Продукція > TK2

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK2-12-AGTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: TK2-12-AG=SNAP TRACK
Packaging: Bag
Slotted/Unslotted: Slotted
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-17Trompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Terminators Tool Kit BNC 734 & 735 CBL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-17Cinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: TOOL KIT BNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-24-AGTE Connectivity / BuchananTerminal Block Tools & Accessories TK2-24-AG=SNAP TRACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+924.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories TK2-48-AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 10732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2147.04 грн
17+2110.18 грн
33+2073.33 грн
65+1962.83 грн
360+1652.06 грн
500+1342.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: DIN RAIL 78MMX17MM SLOT 48" PVC
Packaging: Bulk
Size: 3.100" W x 0.700" H (78.74mm x 17.78mm)
Slotted/Unslotted: Slotted
Type: C Section
Length: 48.000" (1219.20mm)
Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-48-AGTE ConnectivityConnector Accessories Track Channel Straight
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3668.68 грн
25+3513.89 грн
45+3374.97 грн
210+3124.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6TE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6-AGTE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: TK2-6-AG=SNAP TRACK
Size: 3.098" W x 0.701" H (78.70mm x 17.80mm)
Slotted/Unslotted: Slotted
Type: C Section
Length: 6.000" (152.40mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6-AGTE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Straight
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+288.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2-6-AGTE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Straight
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2005800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2015 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2005800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 20P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 20
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2015 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200A65Z5,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.06 грн
50+209.90 грн
100+191.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200A65Z5,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200A65Z5,S4XToshibaMOSFETs 650 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200E65Z5,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200E65Z5,S1XToshibaMOSFETs 650 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200E65Z5,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.94 грн
50+215.86 грн
100+197.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1LToshibaMOSFET 30V N-ch single Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LQ(OToshibaTK200F04N1L,LQ(O
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.28 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshibaMOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.30 грн
10+204.03 грн
100+125.64 грн
500+116.67 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.86 грн
10+205.81 грн
100+145.76 грн
500+118.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ(OToshibaTK200F04N1L,LXGQ(O
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+267.76 грн
56+257.56 грн
100+248.82 грн
250+232.65 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1LLQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1LLQ(O-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.61 грн
10+269.76 грн
100+194.08 грн
500+167.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650V 0.200OHM TOLL D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200U65Z5,RQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQToshibaMOSFETs 600 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET DFN8 x 8 DTMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.85 грн
10+210.75 грн
100+149.50 грн
500+121.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V60Z1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 14A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.53 грн
10+303.19 грн
100+219.66 грн
500+194.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQToshibaMOSFETs 650 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET DFN 8 x 8 DTMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200V65Z5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+175.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20103M (TC)Description: KID'S IMAGINATION TAPE KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2019TRIPATH
на замовлення 583 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2019195PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK201JHT1006P
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK202412PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20254127PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2050TRIPATH
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK205013TR
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2051
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2070TRIPATH
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK209548PVDFCLHellermannTytonHeat Shrink Tubing & Sleeves
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A20D,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 20A 250V 45W 2550pF 0.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(J)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.80 грн
175+81.01 грн
250+77.76 грн
500+72.28 грн
1000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(J)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.80 грн
175+81.01 грн
250+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A25D,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 20 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.47 грн
10+190.07 грн
100+136.92 грн
500+96.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25D,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A25DS5X(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60T
на замовлення 21450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60T(Q)ToshibaMOSFET TO-220SIS,PRE-ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60T,S5TLTQ(JToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60UToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(LBS1SP,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q)ToshibaMOSFET HVMOS SIS DT,PRE-ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(Q,M) /Toshiba
Код товару: 113916
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(S4LIT,Q,MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,M)ToshibaTRANSISTOR (SILICON)
на замовлення 48800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+159.47 грн
1000+151.20 грн
10000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 128950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+159.47 грн
1000+151.20 грн
10000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U(TK20A60T)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U,S5COSEQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U,S5PP1X(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60WToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX
Код товару: 143775
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
50+137.13 грн
100+124.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.97 грн
10+147.66 грн
100+115.98 грн
500+95.27 грн
1000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX
Код товару: 196175
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.16 грн
81+175.22 грн
100+169.28 грн
250+158.28 грн
500+142.57 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+239.83 грн
3+200.26 грн
10+177.00 грн
50+159.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.16 грн
81+175.22 грн
100+169.28 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20A60W,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W,S5VX(MToshibaMOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]