Продукція > IPI

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI020N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI020N06NAKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI023NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI023NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 5746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	169.85 грн

Мінімальне замовлення: 143

В кошику од. на суму грн.

IPI023NE7N3GAKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI023NE7N3GAKSA1 - IPI023NE7 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	199.51 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IPI023NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3 G E8174

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	128.05 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A I2PAK-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.74 грн
10+	151.47 грн
25+	109.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI028N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.15 грн
10+	148.90 грн
100+	103.44 грн
500+	85.58 грн
1000+	73.52 грн
2500+	69.95 грн
5000+	69.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

77+	158.61 грн
108+	113.88 грн
116+	105.74 грн
500+	90.20 грн
1000+	78.44 грн

Мінімальне замовлення: 77

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 237500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	80.37 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 1085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	127.09 грн

Мінімальне замовлення: 240

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	65.85 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	70.20 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.30 грн
10+	169.44 грн
25+	98.23 грн
100+	92.27 грн
500+	71.44 грн
1000+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	195.34 грн
10+	139.41 грн
100+	106.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	644.18 грн
10+	571.65 грн
100+	406.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3GXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3 G
Код товару: 110398

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.88 грн
10+	210.52 грн
100+	150.32 грн
500+	127.25 грн
1000+	107.16 грн
2500+	101.95 грн
5000+	97.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	105.45 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.88 грн
10+	210.52 грн
100+	150.32 грн
500+	119.06 грн
1000+	104.92 грн
2500+	102.69 грн
5000+	100.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3GAKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI032N06N3GE8214AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI034NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI034NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI034NE7N3G

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI034NE7N3G - IPI034NE7 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	105.18 грн

Мінімальне замовлення: 233

В кошику од. на суму грн.

IPI034NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

234+	107.57 грн

Мінімальне замовлення: 234

В кошику од. на суму грн.

IPI034NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI037N06L3GXK

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI037N08N3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI037N08N3 G E8174

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI037N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI037N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A I2PAK-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A I2PAK-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.67 грн
10+	150.61 грн
100+	91.53 грн
500+	72.85 грн
1000+	71.44 грн
2500+	70.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	47.92 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.98 грн
6+	70.54 грн
10+	62.79 грн
17+	54.26 грн
47+	51.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPI040N06N3GXKSA1

на замовлення 463 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	103.18 грн
4+	87.90 грн
10+	75.34 грн
17+	65.11 грн
47+	61.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFETs N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	407.17 грн
10+	327.76 грн
100+	230.68 грн
500+	205.38 грн
1000+	175.62 грн
2500+	165.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3G

Description: IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	486.49 грн
31+	406.62 грн
100+	327.31 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 28500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	249.19 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3GAKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	449.97 грн
10+	363.85 грн
100+	294.36 грн
500+	245.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	451.74 грн
10+	377.57 грн
100+	303.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.50 грн
10+	209.66 грн
25+	172.64 грн
100+	148.08 грн
250+	145.85 грн
500+	122.78 грн
1000+	111.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXK

Description: MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	275.08 грн
50+	245.64 грн
100+	200.41 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.05 грн
50+	147.88 грн
100+	134.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	279.81 грн
10+	249.85 грн
100+	203.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI04CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

562+	39.00 грн

Мінімальне замовлення: 562

В кошику од. на суму грн.

IPI04N03LA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI051N15N5AKSA1

150V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI051N15N5AKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.58 грн
10+	398.78 грн
25+	312.54 грн
100+	276.08 грн
250+	258.96 грн
500+	209.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI051N15N5AKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI052NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI052NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI052NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	59.29 грн

Мінімальне замовлення: 396

В кошику од. на суму грн.

IPI052NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI057N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI06N03LA

MOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI070N06NG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI072N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.87 грн
10+	239.61 грн
100+	170.41 грн
500+	145.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI072N10N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	119.94 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPI072N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI072N10N3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	77.28 грн

Мінімальне замовлення: 313

В кошику од. на суму грн.

IPI072N10N3GXK

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3 G

08+ PLUS26..

