Продукція > TK2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK2-12-AGTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: TK2-12-AG=SNAP TRACK
Packaging: Bag
Slotted/Unslotted: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-17Trompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Terminators Tool Kit BNC 734 & 735 CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-17Cinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: TOOL KIT BNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-24-AGTE Connectivity / BuchananTerminal Block Tools & Accessories TK2-24-AG=SNAP TRACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories TK2-48-AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3279.53 грн
25+3141.16 грн
45+3016.98 грн
210+2792.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: DIN RAIL 78MMX17MM SLOT 48" PVC
Packaging: Bulk
Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Length: 48.000" (1219.20mm)
Type: C Section
Slotted/Unslotted: Slotted
Size: 3.100" W x 0.700" H (78.74mm x 17.78mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+826.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 10732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1919.29 грн
17+1886.35 грн
33+1853.40 грн
65+1754.63 грн
360+1476.82 грн
500+1200.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6TE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6-AGTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: TK2-6-AG=SNAP TRACK
Packaging: Bulk
Length: 6.000" (152.40mm)
Type: C Section
Slotted/Unslotted: Slotted
Size: 3.098" W x 0.701" H (78.70mm x 17.80mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6-AGTE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Straight
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6-AGTE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Straight
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+257.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TK200ABBStandard Toolkit for Cable to Cable Joints - Includes Flint Gun, Cable Cleaning Brush, Mol d Cleaning Brush and Scraper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2005800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2005800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 20P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 20
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1LToshibaMOSFET 30V N-ch single Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LQ(OToshibaTK200F04N1L,LQ(O
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+164.73 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+337.68 грн
10+215.28 грн
100+152.42 грн
500+132.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshibaMOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.78 грн
10+219.08 грн
100+144.88 грн
500+135.27 грн
1000+114.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ(OToshibaTK200F04N1L,LXGQ(O
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+210.96 грн
63+202.93 грн
100+196.04 грн
250+183.31 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1LLQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1LLQ(O-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK201-00100AptivKUM TK201-00100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20103M (TC)Description: KID'S IMAGINATION TAPE KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2019TRIPATH
на замовлення 583 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2019195PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK201JHT1006P
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK202412PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20254127PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2050TRIPATH
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK205013TR
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2051
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2070TRIPATH
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK209548PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A20D,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+101.37 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 250V 45W 2550pF 0.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(J)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+75.81 грн
175+72.42 грн
250+69.52 грн
500+64.61 грн
1000+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(J)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+75.81 грн
175+72.42 грн
250+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.66 грн
10+176.89 грн
100+126.61 грн
500+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25DS5X(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60T
на замовлення 21450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60T(Q)ToshibaMOSFET TO-220SIS,PRE-ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60T(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60T,S5TLTQ(JToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60UToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(LBS1SP,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q)ToshibaMOSFET HVMOS SIS DT,PRE-ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M) /Toshiba
Код товару: 113916
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(S4LIT,Q,MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,M)ToshibaTRANSISTOR (SILICON)
на замовлення 48800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+151.00 грн
500+142.55 грн
1000+135.16 грн
10000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 128950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+151.00 грн
500+142.55 грн
1000+135.16 грн
10000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(TK20A60T)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U,S5COSEQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U,S5PP1X(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX
Код товару: 196175
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.46 грн
50+140.84 грн
100+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.16 грн
10+185.94 грн
100+121.67 грн
500+100.05 грн
1000+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX
Код товару: 143775
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.64 грн
3+200.94 грн
10+177.60 грн
50+160.09 грн
250+150.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+232.31 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+175.44 грн
76+168.76 грн
100+163.03 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+288.77 грн
3+250.40 грн
10+213.11 грн
50+192.10 грн
250+181.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VXToshibaMOSFETs MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.58 грн
10+166.61 грн
100+131.27 грн
500+108.06 грн
1000+104.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.78 грн
10+181.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60WS5VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60WS5VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20C60W,S1VQ(SToshibaTK20C60W,S1VQ(S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20D60T
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20D60U
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20D60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20D60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220(W)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60UToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 600V 190W 1470pF 0.19
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60U,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.49 грн
10+289.03 грн
100+228.92 грн
500+215.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.70 грн
50+271.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.02 грн
10+199.34 грн
100+162.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+147.69 грн
90+142.06 грн
100+137.24 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+197.67 грн
101+125.87 грн
124+102.22 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshibaMOSFETs TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+408.55 грн
10+400.47 грн
100+245.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5S1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.33 грн
