Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.29 грн
10+ 167.05 грн
100+ 135.14 грн
500+ 112.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65H5ATMA1 AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172 Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.29 грн
10+ 167.05 грн
100+ 135.14 грн
500+ 112.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.57 грн
10+ 210.01 грн
100+ 169.87 грн
500+ 141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.27 грн
2000+ 121.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.92 грн
2+ 593.01 грн
4+ 560.76 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1043.91 грн
2+ 738.98 грн
4+ 672.91 грн
150+ 646.52 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.78 грн
10+ 275.91 грн
100+ 223.16 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi FCB125N65S3_D-2311543.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.98 грн
10+ 304.28 грн
25+ 238.55 грн
100+ 213.92 грн
250+ 206.89 грн
500+ 195.63 грн
800+ 162.55 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.99 грн
1600+ 169.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0_D-2311582.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.36 грн
10+ 420.81 грн
25+ 311.03 грн
100+ 294.85 грн
250+ 284.29 грн
450+ 239.26 грн
900+ 212.52 грн
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+305.24 грн
10+ 246.73 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+205.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 60965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.23 грн
10+ 342.03 грн
100+ 276.7 грн
500+ 230.81 грн
1000+ 197.64 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3_D-2312043.pdf MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.05 грн
10+ 266.24 грн
100+ 200.55 грн
250+ 199.15 грн
500+ 189.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3_D-2311643.pdf MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.21 грн
10+ 272.72 грн
50+ 157.63 грн
100+ 137.22 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+170.75 грн
100+ 140.94 грн
250+ 137.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.77 грн
10+ 247.83 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.62 грн
50+ 239.55 грн
100+ 205.33 грн
500+ 171.28 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0_D-2311923.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.42 грн
10+ 280 грн
50+ 220.96 грн
100+ 196.33 грн
250+ 195.63 грн
500+ 167.48 грн
800+ 140.74 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3_D-2311887.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.37 грн
10+ 247.63 грн
50+ 201.26 грн
100+ 173.11 грн
250+ 165.37 грн
500+ 154.11 грн
800+ 123.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi fcpf125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.78 грн
50+ 260.48 грн
100+ 223.27 грн
500+ 186.25 грн
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild FCPF125N65S3_D-2312017.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.98 грн
10+ 304.28 грн
50+ 249.11 грн
100+ 213.22 грн
250+ 201.26 грн
500+ 190 грн
1000+ 153.41 грн
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.85 грн
2000+ 91.34 грн
5000+ 87.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 237946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.09 грн
10+ 168.3 грн
100+ 133.92 грн
500+ 106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.77 грн
10+ 186.13 грн
100+ 128.07 грн
250+ 118.22 грн
500+ 107.67 грн
1000+ 90.78 грн
2000+ 87.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.06 грн
50+ 145.87 грн
100+ 125.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild FDPF15N65_D-2312692.pdf MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.24 грн
10+ 201.5 грн
50+ 133.7 грн
100+ 115.41 грн
500+ 108.37 грн
1000+ 87.96 грн
3000+ 85.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74 Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.02 грн
10+ 109.66 грн
100+ 87.24 грн
500+ 69.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.8 грн
30+ 287.42 грн
120+ 246.35 грн
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.46 грн
10+ 87.23 грн
11+ 83.56 грн
29+ 79.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 Infineon Technologies infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKA15N65F5XKSA1 IKA15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.42 грн
50+ 127.37 грн
100+ 104.81 грн
500+ 83.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.81 грн
10+ 166.54 грн
100+ 132.55 грн
500+ 105.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf IGBTs Y
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.42 грн
10+ 602.08 грн
25+ 425.74 грн
100+ 382.11 грн
240+ 379.29 грн
480+ 343.4 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf IGBTs Y
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.42 грн
10+ 623.12 грн
25+ 491.18 грн
100+ 399 грн
240+ 358.88 грн
480+ 358.18 грн
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600 Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.71 грн
30+ 363.38 грн
120+ 325.12 грн
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4624d6fc3d5014df7.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.19 грн
30+ 440.52 грн
120+ 394.15 грн
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.94 грн
30+ 374.79 грн
120+ 335.34 грн
510+ 277.68 грн
1020+ 249.91 грн
2010+ 234.18 грн
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.57 грн
30+ 277.54 грн
120+ 257.18 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.19 грн
30+ 479.86 грн