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3G

Infineon technologies

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 394000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	272.50 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	400.14 грн
10+	349.27 грн
100+	294.09 грн
500+	255.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	489.64 грн
10+	470.67 грн
25+	191.24 грн
500+	190.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	393.39 грн
36+	343.37 грн
100+	289.13 грн
500+	251.49 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	474.92 грн
50+	242.96 грн
100+	227.13 грн
500+	180.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	239.94 грн
57+	214.30 грн
100+	174.85 грн
500+	142.65 грн

Мінімальне замовлення: 51

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.49 грн
10+	195.49 грн
100+	158.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	244.07 грн
10+	217.98 грн
100+	177.85 грн
500+	145.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	133.91 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI076N15N5AKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.94 грн
50+	191.96 грн
100+	175.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	308.86 грн
10+	303.02 грн
100+	148.59 грн
500+	126.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	265.61 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI076N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

1+	438.42 грн
10+	399.64 грн
25+	298.40 грн
100+	255.24 грн
500+	226.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 1027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

487+	46.03 грн

Мінімальне замовлення: 487

В кошику од. на суму грн.

IPI084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI084N06L3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.83 грн
10+	106.11 грн
100+	75.90 грн
250+	75.16 грн
500+	63.85 грн
1000+	52.98 грн
2500+	51.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors

на замовлення 148 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	166.29 грн
18+	61.39 грн
49+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	64.26 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	113.05 грн
118+	103.40 грн
145+	84.21 грн
200+	75.90 грн

Мінімальне замовлення: 108

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.27 грн
10+	112.69 грн
100+	82.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.85 грн
50+	79.25 грн
100+	71.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI08CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S3-03

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

275+	77.14 грн

Мінімальне замовлення: 275

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S3-03

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S3-03M

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S303MATMA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S303MATMA2

OPTIMOS-T POWER-TRANSISTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S4-H2

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S4H2AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

397+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 397

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S4H2AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N04S4H2AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3-03

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3-04

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	113.60 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3L-03

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3L-03

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3L-04

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N06S3L04XK

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.79 грн
50+	70.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPI100N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI100N08S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N10S3-05

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI100N10S305AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N10S305AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N10S305AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

на замовлення 19500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	144.04 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

IPI100N12S305AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI100N12S305AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI100N12S305AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 29500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	167.22 грн

Мінімальне замовлення: 139

В кошику од. на суму грн.

IPI100P03P3L-04

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI110N20N3 G

MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	699.74 грн
10+	622.99 грн
100+	448.72 грн
500+	390.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI110N20N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI110N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI111N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI111N15N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	374.30 грн
50+	188.98 грн
100+	172.38 грн
500+	134.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI111N15N3GAKSA1

IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI111N15N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI111N15N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI111N15N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI11N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI11N60C3A

1 channel N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI11N60C3AAKSA2

Description: MOSFET N-CH I2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

на замовлення 21902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	266.44 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IPI11N60C3AAKSA2

Description: MOSFET N-CH I2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S3-02

MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S302AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S302AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V

на замовлення 50600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	231.37 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S302AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S4-01

MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.65 грн
10+	290.10 грн
25+	130.97 грн
100+	118.32 грн
500+	115.34 грн
1000+	91.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S4-01M

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S4-02

MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.39 грн
10+	259.29 грн
25+	116.09 грн
100+	104.92 грн
500+	84.83 грн
1000+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S401AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.81 грн
10+	208.28 грн
100+	147.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S401AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.21 грн
10+	108.06 грн
100+	78.03 грн
500+	71.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S402AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N04S402AKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S4-02

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S4-03

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S4-H1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S4-H1

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S402AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S402AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.57 грн
10+	242.18 грн
25+	198.68 грн
100+	170.41 грн
250+	160.73 грн
500+	151.06 грн
1000+	129.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S402AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S402AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	150.42 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S403AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S4H1AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S4H1AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N06S4H1AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N08S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N08S403AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N08S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N08S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N08S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N08S404AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI120N10S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N10S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N10S403AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI120N10S405AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N10S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120N10S405AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI120P04P404AKSA1

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120P04P4L-03

MOSFET P-Ch -40V -120A I2PAK-3 OptiMOS-P2

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI120P04P4L03AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI120P04P4L03AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI126N10N3 G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI126N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 58A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI126N10N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI126N10N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

456+	52.89 грн

Мінімальне замовлення: 456

В кошику од. на суму грн.