10+181.35 грн
100+126.61 грн
500+96.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+290.03 грн
10+189.46 грн
100+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60WRVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60WRVQ(S-XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20H50CToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20H50C
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20H50C (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D
Код товару: 154071
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)ToshibaMOSFETs PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.56 грн
10+195.14 грн
100+124.87 грн
500+110.46 грн
1000+95.25 грн
2500+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+261.03 грн
100+127.56 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(STA1,E,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(STA1,E,S)ToshibaSilicon N Channel MOS Type pai MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J50D(STA1ES)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60T
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(COSEL,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(F)
Код товару: 108644
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(PED,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1PED1,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1SHRP,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VEToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.06 грн
25+280.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VEToshibaMOSFETs TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.03 грн
10+343.34 грн
100+248.93 грн
500+224.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W5,S1VQ(O)ToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W5,S1VQ(O)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.51 грн
30+331.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VFToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.07 грн
10+370.96 грн
120+271.35 грн
510+256.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+632.13 грн
10+614.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VFToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.23 грн
10+248.53 грн
120+179.30 грн
510+156.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.86 грн
10+432.80 грн
100+299.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P04M1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P04M1,RQ(SToshibaMOSFETs N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P04M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P04M1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P100RJEOhmiteRes Thick Film 100 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+227.07 грн
57+222.34 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P100RJEOhmiteDescription: RES 100 OHM 20W 5% TO220
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+386.38 грн
200+357.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P100RJEOhmiteRes Thick Film 100 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+234.84 грн
216+224.71 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10K0JEOhmiteDescription: RES 10K OHM 20W 5% TO220
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+216.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10K0JEOhmiteRes Thick Film 10K Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+259.34 грн
135+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10R0JEOhmiteDescription: RES 10 OHM 20W 5% TO220
Packaging: Bulk
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+312.66 грн
150+288.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10R0JEOhmiteRes Thick Film 10 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+227.07 грн
57+222.34 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P10R0JEOhmiteRes Thick Film 10 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+381.83 грн
92+364.09 грн
367+347.20 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P1K00JEOhmiteDescription: RES 1K OHM 5% 20W TO220
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Resistance: 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P1R00JEOhmiteDescription: RES 1 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P1R00JEOhmiteRes Thick Film 1 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1324.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P300RJEOhmiteDescription: RES 300 OHM 5% 20W TO220
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Resistance: 300 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P300RJEOhmiteRes Thick Film 300 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+511.92 грн
100+489.96 грн
397+470.53 грн
993+434.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P30R0JEOhmiteRes Thick Film 30 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+259.34 грн
135+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P3K00JEOhmiteDescription: RES 3K OHM 5% 20W TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P3R00JEOhmiteRes Thick Film 3 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P3R00JEOhmiteDescription: RES 3 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P40R0JEOhmiteDescription: RES 40 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P40R0JEOhmiteRes Thick Film 40 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+259.34 грн
135+247.51 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P4R00JEOhmiteRes Thick Film 4 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+541.49 грн
65+516.15 грн
259+492.50 грн
646+454.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P50R0JEOhmiteRes Thick Film 50 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+425.18 грн
100+370.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P5R00JEOhmiteDescription: RES 5 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P5R00JEOhmiteRes Thick Film 5 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+282.15 грн
124+268.63 грн
496+257.65 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P75R0JEOhmiteRes Thick Film 75 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+284.68 грн
124+271.17 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P75R0JEOhmiteDescription: RES 75 OHM 5% 20W TO220
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Resistance: 75 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20P7K50JEOhmiteDescription: RES 7.5K OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR030JEOhmiteRes Thick Film 0.03 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+799.48 грн
50+473.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR030JEOhmiteRes Thick Film 0.03 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+407.17 грн
86+386.90 грн
344+370.85 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR030JEOhmiteDescription: RES 0.03 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR040JEOhmiteDescription: RES 0.04 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR050JEOhmiteDescription: RES 0.05 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR050JEOhmiteRes Thick Film 0.05 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+227.07 грн
57+222.34 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR050JEOhmiteRes Thick Film 0.05 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+437.59 грн
80+417.31 грн
320+398.73 грн
799+367.38 грн
2397+325.84 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR075JEOhmiteRes Thick Film 0.075 Ohm 5% 20W ±300ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+282.15 грн
124+268.63 грн
496+257.65 грн
1238+237.86 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR100JEOhmiteRes Thick Film 0.1 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+223.02 грн
158+211.19 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR300JEOhmiteRes Thick Film 0.3 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+347.97 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR300JEOhmiteDescription: RES 0.3 OHM 20W 5% TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR400JEOhmiteRes Thick Film 0.4 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+259.34 грн
135+247.51 грн
538+236.53 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR500JEOhmiteDescription: RES 0.5 OHM 5% 20W TO220