120+ 429.35 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf IGBTs Y
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.74 грн
10+ 588.32 грн
25+ 453.18 грн
100+ 410.96 грн
240+ 397.59 грн
480+ 325.81 грн
1200+ 311.03 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf IGBTs Y
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+734.78 грн
10+ 705.67 грн
25+ 576.33 грн
50+ 558.73 грн
100+ 554.51 грн
240+ 516.51 грн
480+ 515.81 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH75N65EH7_DataSheet_v01_20_EN-3422000.pdf IGBTs Y
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.64 грн
10+ 450.75 грн
25+ 356.07 грн
100+ 326.51 грн
240+ 306.81 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.31 грн
10+ 409.39 грн
240+ 321.05 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EH5_DS_v02_01_EN-1731634.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.67 грн
10+ 625.55 грн
25+ 402.51 грн
100+ 352.55 грн
240+ 332.14 грн
480+ 311.03 грн
1200+ 279.37 грн
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65ES5_DataSheet_v02_02_EN-3362313.pdf IGBTs Y
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.33 грн
10+ 522.78 грн
25+ 353.26 грн
100+ 352.55 грн
240+ 324.4 грн
480+ 296.26 грн
1200+ 276.55 грн
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3422433.pdf IGBTs Y
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.9 грн
10+ 539.77 грн
25+ 425.74 грн
100+ 390.55 грн
240+ 367.33 грн
480+ 344.11 грн
1200+ 310.33 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf IGBTs Y
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.49 грн
10+ 618.27 грн
25+ 487.66 грн
100+ 447.55 грн
240+ 420.81 грн
480+ 355.37 грн
2640+ 338.48 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf IGBTs Y
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.7 грн
25+ 588.32 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikza75n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf SP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.37 грн
30+ 513.99 грн
IRFIB5N65APBF IRFIB5N65APBF Vishay Semiconductors sihfib5n.pdf MOSFETs TO220 650V 5.1A N-CH MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.45 грн
10+ 194.22 грн
25+ 144.96 грн
100+ 133.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.13 грн
7+ 123.15 грн
20+ 116.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.56 грн
3+ 194.57 грн
7+ 147.78 грн
20+ 139.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS media-3319727.pdf IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1137.05 грн
10+ 987.28 грн
30+ 772.66 грн
60+ 746.62 грн
120+ 721.99 грн
270+ 707.21 грн
510+ 672.03 грн
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+96.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.29 грн
10+ 167.05 грн
100+ 135.14 грн
500+ 112.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65H5ATMA1 Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172
AIGB15N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.29 грн
10+ 167.05 грн
100+ 135.14 грн
500+ 112.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.57 грн
10+ 210.01 грн
100+ 169.87 грн
500+ 141.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+134.27 грн
2000+ 121.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+869.92 грн
2+ 593.01 грн
4+ 560.76 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1043.91 грн
2+ 738.98 грн
4+ 672.91 грн
150+ 646.52 грн
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.78 грн
10+ 275.91 грн
100+ 223.16 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3_D-2311543.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.98 грн
10+ 304.28 грн
25+ 238.55 грн
100+ 213.92 грн
250+ 206.89 грн
500+ 195.63 грн
800+ 162.55 грн
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+205.99 грн
1600+ 169.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0_D-2311582.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+507.36 грн
10+ 420.81 грн
25+ 311.03 грн
100+ 294.85 грн
250+ 284.29 грн
450+ 239.26 грн
900+ 212.52 грн
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+305.24 грн
10+ 246.73 грн
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+205.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 60965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.23 грн
10+ 342.03 грн
100+ 276.7 грн
500+ 230.81 грн
1000+ 197.64 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3_D-2312043.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+307.05 грн
10+ 266.24 грн
100+ 200.55 грн
250+ 199.15 грн
500+ 189.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP125N65S3 FCP125N65S3_D-2311643.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.21 грн
10+ 272.72 грн
50+ 157.63 грн
100+ 137.22 грн
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+170.75 грн
100+ 140.94 грн
250+ 137.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+306.77 грн
10+ 247.83 грн
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.62 грн
50+ 239.55 грн
100+ 205.33 грн
500+ 171.28 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0_D-2311923.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+337.42 грн
10+ 280 грн
50+ 220.96 грн
100+ 196.33 грн
250+ 195.63 грн
500+ 167.48 грн
800+ 140.74 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3_D-2311887.pdf
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+296.37 грн
10+ 247.63 грн
50+ 201.26 грн
100+ 173.11 грн
250+ 165.37 грн
500+ 154.11 грн
800+ 123.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.78 грн
50+ 260.48 грн