IPI126N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI12CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI12CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI139N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI147N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.94 грн
10+	175.43 грн
100+	122.04 грн
500+	100.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI147N12N3G

Description: IPI147N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

на замовлення 14603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	78.89 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

IPI147N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	75.21 грн

Мінімальне замовлення: 307

В кошику од. на суму грн.

IPI147N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI147N12N3GAKSA1

IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI147N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI14N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI14N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI16CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI16CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI180N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 43A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI180N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	93.49 грн
6+	75.19 грн
18+	52.71 грн
48+	50.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPI180N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI180N10N3GXKSA1

на замовлення 478 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	112.19 грн
5+	93.70 грн
18+	63.25 грн
48+	60.46 грн
1000+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI180N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N15N3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N25N3 G

MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI200N25N3GAKSA1

IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N25N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI200N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI22N03S4L-15

MOSFET N-Ch 30V 22A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI22N03S4L-15

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI22N03S4L-15

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI22N03S4L15AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

897+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 897

В кошику од. на суму грн.

IPI22N03S4L15AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI22N03S4L15AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI25N06S3-25

Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI25N06S3-25

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI25N06S3L-22

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI25N06S3L-22

Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI26CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI26CN10NG

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI26CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI320N203G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	142.77 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

IPI320N20N3 G

MOSFET N-Ch 200V 34A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.07 грн
10+	273.84 грн
100+	194.96 грн
500+	165.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI320N20N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI320N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI35CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S3-16

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S3-16

Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S3L-13

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S3L-13

Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4-09AKSA2

Description: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

на замовлення 97500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

359+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 359

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S409AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S409AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

799+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 799

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S409AKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S409AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 550500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

331+	69.72 грн

Мінімальне замовлення: 331

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S409AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.19 грн
10+	123.23 грн
100+	84.83 грн
250+	78.88 грн
500+	71.29 грн
1000+	61.47 грн
2500+	58.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S409AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S409AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L-08

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L-08

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA1

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA2

MOSFET MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA2

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

742+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 742

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA3

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA3

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 29287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

730+	30.36 грн

Мінімальне замовлення: 730

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA3

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45N06S4L08AKSA3

MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI45P03P4L-11

MOSFET P-Ch -30V -45A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI45P03P4L11AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI47N10S-33

MOSFET N-Ch 100V 33A I2PAK-3 SIPMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI47N10S33AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI47N10SL-26

MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI47N10SL26AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI47N10SL26AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50N10S3L-16

MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.17 грн
10+	177.14 грн
100+	122.78 грн
250+	113.85 грн
500+	103.44 грн
1000+	87.81 грн
2500+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI50N10S3L16AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50N10S3L16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	96.52 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

IPI50N10S3L16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50N12S3L15AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI50N12S3L15AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

360+	64.73 грн

Мінімальне замовлення: 360

В кошику од. на суму грн.

IPI50R140CP

MOSFET N-Ch 500V 23A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI50R140CP

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R140CPXKSA1

IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R140CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R140CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R140CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

на замовлення 20374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

144+	150.00 грн

Мінімальне замовлення: 144

В кошику од. на суму грн.

IPI50R199CP

MOSFET N-Ch 550V 17A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI50R199CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R250CP

MOSFET N-Ch 550V 13A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI50R250CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	89.35 грн

Мінімальне замовлення: 270

В кошику од. на суму грн.

IPI50R250CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	79.66 грн

Мінімальне замовлення: 270

В кошику од. на суму грн.

IPI50R250CPXKSA1

IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R250CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R250CPXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R299CP

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 9978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	68.32 грн

Мінімальне замовлення: 341

В кошику од. на суму грн.

IPI50R299CPXK

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R299CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI50R299CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.69 грн
10+	219.07 грн
100+	151.80 грн
500+	125.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI50R350CP

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R350CPXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI50R350CPXKSA1 - IPI50R350 - 10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANEL
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R350CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI50R350CPXKSA1

IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CP

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA1

IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA1

MOSFET N-Ch 560V 9A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA2

IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI50R399CPXKSA2

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI530N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.52 грн
10+	166.87 грн
100+	116.09 грн
500+	95.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI530N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI530N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.52 грн
10+	166.87 грн
100+	116.09 грн
500+	95.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI530N15N3GXKSA1

IPI530N15N3GXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI530N15N3GXKSA1

Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI600N25N3 G

MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI600N25N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI600N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CP
Код товару: 124116