Packaging: Tube
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense
Package / Case: TO-220-2
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.394" L x 0.181" W (10.00mm x 4.60mm)
Composition: Thick Film
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: TO-220
Height - Seated (Max): 0.701" (17.80mm)
Part Status: Obsolete
Resistance: 500 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20PR500JEOhmiteRes Thick Film 0.5 Ohm 5% 20W ±200ppm/°C Molded TO-220 RDL
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+230.62 грн
152+219.64 грн
607+210.35 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 20A 60V 38W 780pF 0.029
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+185.85 грн
90+141.92 грн
103+123.33 грн
500+113.23 грн
1000+95.79 грн
2000+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.46 грн
500+124.23 грн
1000+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 20A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+289.13 грн
10+174.20 грн
100+145.46 грн
500+124.23 грн
1000+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+317.77 грн
10+201.02 грн
100+141.47 грн
500+108.89 грн
1000+101.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.64 грн
10+249.45 грн
100+157.68 грн
500+145.68 грн
1000+131.27 грн
2500+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+272.07 грн
10+209.21 грн
100+151.75 грн
500+130.07 грн
1000+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+163.80 грн
5000+162.73 грн
10000+161.55 грн
20000+154.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.75 грн
500+130.07 грн
1000+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+128.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+156.83 грн
5000+155.80 грн
10000+154.67 грн
20000+148.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5LVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60WLVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2105800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 21P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 21
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2105800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK21058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQToshibaMOSFETs MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.47 грн
10+201.59 грн
50+170.49 грн
100+128.07 грн
500+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.85 грн
10+235.46 грн
100+167.66 грн
500+148.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 15A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+161.95 грн
82+155.77 грн
100+150.49 грн
250+140.71 грн
500+126.74 грн
1000+118.70 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.09 грн
10+209.21 грн
100+171.50 грн
500+139.24 грн
1000+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 15A 5-Pin DFN EP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+204.43 грн
88+144.45 грн
105+121.65 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.50 грн
500+139.24 грн
1000+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK2127Sargent ToolsCrimpers D-SUBMINIATURE KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK212SC-25CPABB Power Electronics Inc.Description: SG TK212SC25CP 3/4 COUPLING COMP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8996.16 грн
10+7982.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2150Sargent ToolsCrimpers / Crimping Tools COAX KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2150/CLilliput Electronics (USA) Inc.Description: 21.50"(546.10MM) NON-TOUCH MONI
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 21.50" (546.10mm)
Touchscreen: Non-Touch
Part Status: Active
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31502.15 грн
5+30052.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2150/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: 21.50"(546.10MM) CAPACITIVE MONI
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 21.50" (546.10mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41049.00 грн
5+38821.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2151Sargent ToolsCrimpers / Crimping Tools COAX KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2165Sargent ToolsCrimpers / Crimping Tools COAX KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22.7TEKOTK22.7 Multipurpose Enclosures
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1743.93 грн
2+1648.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22.9TEKOTK22.9 Multipurpose Enclosures
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1766.95 грн
2+1670.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22.9OKW Enclosures Inc.TK22.9
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2135.48 грн
10+2070.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK22.9TekoDescription: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm
Features: PCB Supports
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm)
Material: Plastic, ABS
Thickness: 0.156" (3.96mm)
Height: 2.186" (55.52mm)
Design: Cover Included
Container Type: Box
Area (L x W): 39.0in² (252cm²)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2000.11 грн
10+1733.68 грн
100+1540.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2200InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2201InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2201 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2201
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2202InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 22P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 22
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2212InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2212 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2212
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2217InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2217 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2217
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK221SC-1ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories 1/2 COUPLING,SSCREW,EMT,DC,EA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK221SC-5ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories 1/2 COUPLING,SSCREW,EMT,DC,5/BG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK222SC-1ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories 3/4 COUPLING,SSCREW,EMT,DC,EA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK223TASKERTAS-TK223 Audio - Video Cables
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1193.64 грн
3+1128.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223-10.0K-0.1%-10ppmCaddockThick Film Resistors - Through Hole 10K ohm 0.1% 10ppm Precision Radial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK223-SC-1ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories 1 COUPLING,SSCREW,EMT,DC,EA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.84 грн
5+979.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1426.61 грн
5+1220.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.84 грн
5+979.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1426.61 грн
5+1220.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.84 грн
5+979.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1426.61 грн
5+1220.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1426.61 грн
5+1220.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.84 грн
5+979.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.84 грн
5+979.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK223PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; XLR female 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Version: mono
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1426.61 грн
5+1220.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK224-SC-1ABB Power Electronics Inc.Description: TK224-SC-1
Packaging: Bulk
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+845.07 грн
80+749.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK225-SC-1ABB Power Electronics Inc.Description: TK225-SC-1
Packaging: Bulk
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1045.08 грн
72+927.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.36 грн
