Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
5N65F UMW
Код товару: 219783
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 4 шт
4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1027.27 грн
5+855.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5 Bourns Bourns_01-17-2024_BIDW75N65EH5.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.77 грн
10+326.28 грн
100+238.30 грн
600+226.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CXG75N65HS Createk Microelectronics Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR di7a5n65d2k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.53 грн
25+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf MOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.14 грн
10+321.46 грн
100+205.45 грн
500+182.39 грн
800+162.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.36 грн
10+288.51 грн
120+178.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.39 грн
10+319.05 грн
100+204.76 грн
1000+194.27 грн
3000+191.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.62 грн
10+253.95 грн
100+162.83 грн
500+162.13 грн
1000+146.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.47 грн
10+171.18 грн
100+138.37 грн
500+129.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi fcp165n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.44 грн
10+172.78 грн
100+135.57 грн
500+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi fcpf125n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.14 грн
10+321.46 грн
100+205.45 грн
500+182.39 грн
1000+162.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.34 грн
10+170.37 грн
100+104.12 грн
500+92.24 грн
1000+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.98 грн
10+152.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.57 грн
10+138.23 грн
100+108.32 грн
500+83.86 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.67 грн
5+232.16 грн
10+211.98 грн
30+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+409.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5 IKW75N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.33 грн
10+326.28 грн
100+229.91 грн
480+203.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.99 грн
10+387.36 грн
100+285.82 грн
480+285.12 грн
1200+276.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+891.93 грн
10+530.41 грн
100+419.99 грн
480+417.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.77 грн
10+314.23 грн
100+229.91 грн
480+213.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.85 грн
10+348.78 грн
100+255.77 грн
480+246.68 грн
1200+242.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+915.58 грн
10+574.61 грн
100+443.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.92 грн
10+148.89 грн
50+134.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.28 грн
10+326.28 грн
100+216.64 грн
500+197.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH75N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1288.98 грн
10+851.06 грн
120+632.44 грн
510+581.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.82 грн
11+41.72 грн
25+37.18 грн
100+34.40 грн
400+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.82 грн
11+41.47 грн
12+37.01 грн
50+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.82 грн
11+41.47 грн
12+37.18 грн
50+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.82 грн
3+235.53 грн
10+207.77 грн
30+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65FP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.98 грн
3+242.26 грн
10+212.82 грн
30+198.52 грн
120+185.06 грн
240+180.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65S.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.82 грн
3+235.53 грн
10+207.77 грн
30+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG NGTB35N65FL2WG ONSEMI ngtb35n65fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+443.88 грн
10+271.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.80 грн
10+408.25 грн
100+269.05 грн
800+228.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+881.33 грн
10+524.78 грн
120+426.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF NTHL065N65S3HF onsemi nthl065n65s3hf-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+926.99 грн
10+553.71 грн
120+414.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H NTHL095N65S3H onsemi nthl095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.43 грн
10+348.78 грн
120+255.77 грн
510+253.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF NTHL095N65S3HF onsemi nthl095n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.52 грн
10+451.65 грн
120+290.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H NTHL125N65S3H onsemi nthl125n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.20 грн
10+308.60 грн
120+221.53 грн
510+215.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3H NTMT125N65S3H onsemi ntmt125n65s3h-d.pdf MOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.84 грн
10+387.36 грн
100+272.54 грн
500+242.49 грн
1000+200.56 грн
3000+186.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H NTP055N65S3H onsemi ntp055n65s3h-d.pdf MOSFETs FAST 650V TO220
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.09 грн
10+445.22 грн
100+332.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3H NTP095N65S3H onsemi ntp095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.10 грн
10+269.22 грн
100+217.33 грн
500+195.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF onsemi ntp095n65s3hf-d.pdf MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.50 грн
10+294.13 грн
100+234.80 грн
500+208.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H NTP125N65S3H onsemi ntp125n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.05 грн
10+228.24 грн
100+182.39 грн
500+157.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.44 грн
3+199.36 грн