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CP

Description: PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CP

MOSFETs N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.52 грн
10+	379.10 грн
25+	306.58 грн
100+	261.94 грн
500+	254.50 грн
1000+	249.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPA

MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	869.90 грн
10+	775.32 грн
100+	558.10 грн
500+	522.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	386.08 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	656.17 грн
22+	558.72 грн
100+	462.42 грн
500+	390.14 грн
1000+	324.63 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	346.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPXKSA1

IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	609.30 грн
10+	518.82 грн
100+	429.39 грн
500+	362.27 грн
1000+	301.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI60R099CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	606.13 грн
10+	500.74 грн
100+	417.31 грн
500+	345.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R125CP

MOSFETs N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R125CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.31 грн
50+	207.20 грн
100+	189.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI60R125CPXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R125CPXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R165CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R165CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R165CPAKSA1

IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R165CPXKSA1

MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R165CPXKSA1

CoolMOS Power Transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R165CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.55 грн
10+	244.56 грн
100+	174.53 грн
500+	135.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI60R190C6

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.14 грн
10+	173.72 грн
25+	102.69 грн
100+	92.27 грн
500+	85.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI60R190C6

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.56 грн
10+	90.92 грн
50+	84.34 грн
100+	80.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R190C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.51 грн
50+	102.99 грн
100+	93.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI60R190C6XKSA1

IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	346.60 грн
6+	196.27 грн
16+	186.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CP

MOSFET N-Ch 650V 16A I2PAK-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CP
Код товару: 132999

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CPXKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 16A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CPXKSA2

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.44 грн
10+	242.23 грн
100+	195.93 грн
500+	163.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CPXKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R199CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R250CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	123.63 грн

Мінімальне замовлення: 176

В кошику од. на суму грн.

IPI60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R250CPAKSA1

IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R250CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R250CPAKSA1

MOSFET N-Ch 650V 12A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	110.46 грн

Мінімальне замовлення: 202

В кошику од. на суму грн.

IPI60R280C6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI60R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 2121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	103.95 грн

Мінімальне замовлення: 214

В кошику од. на суму грн.

IPI60R280C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R280C6XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	96.59 грн

Мінімальне замовлення: 251

В кошику од. на суму грн.

IPI60R299CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	96.63 грн

Мінімальне замовлення: 231

В кошику од. на суму грн.

IPI60R299CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R299CPXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R380C6

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R380C6

MOSFET N-Ch 650V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R380C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R380C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R380C6XKSA1

IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R385CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

на замовлення 78346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	82.91 грн

Мінімальне замовлення: 293

В кошику од. на суму грн.

IPI60R385CP

MOSFET N-Ch 650V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.55 грн
10+	178.00 грн
100+	124.27 грн
500+	101.20 грн
1000+	84.09 грн
2500+	78.13 грн
5000+	75.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI60R385CP (6R385P) Транзистор
Код товару: 192857

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R385CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R385CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R385CPXKSA1

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	79.55 грн

Мінімальне замовлення: 293

В кошику од. на суму грн.

IPI60R520CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R600CP

MOSFET N-Ch 600V 6.1A I2PAK-3 CoolMOS CP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R600CP

Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI60R600CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R099C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R099C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R099C6XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R099C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R099C6XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 38A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R099C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R110CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	204.46 грн

Мінімальне замовлення: 119

В кошику од. на суму грн.

IPI65R110CFD

MOSFET N-Ch 700V 31.2A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI65R110CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R110CFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277.8W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R110CFDXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R150CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

на замовлення 17139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	121.40 грн

Мінімальне замовлення: 189

В кошику од. на суму грн.

IPI65R150CFDXKSA1

MOSFET N-Ch 700V 72A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R150CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R150CFDXKSA1

IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R150CFDXKSA1

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	122.52 грн

Мінімальне замовлення: 189

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190C

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	148.92 грн

Мінімальне замовлення: 163

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190C6

MOSFETs N-Ch 700V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190C6XKSA1

IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.90 грн
10+	291.81 грн
100+	208.36 грн
500+	176.36 грн
1000+	167.43 грн
3000+	162.97 грн
5000+	157.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFDXKSA1

IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFDXKSA1
Код товару: 156343

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFDXKSA2

650V Power Transistor

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R190CFDXKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

260+	86.00 грн

Мінімальне замовлення: 260

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280C6XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

260+	88.26 грн

Мінімальне замовлення: 260

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280E6XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280E6XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R280E6XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R310CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 10696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

336+	71.64 грн

Мінімальне замовлення: 336

В кошику од. на суму грн.