10+85.51 грн
100+68.84 грн
500+52.27 грн
1000+45.38 грн
2500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A10N1S4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A60V,VX(MToshibaTK22A60V,VX(M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.79 грн
50+181.71 грн
100+165.49 грн
500+128.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X5,S5XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22A65X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+420.22 грн
10+219.09 грн
100+198.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X5,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65X5S5X(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22A65XS5X(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22C60V,S1VQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.09 грн
10+87.91 грн
100+72.28 грн
500+50.43 грн
1000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.48 грн
10+95.18 грн
100+90.69 грн
500+58.61 грн
1000+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X(STOSHIBATK22E10N1 THT N channel transistors
на замовлення 424 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+90.51 грн
22+55.03 грн
60+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK22G60V,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22G60V,RVQ(SToshibaMOSFETs DTMOSIII D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22G60VRQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22G60VRVQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22J60V,VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.13 грн
500+183.43 грн
1000+166.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK22V65X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK22V65X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.14 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.94 грн
10+263.99 грн
100+201.13 грн
500+183.43 грн
1000+166.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2300InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK2300 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK2300
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 23P SIDE ENTRY 5MM PCB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK23058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK230G2L2AKINGBRIGHT
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK231G2L2AKINGBRIGHT
на замовлення 40010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK231G2L2AKINGBRIG
на замовлення 84200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK23233M (TC)Description: MRO TAPE KIT - PREMIUM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK232G2AKINGBRIG
на замовлення 46200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK232G2L2AKINGBRIG
на замовлення 44200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK232G2L2AKINGBRIGHT
на замовлення 76010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK233TASKERTAS-TK233 Audio - Video Cables
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1318.71 грн
3+1246.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-1.00K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 1K ohm ,0.1% 10ppm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1689.30 грн
10+1178.23 грн
25+889.28 грн
50+821.24 грн
100+761.21 грн
250+695.57 грн
500+655.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-1.00K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 1K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-1.00M-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 1M ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-1.00M-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 1M OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 1 mOhms
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2732.62 грн
10+1895.51 грн
25+1696.61 грн
50+1475.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-10.0K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 10K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 10 kOhms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.10 грн
10+981.61 грн
25+870.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-10.0K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 10K ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-100K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 100K ohm ,0.1% 10ppm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1745.33 грн
10+1222.41 грн
25+1062.17 грн
50+951.71 грн
100+887.68 грн
250+838.85 грн
500+790.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-100K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 100K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 100 kOhms
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1865.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-2.00K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 2K ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-2.00K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 2K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-20.0K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 20K ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-20.0K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 20K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 20 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-200K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 200K ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-200K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 200K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 200 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-5.00K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 5K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 5 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-5.00K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 5K ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-50.0K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 50K ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-50.0K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 50K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 50 kOhms
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1387.09 грн
10+940.92 грн
25+834.28 грн
50+720.31 грн
100+667.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-500K-0.1%-10PPMCaddockThick Film Resistors - Through Hole 500K ohm ,0.1% 10ppm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK233-500K-0.1%-10PPMCaddock Electronics Inc.Description: RES 500K OHM 0.1% 0.3W RADIAL
Packaging: Bulk
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±0.1%
Features: Moisture Resistant, Non-Inductive
Package / Case: Radial
Temperature Coefficient: ±10ppm/°C
Size / Dimension: 0.290" L x 0.095" W (7.37mm x 2.41mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Terminations: 2
Height - Seated (Max): 0.300" (7.63mm)
Resistance: 500 kOhms
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2228.69 грн
10+1535.41 грн
25+1370.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1-1-703-505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.88 грн
10+580.83 грн
50+407.42 грн
100+345.79 грн
200+336.18 грн
500+282.55 грн
1000+252.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-1-1553-1355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-1-1603-1405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.54 грн
5+533.89 грн
10+430.63 грн
25+391.41 грн
50+377.80 грн
100+320.97 грн
500+294.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-1-1653-1455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-1-1703-1505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-1-1753-1555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 175C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-2-1553-1355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-2-1603-1405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-2-1653-1455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-2-1703-1505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1C-2-1753-1555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 175C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1003-805-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 100C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1053-855-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1103-905-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1153-955-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 115C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1203-1005-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1253-1055-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1303-1105-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.24 грн