100+ 223.27 грн
500+ 186.25 грн
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3_D-2312017.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.98 грн
10+ 304.28 грн
50+ 249.11 грн
100+ 213.22 грн
250+ 201.26 грн
500+ 190 грн
1000+ 153.41 грн
FCPF165N65S3L1-F154 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+99.85 грн
2000+ 91.34 грн
5000+ 87.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FCPF165N65S3L1-F154 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 237946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.09 грн
10+ 168.3 грн
100+ 133.92 грн
500+ 106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.77 грн
10+ 186.13 грн
100+ 128.07 грн
250+ 118.22 грн
500+ 107.67 грн
1000+ 90.78 грн
2000+ 87.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.06 грн
50+ 145.87 грн
100+ 125.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65_D-2312692.pdf
FDPF15N65
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.24 грн
10+ 201.5 грн
50+ 133.7 грн
100+ 115.41 грн
500+ 108.37 грн
1000+ 87.96 грн
3000+ 85.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB15N65S5ATMA1 Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.02 грн
10+ 109.66 грн
100+ 87.24 грн
500+ 69.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N65H5XKSA1 Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.8 грн
30+ 287.42 грн
120+ 246.35 грн
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+129.46 грн
10+ 87.23 грн
11+ 83.56 грн
29+ 79.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKA15N65ET6XKSA2 infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKA15N65F5XKSA1 DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b
IKA15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.42 грн
50+ 127.37 грн
100+ 104.81 грн
500+ 83.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.81 грн
10+ 166.54 грн
100+ 132.55 грн
500+ 105.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+658.42 грн
10+ 602.08 грн
25+ 425.74 грн
100+ 382.11 грн
240+ 379.29 грн
480+ 343.4 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf
IKFW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+736.42 грн
10+ 623.12 грн
25+ 491.18 грн
100+ 399 грн
240+ 358.88 грн
480+ 358.18 грн
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+472.71 грн
30+ 363.38 грн
120+ 325.12 грн
IKW75N65EH5XKSA1 infineon-ikw75n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4624d6fc3d5014df7.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+313.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+573.19 грн
30+ 440.52 грн
120+ 394.15 грн
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+487.94 грн
30+ 374.79 грн
120+ 335.34 грн
510+ 277.68 грн
1020+ 249.91 грн
2010+ 234.18 грн
IKW75N65ES5XKSA1 infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+266.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+361.57 грн
30+ 277.54 грн
120+ 257.18 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624.19 грн
30+ 479.86 грн
120+ 429.35 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+670.74 грн
10+ 588.32 грн
25+ 453.18 грн
100+ 410.96 грн
240+ 397.59 грн
480+ 325.81 грн
1200+ 311.03 грн
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+734.78 грн
10+ 705.67 грн
25+ 576.33 грн
50+ 558.73 грн
100+ 554.51 грн
240+ 516.51 грн
480+ 515.81 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon_IKWH75N65EH7_DataSheet_v01_20_EN-3422000.pdf
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+533.64 грн
10+ 450.75 грн
25+ 356.07 грн
100+ 326.51 грн
240+ 306.81 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+496.31 грн
10+ 409.39 грн
240+ 321.05 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EH5_DS_v02_01_EN-1731634.pdf
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+675.67 грн
10+ 625.55 грн
25+ 402.51 грн
100+ 352.55 грн
240+ 332.14 грн
480+ 311.03 грн
1200+ 279.37 грн
IKZ75N65ES5XKSA1 Infineon_IKZ75N65ES5_DataSheet_v02_02_EN-3362313.pdf
IKZ75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.33 грн
10+ 522.78 грн
25+ 353.26 грн
100+ 352.55 грн
240+ 324.4 грн
480+ 296.26 грн
1200+ 276.55 грн
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon_IKZA75N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3422433.pdf
IKZA75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+637.9 грн
10+ 539.77 грн
25+ 425.74 грн
100+ 390.55 грн
240+ 367.33 грн
480+ 344.11 грн
1200+ 310.33 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+731.49 грн
10+ 618.27 грн
25+ 487.66 грн
100+ 447.55 грн
240+ 420.81 грн
480+ 355.37 грн
2640+ 338.48 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Y
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+684.7 грн
25+ 588.32 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 infineon-ikza75n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+636.37 грн
30+ 513.99 грн
IRFIB5N65APBF sihfib5n.pdf
IRFIB5N65APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 650V 5.1A N-CH MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.45 грн
10+ 194.22 грн
25+ 144.96 грн
100+ 133.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.13 грн
7+ 123.15 грн
20+ 116.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.56 грн
3+ 194.57 грн
7+ 147.78 грн
20+ 139.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYH75N65C3H1 media-3319727.pdf
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1137.05 грн
10+ 987.28 грн
30+ 772.66 грн
60+ 746.62 грн
120+ 721.99 грн
270+ 707.21 грн
510+ 672.03 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]