Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128864) > Сторінка 2086 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4104TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+106.46 грн
50+80.88 грн
100+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN80R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.22 грн
46+9.00 грн
54+7.76 грн
100+7.26 грн
250+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DG FM24CL64B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Case: DFN8
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-GTR FM24CL64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24CL64B-GTR-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.09 грн
50+152.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR FM24CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 115.4W
Gate charge: 72nC
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.30 грн
10+150.20 грн
20+131.22 грн
50+110.59 грн
100+97.38 грн
200+87.48 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf2804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-GTR FM25V10-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 BSS131H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DirectFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6727mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6648pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7647s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 24A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TR AUIRF7739L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7739l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6775mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF7739L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBF IRF7739L2TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7739l2pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 2EDN8524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...20V
Output current: -5...5A
Type of integrated circuit: driver
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.33 грн
12+35.98 грн
25+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
 CYUSB3KIT-003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SuperSpeed_Explorer_Kit_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ef82cf70d57&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; expansion board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB 2.0; USB 3.0
Kind of module: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXI CY62128ELL-45SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Case: SO32
Mounting: SMD
Memory: 1Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45ZXI CY62128ELL-45ZXI INFINEON TECHNOLOGIES CY62128ELL-45ZXI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1804E6327HTSA1 BAT1804E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT18.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BA885E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAx95-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.19...0.45pF
Type of diode: switching
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
107+4.18 грн
109+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SC79
Capacitance: 0.6...1.4pF
Type of diode: switching
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
59+7.64 грн
142+2.92 грн
171+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N012.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.96 грн
10+250.06 грн
100+221.18 грн
500+198.07 грн
1000+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SX CY62128ELL-45SX INFINEON TECHNOLOGIES CY62128E.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXI CY62128EV30LL-45ZAXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.08 грн
4+136.17 грн
10+120.49 грн
50+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXI CY62128EV30LL-45SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 450mils
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC007N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 138W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TDSON-8 FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 320A
Technology: OptiMOS™ 6
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 311A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 193A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 311A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 171A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N INFINEON TECHNOLOGIES BSP75N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 69W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ084N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 63W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.09 грн
5+84.18 грн
10+81.70 грн
50+75.93 грн
100+72.62 грн
250+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
Technology: HITFET®
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.97 грн
10+121.32 грн
25+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.30 грн
10+165.88 грн
100+131.22 грн
250+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf
IPW60R120P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.64 грн
10+106.46 грн
50+80.88 грн
100+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1.pdf
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.22 грн
46+9.00 грн
54+7.76 грн
100+7.26 грн
250+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DG Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL64B-DG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Case: DFN8
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-GTR FM24CL64B-GTR-DTE.pdf
FM24CL64B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+183.09 грн
50+152.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL64B-DGTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 115.4W
Gate charge: 72nC
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.30 грн
10+150.20 грн
20+131.22 грн
50+110.59 грн
100+97.38 грн
200+87.48 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL auirf2804.pdf
AUIRF2804STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-GTR Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25V10-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 BSS131.pdf
BSS131H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DirectFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF irf6727mpbf.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR auirf7647s2.pdf
AUIRF7647S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 24A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR auirf7736m2.pdf
AUIRF7736M2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TR auirf7739l2.pdf
AUIRF7739L2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF irf6775mpbf.pdf
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF.pdf
IRF7739L1TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBF irf7739l2pbf.pdf
IRF7739L2TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...20V
Output current: -5...5A
Type of integrated circuit: driver
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.33 грн
12+35.98 грн
25+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3KIT-003 Infineon-SuperSpeed_Explorer_Kit_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ef82cf70d57&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; expansion board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB 2.0; USB 3.0
Kind of module: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXI Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
CY62128ELL-45SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Case: SO32
Mounting: SMD
Memory: 1Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45ZXI CY62128ELL-45ZXI.pdf
CY62128ELL-45ZXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1804E6327HTSA1 BAT18.pdf
BAT1804E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BAx95-DTE.pdf
BA885E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.19...0.45pF
Type of diode: switching
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+4.18 грн
109+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA89202VH6127XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SC79
Capacitance: 0.6...1.4pF
Type of diode: switching
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+7.64 грн
142+2.92 грн
171+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.96 грн
10+250.06 грн
100+221.18 грн
500+198.07 грн
1000+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SX CY62128E.pdf
CY62128ELL-45SX
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXI Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62128EV30LL-45ZAXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.08 грн
4+136.17 грн
10+120.49 грн
50+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXI Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62128EV30LL-45SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 450mils
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1.pdf
BSC007N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 138W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TDSON-8 FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
IAUC60N04S6N044ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 320A
Technology: OptiMOS™ 6
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
IAUC60N04S6L030HATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 311A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
IAUC60N04S6L045HATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 193A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9
IAUC60N04S6N031HATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 311A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
IAUC60N04S6N050HATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 171A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
IAUC100N04S6L025ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N.pdf
BSP75N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ086P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 69W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 63W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSG-DTE.pdf
BSZ088N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSG-DTE.pdf
BSZ088N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.09 грн
5+84.18 грн
10+81.70 грн
50+75.93 грн
100+72.62 грн
250+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
Technology: HITFET®
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.97 грн
10+121.32 грн
25+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.30 грн
10+165.88 грн
100+131.22 грн
250+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.