5+477.74 грн
10+385.81 грн
25+350.59 грн
50+338.58 грн
100+287.35 грн
500+259.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1353-1155-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 135C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1403-1205-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 140C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1453-1255-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 145C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-1503-1305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-403-205-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-453-255-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-503-305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 50C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-553-355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-603-405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-653-455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-753-555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-803-605-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-853-655-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-903-705-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-1-953-755-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1003-805-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 100C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1053-855-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1103-905-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1153-955-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 115C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1203-1005-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1253-1055-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1303-1105-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1403-1205-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 140C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1453-1255-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 145C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-1503-1305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-403-205-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-503-305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 50C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-553-355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-603-405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-653-455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-703-505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-803-605-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.99 грн
5+504.43 грн
10+407.42 грн
25+370.60 грн
50+357.79 грн
100+303.36 грн
500+273.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-853-655-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-903-705-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T01-MG01-B1P-2-953-755-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-1-1553-1355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-1-1603-1405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-1-1653-1455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-1-1703-1505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-1-1753-1555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 175C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-2-1553-1355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-2-1603-1405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-2-1653-1455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-2-1703-1505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1C-2-1753-1555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 175C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1003-805-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 100C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1053-855-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1103-905-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1153-955-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 115C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1253-1055-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1303-1105-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1353-1155-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 135C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1403-1205-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 140C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1453-1255-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 145C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-1503-1305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-153-55-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 15C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-353-155-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 35C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-403-205-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-503-305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 50C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-553-355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-653-455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.88 грн
10+580.83 грн
50+407.42 грн
100+345.79 грн
200+336.18 грн
500+282.55 грн
1000+252.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-703-505-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.99 грн
5+504.43 грн
10+407.42 грн
25+370.60 грн
50+357.79 грн
100+303.36 грн
500+273.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-753-555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-803-605-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-853-655-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-903-705-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-1-953-755-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1003-805-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 100C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1053-855-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1103-905-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1153-955-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 115C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1203-1005-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1253-1055-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1303-1105-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1353-1155-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 135C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1403-1205-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 140C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1453-1255-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 145C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-1503-1305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-153-055-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 15C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-453-255-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.99 грн
5+504.43 грн
10+407.42 грн
25+370.60 грн
50+357.79 грн
100+303.36 грн
500+273.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-503-305-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 50C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-553-355-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.24 грн
5+477.74 грн
10+385.81 грн
25+350.59 грн
50+338.58 грн
100+287.35 грн