IPI65R310CFD

MOSFET N-Ch 650V 11.4A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R310CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

336+	69.10 грн

Мінімальне замовлення: 336

В кошику од. на суму грн.

IPI65R310CFDXKSA1

IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R310CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R310CFDXKSA1700

Description: IPI65R310 - 650V AND 700V COOLMO

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

336+	72.31 грн

Мінімальне замовлення: 336

В кошику од. на суму грн.

IPI65R380C6

MOSFETs N-Ch 700V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.73 грн
10+	111.25 грн
100+	87.81 грн
250+	77.39 грн
500+	70.10 грн
1000+	60.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI65R380C6XKSA1

IPI65R380C6XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R380C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R380C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.70 грн
50+	84.57 грн
100+	76.07 грн
500+	57.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI65R420CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 10945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

395+	59.98 грн

Мінімальне замовлення: 395

В кошику од. на суму грн.

IPI65R420CFD

MOSFET N-Ch 650V 8.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI65R420CFDXKSA1

IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R420CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R600C6

MOSFET N-Ch 700V 7.3A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R600C6XKSA1

IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R600C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R660CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 10483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

424+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 424

В кошику од. на суму грн.

IPI65R660CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI65R660CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N04S3-07

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N04S3-07

MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N04S307AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N04S4-06

MOSFETs N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.46 грн
10+	101.84 грн
100+	69.95 грн
500+	58.49 грн
1000+	51.79 грн
2500+	50.45 грн
5000+	49.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI70N04S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N04S406AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N04S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

414+	55.16 грн

Мінімальне замовлення: 414

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S3-12

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S312AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S312AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S3L-12

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S3L-12

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S3L12AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	48.88 грн

Мінімальне замовлення: 452

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10SL-16

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 SIPMOS

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10SL16AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10SL16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N10SL16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	110.68 грн

Мінімальне замовлення: 192

В кошику од. на суму грн.

IPI70N12S311AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70N12S311AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	72.14 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

IPI70N12S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	72.14 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

IPI70N12S3L12AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70P04P4-09

MOSFET P-Ch -40V -70A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70P04P409AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70P04P409AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 72A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI70R950CEXKSA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.18 грн
10+	92.42 грн
100+	62.28 грн
500+	51.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPI70R950CEXKSA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI77N06S3-09

Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L-03

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L-03

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L-03

MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.25 грн
10+	126.65 грн
100+	90.78 грн
500+	70.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L-04

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L-04

MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	60.95 грн
11+	59.75 грн
25+	57.69 грн
50+	54.46 грн
100+	48.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	64.35 грн
197+	62.13 грн
201+	60.82 грн
207+	56.88 грн

Мінімальне замовлення: 190

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L03AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N03S4L04AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	81.52 грн

Мінімальне замовлення: 296

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2-H4

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S204AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S204AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	79.45 грн

Мінімальне замовлення: 296

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2H4AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2H4AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2H4AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2H4AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2H4AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	81.67 грн

Мінімальне замовлення: 273

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S2H4AKSA2

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-03

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	92.19 грн

Мінімальне замовлення: 248

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-04

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-06

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

670+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 670

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-06

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3-H4

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 172000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	89.10 грн

Мінімальне замовлення: 251

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S304AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S306AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S306AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3H4AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S3H4AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4-03

MOSFETs N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4-03

Description: IPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

350+	86.13 грн

Мінімальне замовлення: 350

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.24 грн
10+	143.77 грн
100+	99.71 грн
250+	92.27 грн
500+	84.09 грн
1000+	71.29 грн
2500+	68.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.55 грн
50+	73.00 грн
100+	65.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S403AKSA1

Description: INFINEON - IPI80N04S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.43 грн
10+	116.87 грн
100+	90.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S403BAKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 285682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	83.16 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4L-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4L-04

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 650

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4L04AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N04S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2-07

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2-08

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	60.88 грн

Мінімальне замовлення: 365

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S207AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	129.19 грн

