Результат пошуку "5n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BGH75N65ZF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Power dissipation: 405W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 444nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 84ns Turn-off time: 565ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DI7A5N65D2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDPF15N65 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IGW75N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 52.5W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 24ns Turn-off time: 166ns Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGB15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 40ns Turn-off time: 150ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 621 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGF15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 30.6W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 40ns Turn-off time: 150ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGP15N65T2 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220 Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 40ns Turn-off time: 150ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 452 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGW75N65F | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 71W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 161ns Turn-off time: 274ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGW75N65FP | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 215ns Turn-off time: 225ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 409 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
LGEGW75N65S | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 156ns Turn-off time: 348ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 142W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SCTW35N65G2V | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 240W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 73nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF35N65DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 56.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STF45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| YGE5N65TMA1 | LUXIN-SEMI |
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 10A; 15A; 60W; 4,4V~6,0V; 12nC; -40°C~175°C; Similar to: IKD06N60RFATMA1; YGE5N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGE5n65tma1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YGP15N65TMA1 | LUXIN-SEMI |
Transistor IGBT ; 650V; 25V; 30A; 45A; 30,6W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C; YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGP15n65tma1 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| YGW75N65FP | LUXIN-SEMI |
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Similar to: IRGP4066D; YGW75N65FP LUXIN-SEMI TYGW75n65fp кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| CXG75N65HS | Createk Microelectronics | Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCB125N65S3 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCMT125N65S3 | ONN |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCP125N65S3R0 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCP165N65S3 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 677 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCP165N65S3R0 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCPF125N65S3 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 8880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FCPF165N65S3R0L | ON Semiconductor |
|
на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FDPF15N65 | FAIRCHILD |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW75N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGZ75N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKA15N65ET6 | Infineon |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKA15N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKA15N65H5XKSA1 | Infineon |
|
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKP15N65H5 | Infineon technologies |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65EL5 | Infineon technologies |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65ES5 | Infineon technologies |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKZ75N65EH5 | Infineon technologies |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKZ75N65EL5 | Infineon technologies |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKZ75N65NH5 | Infineon technologies |
|
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFIB5N65A |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFIB5N65A(94-3185) |
на замовлення 10300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFIB5N65A-38 | IR | 2002 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFIB5N65APBF | IR |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRFIB5N65APBF | VISHAY |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL065N65S3F | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL065N65S3F | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL065N65S3F | ONN |
|
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL065N65S3F | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL065N65S3HF | ON Semiconductor |
|
на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL095N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL095N65S3HF | ON Semiconductor |
|
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTHL125N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTP055N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTP125N65S3H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTPF095N65S3H | ONN |
|
на замовлення 955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| NTPF125N65S3H | ONN |
|
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BGH75N65ZF1 |
![]() |
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1218.39 грн |
| 5+ | 1053.66 грн |
| 30+ | 892.92 грн |
| 150+ | 748.26 грн |
| 600+ | 742.27 грн |
| DI7A5N65D2K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.08 грн |
| 5+ | 113.97 грн |
| 25+ | 96.77 грн |
| 100+ | 86.80 грн |
| 800+ | 83.80 грн |
| FDPF15N65 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.89 грн |
| 50+ | 152.30 грн |
| IGW75N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 391.09 грн |
| 5+ | 301.49 грн |
| 10+ | 257.40 грн |
| 30+ | 216.50 грн |
| 60+ | 208.51 грн |
| IKP15N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.26 грн |
| 50+ | 98.42 грн |
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.60 грн |
| 3+ | 209.28 грн |
| 10+ | 176.59 грн |
| 50+ | 159.63 грн |
| LGEGB15N65T2 |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 621 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.17 грн |
| 10+ | 52.32 грн |
| 25+ | 44.80 грн |
| 100+ | 41.50 грн |
| 400+ | 39.01 грн |
| 800+ | 38.11 грн |
| LGEGF15N65T2 |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.11 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| 50+ | 41.40 грн |
| 250+ | 38.91 грн |
| 1000+ | 38.01 грн |
| LGEGP15N65T2 |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.11 грн |
| 10+ | 44.80 грн |
| 50+ | 41.50 грн |
| 250+ | 39.01 грн |
| 1000+ | 38.11 грн |
| LGEGW75N65F |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.52 грн |
| 3+ | 295.27 грн |
| 10+ | 251.41 грн |
| 30+ | 233.46 грн |
| 120+ | 218.49 грн |
| 240+ | 211.51 грн |
| LGEGW75N65FP |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.11 грн |
| 3+ | 303.56 грн |
| 10+ | 257.40 грн |
| 30+ | 240.44 грн |
| 120+ | 223.48 грн |
| 240+ | 217.49 грн |
| LGEGW75N65S |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.52 грн |
| 3+ | 295.27 грн |
| 10+ | 251.41 грн |
| 30+ | 233.46 грн |
| 120+ | 218.49 грн |
| 240+ | 211.51 грн |
| NTP165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.54 грн |
| 10+ | 235.45 грн |
| SCTW35N65G2V |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 870.28 грн |
| 600+ | 786.36 грн |
| STF35N65DM2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.89 грн |
| 3+ | 499.37 грн |
| 10+ | 425.01 грн |
| 50+ | 382.11 грн |
| STF45N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 605.97 грн |
| 5+ | 522.17 грн |
| 10+ | 491.85 грн |
| YGE5N65TMA1 |
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 10A; 15A; 60W; 4,4V~6,0V; 12nC; -40°C~175°C; Similar to: IKD06N60RFATMA1; YGE5N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGE5n65tma1
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 10A; 15A; 60W; 4,4V~6,0V; 12nC; -40°C~175°C; Similar to: IKD06N60RFATMA1; YGE5N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGE5n65tma1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.43 грн |
| YGP15N65TMA1 |
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 25V; 30A; 45A; 30,6W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C; YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGP15n65tma1
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 650V; 25V; 30A; 45A; 30,6W; 5,5V~6V; 45nC; -40°C~150°C; YGP15N65TMA1 LUXIN-SEMI TYGP15n65tma1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 35.90 грн |
| YGW75N65FP |
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Similar to: IRGP4066D; YGW75N65FP LUXIN-SEMI TYGW75n65fp
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Similar to: IRGP4066D; YGW75N65FP LUXIN-SEMI TYGW75n65fp
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 137.85 грн |
| CXG75N65HS |
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCB125N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCH125N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCMT125N65S3 |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCP125N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCP165N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCP165N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCPF125N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FCPF165N65S3R0L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDPF15N65 |
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IGW75N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IGZ75N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKA15N65ET6 |
Виробник: Infineon
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKA15N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKA15N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKP15N65H5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW75N65EL5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW75N65ES5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKZ75N65EH5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKZ75N65EL5 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKZ75N65NH5 |
![]() |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65A(94-3185) |
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65A-38 |
Виробник: IR
2002 TO-220
2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65APBF |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFIB5N65APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NGTB35N65FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NGTB75N65FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NGTG35N65FL2WG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL065N65S3F |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL065N65S3F |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL065N65S3F |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL065N65S3F |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL065N65S3HF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL095N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL095N65S3HF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTHL125N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTP055N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTP125N65S3H |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTPF095N65S3H |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTPF125N65S3H |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]















