikz75n65el5_datasheet_en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+382.99 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.30 грн
30+527.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.71 грн
10+146.07 грн
50+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH75N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.66 грн
10+42.34 грн
25+37.72 грн
100+34.91 грн
400+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.66 грн
10+42.34 грн
11+37.72 грн
50+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.96 грн
3+234.38 грн
10+207.15 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+287.07 грн
3+240.98 грн
10+212.10 грн
30+198.07 грн
120+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.96 грн
3+234.38 грн
10+207.15 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG ONSEMI ngtb35n65fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+432.83 грн
10+274.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG NGTB75N65FL2WG onsemi ngtb75n65fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.08 грн
30+371.97 грн
120+315.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.29 грн
10+386.83 грн
50+309.45 грн
100+267.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H NTH4LN095N65S3H onsemi nth4ln095n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.20 грн
30+364.30 грн
60+334.31 грн
120+290.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H NTH4LN095N65S3H onsemi nth4ln095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.25 грн
30+516.41 грн
60+476.31 грн
120+415.36 грн
510+412.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF NTHL065N65S3HF onsemi nthl065n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1
Код товару: 223978
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
очікується: 4 шт
  • 4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1007.86 грн
5+839.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5 Bourns_01-17-2024_BIDW75N65EH5.pdf
BIDW75N65EH5
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CXG75N65HS TCXG75n65hs_CREATEK_0001.pdf
CXG75N65HS
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+170.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K di7a5n65d2k.pdf
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 25A
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.78 грн
25+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-D.PDF
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.50 грн
30+292.22 грн
60+266.86 грн
120+230.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-D.PDF
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+463.56 грн
10+301.71 грн
50+239.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-D.PDF
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3-D.PDF
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+531.44 грн
10+345.60 грн
50+274.54 грн
100+236.18 грн
500+226.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.60 грн
10+252.61 грн
50+198.89 грн
100+170.43 грн
500+142.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+363.29 грн
10+233.67 грн
50+183.86 грн
100+157.48 грн
500+131.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.58 грн
10+210.50 грн
50+164.91 грн
100+140.99 грн
500+116.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3-D.PDF
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3-D.PDF
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.86 грн
10+259.30 грн
50+204.90 грн
100+175.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-D.PDF
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.06 грн
10+233.00 грн
50+182.54 грн
100+156.08 грн
500+139.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 63nC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.86 грн
10+123.79 грн
15+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Case: TO220F
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SJ-MOSFET
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 911 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.98 грн
10+127.09 грн
50+112.24 грн
200+103.99 грн
500+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.89 грн
10+97.89 грн
100+66.39 грн
500+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+353.73 грн
5+265.74 грн
10+235.21 грн
30+195.59 грн
60+176.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.63 грн
30+203.29 грн
120+168.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5 Infineon_IKA15N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
IKA15N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5XKSA1 DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b
IKA15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 14A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.54 грн
50+95.80 грн
100+86.31 грн
500+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.45 грн
10+140.45 грн
100+97.46 грн
500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.18 грн
30+290.52 грн
120+243.76 грн
510+196.61 грн
1020+186.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf
IKW75N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+444.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+461.25 грн
30+253.80 грн
120+211.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+669.51 грн
30+378.11 грн
120+319.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a1b4519202d
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.96 грн
30+274.67 грн
120+230.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 infineon_ikz75n65eh5_ds_en.pdf
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+547.64 грн
30+305.57 грн
120+256.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 infineon_ikz75n65el5_datasheet_en.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+382.99 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+717.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+906.30 грн
30+527.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+166.71 грн
10+146.07 грн
50+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH75N65C3H1_Datasheet.PDF
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.66 грн
10+42.34 грн
25+37.72 грн
100+34.91 грн
400+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.66 грн
10+42.34 грн
11+37.72 грн
50+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F.pdf
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.96 грн
3+234.38 грн
10+207.15 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP.pdf
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.07 грн
3+240.98 грн
10+212.10 грн
30+198.07 грн
120+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S.pdf
LGEGW75N65S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.96 грн
3+234.38 грн
10+207.15 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ngtb35n65fl2w-d.pdf
NGTB35N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+432.83 грн
10+274.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WG ngtb75n65fl2w-d.pdf
NGTB75N65FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+654.08 грн
30+371.97 грн
120+315.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
NTB095N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+589.29 грн
10+386.83 грн
50+309.45 грн
100+267.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
NTB095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H nth4ln095n65s3h-d.pdf
NTH4LN095N65S3H
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+640.20 грн
30+364.30 грн
60+334.31 грн
120+290.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3H nth4ln095n65s3h-d.pdf
NTH4LN095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+886.25 грн
30+516.41 грн
60+476.31 грн
120+415.36 грн
510+412.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
NTHL065N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.