Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIGB15N65H5ATMA1 AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172 Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.82 грн
10+178.85 грн
100+125.77 грн
500+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.62 грн
10+213.60 грн
100+151.73 грн
500+133.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+966.87 грн
5+805.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1160.24 грн
5+1003.37 грн
30+850.30 грн
150+712.54 грн
600+708.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.09 грн
25+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.82 грн
5+108.53 грн
25+92.16 грн
100+82.66 грн
800+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.33 грн
10+263.88 грн
100+190.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi FCB125N65S3-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.16 грн
10+286.69 грн
100+183.17 грн
500+179.37 грн
800+167.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi fch125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.88 грн
30+240.36 грн
120+224.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.36 грн
10+277.95 грн
120+212.05 грн
510+211.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.08 грн
10+308.29 грн
450+197.37 грн
900+182.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi FCH165N65S3R0-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.28 грн
10+334.76 грн
120+194.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.40 грн
10+289.61 грн
100+243.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.67 грн
10+276.20 грн
100+209.01 грн
500+137.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.02 грн
50+244.26 грн
100+239.06 грн
500+128.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.76 грн
10+207.15 грн
100+168.73 грн
500+142.13 грн
1000+140.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.42 грн
50+184.96 грн
100+177.45 грн
500+138.43 грн
1000+131.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.69 грн
10+172.19 грн
100+140.61 грн
500+122.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi fcp165n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.22 грн
50+153.78 грн
100+148.94 грн
500+123.39 грн
1000+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi fcpf125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.89 грн
50+179.42 грн
100+174.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild FCPF125N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.31 грн
10+200.16 грн
100+164.93 грн
500+153.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1-D.PDF MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.62 грн
10+188.80 грн
100+128.45 грн
500+107.93 грн
1000+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild FDPF15N65-D.PDF MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.19 грн
10+107.51 грн
100+86.65 грн
500+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.92 грн
50+95.26 грн
100+91.44 грн
500+83.27 грн
1000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74 Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.11 грн
100+63.11 грн
500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.47 грн
5+209.80 грн
10+193.18 грн
30+182.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+378.56 грн
5+261.45 грн
10+231.81 грн
30+219.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5XKSA1 IKA15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b Description: IGBT 650V 14A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.65 грн
50+81.29 грн
100+73.02 грн
500+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.54 грн
10+127.78 грн
100+88.16 грн
500+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.79 грн
10+138.97 грн
100+85.13 грн
500+70.61 грн
1000+63.24 грн
2000+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.56 грн
30+327.95 грн
120+276.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKP15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af9faf0765e3f Description: IGBT 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.74 грн
50+90.76 грн
100+81.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.13 грн
10+106.88 грн
20+93.42 грн
50+78.38 грн
100+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.63 грн
10+128.26 грн
20+112.11 грн
50+94.06 грн
100+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600 Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.68 грн
30+241.42 грн
120+201.17 грн
510+161.12 грн
1020+157.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5 IKW75N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.38 грн
10+343.50 грн
100+241.69 грн
480+214.33 грн
1200+183.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+414.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+497.25 грн
30+422.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 7402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.55 грн
30+247.52 грн
120+206.45 грн
510+165.50 грн
1020+162.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.23 грн
30+253.80 грн
120+211.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.51 грн
30+367.30 грн
120+310.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.83 грн
10+603.97 грн
100+497.07 грн
480+437.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.90 грн
30+246.67 грн
120+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.16 грн
10+339.13 грн
100+222.69 грн
480+217.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.85 грн
30+285.36 грн
120+239.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.26 грн
10+369.72 грн
100+310.86 грн
480+305.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.93 грн
10+140.13 грн
50+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.16 грн
3+199.29 грн
10+168.16 грн
50+152.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 IXYA55N65B5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.26 грн
10+381.96 грн
100+268.30 грн
500+238.65 грн
1000+204.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.19 грн
11+38.08 грн
25+33.73 грн
100+31.27 грн
400+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.23 грн
10+47.46 грн
25+40.47 грн
100+37.53 грн
400+35.34 грн
800+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.19 грн
11+38.00 грн
12+33.81 грн
50+31.27 грн
250+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.23 грн
7+47.36 грн
10+40.57 грн
50+37.53 грн
250+35.34 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.19 грн
11+38.00 грн
12+33.81 грн
50+31.27 грн
250+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.23 грн
7+47.36 грн
10+40.57 грн
50+37.53 грн
250+35.34 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.93 грн
3+213.76 грн
10+188.43 грн
30+174.97 грн
120+165.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+305.92 грн
3+266.38 грн
10+226.11 грн
30+209.96 грн
120+198.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F73B7F2EC840E1&compId=LGEGW75N65FP.pdf?ci_sign=24299b571d17b2b0aaf072aeb1e60a71979dc684 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.93 грн
3+213.76 грн
10+188.43 грн
30+174.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65H5ATMA1 Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172
AIGB15N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.82 грн