10+198.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H onsemi ntp165n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.07 грн
10+180.02 грн
100+150.95 грн
500+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF095N65S3H NTPF095N65S3H onsemi ntpf095n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.32 грн
10+302.97 грн
100+233.41 грн
500+215.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H onsemi ntpf125n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220F
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.44 грн
10+229.84 грн
100+187.28 грн
500+162.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H onsemi ntpf165n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
на замовлення 11916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.02 грн
10+192.07 грн
100+149.55 грн
500+129.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V SCTL35N65G2V STMicroelectronics sctl35n65g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1123.48 грн
10+782.75 грн
100+625.45 грн
500+624.75 грн
1000+601.69 грн
3000+531.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V SCTW35N65G2V STMicroelectronics sctw35n65g2v.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+733.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 SIHA15N65E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.00 грн
10+199.30 грн
100+135.57 грн
500+113.91 грн
1000+99.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3 SIHG055N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.06 грн
10+392.18 грн
100+290.01 грн
500+245.99 грн
1000+225.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3 SIHP065N65E-GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.32 грн
10+343.16 грн
100+241.09 грн
500+215.94 грн
1000+182.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.75 грн
10+210.56 грн
100+143.96 грн
500+120.20 грн
1000+95.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.16 грн
10+403.43 грн
100+276.04 грн
1000+234.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N65M5 STD15N65M5 STMicroelectronics en.DM00055373.pdf MOSFETs N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.79 грн
10+135.82 грн
100+84.56 грн
500+69.74 грн
1000+65.48 грн
2500+57.30 грн
5000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STE145N65M5 STE145N65M5 STMicroelectronics en.DM00100413.pdf MOSFET Modules N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2365.17 грн
10+1720.61 грн
100+1389.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 STF35N65DM2 STMicroelectronics stf35n65dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+485.55 грн
3+405.45 грн
10+358.34 грн
50+322.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+510.92 грн
5+423.95 грн
10+418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N65F UMW
Код товару: 219783
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 4 шт
4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1027.27 грн
5+855.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5 Bourns_01-17-2024_BIDW75N65EH5.pdf
BIDW75N65EH5
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.77 грн
10+326.28 грн
100+238.30 грн
600+226.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CXG75N65HS
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C; CXG75N65HS CREATEK TCXG75n65hs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K di7a5n65d2k.pdf
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.53 грн
25+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.14 грн
10+321.46 грн
100+205.45 грн
500+182.39 грн
800+162.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.36 грн
10+288.51 грн
120+178.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.39 грн
10+319.05 грн
100+204.76 грн
1000+194.27 грн
3000+191.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.62 грн
10+253.95 грн
100+162.83 грн
500+162.13 грн
1000+146.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.47 грн
10+171.18 грн
100+138.37 грн
500+129.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 fcp165n65s3-d.pdf
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.44 грн
10+172.78 грн
100+135.57 грн
500+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.14 грн
10+321.46 грн
100+205.45 грн
500+182.39 грн
1000+162.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-D.PDF
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.34 грн
10+170.37 грн
100+104.12 грн
500+92.24 грн
1000+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.98 грн
10+152.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.57 грн
10+138.23 грн
100+108.32 грн
500+83.86 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.67 грн
5+232.16 грн
10+211.98 грн
30+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf
IKW75N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.33 грн
10+326.28 грн
100+229.91 грн
480+203.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.99 грн
10+387.36 грн
100+285.82 грн
480+285.12 грн
1200+276.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+891.93 грн
10+530.41 грн
100+419.99 грн
480+417.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.77 грн
10+314.23 грн
100+229.91 грн
480+213.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.85 грн
10+348.78 грн
100+255.77 грн
480+246.68 грн
1200+242.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+915.58 грн
10+574.61 грн
100+443.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.92 грн
10+148.89 грн
50+134.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.28 грн
10+326.28 грн
100+216.64 грн
500+197.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N65C3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH75N65C3H1_Datasheet.PDF
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1288.98 грн
10+851.06 грн
120+632.44 грн
510+581.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.82 грн
11+41.72 грн
25+37.18 грн