Мінімальне замовлення: 173

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S207AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S207AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S207AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S208AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S208AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S208AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S208AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S208AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L05AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L05AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	141.82 грн

Мінімальне замовлення: 157

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L05AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L11AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L11AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L11AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V

на замовлення 40500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	71.28 грн

Мінімальне замовлення: 314

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L11AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S2L11AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S3-05

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S3-07

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7768 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S3L-05

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13060 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S3L-06

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S3L-08

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6475 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S3L06XK

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4-05

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4-07

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4-07

Infineon

на замовлення 156500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S405AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S405AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	80.19 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S405AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S405AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S405AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.71 грн
10+	147.19 грн
100+	101.95 грн
250+	93.76 грн
500+	84.83 грн
1000+	73.37 грн
2500+	69.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.26 грн
50+	86.06 грн
100+	79.71 грн
500+	60.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA2

Infineon

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 IPI80N06S407AKSA2 TIPI80N06S4-07
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	51.44 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.45 грн
9+	110.07 грн
23+	103.87 грн
50+	103.09 грн
250+	99.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA2

на замовлення 398 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	185.32 грн
3+	161.31 грн
9+	132.08 грн
23+	124.64 грн
50+	123.71 грн
250+	119.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA2

MOSFETs MOSFET

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.35 грн
10+	118.95 грн
100+	74.26 грн
500+	59.75 грн
1000+	55.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S407AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L-05

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L-05

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L-07

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	62.37 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L05AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L07AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L07AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L07AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L07AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.76 грн
10+	154.04 грн
100+	107.16 грн
500+	89.30 грн
1000+	72.78 грн
2500+	70.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L07AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N06S4L07AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

347+	64.60 грн

Мінімальне замовлення: 347

В кошику од. на суму грн.

IPI80N07S4-05

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N07S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N07S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	97.27 грн

Мінімальне замовлення: 229

В кошику од. на суму грн.

IPI80N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N08S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N08S406AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N08S406AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80N08S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	210.19 грн

Мінімальне замовлення: 101

В кошику од. на суму грн.

IPI80N08S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4-05

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4-05

P2 Power-Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4-05AKSA1

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

378+	63.59 грн

Мінімальне замовлення: 378

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P405AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P405AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L-04

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L-04

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L-07

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L-07

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L04AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L04AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L07AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P03P4L07AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4-05

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4-07

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P405AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P407AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L-04

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L-06

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L-08

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L04AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L04AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L06AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L06AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L08AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI80P04P4L08AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N04S4-02

MOSFET N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.14 грн
10+	211.37 грн
25+	159.99 грн
100+	136.92 грн
250+	135.43 грн
500+	119.06 грн
1000+	97.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI90N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPI90N04S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.24 грн
50+	112.75 грн
100+	101.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI90N04S402BSAKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N04S402BSAKSA1

Customer specific part: IPI90N04S4-02 for Brose

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N04S402TATMA1

Description: MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4-04

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S404AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S404AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	113.23 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4L-04

MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4L04AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4L04AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4L04AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 46914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	96.25 грн

Мінімальне замовлення: 221

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4L04AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90N06S4L04AKSA2

Rochester Electronics, LLC

MOSFET MOSFET

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.45 грн
10+	231.05 грн
100+	164.45 грн
500+	137.67 грн
1000+	128.74 грн
2500+	122.04 грн
5000+	121.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K0C3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K0C3

MOSFET N-Ch 900V 5.7A I2PAK-3 CoolMOS C3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K0C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3

MOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3

на замовлення 847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3
Код товару: 101850

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3XKSA2

Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.11 грн
10+	145.25 грн
100+	116.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	67.45 грн

Мінімальне замовлення: 341

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3XKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R1K2C3XKSA2

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3

MOSFET N-Ch 900V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3XKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3XKSA2

Power Mosfet

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3XKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3XKSA2

Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R340C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.77 грн
10+	337.34 грн
100+	272.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IPI90R500C3

MOSFET N-Ch 900V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI90R500C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R500C3XKSA2

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	112.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPI90R500C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.25 грн
10+	216.27 грн
100+	175.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPI90R800C3

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R800C3

Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R800C3

MOSFET N-Ch 900V 6.9A I2PAK-3 CoolMOS C3

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPI90R800C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R800C3XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 386 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	57.96 грн
10+	53.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPI90R800C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPI90R800C3XKSA1