500+259.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-603-405-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 60C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-653-455-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-753-555-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-803-605-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 80C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-853-655-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 85C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.99 грн
5+504.43 грн
10+407.42 грн
25+370.60 грн
50+357.79 грн
100+303.36 грн
500+273.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-903-705-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24-T02-MG01-B1P-2-953-755-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.09 грн
5+456.56 грн
10+369.00 грн
25+335.38 грн
50+323.37 грн
100+274.55 грн
500+248.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24010SE3Vitalconn Electronics TechnologyTK24010SE3
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
TK2404K-T1-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2405800000GAmphenolWire protector system horizontal wire-inlet 5.0 mm pitch solid block 24 position
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2405800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 24P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 24
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2003-1610-MICMicrotherm SentronicThermostats
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 225C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.71 грн
5+590.96 грн
10+477.06 грн
25+433.03 грн
50+417.82 грн
100+354.59 грн
500+325.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+875.00 грн
10+780.58 грн
50+547.49 грн
100+463.45 грн
200+452.24 грн
500+381.00 грн
1000+338.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-235+/-3%-195+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.71 грн
5+590.96 грн
10+477.06 грн
25+433.03 грн
50+417.82 грн
100+354.59 грн
500+325.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+875.00 грн
10+780.58 грн
50+547.49 грн
100+463.45 грн
200+452.24 грн
500+381.00 грн
1000+338.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-240+/-3%-200+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.71 грн
5+590.96 грн
10+477.06 грн
25+433.03 грн
50+417.82 грн
100+354.59 грн
500+325.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+875.00 грн
10+780.58 грн
50+547.49 грн
100+463.45 грн
200+452.24 грн
500+381.00 грн
1000+338.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T01-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2153-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-220+/-3%-180+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.59 грн
5+509.95 грн
10+411.42 грн
25+373.80 грн
50+360.99 грн
100+306.56 грн
500+281.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+743.33 грн
10+663.68 грн
50+465.85 грн
100+394.61 грн
200+384.21 грн
500+324.17 грн
1000+288.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 225C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-230+/-3%-190+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.71 грн
5+590.96 грн
10+477.06 грн
25+433.03 грн
50+417.82 грн
100+354.59 грн
500+325.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 230C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+875.00 грн
10+780.58 грн
50+547.49 грн
100+463.45 грн
200+452.24 грн
500+381.00 грн
1000+338.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2353-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2453-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 245C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-250+/-3%-210+/-10%Microtherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.71 грн
5+590.96 грн
10+477.06 грн
25+433.03 грн
50+417.82 грн
100+354.59 грн
500+325.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK24HT-T02-MG01-B1C-2503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 250C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+875.00 грн
10+780.58 грн
50+547.49 грн
100+463.45 грн
200+452.24 грн
500+381.00 грн
1000+338.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK250BMCL
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A10K3
Код товару: 116226
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.43 грн
10+92.97 грн
100+76.44 грн
500+59.63 грн
1000+51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A20D,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A20D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.047 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.01 грн
50+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.30 грн
10+196.99 грн
100+159.29 грн
500+128.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X
Код товару: 191910
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+149.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+139.81 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+335.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+162.63 грн
93+136.79 грн
100+129.25 грн
200+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+285.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+281.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25A60X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+438.18 грн
10+366.35 грн
100+289.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5S5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60XS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E06K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch 60V 25A Rdson 0.046 Ohm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E06K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60XToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.67 грн
10+350.71 грн
100+188.90 грн
500+176.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(SToshibaSilicon N-Channel MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+255.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 180W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+299.01 грн
10+258.60 грн
50+228.97 грн
100+191.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(TToshiba0
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.69 грн
50+238.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.99 грн
10+263.26 грн
100+208.91 грн
500+184.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25E60X5,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.02 грн
10+258.60 грн
100+236.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5S1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60XS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.73 грн
10+285.35 грн
120+206.51 грн
510+186.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.91 грн
10+312.48 грн
100+311.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25N60X5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.72 грн
10+235.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60XS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=57W F=1MHZ
на замовлення 25934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.86 грн
10+71.43 грн
100+44.10 грн
500+35.38 грн
1000+32.26 грн
2000+28.74 грн
4000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+113.43 грн
10+69.45 грн
100+46.28 грн
500+34.11 грн
1000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+78.65 грн
216+58.80 грн
253+50.09 грн
500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQToshibaMOSFET 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 79096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.32 грн
10+62.69 грн
100+42.42 грн
500+35.94 грн
1000+29.22 грн
2000+27.53 грн
4000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.50 грн
10+64.70 грн
100+42.95 грн
500+31.56 грн
1000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+63.18 грн
250+60.65 грн
500+58.46 грн
1000+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQToshibaMOSFET 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+280.15 грн
10+245.13 грн
100+226.28 грн
500+198.44 грн
1000+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.11 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.28 грн
500+198.44 грн
1000+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.36 грн
10+346.44 грн
100+251.81 грн
500+202.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.22 грн
10+347.95 грн
25+285.75 грн
100+244.93 грн
250+231.32 грн