10+178.85 грн
100+125.77 грн
500+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+120.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.62 грн
10+213.60 грн
100+151.73 грн
500+133.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.87 грн
5+805.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1160.24 грн
5+1003.37 грн
30+850.30 грн
150+712.54 грн
600+708.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.09 грн
25+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.82 грн
5+108.53 грн
25+92.16 грн
100+82.66 грн
800+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.33 грн
10+263.88 грн
100+190.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3-D.PDF
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.16 грн
10+286.69 грн
100+183.17 грн
500+179.37 грн
800+167.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.88 грн
30+240.36 грн
120+224.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-D.PDF
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.36 грн
10+277.95 грн
120+212.05 грн
510+211.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.08 грн
10+308.29 грн
450+197.37 грн
900+182.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-D.PDF
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.28 грн
10+334.76 грн
120+194.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.40 грн
10+289.61 грн
100+243.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.67 грн
10+276.20 грн
100+209.01 грн
500+137.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.02 грн
50+244.26 грн
100+239.06 грн
500+128.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.76 грн
10+207.15 грн
100+168.73 грн
500+142.13 грн
1000+140.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.42 грн
50+184.96 грн
100+177.45 грн
500+138.43 грн
1000+131.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.69 грн
10+172.19 грн
100+140.61 грн
500+122.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 fcp165n65s3-d.pdf
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.22 грн
50+153.78 грн
100+148.94 грн
500+123.39 грн
1000+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.89 грн
50+179.42 грн
100+174.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3-D.PDF
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.31 грн
10+200.16 грн
100+164.93 грн
500+153.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-D.PDF
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.62 грн
10+188.80 грн
100+128.45 грн
500+107.93 грн
1000+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65 FDPF15N65-D.PDF
FDPF15N65
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.19 грн
10+107.51 грн
100+86.65 грн
500+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.92 грн
50+95.26 грн
100+91.44 грн
500+83.27 грн
1000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.28 грн
10+93.11 грн
100+63.11 грн
500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.47 грн
5+209.80 грн
10+193.18 грн
30+182.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9A3F0AC89820&compId=IGW75N65H5.pdf?ci_sign=86e4907099baaae3cd322374fa086d9863321d24
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Turn-on time: 61ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.56 грн
5+261.45 грн
10+231.81 грн
30+219.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65F5XKSA1 DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b
IKA15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 14A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.65 грн
50+81.29 грн
100+73.02 грн
500+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.54 грн
10+127.78 грн
100+88.16 грн
500+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.79 грн
10+138.97 грн
100+85.13 грн
500+70.61 грн
1000+63.24 грн
2000+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.56 грн
30+327.95 грн
120+276.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 DS_IKP15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af9faf0765e3f
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.74 грн
50+90.76 грн
100+81.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.13 грн
10+106.88 грн
20+93.42 грн
50+78.38 грн
100+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.63 грн
10+128.26 грн
20+112.11 грн
50+94.06 грн
100+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.68 грн
30+241.42 грн
120+201.17 грн
510+161.12 грн
1020+157.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf
IKW75N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.38 грн
10+343.50 грн
100+241.69 грн
480+214.33 грн
1200+183.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+414.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.25 грн
30+422.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 7402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.55 грн
30+247.52 грн
120+206.45 грн
510+165.50 грн
1020+162.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.23 грн
30+253.80 грн
120+211.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.51 грн
30+367.30 грн
120+310.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.83 грн
10+603.97 грн
100+497.07 грн
480+437.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.90 грн
30+246.67 грн
120+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.16 грн
10+339.13 грн
100+222.69 грн
480+217.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b
IKZA75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.85 грн
30+285.36 грн
120+239.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.26 грн
10+369.72 грн
100+310.86 грн
480+305.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.93 грн
10+140.13 грн
50+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.16 грн
3+199.29 грн
10+168.16 грн
50+152.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA55N65B5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA55N65B5_Datasheet.pdf
IXYA55N65B5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.26 грн
10+381.96 грн
100+268.30 грн
500+238.65 грн
1000+204.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
11+38.08 грн
25+33.73 грн
100+31.27 грн
400+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.23 грн
10+47.46 грн
25+40.47 грн
100+37.53 грн
400+35.34 грн
800+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
11+38.00 грн
12+33.81 грн
50+31.27 грн
250+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.23 грн
7+47.36 грн
10+40.57 грн
50+37.53 грн
250+35.34 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
11+38.00 грн
12+33.81 грн
50+31.27 грн
250+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.23 грн
7+47.36 грн
10+40.57 грн
50+37.53 грн
250+35.34 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.93 грн
3+213.76 грн
10+188.43 грн
30+174.97 грн
120+165.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 274ns
Turn-on time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.92 грн
3+266.38 грн
10+226.11 грн
30+209.96 грн
120+198.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F73B7F2EC840E1&compId=LGEGW75N65FP.pdf?ci_sign=24299b571d17b2b0aaf072aeb1e60a71979dc684
LGEGW75N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.93 грн
3+213.76 грн
10+188.43 грн
30+174.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]