100+34.40 грн
400+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.82 грн
11+41.47 грн
12+37.01 грн
50+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.82 грн
11+41.47 грн
12+37.18 грн
50+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F.pdf
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.82 грн
3+235.53 грн
10+207.77 грн
30+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP.pdf
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.98 грн
3+242.26 грн
10+212.82 грн
30+198.52 грн
120+185.06 грн
240+180.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65S LGEGW75N65S.pdf
LGEGW75N65S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.82 грн
3+235.53 грн
10+207.77 грн
30+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WG ngtb35n65fl2w-d.pdf
NGTB35N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.88 грн
10+271.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB095N65S3HF ntb095n65s3hf-d.pdf
NTB095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.80 грн
10+408.25 грн
100+269.05 грн
800+228.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+881.33 грн
10+524.78 грн
120+426.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
NTHL065N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+926.99 грн
10+553.71 грн
120+414.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
NTHL095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+598.43 грн
10+348.78 грн
120+255.77 грн
510+253.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
NTHL095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+699.52 грн
10+451.65 грн
120+290.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
NTHL125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.20 грн
10+308.60 грн
120+221.53 грн
510+215.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3H ntmt125n65s3h-d.pdf
NTMT125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.84 грн
10+387.36 грн
100+272.54 грн
500+242.49 грн
1000+200.56 грн
3000+186.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP055N65S3H ntp055n65s3h-d.pdf
NTP055N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs FAST 650V TO220
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.09 грн
10+445.22 грн
100+332.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3H ntp095n65s3h-d.pdf
NTP095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.10 грн
10+269.22 грн
100+217.33 грн
500+195.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF ntp095n65s3hf-d.pdf
NTP095N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.50 грн
10+294.13 грн
100+234.80 грн
500+208.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N65S3H ntp125n65s3h-d.pdf
NTP125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.05 грн
10+228.24 грн
100+182.39 грн
500+157.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.44 грн
3+199.36 грн
10+198.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.07 грн
10+180.02 грн
100+150.95 грн
500+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF095N65S3H ntpf095n65s3h-d.pdf
NTPF095N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220F
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.32 грн
10+302.97 грн
100+233.41 грн
500+215.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H ntpf125n65s3h-d.pdf
NTPF125N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220F
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.44 грн
10+229.84 грн
100+187.28 грн
500+162.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF165N65S3H ntpf165n65s3h-d.pdf
NTPF165N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
на замовлення 11916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.02 грн
10+192.07 грн
100+149.55 грн
500+129.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTL35N65G2V sctl35n65g2v.pdf
SCTL35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1123.48 грн
10+782.75 грн
100+625.45 грн
500+624.75 грн
1000+601.69 грн
3000+531.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW35N65G2V sctw35n65g2v.pdf
SCTW35N65G2V
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247™
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+733.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N65E-GE3 siha15n65e.pdf
SIHA15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.00 грн
10+199.30 грн
100+135.57 грн
500+113.91 грн
1000+99.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG055N65E-GE3
SIHG055N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.06 грн
10+392.18 грн
100+290.01 грн
500+245.99 грн
1000+225.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N65E-GE3
SIHP065N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.32 грн
10+343.16 грн
100+241.09 грн
500+215.94 грн
1000+182.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.75 грн
10+210.56 грн
100+143.96 грн
500+120.20 грн
1000+95.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 en.DM00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.16 грн
10+403.43 грн
100+276.04 грн
1000+234.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD15N65M5 en.DM00055373.pdf
STD15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.79 грн
10+135.82 грн
100+84.56 грн
500+69.74 грн
1000+65.48 грн
2500+57.30 грн
5000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STE145N65M5 en.DM00100413.pdf
STE145N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Modules N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2365.17 грн
10+1720.61 грн
100+1389.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF35N65DM2 stf35n65dm2.pdf
STF35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.55 грн
3+405.45 грн
10+358.34 грн
50+322.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5 STF45N65M5.pdf
STF45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.92 грн
5+423.95 грн
10+418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]