500+217.72 грн
1000+186.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.24 грн
10+399.57 грн
100+272.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25V60X5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25V60X5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.125 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+272.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK25Z60X,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK25Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.22 грн
10+403.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK25Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK26263M (TC)Description: HOME TAPE KIT - STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK26E-006Fuji Electric CorporationTK26E-006
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4194.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK26E-007Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 10.5A ( (53mm 50.1mm)) Contactor mounting Over Load Relay
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4194.91 грн
5+3743.13 грн
10+3686.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK26E-2P8Fuji Electric CorporationTK26E-2P8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4194.91 грн
5+3743.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2700Sargent ToolsCrimpers LAN KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2720
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK272GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK272G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK272G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2770Sargent ToolsCrimpers MODULAR PLUG KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.96 грн
50+236.76 грн
100+216.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.78 грн
10+235.65 грн
100+191.30 грн
500+161.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.14 грн
10+450.75 грн
100+232.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28C94AINTekmosTK28C94AIN^TEKMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.39 грн
50+264.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+654.58 грн
10+390.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK28F010NI-12TekmosFlash Parallel 1M-bit 128K x 8 90ns 32-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28F010PI-120Tekmos Inc.CMOS 1024K Flash Memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.52 грн
30+323.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.89 грн
10+302.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1FToshibaMOSFETs TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.96 грн
10+368.20 грн
120+280.15 грн
510+267.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65WS1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.46 грн
10+371.62 грн
100+270.72 грн
500+219.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+186.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+291.82 грн
500+251.80 грн
1000+227.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.10 грн
10+362.76 грн
100+291.82 грн
500+251.80 грн
1000+227.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+257.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.70 грн
10+388.54 грн
100+283.78 грн
500+232.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+295.41 грн
500+255.14 грн
1000+230.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.59 грн
10+367.25 грн
100+295.41 грн
500+255.14 грн
1000+230.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5LQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65WLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.63 грн
10+89.47 грн
100+65.72 грн
500+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.75 грн
10+134.69 грн
100+117.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.06 грн
50+114.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.92 грн
10+132.55 грн
100+111.26 грн
500+83.24 грн
1000+73.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.54 грн
10+116.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.74 грн
10+104.39 грн
100+83.09 грн
500+65.98 грн
1000+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.67 грн
10+86.25 грн
100+73.64 грн
1000+70.20 грн
2000+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+143.61 грн
133+95.46 грн
143+88.70 грн
200+72.50 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.69 грн
12+76.95 грн
100+73.90 грн
500+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.69 грн
12+76.95 грн
100+73.90 грн
500+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.30 грн
10+137.15 грн
100+83.24 грн
500+82.44 грн
1000+76.44 грн
2000+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.19 грн
10+118.23 грн
100+94.13 грн
500+74.75 грн
1000+63.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.59 грн
500+78.04 грн
1000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK290P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.83 грн
10+127.50 грн
100+91.59 грн
500+78.04 грн
1000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK2A65DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.66 грн
10+92.97 грн
100+63.63 грн
500+52.67 грн
1000+41.38 грн
5000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.15 грн
50+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2D-24TE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Polyvinyl Chloride Gray
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+745.08 грн
25+729.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 424-433 дні (днів)
5+78.07 грн
10+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.04 грн
10+111.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60FS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P-3.5TraktronixDescription: 2PIN 3.5MM SCREW PLUGGABLE CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60DToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NQ)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV)ToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+33.58 грн
406+31.26 грн
407+31.15 грн
500+25.36 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1NV)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16R1,NQ)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQToshibaMOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.87 грн
10+98.49 грн
100+59.87 грн
500+47.55 грн
1000+44.02 грн
2000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.69 грн
10+103.26 грн
100+74.26 грн
500+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+69.95 грн
242+52.38 грн
285+44.52 грн
500+36.82 грн
1000+32.28 грн
2000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.26 грн
500+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P90E,RQSToshibaMOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.77 грн
10+66.00 грн
100+50.67 грн
200+43.38 грн
1000+25.13 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2Q60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QMToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.81 грн
10+150.04 грн
100+128.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.97 грн
50+151.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+279.25 грн
10+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QMS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.08 грн
10+197.91 грн
100+152.08 грн
500+145.68 грн
1000+140.88 грн
2500+135.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.71 грн
50+183.80 грн
100+157.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R4E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 290 A, 0.00197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00197ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.64 грн
50+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaMOSFETs Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.71 грн
10+155.56 грн
100+133.67 грн
500+120.06 грн
1000+110.46 грн
2500+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X
Код товару: 189702
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.41 грн
10+226.28 грн
100+175.09 грн
500+140.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+281.11 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PLS1X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.